JPH0339342B2 - - Google Patents
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- JPH0339342B2 JPH0339342B2 JP20786685A JP20786685A JPH0339342B2 JP H0339342 B2 JPH0339342 B2 JP H0339342B2 JP 20786685 A JP20786685 A JP 20786685A JP 20786685 A JP20786685 A JP 20786685A JP H0339342 B2 JPH0339342 B2 JP H0339342B2
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- photomask
- film
- optical memory
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- resist
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- Expired
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は光メモリ素子用基板の製造の際に使用
するフオトマスクに関するものである。
するフオトマスクに関するものである。
＜発明の技術的背景とその問題点＞
近年、光メモリ素子は高密度、大容量メモリ素
子として年々、その必要性が高まつている。この
光メモリ素子はその使用形態により、再生専用メ
モリ、追加記録可能メモリおよび書き換え可能メ
モリの３種に分けることができる。
子として年々、その必要性が高まつている。この
光メモリ素子はその使用形態により、再生専用メ
モリ、追加記録可能メモリおよび書き換え可能メ
モリの３種に分けることができる。
このうち、追加記録可能メモリ及び書き換え可
能メモリとして使用する光メモリ素子は、情報の
記録、再生、消去を行う光ビームを光メモリ素子
の所定の位置に案内するために、通常光メモリ素
子の基板にガイドトラツクとそのトラツクが何番
目のトラツクであるかを識別するためのトラツク
番地を備えている。また、同一トラツクの中を複
数個のセクタに分け、情報管理しようとする場合
は、セクター番地等もトラツク上に設けられてい
ることが多い。
能メモリとして使用する光メモリ素子は、情報の
記録、再生、消去を行う光ビームを光メモリ素子
の所定の位置に案内するために、通常光メモリ素
子の基板にガイドトラツクとそのトラツクが何番
目のトラツクであるかを識別するためのトラツク
番地を備えている。また、同一トラツクの中を複
数個のセクタに分け、情報管理しようとする場合
は、セクター番地等もトラツク上に設けられてい
ることが多い。
このガイドトラツクを光メモリ素子の基板に形
成するための製法の１つに、特開昭59−210547に
示す方法がある。これを第２図を用いて略説す
る。まず第２図ａに示すようにガラスデイスク５
にスピンナー等でレジスト膜６を塗布し、次に同
図ｂのごとく、あらかじめガイドトラツクやガイ
ド番地あるいはセクター番地等を形成したフオト
マスク７を用い、該フオトマスク７を介してガラ
スデイスク５に紫外線等の光９を照射してフオト
マスク７のガイドトラツクやトラツク番地等のパ
ターン（第２図ｂにおいて８の部分はCr等の光
を透過しない薄膜から形成されており、該膜を一
部除去して所望のパターン８を形成している）を
レジスト６に転写し、次に同図ｃのごとくレジス
ト６を現像した後、同図ｄのごとくCF4やCHF3
等のガス中でリアクチイブイオンエツチングを行
うか、またはHF溶液中でエツチングするかして
ガラスデイスク５にガイドトラツクやトラツク番
地を刻み、最後に同図ｄの工程で残つたレジスト
６を除去（O2プラズマ中でアツシングしても良
いし、アセトン等の溶剤で洗浄しても良い）し、
同図ｅの如く基板を形成する。
成するための製法の１つに、特開昭59−210547に
示す方法がある。これを第２図を用いて略説す
る。まず第２図ａに示すようにガラスデイスク５
にスピンナー等でレジスト膜６を塗布し、次に同
図ｂのごとく、あらかじめガイドトラツクやガイ
ド番地あるいはセクター番地等を形成したフオト
マスク７を用い、該フオトマスク７を介してガラ
スデイスク５に紫外線等の光９を照射してフオト
マスク７のガイドトラツクやトラツク番地等のパ
ターン（第２図ｂにおいて８の部分はCr等の光
を透過しない薄膜から形成されており、該膜を一
部除去して所望のパターン８を形成している）を
レジスト６に転写し、次に同図ｃのごとくレジス
ト６を現像した後、同図ｄのごとくCF4やCHF3
等のガス中でリアクチイブイオンエツチングを行
うか、またはHF溶液中でエツチングするかして
ガラスデイスク５にガイドトラツクやトラツク番
地を刻み、最後に同図ｄの工程で残つたレジスト
６を除去（O2プラズマ中でアツシングしても良
いし、アセトン等の溶剤で洗浄しても良い）し、
同図ｅの如く基板を形成する。
この従来方法において技術的に困難なのは、同
図ｂのガイドトラツクやトラツク番地等の転写工
程である。即ちフオトマスク７とレジスト６は転
写工程では密着されていることが望ましい。もし
密着不良が発生すると第３図に示すようにフオト
マスク７のパターン形成面１０とガラスデイスク
５のレジスト面１１との間で紫外線等の露光用光
ビームの干渉（図中１２と１３の干渉）が生じ、
転写パターンの線幅が一定にならないという現象
が生ずるのである。そしてガイドトラツク幅がト
ラツク一周上で変化すると再生信号の振幅変化が
生じ信号品質が低下する元となる。
図ｂのガイドトラツクやトラツク番地等の転写工
程である。即ちフオトマスク７とレジスト６は転
写工程では密着されていることが望ましい。もし
密着不良が発生すると第３図に示すようにフオト
マスク７のパターン形成面１０とガラスデイスク
５のレジスト面１１との間で紫外線等の露光用光
ビームの干渉（図中１２と１３の干渉）が生じ、
転写パターンの線幅が一定にならないという現象
が生ずるのである。そしてガイドトラツク幅がト
ラツク一周上で変化すると再生信号の振幅変化が
生じ信号品質が低下する元となる。
＜目的＞
本発明はフオトマスクとレジスト膜間に密着不
良があつても、その間隙で露光用光ビームの干渉
を生じないようなフオトマスクを提供することを
目的とする。
良があつても、その間隙で露光用光ビームの干渉
を生じないようなフオトマスクを提供することを
目的とする。
＜実施例＞
以下本発明に係る光メモリ素子製造用フオトマ
スクの実施例を図面を用いて詳細に説明する。
スクの実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明に係るフオトマスクの一部拡大
断面図である。石英等のガラスマスク１におい
て、転写パターンの存在する側の界面４に露光用
光ビームに対して反射防止となる透明膜２を設
け、該透明膜２上にたとえばCr、Ni、Ta等の金
属膜を形成し該金属膜にガイドトラツクや番地部
分のパターン３を形成する。本発明は上記透明膜
２（反射防止膜）の種類、膜構成（多層膜等）、
金属膜の種類等には依存しない。しかし、金属膜
３をエツチングする際、反射防止膜２がエツチン
グされないような構成およびマスク製造手段を用
いるべきである。具体的には反射防止膜２として
はLiFやNaF等の単層膜600〜800Åの厚さに形成
しても良い。又、その次の金属膜のエツチングに
はスパツタエツチ等のドライプロセスや溶液中で
のウエツトプロセスを用いれば良い。
断面図である。石英等のガラスマスク１におい
て、転写パターンの存在する側の界面４に露光用
光ビームに対して反射防止となる透明膜２を設
け、該透明膜２上にたとえばCr、Ni、Ta等の金
属膜を形成し該金属膜にガイドトラツクや番地部
分のパターン３を形成する。本発明は上記透明膜
２（反射防止膜）の種類、膜構成（多層膜等）、
金属膜の種類等には依存しない。しかし、金属膜
３をエツチングする際、反射防止膜２がエツチン
グされないような構成およびマスク製造手段を用
いるべきである。具体的には反射防止膜２として
はLiFやNaF等の単層膜600〜800Åの厚さに形成
しても良い。又、その次の金属膜のエツチングに
はスパツタエツチ等のドライプロセスや溶液中で
のウエツトプロセスを用いれば良い。
＜効果＞
本発明によれば、フオトマスクと基板上に塗布
されたレジスト膜との間に空隙が存在しても、そ
の空隙での露光用光の干渉がなくなり良好なガイ
ドトラツク等のパターンが転写できる効果があ
る。
されたレジスト膜との間に空隙が存在しても、そ
の空隙での露光用光の干渉がなくなり良好なガイ
ドトラツク等のパターンが転写できる効果があ
る。
第１図は本発明に係る光メモリ素子用フオトマ
スクの一実施例の一部拡大断面図、第２図は従来
の光メモリ素子用基板の製法を示す説明図、第３
図は従来の光メモリ素子用フオトマスクの一部拡
大断面図を示す。 図中、１：ガラスマスク、２：反射防止膜、
３：金属膜、４：界面、５：ガラスデイスク、
６：レジスト膜、７：フオトマスク、８：パター
ン、９：光。
スクの一実施例の一部拡大断面図、第２図は従来
の光メモリ素子用基板の製法を示す説明図、第３
図は従来の光メモリ素子用フオトマスクの一部拡
大断面図を示す。 図中、１：ガラスマスク、２：反射防止膜、
３：金属膜、４：界面、５：ガラスデイスク、
６：レジスト膜、７：フオトマスク、８：パター
ン、９：光。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板に塗布されたレジスト膜に対してパター
ンを転写する為のフオトマスクであつて、 マスク基板と転写パターンの間に反射防止膜を
介在せしめたことを特徴とする光メモリ素子用フ
オトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20786685A JPS6266444A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | 光メモリ素子用フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20786685A JPS6266444A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | 光メモリ素子用フオトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6266444A JPS6266444A (ja) | 1987-03-25 |
| JPH0339342B2 true JPH0339342B2 (ja) | 1991-06-13 |
Family
ID=16546843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20786685A Granted JPS6266444A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | 光メモリ素子用フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6266444A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0762919B2 (ja) * | 1989-05-18 | 1995-07-05 | 三菱化学株式会社 | 再生専用型光ディスク |
-
1985
- 1985-09-19 JP JP20786685A patent/JPS6266444A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6266444A (ja) | 1987-03-25 |
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