JPH0517542B2 - - Google Patents
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- JPH0517542B2 JPH0517542B2 JP26331685A JP26331685A JPH0517542B2 JP H0517542 B2 JPH0517542 B2 JP H0517542B2 JP 26331685 A JP26331685 A JP 26331685A JP 26331685 A JP26331685 A JP 26331685A JP H0517542 B2 JPH0517542 B2 JP H0517542B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は、フオトマスク、特に光メモリ素子用
基板の製造の際に使用するフオトマスクに関す
る。
基板の製造の際に使用するフオトマスクに関す
る。
（発明の技術的背景とその問題点）
近年、光メモリ素子は高密度、大容量メモリ素
子として年々その必要性が高まつている。この光
メモリ素子はその使用形態により、再生専用メモ
リ、追加記録可能メモリおよび書き換え可能メモ
リの３種に分けることができる。
子として年々その必要性が高まつている。この光
メモリ素子はその使用形態により、再生専用メモ
リ、追加記録可能メモリおよび書き換え可能メモ
リの３種に分けることができる。
このうち、追加記録可能メモリおよび書き換え
可能メモリとして使用する光メモリ素子は、情報
の記録・再生・消去を行う光ビームを光メモリ素
子の所定の位置に案内するために、通常、ガイド
トラツクとそのトラツクが何番目のトラツクかを
識別するための番地とを備えている。また、同一
トラツクの中を複数個のセクターに分け情報を管
理しようとする場合は、セクター番地等もトラツ
ク上に設けられることが多い。
可能メモリとして使用する光メモリ素子は、情報
の記録・再生・消去を行う光ビームを光メモリ素
子の所定の位置に案内するために、通常、ガイド
トラツクとそのトラツクが何番目のトラツクかを
識別するための番地とを備えている。また、同一
トラツクの中を複数個のセクターに分け情報を管
理しようとする場合は、セクター番地等もトラツ
ク上に設けられることが多い。
このガイドトラツクの製造の１つに特開昭60−
195751号公報に示した方法がある。第２図を用い
てその概要を説明する。
195751号公報に示した方法がある。第２図を用い
てその概要を説明する。
第２図ａに示すように、ガラスデイスク４にス
ピンナー等でレジスト膜５（ここでは、光照射部
が可溶化するポジ型レジストの例を示す。）を塗
布し、ｂのごとく、予めガイドトラツクやガイド
番地あるいはセクター番地等を形成したフオトマ
スク６を用い、紫外線等の光８を照射してフオト
マスクのガイドトラツクやトラツク番地、セクタ
ー番地等（第２図ｂにおいて７の部分は、Crや
Ta等の光を透過しない薄膜が形成されており、
該膜を一部除去して所望のパターンを作成してい
る。）をレジスト５に転写し、ｃのごとくレジス
トを現像した後、dCF４やCHF３等のガス中で
リアクチイブイオンエツチングを行うか、あるい
は、HF溶液中でウエツトエツチングを行うかし
てガラスデイスクにガイドトラツクやトラツク番
地、セクター番地等を直接刻み、ｅ最後にｄ工程
で残つたレジストを除去（O2プラズマ中でアツ
シングしても良いし、アセトン等の溶剤で洗浄し
ても良い）する方法である。
ピンナー等でレジスト膜５（ここでは、光照射部
が可溶化するポジ型レジストの例を示す。）を塗
布し、ｂのごとく、予めガイドトラツクやガイド
番地あるいはセクター番地等を形成したフオトマ
スク６を用い、紫外線等の光８を照射してフオト
マスクのガイドトラツクやトラツク番地、セクタ
ー番地等（第２図ｂにおいて７の部分は、Crや
Ta等の光を透過しない薄膜が形成されており、
該膜を一部除去して所望のパターンを作成してい
る。）をレジスト５に転写し、ｃのごとくレジス
トを現像した後、dCF４やCHF３等のガス中で
リアクチイブイオンエツチングを行うか、あるい
は、HF溶液中でウエツトエツチングを行うかし
てガラスデイスクにガイドトラツクやトラツク番
地、セクター番地等を直接刻み、ｅ最後にｄ工程
で残つたレジストを除去（O2プラズマ中でアツ
シングしても良いし、アセトン等の溶剤で洗浄し
ても良い）する方法である。
この方法において、第２図ｂの工程に使用する
フオトマスク６は、第３図のような方法で作製さ
れる。即ち、円板状をしたフオトマスク用基板９
上の光を透過しない膜１０上にレジスト１１を塗
布し、円板の中心軸のまわりに回転させながら、
対物レンズ１２で集光されたArレーザ等の光１
３により、該レジスト上に螺旋もしくは同心円の
ガイドトラツクを記録する。
フオトマスク６は、第３図のような方法で作製さ
れる。即ち、円板状をしたフオトマスク用基板９
上の光を透過しない膜１０上にレジスト１１を塗
布し、円板の中心軸のまわりに回転させながら、
対物レンズ１２で集光されたArレーザ等の光１
３により、該レジスト上に螺旋もしくは同心円の
ガイドトラツクを記録する。
レジスト１１の可溶化部分を第２図ｃに示す工
程と同様にして除去することによりレジストのガ
イドトラツクのパターンを現像する。その後、た
とえばエツチングして光を透過しない膜１０を選
択的に除去することによりガイドトラツクのパタ
ーンに応じた遮光部が、基板９の表面上に形成さ
れる。最後に、第２図ｅに示す工程と同様にして
残存するレジスト膜を除去することによりフオト
マスクが得られる。
程と同様にして除去することによりレジストのガ
イドトラツクのパターンを現像する。その後、た
とえばエツチングして光を透過しない膜１０を選
択的に除去することによりガイドトラツクのパタ
ーンに応じた遮光部が、基板９の表面上に形成さ
れる。最後に、第２図ｅに示す工程と同様にして
残存するレジスト膜を除去することによりフオト
マスクが得られる。
第４図に従来、半導体産業において使用されて
いたフオトマスクの断面構造を示す。即ち、石英
等の基板９上にCr膜１４とCrOx膜１５とを積層
し、CrOxは反射防止膜として使用したものであ
る。該マスクを第３図に示す方法でガイドトラツ
クを形成しようとすると、記録に用いるArレー
ザ光がCrOx／Crの膜に吸収され、レジストの温
度上昇を招き、その結果、レジストの熱による破
壊があり、ガイドトラツク端面が第５図のごとく
凹凸になり、最終的には光デイスクに記録した信
号のノイズ波となる。図中１５は、Arレーザで
ガイドトラツクを記録した後、現像した時に生じ
るレジストガイドトラツクの端面を示している。
したがつて、従来の半導体製造用フオトマスクを
光メモリ基板製造用に用いても、高性能の光メモ
リ素子を得るこはできない。
いたフオトマスクの断面構造を示す。即ち、石英
等の基板９上にCr膜１４とCrOx膜１５とを積層
し、CrOxは反射防止膜として使用したものであ
る。該マスクを第３図に示す方法でガイドトラツ
クを形成しようとすると、記録に用いるArレー
ザ光がCrOx／Crの膜に吸収され、レジストの温
度上昇を招き、その結果、レジストの熱による破
壊があり、ガイドトラツク端面が第５図のごとく
凹凸になり、最終的には光デイスクに記録した信
号のノイズ波となる。図中１５は、Arレーザで
ガイドトラツクを記録した後、現像した時に生じ
るレジストガイドトラツクの端面を示している。
したがつて、従来の半導体製造用フオトマスクを
光メモリ基板製造用に用いても、高性能の光メモ
リ素子を得るこはできない。
（発明の目的）
本発明は、光デイスクメモリ用フオトマスクに
おいて、該フオトマスクを作製する時に、上記の
ごときフオトレジストの温度上昇を防ぎ、マスク
に構成されたガイドトラツク等のパターン端面を
滑らかにすることができるフオトマスクを提供す
ることを目的とする。
おいて、該フオトマスクを作製する時に、上記の
ごときフオトレジストの温度上昇を防ぎ、マスク
に構成されたガイドトラツク等のパターン端面を
滑らかにすることができるフオトマスクを提供す
ることを目的とする。
（実施例）
以下、本発明に係る光デイスクメモリ用フオト
マスクの実施例を図面を用いて詳細に説明する。
マスクの実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は、本発明に係るフオトマスクの断面一
部拡大図である。
部拡大図である。
マスク基板１上に紫外線を通さない膜２を設
け、その表面に更に上記膜の反射率を増大させる
反射膜３を形成する。本明細書において「反射
膜」とは、紫外線を通さない膜２の反射率を増大
させることにより、Arレーザ光のような、ガイ
ドトラツクの記録に用いる光を反射する膜を意味
する。
け、その表面に更に上記膜の反射率を増大させる
反射膜３を形成する。本明細書において「反射
膜」とは、紫外線を通さない膜２の反射率を増大
させることにより、Arレーザ光のような、ガイ
ドトラツクの記録に用いる光を反射する膜を意味
する。
マスク基板は通常、ガラス、アクリル樹脂、エ
ポキシ樹脂等が用いられる。紫外線を通さない膜
２はCrやTa膜が用いる。この膜２は通常スパツ
タリング、真空蒸着等の方法により形成される。
ポキシ樹脂等が用いられる。紫外線を通さない膜
２はCrやTa膜が用いる。この膜２は通常スパツ
タリング、真空蒸着等の方法により形成される。
本発明においては、上記紫外線を通さない膜２
上に反射膜３を設ける。反射膜３は通常単一また
は複数の誘電体膜等が好適に用いられる。この反
射膜３は真空蒸着やスパツタリング等の方法によ
り形成される。
上に反射膜３を設ける。反射膜３は通常単一また
は複数の誘電体膜等が好適に用いられる。この反
射膜３は真空蒸着やスパツタリング等の方法によ
り形成される。
第４図におけるCrOx等の反射防止膜でなく、
反射を増大するような膜を設けるることで、第３
図の方法でガイドトラツクを記録する際、Arレ
ーザ光がCr膜に吸収されず、従つて、Cr膜の温
度上昇によるレジスト膜の破壊が生じないメリツ
トがある。通常、Cr上に反射防止膜を設けるの
は、フオトレピータでマスタマスクを作る時、反
射率が高いと作製されるパターンの解像度が落ち
るためにそれを防ぐ意味であるが、本発明のマス
ク作製には、上述のごとく反射率増大の方が望ま
しい。
反射を増大するような膜を設けるることで、第３
図の方法でガイドトラツクを記録する際、Arレ
ーザ光がCr膜に吸収されず、従つて、Cr膜の温
度上昇によるレジスト膜の破壊が生じないメリツ
トがある。通常、Cr上に反射防止膜を設けるの
は、フオトレピータでマスタマスクを作る時、反
射率が高いと作製されるパターンの解像度が落ち
るためにそれを防ぐ意味であるが、本発明のマス
ク作製には、上述のごとく反射率増大の方が望ま
しい。
また、Cr単体では反射率が50％程度であり、
Cr単体のフオトマスクを用いることも考えられ
るが、それでも50％の光は熱エネルギーに変るた
め、本発明の効果を出すためには充分とは言えな
い。
Cr単体のフオトマスクを用いることも考えられ
るが、それでも50％の光は熱エネルギーに変るた
め、本発明の効果を出すためには充分とは言えな
い。
本発明の主旨は、フオトマスク面の反射率を上
げることにあり、反射増大膜の種類や膜の数には
依存しない。即ち、誘電体多層膜により、Cr面
の反射を上昇させても良い。
げることにあり、反射増大膜の種類や膜の数には
依存しない。即ち、誘電体多層膜により、Cr面
の反射を上昇させても良い。
また、本発明の説明は光デイスクメモリのマス
クについて述べたが、デイスクには限定されな
い。即ち、ArレーザやHeCdレーザ等のレーザ光
を集光し、マスクパターンを作製する時は非常に
有効な方法である。
クについて述べたが、デイスクには限定されな
い。即ち、ArレーザやHeCdレーザ等のレーザ光
を集光し、マスクパターンを作製する時は非常に
有効な方法である。
（発明の効果）
本発明によれば、Arレーザ光等の光で滑らか
な端面を有するガイドトラツク等のパターンが形
成でき、最終的にはそのマスクを用いて作製する
光メモリ素子のガイドトラツク等によるるノイズ
の上昇を押えることができる。
な端面を有するガイドトラツク等のパターンが形
成でき、最終的にはそのマスクを用いて作製する
光メモリ素子のガイドトラツク等によるるノイズ
の上昇を押えることができる。
第１図は本発明に係るフオトマスクの断面一部
拡大図である。第２図は本発明のマスクを用いて
光メモリ素子を製造する時の工程図、第３図は本
発明のマスクを作製する方法、第４図は従来のフ
オトマスクの断面一部拡大図、第５図は従来マス
クに記録したレジストガイドトラツクの端面形状
を示す概念図である。 図中の記号は以下の通りである、１…マスク基
板、２…紫外線を通さない膜、３…反射率、４…
ガラスデイスク、５…レジスト膜、６…フオトマ
スク、８…光、９…フオトマスク用基板、１０…
光を透過しない膜、１１…レジスト、１３…Ar
レーザ光、１４…Cr膜、１５…CrOx膜。
拡大図である。第２図は本発明のマスクを用いて
光メモリ素子を製造する時の工程図、第３図は本
発明のマスクを作製する方法、第４図は従来のフ
オトマスクの断面一部拡大図、第５図は従来マス
クに記録したレジストガイドトラツクの端面形状
を示す概念図である。 図中の記号は以下の通りである、１…マスク基
板、２…紫外線を通さない膜、３…反射率、４…
ガラスデイスク、５…レジスト膜、６…フオトマ
スク、８…光、９…フオトマスク用基板、１０…
光を透過しない膜、１１…レジスト、１３…Ar
レーザ光、１４…Cr膜、１５…CrOx膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マスク基板１上に紫外線を通さない膜２を形
成し、その上層に該膜の反射率を増大させる反射
膜３を形成した光メモリ素子基板製造用フオトマ
スク。 ２ 前記反射膜３が単一または複数の誘電体膜で
形成される第１項記載のフオトマスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60263316A JPS62123464A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 光メモリ素子基板製造用フオトマスク |
| US06/930,157 US4764441A (en) | 1985-11-22 | 1986-11-12 | Photo-mask for production of substrate for optical memory element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60263316A JPS62123464A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 光メモリ素子基板製造用フオトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62123464A JPS62123464A (ja) | 1987-06-04 |
| JPH0517542B2 true JPH0517542B2 (ja) | 1993-03-09 |
Family
ID=17387785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60263316A Granted JPS62123464A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 光メモリ素子基板製造用フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62123464A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0770094B2 (ja) * | 1987-12-04 | 1995-07-31 | シャープ株式会社 | ディスク状光記録媒体の製造方法および製造用フォトマスク |
| JPH01243062A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-27 | Nikon Corp | フォトマスク |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5517152A (en) * | 1978-07-25 | 1980-02-06 | Fujitsu Ltd | Photo mask |
-
1985
- 1985-11-22 JP JP60263316A patent/JPS62123464A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5517152A (en) * | 1978-07-25 | 1980-02-06 | Fujitsu Ltd | Photo mask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62123464A (ja) | 1987-06-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |