JPS61267054A - フオトマスクブランクスのエツチング方法 - Google Patents
フオトマスクブランクスのエツチング方法Info
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- JPS61267054A JPS61267054A JP60107013A JP10701385A JPS61267054A JP S61267054 A JPS61267054 A JP S61267054A JP 60107013 A JP60107013 A JP 60107013A JP 10701385 A JP10701385 A JP 10701385A JP S61267054 A JPS61267054 A JP S61267054A
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- chromium oxide
- photomask blank
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
- G03F1/58—Absorbers, e.g. of opaque materials having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、フォトマスクの作成時におけるフォトマスク
ブランクスのエツチング方法に関し、更に詳しくは透明
基板上にクロム、酸化クロム多層遮光層を備えたフォト
マスクブランクスの該遮光層上に常法に従ってフォトレ
ジスト等の所望パターンの被覆体を設け、該被覆体で覆
われていない部分をエツチングして窓部を形成するフォ
トマスクブランクスのエツチング方法に関する。
ブランクスのエツチング方法に関し、更に詳しくは透明
基板上にクロム、酸化クロム多層遮光層を備えたフォト
マスクブランクスの該遮光層上に常法に従ってフォトレ
ジスト等の所望パターンの被覆体を設け、該被覆体で覆
われていない部分をエツチングして窓部を形成するフォ
トマスクブランクスのエツチング方法に関する。
（従来の技術）
従来、この種フォトマスクブランクスのエツチング方法
としては、第１図示の如く透明基板ａ上にクロム層すと
酸化クロム層Ｃの多層遮光層ｄを備えたフォトマスクブ
ランクスｅの該遮光層ｄ上に常法に従ってフォトレジス
ト等の被覆体ｆを設けて所望パターンを形成し、次で第
２図示の如く被覆体ｆで覆われていない部分の遮光層ｄ
を、セリウム（ＩＶ）塩系エッチング液でエツチングし
て窓部りを形成する方法が知られている。
としては、第１図示の如く透明基板ａ上にクロム層すと
酸化クロム層Ｃの多層遮光層ｄを備えたフォトマスクブ
ランクスｅの該遮光層ｄ上に常法に従ってフォトレジス
ト等の被覆体ｆを設けて所望パターンを形成し、次で第
２図示の如く被覆体ｆで覆われていない部分の遮光層ｄ
を、セリウム（ＩＶ）塩系エッチング液でエツチングし
て窓部りを形成する方法が知られている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、前記従来法によれば、セリウム勤塩系エ
ツチング液によるクロムと酸化クロムに対するエツチン
グ速度が４：１と差があるために、第２図示の如くクロ
ム層すの方がエツチングされ過ぎて酸化クロム層Ｃにオ
ーバハング部ｑが形成されてしまいクリティカルディメ
ンションにばらつきが生じたり、また該オーバハング部
Ｑが欠落した場合にはパターンエツジにギザつきが生じ
たりして、得られたフォトマスクのパターン精度があま
り良くないという不都合を有していた。
ツチング液によるクロムと酸化クロムに対するエツチン
グ速度が４：１と差があるために、第２図示の如くクロ
ム層すの方がエツチングされ過ぎて酸化クロム層Ｃにオ
ーバハング部ｑが形成されてしまいクリティカルディメ
ンションにばらつきが生じたり、また該オーバハング部
Ｑが欠落した場合にはパターンエツジにギザつきが生じ
たりして、得られたフォトマスクのパターン精度があま
り良くないという不都合を有していた。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは、過マンガン酸塩系エツチング液が酸化ク
ロム層のみを選択的にエツチングする性質を有するとい
う知見を得、かかる知見に基いて、′過マンガン酸塩系
エツチング液によるエツチング処理とセリウム■塩基エ
ツチング液によるエツチング処理とを組合せることによ
ってエツチング後の酸化クロム層とクロム層の端面を精
確に同一面に合せることができるフォトマスクブランク
スのエツチング方法を提供するもので、その第１発明は
、透明基板上にクロム、酸化クロム多層遮光層を備えた
フォトマスクブランクスの該遮光層上に常法に従ってフ
ォトレジスト等の所望パターンの被覆体を設け、該被覆
体で覆われていない部分をエツチングして窓部を形成す
るフォトマスクブランクスのエツチング方法において、
まずセリウム［株］塩系エツチング液で酸化クロム層と
クロム層を共にエツチングして、次で酸化クロム層のオ
ーバハングした部分を過マンガン酸塩系エツチング液で
エツチングしながらこれらクロム層と酸化クロム層の端
面を合わせることを特徴とする。
ロム層のみを選択的にエツチングする性質を有するとい
う知見を得、かかる知見に基いて、′過マンガン酸塩系
エツチング液によるエツチング処理とセリウム■塩基エ
ツチング液によるエツチング処理とを組合せることによ
ってエツチング後の酸化クロム層とクロム層の端面を精
確に同一面に合せることができるフォトマスクブランク
スのエツチング方法を提供するもので、その第１発明は
、透明基板上にクロム、酸化クロム多層遮光層を備えた
フォトマスクブランクスの該遮光層上に常法に従ってフ
ォトレジスト等の所望パターンの被覆体を設け、該被覆
体で覆われていない部分をエツチングして窓部を形成す
るフォトマスクブランクスのエツチング方法において、
まずセリウム［株］塩系エツチング液で酸化クロム層と
クロム層を共にエツチングして、次で酸化クロム層のオ
ーバハングした部分を過マンガン酸塩系エツチング液で
エツチングしながらこれらクロム層と酸化クロム層の端
面を合わせることを特徴とする。
また、本願の第２発明は、透明基板上にクロム、酸化ク
ロム多層遮光層を備えたフォトマスクブランクスの該遮
光層上に常法に従ってフォトレジスト等の所望パターン
の被覆体を設け、該被覆体で覆われていない部分をエツ
チングして窓部を形成するフォトマスクブランクスのエ
ツチング方法において、まず過マンガン酸塩系エツチン
グ液で酸化クロム層のみをエツチングしておき、次でセ
リウム（ＩＶ）塩系エッチング液で該酸化クロム層と該
クロム層をエツチングしながらこれら酸化クロム層とク
ロム層の端面を合わせることを特徴とする。
ロム多層遮光層を備えたフォトマスクブランクスの該遮
光層上に常法に従ってフォトレジスト等の所望パターン
の被覆体を設け、該被覆体で覆われていない部分をエツ
チングして窓部を形成するフォトマスクブランクスのエ
ツチング方法において、まず過マンガン酸塩系エツチン
グ液で酸化クロム層のみをエツチングしておき、次でセ
リウム（ＩＶ）塩系エッチング液で該酸化クロム層と該
クロム層をエツチングしながらこれら酸化クロム層とク
ロム層の端面を合わせることを特徴とする。
エツチングの対象となるフォトマスクブランクスは、一
般にガラス等の透明基板にクロム層と更に酸化クロム層
を蒸着法やスパッタリング法にて多層遮光層に形成しで
ある。
般にガラス等の透明基板にクロム層と更に酸化クロム層
を蒸着法やスパッタリング法にて多層遮光層に形成しで
ある。
フォトマスクブランクスの多層遮光層を所望パターンに
被覆する被覆体は、一般にはフォトレジストを該遮光層
の全面に亘って被覆して原型パターンを介して予定区域
のみ感光さ才、これを現像処理して該感光部或いは未感
光部のみを該遮光層上に残すフォトレジスト法などによ
って形成する。
被覆する被覆体は、一般にはフォトレジストを該遮光層
の全面に亘って被覆して原型パターンを介して予定区域
のみ感光さ才、これを現像処理して該感光部或いは未感
光部のみを該遮光層上に残すフォトレジスト法などによ
って形成する。
尚、フォトマスクブランクスは予めパターン化されてい
ないフォトレジスト被１ｆｆｉを備えるようにしたもの
も用い得る。
ないフォトレジスト被１ｆｆｉを備えるようにしたもの
も用い得る。
過マンガン酸塩系エツチング液としては一般には亜鉛、
アンモニウム、カドミウム、カリウム、カルシウム、銀
、ストロンチウム、セシウム、ナトリウム、バリウム、
マグネシウム、リヂウム、ルビジウム等の過マンガン酸
塩の１／ＩＯＮ〜３Ｎ溶液が用いられる。
アンモニウム、カドミウム、カリウム、カルシウム、銀
、ストロンチウム、セシウム、ナトリウム、バリウム、
マグネシウム、リヂウム、ルビジウム等の過マンガン酸
塩の１／ＩＯＮ〜３Ｎ溶液が用いられる。
また、セリウム（ＩＶ）塩系エッチング液としては、一
般には硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合
水溶液が用いられる。
般には硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合
水溶液が用いられる。
これら、両エツチング液を用いてクロム層と酸化クロム
層の端面を合せるには、各エツチング液の液温とフォト
マスクブランクスの各エツチング液への浸漬時間を調整
すること等によって行う。
層の端面を合せるには、各エツチング液の液温とフォト
マスクブランクスの各エツチング液への浸漬時間を調整
すること等によって行う。
（実施例）
以下、添附図面に従って本願の第１発明並びに第２発明
の実施例を夫々実施例１及び実施例２として示す。
の実施例を夫々実施例１及び実施例２として示す。
実施例１
まず、第３図示の如くガラス製の透明基板１上に膜厚６
１ｎｌｌのクロム層２、及び膜厚２５ｒｖの酸化クロム
Ｈ３の多層遮光層４を備えたフォトマスクブランクス５
を用意して、該遮光層４上に７オトレジスト（例えばＡ
Ｚ１３５０（ヘキスト社製））の被覆層を設け、該被覆
層に常法の現像処理を施してこれを所望パターンの被覆
体６に形成する。
１ｎｌｌのクロム層２、及び膜厚２５ｒｖの酸化クロム
Ｈ３の多層遮光層４を備えたフォトマスクブランクス５
を用意して、該遮光層４上に７オトレジスト（例えばＡ
Ｚ１３５０（ヘキスト社製））の被覆層を設け、該被覆
層に常法の現像処理を施してこれを所望パターンの被覆
体６に形成する。
次で、第４図示の如く該フォトマスクブランクス５を硝
酸第二セリウムアンモニウム１００ｇ、過塩素Ｍ２６Ｃ
Ｃ，純水４４０ｃｃから成る液温２０℃のエツチング液
に６０秒間浸漬して酸化クロム層３とクロム層２を共に
エツチングして窓部７を形成し、該エツチング液を水洗
する。
酸第二セリウムアンモニウム１００ｇ、過塩素Ｍ２６Ｃ
Ｃ，純水４４０ｃｃから成る液温２０℃のエツチング液
に６０秒間浸漬して酸化クロム層３とクロム層２を共に
エツチングして窓部７を形成し、該エツチング液を水洗
する。
最後に、第５図示の如く該フォトマスクブランクス５を
０．５Ｎの過マンガン酸カリウム水溶液から成る液温６
０℃のエツチング液に１８０秒間浸漬して酸化クロムｍ
３のオーバハングした部分をエツチングし、該エツチン
グ液を水洗してエツチング処理を終了した。
０．５Ｎの過マンガン酸カリウム水溶液から成る液温６
０℃のエツチング液に１８０秒間浸漬して酸化クロムｍ
３のオーバハングした部分をエツチングし、該エツチン
グ液を水洗してエツチング処理を終了した。
得られたフォトマスクの酸化クロム層３とクロム層２の
端面ば極めて精確に同一面に整合していた。
端面ば極めて精確に同一面に整合していた。
実施例２
第６図示の如〈実施例１と同様にして、フォトマスクブ
ランクス５に所望パターンのフォトレジスト被覆体６を
形成する。
ランクス５に所望パターンのフォトレジスト被覆体６を
形成する。
次で、第７図示の如く該フォトマスクブランクス５を０
．５Ｎの過マンガン酸カリウム水溶液から成る液温６０
℃のエツチング液に１８０秒間浸漬してセリウム■塩系
のエツチング液に対してクロム層２よりもエツチングさ
れにくい酸化りＣ１ｆｆ１３のみを予めエツチングして
おぎ、該エツチング液を水洗いする。
．５Ｎの過マンガン酸カリウム水溶液から成る液温６０
℃のエツチング液に１８０秒間浸漬してセリウム■塩系
のエツチング液に対してクロム層２よりもエツチングさ
れにくい酸化りＣ１ｆｆ１３のみを予めエツチングして
おぎ、該エツチング液を水洗いする。
最後に、第８図示の如く該フォトマスクブラ ｌンクス
５を硝酸第二セリウムアンモニウム１００９、過塩素酸
２６ＣＣ，純水４４０ｃｃから成る液温２０℃のエツチ
ング液に４０秒間浸漬してこんどは酸化クロム層３とク
ロム層２を共にエツチングして窓部７を形成し、該エツ
チング液を水洗してエツチング処理を終了した。
５を硝酸第二セリウムアンモニウム１００９、過塩素酸
２６ＣＣ，純水４４０ｃｃから成る液温２０℃のエツチ
ング液に４０秒間浸漬してこんどは酸化クロム層３とク
ロム層２を共にエツチングして窓部７を形成し、該エツ
チング液を水洗してエツチング処理を終了した。
得られたフォトマスクの酸化クロム層３とクロム層２の
端面ば極めて精確に同一面に整合していた。
端面ば極めて精確に同一面に整合していた。
（発明の効果）
このように、本願の第１発明並びに第２発明のフォトマ
スクブランクスのエツチング方法によれば、セリウム［
有］塩系エツチング液の酸化クロムとクロムに対するエ
ツチング速度の差と過マンガン酸塩系エツチング液の酸
化クロムに対する選択的エツチングとを利用して、エツ
チング後の多層遮光層の酸化クロム層とクロム層の端面
を簡単且つ極めて精確に同一面に合せることができる効
果を有する。
スクブランクスのエツチング方法によれば、セリウム［
有］塩系エツチング液の酸化クロムとクロムに対するエ
ツチング速度の差と過マンガン酸塩系エツチング液の酸
化クロムに対する選択的エツチングとを利用して、エツ
チング後の多層遮光層の酸化クロム層とクロム層の端面
を簡単且つ極めて精確に同一面に合せることができる効
果を有する。
第１図並びに第２図は夫々従来のフォトマスクブランク
スのエツチング方法によるエツチング液処理前並びに処
理後のフォトマスクブランクスの截断面図、第３図乃至
第５図は夫々本願第１発明のフォトマスクブランクスの
エツチング方法の１実施例によるエツチング液処理前、
セリウム［株］塩系エツチング液処理後並びに過マンガ
ン酸塩系エツチング液処理後のフォトマスクブランクス
の截断面図、第６図乃至第８図は夫々本願第２発明のフ
ォトマスクブランクスのエツチング方法の１実施例によ
るエツチング液処理前、過マンガン酸塩系エツチング液
処理後並びにセリウム（ＩＶ）塩系エッチング液処理後
のフォトマスクブランクスの截断面図である。 １・・・透明基板 ２・・・クロム層 ３・・・酸化クロム層 ４・・・多層遮光層 ５・・・フォトマスクブランクス ６・・・被覆体 ７・・・窓部 第１１ 第３図
スのエツチング方法によるエツチング液処理前並びに処
理後のフォトマスクブランクスの截断面図、第３図乃至
第５図は夫々本願第１発明のフォトマスクブランクスの
エツチング方法の１実施例によるエツチング液処理前、
セリウム［株］塩系エツチング液処理後並びに過マンガ
ン酸塩系エツチング液処理後のフォトマスクブランクス
の截断面図、第６図乃至第８図は夫々本願第２発明のフ
ォトマスクブランクスのエツチング方法の１実施例によ
るエツチング液処理前、過マンガン酸塩系エツチング液
処理後並びにセリウム（ＩＶ）塩系エッチング液処理後
のフォトマスクブランクスの截断面図である。 １・・・透明基板 ２・・・クロム層 ３・・・酸化クロム層 ４・・・多層遮光層 ５・・・フォトマスクブランクス ６・・・被覆体 ７・・・窓部 第１１ 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透明基板上にクロム、酸化クロム多層遮光層を備え
たフォトマスクブランクスの該遮光層上に常法に従って
フォトレジスト等の所望パターンの被覆体を設け、該被
覆体で覆われていない部分をエッチングして窓部を形成
するフォトマスクブランクスのエッチング方法において
、まずセリウム（IV）塩系エッチング液で酸化クロム層
とクロム層を共にエッチングして、次で酸化クロム層の
オーバハングした部分を過マンガン酸塩系エッチング液
でエッチングしながらこれらクロム層と酸化クロム層の
端面を合わせることを特徴とするフォトマスクブランク
スのエッチング方法。 ２、透明基板上にクロム、酸化クロム多層遮光層を備え
たフォトマスクブランクスの該遮光層上に常法に従って
フォトレジスト等の所望パターンの被覆体を設け、該被
覆体で覆われていない部分をエッチングして窓部を形成
するフォトマスクブランクスのエッチング方法において
、まず過マンガン酸塩系エッチング液で酸化クロム層の
みをエッチングしておき、次でセリウム（IV）塩系エッ
チング液で該酸化クロム層と該クロム層をエッチングし
ながらこれら酸化クロム層とクロム層の端面を合わせる
ことを特徴とするフォトマスクブランクスのエッチング
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60107013A JPS61267054A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | フオトマスクブランクスのエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60107013A JPS61267054A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | フオトマスクブランクスのエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61267054A true JPS61267054A (ja) | 1986-11-26 |
| JPH052143B2 JPH052143B2 (ja) | 1993-01-11 |
Family
ID=14448288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60107013A Granted JPS61267054A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | フオトマスクブランクスのエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61267054A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0485814A (ja) * | 1990-07-26 | 1992-03-18 | Fujitsu Ltd | マスクの作成方法 |
| EP3125041A1 (en) * | 2015-07-27 | 2017-02-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and method for preparing photomask |
| CN106406022A (zh) * | 2015-07-27 | 2017-02-15 | 信越化学工业株式会社 | 光掩模坯和制备光掩模的方法 |
-
1985
- 1985-05-21 JP JP60107013A patent/JPS61267054A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0485814A (ja) * | 1990-07-26 | 1992-03-18 | Fujitsu Ltd | マスクの作成方法 |
| EP3125041A1 (en) * | 2015-07-27 | 2017-02-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and method for preparing photomask |
| CN106406022A (zh) * | 2015-07-27 | 2017-02-15 | 信越化学工业株式会社 | 光掩模坯和制备光掩模的方法 |
| US9880459B2 (en) | 2015-07-27 | 2018-01-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank and method for preparing photomask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH052143B2 (ja) | 1993-01-11 |
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