JP2813381B2 - フォトマスク製造時に用いるエッチング液 - Google Patents
フォトマスク製造時に用いるエッチング液Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、エッチング液に係り、特にフォトマスク等
の製造に用いられる遮光性薄膜のエッチング液に関す
る。
の製造に用いられる遮光性薄膜のエッチング液に関す
る。
［従来の技術］ フォトマスク等の製造に用いられる遮光性薄膜とし
て、クロム系金属薄膜が主として用いられている。この
クロム系金属薄膜は表面反射率の相違により、大別して
以下の３種のものがある。
て、クロム系金属薄膜が主として用いられている。この
クロム系金属薄膜は表面反射率の相違により、大別して
以下の３種のものがある。
（ｉ）純クロム膜……純クロム層のみからなり、平均膜
厚層700Åのものが一般的である。波長436nmにおける表
面反射率が約50％で、３種のうちで最も表面反射率が高
い。
厚層700Åのものが一般的である。波長436nmにおける表
面反射率が約50％で、３種のうちで最も表面反射率が高
い。
（ii）純クロム層と酸化クロム層とを積層した高反射率
膜……膜厚約700Åの純クロム層上に膜厚約150Åの酸化
クロム層を積層したものである。波長436nmにおける表
面反射率は約30％であり、前記（ｉ）の純クロム膜より
も低いが、後記（iii）の純クロム層と酸化クロム層と
を積層した低反射率膜よりも高い。
膜……膜厚約700Åの純クロム層上に膜厚約150Åの酸化
クロム層を積層したものである。波長436nmにおける表
面反射率は約30％であり、前記（ｉ）の純クロム膜より
も低いが、後記（iii）の純クロム層と酸化クロム層と
を積層した低反射率膜よりも高い。
（iii）純クロム層と酸化クロム層とを積層した低反射
率膜…膜厚約700Åの純クロム層上に膜厚約300Åの酸化
クロム層を積層したものである。波長436nmにおける表
面反射率は約10％で、３種のうちで最も低い。
率膜…膜厚約700Åの純クロム層上に膜厚約300Åの酸化
クロム層を積層したものである。波長436nmにおける表
面反射率は約10％で、３種のうちで最も低い。
これら３種のクロム系金属薄膜は、特殊な手法とし
て、レジスト塗布前にエッチング処理（以下、このエッ
チング処理を予備エッチング処理という）することによ
り、膜厚や表面反射率の異なる各種のクロム系金属薄膜
を得ることが可能である。例えば（ｉ）の純クロム膜を
予備エッチング処理することにより、膜厚の異なる種々
の純クロム膜を得ることができる。また（ii）および
（iii）の純クロム−酸化クロム積層膜を予備エッチン
グ処理して、膜厚150Åおよび300Åの酸化クロム層の膜
厚をそれぞれ減少させて表面反射率の異なる種々の純ク
ロム−酸化クロム積層膜を得ることができる。
て、レジスト塗布前にエッチング処理（以下、このエッ
チング処理を予備エッチング処理という）することによ
り、膜厚や表面反射率の異なる各種のクロム系金属薄膜
を得ることが可能である。例えば（ｉ）の純クロム膜を
予備エッチング処理することにより、膜厚の異なる種々
の純クロム膜を得ることができる。また（ii）および
（iii）の純クロム−酸化クロム積層膜を予備エッチン
グ処理して、膜厚150Åおよび300Åの酸化クロム層の膜
厚をそれぞれ減少させて表面反射率の異なる種々の純ク
ロム−酸化クロム積層膜を得ることができる。
また、前述した予備エッチング処理は、クロム層にめ
り込んだ微小な異種金属粒や、あるいはクロム層の微小
な突起の除去のためにも実施される。
り込んだ微小な異種金属粒や、あるいはクロム層の微小
な突起の除去のためにも実施される。
そしてこのような予備エッチング処理は、レジストパ
ターン形成後に行なわれるクロム系金属薄膜のエッチン
グ処理（以下、このエッチング処理を本エッチング処理
という）と同様に硝酸第２セリウムアンモンまたは硫酸
第２セリウムアンモンを主体とする水溶液が一般に適用
されていた。
ターン形成後に行なわれるクロム系金属薄膜のエッチン
グ処理（以下、このエッチング処理を本エッチング処理
という）と同様に硝酸第２セリウムアンモンまたは硫酸
第２セリウムアンモンを主体とする水溶液が一般に適用
されていた。
［発明が解決しようとする課題］ 硝酸第２セリウムアンモンまたは硫酸第２セリウムア
ンモンの水溶液を用いる従来の予備エッチング処理にお
いては、水溶液中の硝酸第２セリウムアンモンまたは硫
酸第２セリウムアンモンの濃度を変えることによりクロ
ム系金属薄膜のエッチングの程度をコントロールするこ
とが可能であるが、予備エッチング処理後のクロム系金
属薄膜上にレジストを塗布した後に、レジストパターン
の形成工程および得られたレジストパターンをマスクと
するクロム系金属薄膜のエッチング工程を含むフォトリ
ソグラフィー法によりクロム系金属薄膜パターンを形成
した場合に、微小な欠落部が薄膜パターンのエッジ部に
発生するという問題点を有している。
ンモンの水溶液を用いる従来の予備エッチング処理にお
いては、水溶液中の硝酸第２セリウムアンモンまたは硫
酸第２セリウムアンモンの濃度を変えることによりクロ
ム系金属薄膜のエッチングの程度をコントロールするこ
とが可能であるが、予備エッチング処理後のクロム系金
属薄膜上にレジストを塗布した後に、レジストパターン
の形成工程および得られたレジストパターンをマスクと
するクロム系金属薄膜のエッチング工程を含むフォトリ
ソグラフィー法によりクロム系金属薄膜パターンを形成
した場合に、微小な欠落部が薄膜パターンのエッジ部に
発生するという問題点を有している。
これは、硝酸第２セリウムアンモンや硫酸第２セリウ
ムアンモンを用いる予備エッチング処理後に、クロム系
金属薄膜の表面に前記セリウムアンモン系化合物に由来
するエッチング活性種が残存するからと推察される。
ムアンモンを用いる予備エッチング処理後に、クロム系
金属薄膜の表面に前記セリウムアンモン系化合物に由来
するエッチング活性種が残存するからと推察される。
本発明は、このような問題点を除去するためになされ
たものであり、その目的は、遮光性薄膜の予備エッチン
グ処理に用いた場合に、エッチング活性種の残留がな
く、その結果、予備エッチング処理後の遮光性薄膜にレ
ジストを塗布した後に、フォトリソグラフィー法により
遮光性薄膜パターンを形成したときに、微小な欠落部が
薄膜パターンのエッジ部に発生することがないエッチン
グ液を提供することにある。
たものであり、その目的は、遮光性薄膜の予備エッチン
グ処理に用いた場合に、エッチング活性種の残留がな
く、その結果、予備エッチング処理後の遮光性薄膜にレ
ジストを塗布した後に、フォトリソグラフィー法により
遮光性薄膜パターンを形成したときに、微小な欠落部が
薄膜パターンのエッジ部に発生することがないエッチン
グ液を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、上記目的を達成するためになされたもので
あり、本発明のエッチング液はフォトマスクの製造時に
用いられるエッチング液であって、次亜塩素酸および／
またはその塩を含む水溶液からなることを特徴とする。
あり、本発明のエッチング液はフォトマスクの製造時に
用いられるエッチング液であって、次亜塩素酸および／
またはその塩を含む水溶液からなることを特徴とする。
［作用］ 次亜塩素酸または次亜塩素酸塩は水溶液中で下記の解
離反応により、先ず、ClO-を生成する。
離反応により、先ず、ClO-を生成する。
HClOH+＋ClO- NaClONa+＋ClO- 生成したClO-は不安定なイオンであり、更に下記の解
離反応により、エッチング活性種Cl-を生成する。
離反応により、エッチング活性種Cl-を生成する。
エッチング活性種Cl-は、上記解離反応によるCl-の生
成時のみに活性を示し、かつ水溶性であり、予備エッチ
ング処理後に遮光性薄膜を水洗することにより容易に除
去される。従って予備エッチング処理後の遮光性薄膜上
にエッチング活性種が残存することがないので、その後
に行なわれる遮光性薄膜パターンの形成において薄膜パ
ターンに欠陥が生ずることがない。
成時のみに活性を示し、かつ水溶性であり、予備エッチ
ング処理後に遮光性薄膜を水洗することにより容易に除
去される。従って予備エッチング処理後の遮光性薄膜上
にエッチング活性種が残存することがないので、その後
に行なわれる遮光性薄膜パターンの形成において薄膜パ
ターンに欠陥が生ずることがない。
［実施例］ 以下、実施例により本発明を詳細に説明する。
５インチ角の石英ガラスからなる透光性基板上に、膜
厚750Åの純クロム層と膜厚300Åの酸化クロム層を順次
設けることにより、波長436nmにおける表面反射率が11.
8％の純クロム−酸化クロム積層膜付きの透光性基板を
用意した。
厚750Åの純クロム層と膜厚300Åの酸化クロム層を順次
設けることにより、波長436nmにおける表面反射率が11.
8％の純クロム−酸化クロム積層膜付きの透光性基板を
用意した。
この純クロム−酸化クロム積層膜付きの透光性基板を
22℃の次亜塩素酸ナトリウム水溶液（有効塩素濃度10
％）に浸漬させたときの浸漬時間と表面反射率（波長43
6nm）との関係を調べた。その結果は第１図に示すよう
に浸漬時間が長くなるに従って、表面反射率は直線的に
上昇し、浸漬時間10分で表面反射率は約40％に達した。
なお積層膜の膜厚が浸漬前に1050Å、10分後に835Åで
あったことから、エッチング速度は20Å／分と計算され
る。
22℃の次亜塩素酸ナトリウム水溶液（有効塩素濃度10
％）に浸漬させたときの浸漬時間と表面反射率（波長43
6nm）との関係を調べた。その結果は第１図に示すよう
に浸漬時間が長くなるに従って、表面反射率は直線的に
上昇し、浸漬時間10分で表面反射率は約40％に達した。
なお積層膜の膜厚が浸漬前に1050Å、10分後に835Åで
あったことから、エッチング速度は20Å／分と計算され
る。
次に上記と同様にして純クロム−酸化クロム積層膜付
きの透光性基板を次亜塩素酸ナトリウム水溶液（有効塩
素濃度10％）中で７分間予備エッチング処理した後、水
洗して波長436nmにおける表面反射率32.3％のフォトマ
スクブランクを得た。
きの透光性基板を次亜塩素酸ナトリウム水溶液（有効塩
素濃度10％）中で７分間予備エッチング処理した後、水
洗して波長436nmにおける表面反射率32.3％のフォトマ
スクブランクを得た。
次にこのフォトマスクブランクにレジスト（チバガイ
ギー社製AZ1350）を膜厚5000Åとなるように塗布した
後、テストパターンマスクを用いて選択的に露光し、次
いで無機アルカリを主成分とする専用現像液（ヘキスト
社製）を用いて現像して、レジストパターンを得た。
ギー社製AZ1350）を膜厚5000Åとなるように塗布した
後、テストパターンマスクを用いて選択的に露光し、次
いで無機アルカリを主成分とする専用現像液（ヘキスト
社製）を用いて現像して、レジストパターンを得た。
次にこのレジストパターンをマスクとして、硝酸第２
セリウムアンモンを主体とする水溶液（水１に対して
硝酸第２セリウムアンモン200gと過塩素酸50ccとを溶
解、混合したもの）を本エッチング液として用いて本エ
ッチング処理した後、レジストパターンを60℃に加熱し
た熱硫酸を用いて剥離することにより、所定の遮光性薄
膜パターンを有するフォトマスクを得た。
セリウムアンモンを主体とする水溶液（水１に対して
硝酸第２セリウムアンモン200gと過塩素酸50ccとを溶
解、混合したもの）を本エッチング液として用いて本エ
ッチング処理した後、レジストパターンを60℃に加熱し
た熱硫酸を用いて剥離することにより、所定の遮光性薄
膜パターンを有するフォトマスクを得た。
得られたフォトマスクは、遮光性薄膜パターンのエッ
ジ部に部分的な欠落のない優れたものであった。このよ
うに優れたフォトマスクが得られたのは、予備エッチン
グ処理において用いられた次亜塩素酸ナトリウム水溶液
のエッチング活性種であるCl-が予備エッチング処理
後、レジスト塗布前に遮光性薄膜表面より水洗除去され
ているからである。
ジ部に部分的な欠落のない優れたものであった。このよ
うに優れたフォトマスクが得られたのは、予備エッチン
グ処理において用いられた次亜塩素酸ナトリウム水溶液
のエッチング活性種であるCl-が予備エッチング処理
後、レジスト塗布前に遮光性薄膜表面より水洗除去され
ているからである。
一方、比較のために、硝酸第２セリウムアンモンを主
体とする水溶液からなる、上記本エッチング液を10倍に
希釈したものを予備エッチング液として用い予備エッチ
ング処理を施して表面反対率32％のフォトマスクブラン
クを得、このフォトマスクブランクについて、上記と同
様のフォトリソグラフィー法により、遮光性パターンを
有するフォトマスクを得たが、このフォトマスクには２
個所の欠陥部が発生した。
体とする水溶液からなる、上記本エッチング液を10倍に
希釈したものを予備エッチング液として用い予備エッチ
ング処理を施して表面反対率32％のフォトマスクブラン
クを得、このフォトマスクブランクについて、上記と同
様のフォトリソグラフィー法により、遮光性パターンを
有するフォトマスクを得たが、このフォトマスクには２
個所の欠陥部が発生した。
上記実施例から明らかなように本発明は、下記のフォ
トマスクブランクの製造方法（ａ）、フォトマスクブラ
ンクの製造方法（ｂ）およびフォトマスクの製造方法
（ｃ）を好ましい態様として含むものである。
トマスクブランクの製造方法（ａ）、フォトマスクブラ
ンクの製造方法（ｂ）およびフォトマスクの製造方法
（ｃ）を好ましい態様として含むものである。
（ａ）透光性基板上に遮光性薄膜が形成されたフォトマ
スクブランクの製造方法において、前記遮光性薄膜を、
次亜塩素酸および／またはその塩を含む水溶液からなる
エッチング液を使用して処理（予備エッチング処理およ
び洗浄処理を含む）することを特徴とするフォトマスク
ブランクの製造方法。
スクブランクの製造方法において、前記遮光性薄膜を、
次亜塩素酸および／またはその塩を含む水溶液からなる
エッチング液を使用して処理（予備エッチング処理およ
び洗浄処理を含む）することを特徴とするフォトマスク
ブランクの製造方法。
（ｂ）透光性基板上に遮光性薄膜を形成し、前記遮光性
薄膜を予備エッチング処理するフォトマスクブランクの
製造方法において、次亜塩素酸および／またはその塩を
含む水溶液からなるエッチング液を使用して予備エッチ
ング処理することを特徴とするフォトマスクブランクの
製造方法。
薄膜を予備エッチング処理するフォトマスクブランクの
製造方法において、次亜塩素酸および／またはその塩を
含む水溶液からなるエッチング液を使用して予備エッチ
ング処理することを特徴とするフォトマスクブランクの
製造方法。
（ｃ）透光性基板上に遮光性薄膜パターンを有するフォ
トマスクの製造方法において、次亜塩素酸および／また
はその塩を含む水溶液からなるエッチング液を使用して
処理（予備エッチング処理および洗浄処理を含む）され
さ遮光性薄膜をエッチング処理することによりパターン
化して前記遮光性パターンを得ることを特徴とするフォ
トマスクの製造方法。
トマスクの製造方法において、次亜塩素酸および／また
はその塩を含む水溶液からなるエッチング液を使用して
処理（予備エッチング処理および洗浄処理を含む）され
さ遮光性薄膜をエッチング処理することによりパターン
化して前記遮光性パターンを得ることを特徴とするフォ
トマスクの製造方法。
また本発明は以下の応用例や変形例を含むものであ
る。
る。
（ｉ）実施例では次亜塩素酸ナトリウムを用いたが、次
亜塩素酸カリウム等の次亜塩素酸塩も使用可能である。
また次亜塩素酸も使用可能である。
亜塩素酸カリウム等の次亜塩素酸塩も使用可能である。
また次亜塩素酸も使用可能である。
（ii）予備エッチング処理後に遮光性薄膜表面に残留し
ないエッチング助剤、その他の添加剤であれば、これら
を次亜塩素酸および／またはその塩とともに用いること
もできる。
ないエッチング助剤、その他の添加剤であれば、これら
を次亜塩素酸および／またはその塩とともに用いること
もできる。
（iii）実施例では本エッチング液として硝酸第２セリ
ウムアンモンを主体とするエッチング液を使用したが、
硫酸第２セリウムアンモンを主体とするエッチング液
や、予備エッチングで用いられる次亜塩素酸および／ま
たはその塩を含む水溶液からなるエッチング液を本エッ
チング処理で使用してもさしつかえない。
ウムアンモンを主体とするエッチング液を使用したが、
硫酸第２セリウムアンモンを主体とするエッチング液
や、予備エッチングで用いられる次亜塩素酸および／ま
たはその塩を含む水溶液からなるエッチング液を本エッ
チング処理で使用してもさしつかえない。
（IV）実施例では遮光性薄膜として、クロム系金属薄膜
を用いたが、クロム膜中に酸素以外の窒素、炭素を含有
してなるウクロム薄膜でもよく、また、アルミニウム
膜、あるいは酸素、窒素を含むアルミニウム膜を用いる
こともできる。また、酸素、窒素を含むモリブデンシリ
サイド膜を用いることもできる。
を用いたが、クロム膜中に酸素以外の窒素、炭素を含有
してなるウクロム薄膜でもよく、また、アルミニウム
膜、あるいは酸素、窒素を含むアルミニウム膜を用いる
こともできる。また、酸素、窒素を含むモリブデンシリ
サイド膜を用いることもできる。
［発明の効果］ 以上の通り、本発明によれば、遮光性薄膜の予備エッ
チング処理に用いた場合に、エッチング活性種の残留が
なく、その結果、予備エッチング処理後の遮光性薄膜に
レジストを塗布した後に、フォトリソグラフィー法によ
り遮光性薄膜パターンを形成したときに、微小な欠落部
が薄膜パターンのエッジ部に発生することがないエッチ
ング液が提供された。
チング処理に用いた場合に、エッチング活性種の残留が
なく、その結果、予備エッチング処理後の遮光性薄膜に
レジストを塗布した後に、フォトリソグラフィー法によ
り遮光性薄膜パターンを形成したときに、微小な欠落部
が薄膜パターンのエッジ部に発生することがないエッチ
ング液が提供された。
第１図は本発明のエッチング液を用いた予備エッチング
処理において浸漬時間と遮光性薄膜の表面反射率との関
係を示すグラフである。
処理において浸漬時間と遮光性薄膜の表面反射率との関
係を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/306 - 21/3063 H01L 21/308 H01L 21/465 - 21/467 H01L 21/027 C23F 1/00 - 4/04 G03F 1/00 - 1/16
Claims (4)
- 【請求項１】フォトマスクの製造に用いられる遮光性薄
膜のエッチング液であって、次亜塩素酸および／または
その塩を含む水溶液からなることを特徴とするエッチン
グ液。 - 【請求項２】透光性基板上に遮光性薄膜が形成されたフ
ォトマスクブランクの製造方法において、前記遮光性薄
膜を、請求項１に記載のエッチング液を使用して処理す
ることを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。 - 【請求項３】透光性基板上に遮光性薄膜を形成し、前記
遮光性薄膜を予備エッチング処理するフォトマスクブラ
ンクの製造方法において、請求項１に記載のエッチング
液を使用して予備エッチング処理することを特徴とする
フォトマスクブランクの製造方法。 - 【請求項４】透光性基板上に遮光性薄膜パターンを有す
るフォトマスクの製造方法において、請求項１に記載の
エッチング液を使用して処理された遮光性薄膜をエッチ
ング処理することによりパターン化して前記遮光性パタ
ーンを得ることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23185789A JP2813381B2 (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | フォトマスク製造時に用いるエッチング液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23185789A JP2813381B2 (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | フォトマスク製造時に用いるエッチング液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0395928A JPH0395928A (ja) | 1991-04-22 |
| JP2813381B2 true JP2813381B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=16930108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23185789A Expired - Lifetime JP2813381B2 (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | フォトマスク製造時に用いるエッチング液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2813381B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6560510B2 (ja) * | 2015-03-12 | 2019-08-14 | 特定非営利活動法人ナノフォトニクス工学推進機構 | 表面平坦化方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS513400A (ja) * | 1974-06-28 | 1976-01-12 | Hitachi Cable | Hikagariumuketsushono kyomenkenmayofushokueki |
| JPS5113626A (en) * | 1974-07-22 | 1976-02-03 | Kubota Ltd | Karitorikino jidohensokusochi |
| JPH06101457B2 (ja) * | 1986-06-10 | 1994-12-12 | 株式会社ジャパンエナジー | ＧａＡｓウェーハの鏡面研磨液ならびに鏡面研磨方法 |
| JPH0727881B2 (ja) * | 1986-06-10 | 1995-03-29 | 株式会社ジャパンエナジー | ＩｎＰウェーハの鏡面研磨液ならびに鏡面研磨方法 |
| JPH02310381A (ja) * | 1989-05-24 | 1990-12-26 | Ougi Kagaku Kogyo Kk | 微細回路作製用エッチング液 |
-
1989
- 1989-09-07 JP JP23185789A patent/JP2813381B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0395928A (ja) | 1991-04-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080807 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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