JPH01150254A - 光メモリ素子用フォトマスク及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明は特に光メモリ素子用基板の製造の際に使用す
るフォトマスクおよびその製造方法に関する。

（ロ）従来の技術 近年光メモリ素子は高密度大容量メモリとして年々その
必要性が高まっている。この光メモリ素子はその使用形
態により再生専用メモリ、追加記録可能メモリおよび書
き換え可能メモリの３種に分けることができる。この中
、追加記録可能メモリおよび書き換え可能メモリとして
使用する先メモリ素子は情報の記録、再生、消去を行う
光ビームを光メモリ素子の所定の位置に案内するために
通常基板に案内溝（以下ガイドトラック）とそのトラッ
クが何番目のトラックかを識別するためのトラック番地
を予め備えている。また同一トラックの中を複数個のセ
クターに分け、情報を管理したい場合はセクタ一番地等
も予め設けられることが多い。

このガイドトラックの製法の一つに特開昭６０−１９５
７５１号公報に示した技術がある。第５図を用いてその
技術の概要を説明する。第５図（ａ）に示すように、ガ
ラスディスクｌにスピンナー等でレジスト膜２を塗布し
、第５図（ｂ）のごとく予めガイドトラックやトラック
番地あるいはセクタ一番地等を形成したフォトマスク３
を用い、紫外線等レジスト膜を感光する光を照射してフ
ォトマスクのガイドトラック番地、セクタ一番地等（第
５図（ｂ）において７の部分はＣｒやＴａ等光を透過し
ない膜が形成されており、膜を一部除去することで所望
のパターンを作製している）をレジスト２に転写する。

次に第４図（ｃ）のごとくレジスト２を現像した後、第
５図（ｄ）に示すようにＣＦ、やＣＨＦ３等のガス中で
リアクティブイオンエツチングを行うか、あるいはＨＦ
等の溶液中でウェットエツチングを行うかしてガラスデ
ィスクにガイドトラックやトラック番地、セクタ一番地
等を直接刻む。最後に第５図（ｅ）に示すように工程中
で残ったレジスト２を除去（０，プラズマ中でアッシン
グしても良いし、アセトン等の溶剤で洗浄してもよい）
する。こうしてガイドトラックを形成する。

以上の製法において第５図（ｂ）の工程において使用す
るフォトマスク３は、第６図のような方法で作製される
。すなわち円板状をしたフォトマスク用基板３上に光を
透過しない膜７とレジスト２を重ねて塗布しく第６図（
ａ））、この円板を中心軸のまわりに回転させながら、
対物レンズ６て集光されたＡｒレーザ等の光５により、
該レジスト２上にラセンもしくは同一円状のガイドトラ
ックを記録する（同図（ｂ））。トラック番地やセクタ
一番地は該Ａｒレーザ光５を所定の周波数で断続さ仕る
ことで記録する。次に同図（Ｃ）のようにレジスト２を
現像した後、同図（ｄ）に示すようにＣＦ４やＣＨＦｆ
ｆ等のガス中でエツチングを行い、膜７中、ガイドトラ
ックやトラック番地、セクタ一番地等に対応する部分を
除去する。最後に同図（ｅ）に示すように工程中で残っ
たレジスト２を０゜プラズマアッシングまたはアセトン
等の溶剤により除去する。

このような第６図の方式で作製したマスクを用い、第５
図で示した方式でガイドトラックやトラック番地、セク
タ一番地等をガラス基板に形成した場合は、ガイドトラ
ック部分の深さと、セクタ一番地あるいはトラック番地
の深さとは実質上同一になる。

（ハ）発明が解決しようとする問題点 ところが最近、第３図に示したようなガイドトラック部
ＩＩと、セクタ一番地部あるいはトラック番地部１２の
深さを変え、かつガイドトラック部１１の間に上記番地
部１２を設けたディスク基板が提案されている。これは
回折光差動力式によって光ビームをトラッキングする場
合、トラック部の深さは使用する光の波長をλとして、
λ／８ｎ近辺（ただしｎは基板の屈折率）にすることが
好都合であり、番地部の深さはえ／４ｎ付近にすること
が良いためである。しかし、第５図から第６図までに示
した方式では第３図のようなディスクが得られない。

この発明は、上記第５図のような工程を経て作製される
ディスク基板上に設けられるパターンを、部分的に変え
ることができるフォトマスクとその製法を提供すること
を目的とする。

（ニ）問題点を解決するための手段 かくしてこの発明によれば、透明基板上に、露光用の光
を通過させない膜を形成した部分と、上記光を部分的に
通過しうる厚みの膜を形成した部分と、上記２種の膜の
無い部分とを所望形状に混在せしめたことを特徴とする
光メモリ素子用フォトマスクか提供される。

この発明のフォトマスクは、第１図に示すように、透明
基板３上に、露光用の光を通過させない厚みに形成され
た膜７に、上記膜の無いパターン部分３３と、露光用の
光を部分的に通過せしめる厚みに形成された膜３２を持
つパターン部分とを混在させたことを特徴としている。

このようなフォトマスクの製造方法は、第３図に示すよ
うなガイドトラックに対応した溝部３０を膜７に形成す
る工程と、形成した溝１１３０に膜３２を形成する工程
と、上記膜３２上にレジストを塗布する工程と、上記溝
を案内溝として位置制御（以下トラッキングサーボ）を
かけながらＡｒレーザ等の光でトラック番地、セクタ一
番地等に対応したパターンを上記レジスト膜に形成し、
その後ドライエツチング等により上記番地部を膜７に形
成する工程を備えている。

したがってこの発明はまた、透明基板上に形成された露
光用の光を通過さけない膜Ａの上にレジスト膜を形成し
、該レジスト膜に露光用光ビームを照射して露光し、こ
れを現像、エツチングして露光部に対応する上記膜Ａを
取り去ることによりパターンを上記膜Ａに形成し、該パ
ターン部に再び膜Ａを上記膜厚より薄く形成し、再度レ
ジスト膜を形成した後、上記パターン部を案内溝として
位置制御を行いながら、別のパターンを最初に形成した
膜Ａ上のレジスト膜に露光用光ビームを照射して露光し
、これを再び現象、エツチングすることにより膜Ａに深
さの異なる溝からなるパターンを有するマスク基板を製
造することを特徴とする先メモリ素子用フォトマスクの
製造方法を提供するものである。

（ホ）作用 この発明によれば、第５図（ｂ）に示した露光工程にお
いて、第１図に示したように、溝部とトラック番地、セ
クタ一番地等の番地部を通過する露光光強度に差が生じ
、第５図（ｂ）に示したレジスト膜２の感光される程度
に差が生じ、その結果深さの異なるパターンが同一基板
に形成される。

（へ）実施例 以下、この発明の一実施例を図面を参照して説明するが
、この発明はこれに限定されるものではない。

第４図は、この発明に係るフォトマスクの作製方法であ
る。

円板状のマスク基板３（石英等のガラス、ＰＭＭＡ等の
プラスチックで構成され、露光用の光を通すもの）上に
紫外線等の露光用光を通さない、例えばＣｒ、Ｔｉ、Ｔ
ａ、Ｎｂ、Ｎｉ等の膜７を、スパッタまたは真空蒸着ま
たは電子ビーム（ＥＢ）蒸着等により、−様に設ける（
第４図（ａ））。

上記膜７上にレジスト膜２をスピンナー等により一様に
形成しく同図（ｂ））、この円板を中心軸のまわりに回
転させながら、対物レンズ６で集光されたＡｒレーザ等
の光５により、上記レジスト膜２上にラセンもしくは同
一円状の案内溝を記録しく同図（Ｃ））　、現像する（
第４図（ｄ））、次に、第４図（ｅ）に示すように、Ｃ
Ｆ、やＣＨＦ３等のガス中でリアクティブイオンエツチ
ングを行うか、あるいはＨＦ等の溶液中でウェットエツ
チングを行うかして上記現象部に対応する膜７部を取り
除くことにより、膜７に上記案内溝３０を形成する。

このとき、レジスト膜２はエツチング工程により多少薄
くなっているか、ある程度は残っている。

このような円板に第４図（ｆ）に示すように、Ｃｒ。

Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｎｉ等からなる金属膜３２を適当な
厚みｄだけ、スパッタまたは真空蒸着またはＥＢ蒸着等
により形成し、その後、レジスト膜２上に形成された金
属膜３２をアセトン等の溶剤により除去する（第４図（
ｇ））。

このようにして溝（イ）が形成された円板上に、再度レ
ジスト膜２をスピンナー等により一様に形成しく同図（
ｈ乃、その後上記溝（イ）を案内溝として、Ｈｅ−Ｎｅ
レーザー光等、レジストを感光させない波長をもっレー
ザ光によりトラッキングサーボを行いながら、Ａｒレー
ザ光等によりトラック番地、セクタ一番地等を上記溝（
イ）にはさまれた部分３４上のレジスト膜に記録する（
同図（ｉ））。この後、現像工程（同図（ｊ））および
エツチング工程（同図（ｋ））を経て、最後に上記工程
中で残ったレジスト膜２をＯ７でプラズマアッシングま
たはアセトン等の溶剤により除去しく同図（１）Ｌ第１
図に示すようなマスクを得る。

このようにして作製したフォトマスクを第５図（ｂ）の
工程で使用すると、第１図中溝部３２と番地部３３を通
過する光の光量が異なるため、ガラス基板上のレジスト
膜の番地部は充分露光され、溝部は途中まで露光される
。これを現像すると、第２図に示したようにディスク基
板ｌ上、番地部２２はディスク基板が露出し、溝部２１
はレジスト膜２が薄く残った形になる。第２図のような
ディスク基板ｌを第５図（ｄ）に示すようなドライエツ
チング工程と第５図（ｅ）の工程に付すと、できあがっ
た基板は第３図のようになる。

上記実施例において溝部の幅や番地部の幅は任意である
。また第１図に示した溝部に形成される膜３２の厚みｄ
は、形成する膜の材質、レジスト材質、露光量、エツチ
ングの種類、エッチャント等により決定されるものであ
るので、この発明の主旨の範囲で任意である。通常は第
１図に示したフォトマスクにおいて、溝部の膜３２の厚
みｄは５０〜１００人程度、他の部分７は６００〜８０
０人程度である。

（ト）発明の効果 この発明によれば、光メモリ素子に深さの異なるトラッ
ク部と番地部を形成するためのフォトマスクが得られる
。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係るフォトマスクの一部拡大図であ
る。第２図はこの発明のフォトマスクを用いてパターン
を露光して現像したときのディスク基板の１例の一部拡
大図、第３図はこの発明のフォトマスクを用いて作製さ
れるディスク基板の１例の一部拡大図、第４図はこの発
明のフォトマスクの製法を説明する工程図、第５図は従
来例のディスク基板の製造方法を示す工程図、第６図は
、従来例のマスク作製方法を示す工程図である。 ｌ・・・・・・ディスク基板、２・・・・・・レジスト
膜、３・・・・・・マスク基板、７，３２・・・・・・
金属膜、４・・・・・・露光用の光、５・・・・・・Ａ
ｒレーザ、６・・・・・・対物レンズ、 １２．２２．３３・・・・・・番地部っ第　４ （ａ）　　　門５０ ビ］て］で丁１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、透明基板上に、露光用の光を通過させない膜を形成
   した部分と、上記光を部分的に通過しうる厚みの膜を形
   成した部分と、上記２種の膜の無い部分とを所望形状に
   混在せしめたことを特徴とする光メモリ素子用フォトマ
   スク。 ２、透明基板上に形成された露光用の光を通過させない
   膜Ａの上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜に露光用
   光ビームを照射して露光し、これを現像、エッチングし
   て露光部に対応する上記膜Ａを取り去ることによりパタ
   ーンを上記膜Ａに形成し、該パターン部に再び膜Ａを上
   記膜厚より薄く形成し、再度レジスト膜を形成した後、
   上記パターン部を案内溝として位置制御を行いながら、
   別のパターンを最初に形成した膜Ａ上のレジスト膜に露
   光用光ビームを照射して露光し、これを再び現像、エッ
   チングすることにより、膜Ａに深さの異なる溝からなる
   パターンを有するマスク基板を製造することを特徴とす
   る光メモリ素子用フォトマスクの製造方法。