JPH0485814A - マスクの作成方法 - Google Patents
マスクの作成方法Info
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- JPH0485814A JPH0485814A JP2198548A JP19854890A JPH0485814A JP H0485814 A JPH0485814 A JP H0485814A JP 2198548 A JP2198548 A JP 2198548A JP 19854890 A JP19854890 A JP 19854890A JP H0485814 A JPH0485814 A JP H0485814A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/06—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/32—After-treatment
- C03C2218/328—Partly or completely removing a coating
- C03C2218/33—Partly or completely removing a coating by etching
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔目次〕
・概要
・産業上の利用分野
・従来の技術（第３図）
・発明が解決しようとする課題
・課題を解決するための手段
・作用
・実施例（第１図、第２図）
・発明の効果
〔概要〕
マスクの作成方法に関し、更に詳しく言えば、ガラス基
板上のクロム膜をパターニングしてマスクを作成する方
法に関し、 マスクパターンの寸法測定を容易にし、かつこのマスク
パターンを用いて半導体基板上などに転写されたパター
ンの切れを向上することのできるマスクの作成方法を提
供することを目的とし、硝酸第２セリウムアンモニウム
と過塩素酸との水溶液からなるエツチング液を用い、パ
ターニングされたレジスト膜をマスクとしてガラス基板
上のクロム膜をエツチングし、該ガラス基板を表出して
テーパ状の側壁を有するクロム膜のパターンを形成した
後、更にエツチングを続けて前記クロム膜をサイドエツ
チングし、前記ガラス基板側のクロム膜のエツチングレ
ートと前記レジスト膜側のクロム膜のエツチングレート
との差を利用して、前記ガラス基板の板面にほぼ垂直な
側壁を有するクロム膜のマスクパターンを形成すること
を含み構成する。
板上のクロム膜をパターニングしてマスクを作成する方
法に関し、 マスクパターンの寸法測定を容易にし、かつこのマスク
パターンを用いて半導体基板上などに転写されたパター
ンの切れを向上することのできるマスクの作成方法を提
供することを目的とし、硝酸第２セリウムアンモニウム
と過塩素酸との水溶液からなるエツチング液を用い、パ
ターニングされたレジスト膜をマスクとしてガラス基板
上のクロム膜をエツチングし、該ガラス基板を表出して
テーパ状の側壁を有するクロム膜のパターンを形成した
後、更にエツチングを続けて前記クロム膜をサイドエツ
チングし、前記ガラス基板側のクロム膜のエツチングレ
ートと前記レジスト膜側のクロム膜のエツチングレート
との差を利用して、前記ガラス基板の板面にほぼ垂直な
側壁を有するクロム膜のマスクパターンを形成すること
を含み構成する。
本発明は、マスクの作成方法に関し、更に詳しく言えば
、ガラス基板上のクロム膜をパターニングしてマスクを
作成する方法に関する。
、ガラス基板上のクロム膜をパターニングしてマスクを
作成する方法に関する。
近年の半導体装置の高密度化に伴い、半導体装置のパタ
ーン寸法が微細化している。これにより、マスクパター
ンについても高い寸法精度が要求されている。
ーン寸法が微細化している。これにより、マスクパター
ンについても高い寸法精度が要求されている。
従来例のマスクの作成方法について第３図（ａ）（ｂ）
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
まず、同図（ａ）に示すように、ガラス基板１上にマス
クパターンとなるクロム膜２を形成する。
クパターンとなるクロム膜２を形成する。
続いて、クロム膜２上にレジストＷ！Ｊ３を形成した後
、これをパターニングし、レジスト膜３のパターンを形
成する。
、これをパターニングし、レジスト膜３のパターンを形
成する。
次に、同図（ｂ）に示すように、工程の簡略化のため、
及びレジスト膜のエツチング耐性のためドライエンチン
グを用いずにウェットエツチングによりクロム膜２のマ
スクパターン２ａを形成する。
及びレジスト膜のエツチング耐性のためドライエンチン
グを用いずにウェットエツチングによりクロム膜２のマ
スクパターン２ａを形成する。
即ち、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸との水
溶液からなるエツチング液を用い、レジスト膜３のパタ
ーンをマスクとしてクロム膜２をエツチングする。その
後、クロム膜２が丁度除去されてガラス基板１が表出す
るところでエツチングを停止する。その結果、マスクパ
ターン２ａの幅寸法はほぼレジスト膜６の幅寸法と同じ
になっている。しかし、等方的なサイドエツチングのた
め、レジスト膜３のパターンの周辺部の下側のクロム膜
がエツチングされ、マスクパターン２ａの断面は台形状
になっている。
溶液からなるエツチング液を用い、レジスト膜３のパタ
ーンをマスクとしてクロム膜２をエツチングする。その
後、クロム膜２が丁度除去されてガラス基板１が表出す
るところでエツチングを停止する。その結果、マスクパ
ターン２ａの幅寸法はほぼレジスト膜６の幅寸法と同じ
になっている。しかし、等方的なサイドエツチングのた
め、レジスト膜３のパターンの周辺部の下側のクロム膜
がエツチングされ、マスクパターン２ａの断面は台形状
になっている。
このようにしてマスクパターン２ａを作成した後、光反
射法、即ち測定対象物たるマスクパターン２ａに光を照
射し、その反射光を検出することにより寸法測定する方
法を用いてマスクパターン２ａの寸法を測定すると、マ
スクの作成が完了する。
射法、即ち測定対象物たるマスクパターン２ａに光を照
射し、その反射光を検出することにより寸法測定する方
法を用いてマスクパターン２ａの寸法を測定すると、マ
スクの作成が完了する。
しかし、第３図（ｂ）に示すように、形成されたマスク
パターン２ａは側壁にテーパを有しているので、光反射
法によりマスクパターン２ａの寸法の測定を行うと、マ
スクパターン２ａの側壁のテーパの膜厚の薄い部分に入
射する光は、一部透過し、一部反射するので、所定の光
の反射量が得られずに測定寸法に誤差が生ずるという問
題がある。
パターン２ａは側壁にテーパを有しているので、光反射
法によりマスクパターン２ａの寸法の測定を行うと、マ
スクパターン２ａの側壁のテーパの膜厚の薄い部分に入
射する光は、一部透過し、一部反射するので、所定の光
の反射量が得られずに測定寸法に誤差が生ずるという問
題がある。
また、このようなマスクのマスクパターン２ａを被転写
物に転写する場合、マスクパターン２ａのテーパの部分
ではクロム膜の膜厚の変化に対応して透通光量が変化す
るので、パターンボケが生ずるという問題がある。
物に転写する場合、マスクパターン２ａのテーパの部分
ではクロム膜の膜厚の変化に対応して透通光量が変化す
るので、パターンボケが生ずるという問題がある。
以上の問題点は微細なパターンを作成する場合には重大
な影響を与える。
な影響を与える。
本発明は、かかる従来例の問題点に鑑みてなされたもの
であって、マスクパターンの寸法測定を容易にし、かつ
このマスクパターンを用いて半導体基板上などに転写さ
れたパターンの切れを向上することのできるマスクの作
成方法を提供することを目的とするものである。
であって、マスクパターンの寸法測定を容易にし、かつ
このマスクパターンを用いて半導体基板上などに転写さ
れたパターンの切れを向上することのできるマスクの作
成方法を提供することを目的とするものである。
〔課題を解決するための手段］
上記課題は、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸
との水溶液からなるエツチング液を用いパターニングさ
れたレジスト膜をマスクとして、ガラス基板上のクロム
膜をエツチングし、該ガラス基板を表出してテーパ状の
側壁を有するクロム膜のパターンを形成した後、更にエ
ツチングを続けて前記クロム膜をサイドエツチングし、
前記ガラス基板側のクロム膜のエツチングレートと前記
レジスト膜側のクロム膜のエツチングレートとの差を利
用して、前記ガラス基板の板面にほぼ垂直な側壁を有す
るクロム膜のパターンを形成することを特徴とするマス
クの作成方法によって解決される。
との水溶液からなるエツチング液を用いパターニングさ
れたレジスト膜をマスクとして、ガラス基板上のクロム
膜をエツチングし、該ガラス基板を表出してテーパ状の
側壁を有するクロム膜のパターンを形成した後、更にエ
ツチングを続けて前記クロム膜をサイドエツチングし、
前記ガラス基板側のクロム膜のエツチングレートと前記
レジスト膜側のクロム膜のエツチングレートとの差を利
用して、前記ガラス基板の板面にほぼ垂直な側壁を有す
るクロム膜のパターンを形成することを特徴とするマス
クの作成方法によって解決される。
本願発明者の実験によれば、レジスト膜をマスクとして
ウェットエツチングによりクロム膜を選択エツチングす
る際、通常ガラス基板が丁度表出する時点でエンチング
を停止するため、形成されたパターンの断面は台形状に
なるが、このパターンに対して更にエツチングを続ける
と、ガラス基板側のクロム膜の方がレジスト膜例のクロ
ム膜よりも早くエツチングされ、形成されたマスクパタ
ーンの側壁がガラス基板の板面に対してほぼ垂直になる
ことが判明した。
ウェットエツチングによりクロム膜を選択エツチングす
る際、通常ガラス基板が丁度表出する時点でエンチング
を停止するため、形成されたパターンの断面は台形状に
なるが、このパターンに対して更にエツチングを続ける
と、ガラス基板側のクロム膜の方がレジスト膜例のクロ
ム膜よりも早くエツチングされ、形成されたマスクパタ
ーンの側壁がガラス基板の板面に対してほぼ垂直になる
ことが判明した。
これは、それぞれの側で被エツチング物としてのクロム
膜のエツチングレートが異なってきていることを示して
おり、このエツチングレートの違いはガラス基板とレジ
スト膜とのエツチング液に対する濡れ性或いは表面張力
の違いに起因していると考えられる。
膜のエツチングレートが異なってきていることを示して
おり、このエツチングレートの違いはガラス基板とレジ
スト膜とのエツチング液に対する濡れ性或いは表面張力
の違いに起因していると考えられる。
即ち、ガラス基板は濡れ性が良いため或いは表面張力が
小さいためガラス基板側では新しいエツチング液の供給
が十分に行われるので、クロム膜のエツチングレートが
大きく、一方、レジスト膜は濡れ性が悪いため或いは表
面張力が大きいためレジスト膜側では新しいエツチング
液の供給が妨げられるので、クロム膜のエツチングレー
トが小さい。その結果、被エンチング物としてのクロム
膜の膜厚が適当に薄い場合に丁度クロム膜の側壁が垂直
になるものと考えられる。
小さいためガラス基板側では新しいエツチング液の供給
が十分に行われるので、クロム膜のエツチングレートが
大きく、一方、レジスト膜は濡れ性が悪いため或いは表
面張力が大きいためレジスト膜側では新しいエツチング
液の供給が妨げられるので、クロム膜のエツチングレー
トが小さい。その結果、被エンチング物としてのクロム
膜の膜厚が適当に薄い場合に丁度クロム膜の側壁が垂直
になるものと考えられる。
このため、マスクパターンの膜厚が到るところほぼ一定
になるので、例えば光反射法によりマスクパターンの幅
寸法を測定する場合、マスクパターンによる反射光量は
マスクパターンの存在するところではほぼ一定となる。
になるので、例えば光反射法によりマスクパターンの幅
寸法を測定する場合、マスクパターンによる反射光量は
マスクパターンの存在するところではほぼ一定となる。
これにより、従来のようなマスクパターン周辺部での誤
差を低減することができるので、現実のマスクパターン
の幅寸法這りの誤差の少ない測定値が得られる。
差を低減することができるので、現実のマスクパターン
の幅寸法這りの誤差の少ない測定値が得られる。
また、このマスクパターンを半導体基板上などに転写す
るため光を照射すると、マスクパターンの境界部分で光
の透過／反射による明瞭な光量差がつき、従って、転写
されたパターンの切れを向上することができる。
るため光を照射すると、マスクパターンの境界部分で光
の透過／反射による明瞭な光量差がつき、従って、転写
されたパターンの切れを向上することができる。
Ｃ実施例〕
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。
する。
第１図（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施例のマスクの作
成方法の実験について説明する断面図である。実験は、
マスクパターンとなるクロム膜の膜厚が約１０００人及
び２０００人の２種類の場合について行った。なお、第
１図（ａ）〜（ｃ）の作成方法においては両方の場合を
代表して説明する。
成方法の実験について説明する断面図である。実験は、
マスクパターンとなるクロム膜の膜厚が約１０００人及
び２０００人の２種類の場合について行った。なお、第
１図（ａ）〜（ｃ）の作成方法においては両方の場合を
代表して説明する。
まず、同図（ａ）に示すように、ガラス基板４上に膜厚
がそれぞれ約１０００人又は２０００人のクロム膜５を
形成する。
がそれぞれ約１０００人又は２０００人のクロム膜５を
形成する。
次いで、クロム膜５上にレジスト膜を形成した後、バタ
ーニングして、マスクパターンを形成すべき領域にレジ
スト膜６を残存する。
ーニングして、マスクパターンを形成すべき領域にレジ
スト膜６を残存する。
次に、ガラス基板４を回転軸上に載せて回転させながら
過塩素酸８Ｗ％／硝酸第２セリウムアンモニウム１７Ｗ
％／水７５Ｗ％を混合したエツチング液をスプレー法に
より噴射し、残存したレジスト膜６をマスクとしてクロ
ム膜５を選択的にエツチングする。このとき、等方性エ
ツチングによるサイドエツチングのため、レジスト＃６
の周辺部下側のクロム膜５もエツチングされるので、ガ
ラス基板４が丁度表出した時点、実施例の場合約３０秒
（膜厚が１０００人の場合）又は約６０秒（膜厚が２０
００人の場合）で、同図（ｂ）に示すように、クロム膜
のパターン７の断面形状は台形状になる。
過塩素酸８Ｗ％／硝酸第２セリウムアンモニウム１７Ｗ
％／水７５Ｗ％を混合したエツチング液をスプレー法に
より噴射し、残存したレジスト膜６をマスクとしてクロ
ム膜５を選択的にエツチングする。このとき、等方性エ
ツチングによるサイドエツチングのため、レジスト＃６
の周辺部下側のクロム膜５もエツチングされるので、ガ
ラス基板４が丁度表出した時点、実施例の場合約３０秒
（膜厚が１０００人の場合）又は約６０秒（膜厚が２０
００人の場合）で、同図（ｂ）に示すように、クロム膜
のパターン７の断面形状は台形状になる。
即ち、レジスト膜６直下のマスクパターン５ｂの側壁は
レジスト膜６の端部からほぼΔＷｉ＝６００人（膜厚が
１０００人の場合）又は６ｗ １＝１２００人（膜厚が
２０００人の場合）内側に後退している。
レジスト膜６の端部からほぼΔＷｉ＝６００人（膜厚が
１０００人の場合）又は６ｗ １＝１２００人（膜厚が
２０００人の場合）内側に後退している。
更に、エツチング液をスプレー法により噴射したままエ
ツチングを続けると、はぼΔｔ＝４０秒以上（膜厚が１
０００人の場合）又はΔｔ＝２０秒以上（膜厚が２００
０人の場合）の追加でパターン５ａの側壁がガラス基板
４にほぼ垂直になる。このとき、マスクパターン５ｂの
側壁は２種類ともレジスト膜６の端部からほぼΔＷ ｆ
＝１４００人（膜厚が１０００人の場合及び膜厚が２
０００人の場合に共通）程度内側に後退している（同図
（Ｃ））。
ツチングを続けると、はぼΔｔ＝４０秒以上（膜厚が１
０００人の場合）又はΔｔ＝２０秒以上（膜厚が２００
０人の場合）の追加でパターン５ａの側壁がガラス基板
４にほぼ垂直になる。このとき、マスクパターン５ｂの
側壁は２種類ともレジスト膜６の端部からほぼΔＷ ｆ
＝１４００人（膜厚が１０００人の場合及び膜厚が２
０００人の場合に共通）程度内側に後退している（同図
（Ｃ））。
これは、ガラス基板４及びレジスト膜６、それぞれの側
で被エツチング物としてのクロム膜５のエツチングレー
トが互いに異なってきていることを示しており、このエ
ツチングレートの違いはガラス基板４及びレジスト膜６
のエツチング液に対する濡れ性或いは表面張力の違いに
起因していると考えられる。
で被エツチング物としてのクロム膜５のエツチングレー
トが互いに異なってきていることを示しており、このエ
ツチングレートの違いはガラス基板４及びレジスト膜６
のエツチング液に対する濡れ性或いは表面張力の違いに
起因していると考えられる。
即ち、ガラス基板４は濡れ性が良いため或いは表面張力
が小さいためガラス基板４側では新しい工・７チンダ液
の供給が十分に行われ、その結果クロム膜５のエツチン
グレートが大きい。一方、レジスト膜６は濡れ性が悪い
ため或いは表面張力が大きいためレジスト膜６側では新
しいエツチング液の供給が妨げられ、従ってクロム［５
のエツチングレートが小さい。その結果、被エツチング
物としてのクロム膜５の膜厚が適当に薄い場合に丁度ク
ロム膜５の側壁が垂直になるものと考えられる。
が小さいためガラス基板４側では新しい工・７チンダ液
の供給が十分に行われ、その結果クロム膜５のエツチン
グレートが大きい。一方、レジスト膜６は濡れ性が悪い
ため或いは表面張力が大きいためレジスト膜６側では新
しいエツチング液の供給が妨げられ、従ってクロム［５
のエツチングレートが小さい。その結果、被エツチング
物としてのクロム膜５の膜厚が適当に薄い場合に丁度ク
ロム膜５の側壁が垂直になるものと考えられる。
その後、レジスト膜６を除去すると、マスクが完成する
。
。
なお、上記の実験結果を第２図に示す。同図において、
横軸はクロム膜の膜厚（Ｔ）をパラメータとし、横軸は
ガラス基板４の表出後の追加の時間（ΔＬ）を表し、縦
軸はレジスト膜６の端部からの後退幅（ΔＷｆ）を表し
ている。
横軸はクロム膜の膜厚（Ｔ）をパラメータとし、横軸は
ガラス基板４の表出後の追加の時間（ΔＬ）を表し、縦
軸はレジスト膜６の端部からの後退幅（ΔＷｆ）を表し
ている。
以上のように、本発明の実施例のマスクの作成方法によ
れば、マスクパターン５ｂの周辺部の側壁がガラス基板
４の板面に対してほぼ垂直になるように形成しているた
め、例えば光反射法によりマスクパターン５ｂの幅寸法
を測定する場合、マスクパターン５ｂによる反射光量は
マスクパターン５ｂの存在するところでは常に一定とな
る。これにより、従来のようなマスクパターン周辺部で
の誤差を低減することができるので、現実のマスクパタ
ーン５ｂ幅寸法通りの誤差の少ない測定値が得られる。
れば、マスクパターン５ｂの周辺部の側壁がガラス基板
４の板面に対してほぼ垂直になるように形成しているた
め、例えば光反射法によりマスクパターン５ｂの幅寸法
を測定する場合、マスクパターン５ｂによる反射光量は
マスクパターン５ｂの存在するところでは常に一定とな
る。これにより、従来のようなマスクパターン周辺部で
の誤差を低減することができるので、現実のマスクパタ
ーン５ｂ幅寸法通りの誤差の少ない測定値が得られる。
また、マスクパターン５ｂの側壁がガラス基板４の板面
に対してほぼ垂直になるように形成しているので、この
マスクパターン５ｂを半導体基板上などに転写するため
光を照射すると、マスクパターン５ｂの境界部分で光の
透過／反射による明瞭な光量差がつき、従って、転写さ
れたパターンの切れを向上することができる。
に対してほぼ垂直になるように形成しているので、この
マスクパターン５ｂを半導体基板上などに転写するため
光を照射すると、マスクパターン５ｂの境界部分で光の
透過／反射による明瞭な光量差がつき、従って、転写さ
れたパターンの切れを向上することができる。
以上のように、本発明のマスクの作成方法によれば、マ
スクパターンの周辺部の側壁がガラス基板の板面に対し
てほぼ垂直になるように形成しているため、マスクパタ
ーンの幅寸法測定の際、従来のようなマスクパターン周
辺部での誤差を低減することができるので、マスクパタ
ーン幅寸法通りの誤差の少ない測定値が得られる。
スクパターンの周辺部の側壁がガラス基板の板面に対し
てほぼ垂直になるように形成しているため、マスクパタ
ーンの幅寸法測定の際、従来のようなマスクパターン周
辺部での誤差を低減することができるので、マスクパタ
ーン幅寸法通りの誤差の少ない測定値が得られる。
また、このマスクパターンを半導体基板上などに転写す
るため光を照射すると、マスクパターンの境界部分で光
の透過／反射による明瞭な光量差がつき、従って、転写
されたパターンの切れを向上することができる。
るため光を照射すると、マスクパターンの境界部分で光
の透過／反射による明瞭な光量差がつき、従って、転写
されたパターンの切れを向上することができる。
第１図は、本発明の実施例のマスクの作成方法について
説明する断面図、 第２図は、クロム膜のマスクパターン側壁が垂直になる
サイドエンチングの輻（ΔＷ）と時間（Δ（ｔ））の関
係を示す図、 第３図は、従来例のマスクの作成方法について説明する
断面図である。 〔符号の説明〕 １４・・・ガラス基板、 ２．５・・・クロム膜、 ２ａ、５ｂ・・・マスクパターン、 ３．６・・・レジスト膜、 ５ａ・・・パターン。
説明する断面図、 第２図は、クロム膜のマスクパターン側壁が垂直になる
サイドエンチングの輻（ΔＷ）と時間（Δ（ｔ））の関
係を示す図、 第３図は、従来例のマスクの作成方法について説明する
断面図である。 〔符号の説明〕 １４・・・ガラス基板、 ２．５・・・クロム膜、 ２ａ、５ｂ・・・マスクパターン、 ３．６・・・レジスト膜、 ５ａ・・・パターン。
Claims (1)
- 硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸との水溶液か
らなるエッチング液を用い、パターニングされたレジス
ト膜をマスクとしてガラス基板上のクロム膜を選択的に
エッチングし、該ガラス基板を表出してテーパ状の側壁
を有するクロム膜のパターンを形成した後、更にエッチ
ングを続けて前記クロム膜をサイドエッチングし、前記
ガラス基板側のクロム膜のエッチングレートと前記レジ
スト膜側のクロム膜のエッチングレートとの差を利用し
て、前記ガラス基板の板面にほぼ垂直な側壁を有するク
ロム膜のマスクパターンを形成することを特徴とするマ
スクの作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2198548A JPH0485814A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | マスクの作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2198548A JPH0485814A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | マスクの作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0485814A true JPH0485814A (ja) | 1992-03-18 |
Family
ID=16393003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2198548A Pending JPH0485814A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | マスクの作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0485814A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7226866B2 (en) | 2004-05-28 | 2007-06-05 | Fujitsu Limited | Etching method for making a reticle |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5211755A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-28 | Philips Nv | Method of throttling shadow mask |
| JPS5235512A (en) * | 1975-07-30 | 1977-03-18 | Rca Corp | Raster centering circuit |
| JPS61267054A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Arubatsuku Seimaku Kk | フオトマスクブランクスのエツチング方法 |
| JPS6238695A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 立体表示システム |
| JPS6255653A (ja) * | 1985-09-03 | 1987-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フオトマスクの製造方法 |
| JPS6352142A (ja) * | 1987-08-14 | 1988-03-05 | Dainippon Printing Co Ltd | フオトマスク |
-
1990
- 1990-07-26 JP JP2198548A patent/JPH0485814A/ja active Pending
Patent Citations (6)
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