JPS62123465A - フオトマスクの製造方法 - Google Patents
フオトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS62123465A JPS62123465A JP60263317A JP26331785A JPS62123465A JP S62123465 A JPS62123465 A JP S62123465A JP 60263317 A JP60263317 A JP 60263317A JP 26331785 A JP26331785 A JP 26331785A JP S62123465 A JPS62123465 A JP S62123465A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- mask
- pattern
- substrate
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明はフ（〜トマスク、特に光メモリ素子用基板の製
造の際に使用するフォトマスクに関する。
造の際に使用するフォトマスクに関する。
（発明の技術的背景とその問題点）
近年、光メモリ素子は高密度大容量メモリ素子として年
々その必要性が高まっている。この光メモリ素子は、そ
の使用形態により、再生専用メモリ追加記録可能メモリ
および書き換え可能メモリの３種に分けることができる
− この内、追加記録可能メモリおよび書き換え可能メモリ
として使用する光メモリ素子は情報の記録再生消去を行
う光ビームを光メモリ素子の所定の位置に案内するため
に、通常ガイドトラックとそのトラックが何番目のトラ
ックかを識別するための番地とを備えている。また同一
トラックの中を複数側のセクターに分は情報を管理しよ
うとする場合は、セクタ一番号等らトランク上に設けら
れることが多い。
々その必要性が高まっている。この光メモリ素子は、そ
の使用形態により、再生専用メモリ追加記録可能メモリ
および書き換え可能メモリの３種に分けることができる
− この内、追加記録可能メモリおよび書き換え可能メモリ
として使用する光メモリ素子は情報の記録再生消去を行
う光ビームを光メモリ素子の所定の位置に案内するため
に、通常ガイドトラックとそのトラックが何番目のトラ
ックかを識別するための番地とを備えている。また同一
トラックの中を複数側のセクターに分は情報を管理しよ
うとする場合は、セクタ一番号等らトランク上に設けら
れることが多い。
このガイドトラックの製法の１つに特開昭６０−１０５
７５１号公報に示した方法がある。第１図を用いてその
概要を説明する。第４図（ａ）に示すようにガラスディ
スク（３）にスピンナー等でレノスト膜（４）を塗布し
、（ｂ）のごとく、予めガイドトラックやガイド番地あ
るいはセクタ一番地等を形製したフォトマスク（５）を
用い、紫外線等の光（７）を照射してフォトマスクのカ
イトトラックやトラック番地、セクタ一番地等（第２図
（１））において（６）の部分はＣｒやＴａ等の光を透
過しない薄膜が形製されており、波膜を一部除去して所
望のパターンを形製している。）をレノスト（４）に転
写しくｃ）のごとくレジストを現像した後（ｄ）ＣＦ。
７５１号公報に示した方法がある。第１図を用いてその
概要を説明する。第４図（ａ）に示すようにガラスディ
スク（３）にスピンナー等でレノスト膜（４）を塗布し
、（ｂ）のごとく、予めガイドトラックやガイド番地あ
るいはセクタ一番地等を形製したフォトマスク（５）を
用い、紫外線等の光（７）を照射してフォトマスクのカ
イトトラックやトラック番地、セクタ一番地等（第２図
（１））において（６）の部分はＣｒやＴａ等の光を透
過しない薄膜が形製されており、波膜を一部除去して所
望のパターンを形製している。）をレノスト（４）に転
写しくｃ）のごとくレジストを現像した後（ｄ）ＣＦ。
やＣＩｆ Ｆ １等のガス中でリアクチイブイオンエツ
チングを行うか、あるいはＩ−Ｉ Ｆ溶液中でウェット
エツチングを行うかしてガラスディスクにガイド）・ラ
ックやトラック番地、セクタ一番地等を直接刻み（ｅ）
、最後に（ｄ）工程で残ったレジストを除去（０，プラ
ズマ中でアッシングしても良いし、アセトン等の溶剤で
洗浄しても良い）する方法である。
チングを行うか、あるいはＩ−Ｉ Ｆ溶液中でウェット
エツチングを行うかしてガラスディスクにガイド）・ラ
ックやトラック番地、セクタ一番地等を直接刻み（ｅ）
、最後に（ｄ）工程で残ったレジストを除去（０，プラ
ズマ中でアッシングしても良いし、アセトン等の溶剤で
洗浄しても良い）する方法である。
この方法において（ｂ）の工程に使用するフォトマスク
は、第５図のような方法で作製される。即ち円板状をし
たフォトマスク用基板（８）の光を透過しない膜（９）
上にレジスト（１０）を塗布し円板の中心軸のまわりに
回転させながら対物レンズ（１１）で集光されたＡｒレ
ーザ等の光（１２）により、該レジスト上に、らせんら
しくは同心円のガイドトラックを９己録する。
は、第５図のような方法で作製される。即ち円板状をし
たフォトマスク用基板（８）の光を透過しない膜（９）
上にレジスト（１０）を塗布し円板の中心軸のまわりに
回転させながら対物レンズ（１１）で集光されたＡｒレ
ーザ等の光（１２）により、該レジスト上に、らせんら
しくは同心円のガイドトラックを９己録する。
第６図に従来半導体産業で使用している種々のフォトマ
スクの断面構造を示す。即ち第６図（ａ）はマスク基板
８上にＣｒ単層膜（９）を設けた例であり、（ｂ）はＣ
ｒ（９）とＣｒｏ ｘ（１３）の２層膜でＣｒの反射を
Ｃｒｕｘで押えた構造をしている。これはフォトレピー
タでマスクマスクを作る際反射率が高いと作製されるパ
ターンの解像度が落ちることがあり、それを防ぐためと
、シリコンウェハー上のレジスト膜にパターンを転写す
る場合Ｃｒとウェハー間での多重反射によるパターンの
解像度が落ちることを防ぐためとにＣｒｕｘの反射防止
膜が使用されている例である。（ｃ）はＣｒとガラス堰
板との間に帯電防止用のＩｎＯｘ膜（１４）を設けてい
る例である。
スクの断面構造を示す。即ち第６図（ａ）はマスク基板
８上にＣｒ単層膜（９）を設けた例であり、（ｂ）はＣ
ｒ（９）とＣｒｏ ｘ（１３）の２層膜でＣｒの反射を
Ｃｒｕｘで押えた構造をしている。これはフォトレピー
タでマスクマスクを作る際反射率が高いと作製されるパ
ターンの解像度が落ちることがあり、それを防ぐためと
、シリコンウェハー上のレジスト膜にパターンを転写す
る場合Ｃｒとウェハー間での多重反射によるパターンの
解像度が落ちることを防ぐためとにＣｒｕｘの反射防止
膜が使用されている例である。（ｃ）はＣｒとガラス堰
板との間に帯電防止用のＩｎＯｘ膜（１４）を設けてい
る例である。
第６図のようなマスクを用い第５図のような方法でガイ
ドトラックやトラック番号、セクタ一番号等を記録しよ
うとする場合、記録に利用するＡｒレーザ等の光が、Ｃ
ｒ膜に吸収され、（（ｂ）図のような反射防止膜では特
に顕著である）レジスト膜の温度が上昇し、レジストが
破壊され第７図のごとく記録されたレジストの端面（１
５）が凹凸になる。
ドトラックやトラック番号、セクタ一番号等を記録しよ
うとする場合、記録に利用するＡｒレーザ等の光が、Ｃ
ｒ膜に吸収され、（（ｂ）図のような反射防止膜では特
に顕著である）レジスト膜の温度が上昇し、レジストが
破壊され第７図のごとく記録されたレジストの端面（１
５）が凹凸になる。
第７図はレーザ記録現像した時に残るレジスト（１０）
によるガイドトラックを示しているが、このレノストを
マスクとしてＣｒ等をエツチングし第・１図の工程で先
メモリ素子を作るとガイドトラック端面による光の散乱
のため光メモリ素子に記録した信号に大きなノイズが発
生ずる。
によるガイドトラックを示しているが、このレノストを
マスクとしてＣｒ等をエツチングし第・１図の工程で先
メモリ素子を作るとガイドトラック端面による光の散乱
のため光メモリ素子に記録した信号に大きなノイズが発
生ずる。
（目的）
本発明は光デイスクメモリ用フォトマスクにおいて該フ
ォトマスクを作製する際にフォトレノストの温度」二昇
を防ぎマスクに構成されたガイドトラック等のパターン
端面をなめらかにすることができろフォトマスクを提供
することを目的とする。
ォトマスクを作製する際にフォトレノストの温度」二昇
を防ぎマスクに構成されたガイドトラック等のパターン
端面をなめらかにすることができろフォトマスクを提供
することを目的とする。
即ち、本発明はマスク基体（＋）の上層に誘電体多層膜
（２）を設けてなり、かつ該誘電体多層膜（２）が波長
４００ｎｎ＋付近の光は透過しないが、４５０ｎｍ付近
の光は透過することを特徴とするフォトマスクを提供す
る。
（２）を設けてなり、かつ該誘電体多層膜（２）が波長
４００ｎｎ＋付近の光は透過しないが、４５０ｎｍ付近
の光は透過することを特徴とするフォトマスクを提供す
る。
（実施例）
以下本発明に係る光メモリ素子用フォトマスクの実施例
を図面を用いて詳細に説明する。
を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は、本発明に係るフォトマスクの断面一部拡大図
である。
である。
本発明に用いるマスク基板（１）は通常ガラス、アクリ
ル樹脂、エポキシ樹脂等が用いられる。
ル樹脂、エポキシ樹脂等が用いられる。
誘電体としては通常５ｉＯｚ、ＣｅｏＳＴｉ１２、Ａ
Ｑ ｔ Ｏ３、ＭｇＦ等が用いられる。誘電体多層膜（
２）はスパッタリング、真空蒸着等により形成される。
Ｑ ｔ Ｏ３、ＭｇＦ等が用いられる。誘電体多層膜（
２）はスパッタリング、真空蒸着等により形成される。
この膜（２）は波長４００ｎｍ付近の光は透過しないか
、４５０ｎｍ付近の光は透過する。特に、第２図に示す
如き透過特性を示すものが好ましい。
、４５０ｎｍ付近の光は透過する。特に、第２図に示す
如き透過特性を示すものが好ましい。
本発明の誘電体多層膜（２）はマスク作製時に使用する
Ａｒレーザ等のレーザ光（たとえば第２図ａで示した４
５７９人の波長を使用するとする）を透過し、パターン
転写に利用する紫外光（第２図中すで示した領域の光）
を透さないような分光特性を有することを特徴とする。
Ａｒレーザ等のレーザ光（たとえば第２図ａで示した４
５７９人の波長を使用するとする）を透過し、パターン
転写に利用する紫外光（第２図中すで示した領域の光）
を透さないような分光特性を有することを特徴とする。
該フォトマスクにＡｒレーザ等のレーザ光でパターンを
記録する際、レジスト感光に使用される先爪（レジスト
で吸収されるｍ）以外はマスク基板を通じて透過してし
まうため、従来Ｃｒマスクを利用した時のような、Ｃｒ
膜でのレーザ光吸収によるレジスト膜の温度上界が発生
しない。又、このマスクを用いて光メモリ素子堰板にマ
スクパターンを転写する際は、この膜がマスクパターン
転写光に対して充分な反射（必ずしら光を反射する必要
はなく、紫外光を透過しなければ良い）性を何するため
に、マスクとして機能することになる。
記録する際、レジスト感光に使用される先爪（レジスト
で吸収されるｍ）以外はマスク基板を通じて透過してし
まうため、従来Ｃｒマスクを利用した時のような、Ｃｒ
膜でのレーザ光吸収によるレジスト膜の温度上界が発生
しない。又、このマスクを用いて光メモリ素子堰板にマ
スクパターンを転写する際は、この膜がマスクパターン
転写光に対して充分な反射（必ずしら光を反射する必要
はなく、紫外光を透過しなければ良い）性を何するため
に、マスクとして機能することになる。
第２図に示した透過率の波長特性は極端な例であるが必
ずしも第２図の特性に固執しない、即ち、Ａ「レーザ光
を１００％透過し、紫外光を１００％反射する必要はな
い。むし、パターン転写に用いる光が第３図に示すよう
な出力特性を示す場合はこの光のうちｇ線やｈ線を透過
せずｉ線を多く透過するようなフィルターを第４図にお
ける紫外光（７）の途中に設置し、マスクに照射させる
光の大部分をｉ線のみにすれば、マスクに設けた誘電体
膜の分光特性は第３図にｒ線で示したように紫外線を若
干透過しても良いことになる。
ずしも第２図の特性に固執しない、即ち、Ａ「レーザ光
を１００％透過し、紫外光を１００％反射する必要はな
い。むし、パターン転写に用いる光が第３図に示すよう
な出力特性を示す場合はこの光のうちｇ線やｈ線を透過
せずｉ線を多く透過するようなフィルターを第４図にお
ける紫外光（７）の途中に設置し、マスクに照射させる
光の大部分をｉ線のみにすれば、マスクに設けた誘電体
膜の分光特性は第３図にｒ線で示したように紫外線を若
干透過しても良いことになる。
本発明の主旨はマスク作製時のレーザ光を吸収すること
によるレジストの温度上昇を防ぎ、かつパターン転び時
の紫外光を充分に己断する特性を汀する誘電体多層膜に
よりマスクを形成ずろことにある。
によるレジストの温度上昇を防ぎ、かつパターン転び時
の紫外光を充分に己断する特性を汀する誘電体多層膜に
よりマスクを形成ずろことにある。
（効果）
本発明によればＡｒレーザ光等の光でなめらかな端面を
有するガイドトラック等のパターンが形製でき最終的に
はそのマスクを用いて作製する光メモリ素子のガイドト
ラック等によるノイズの増加を押えることができる。
有するガイドトラック等のパターンが形製でき最終的に
はそのマスクを用いて作製する光メモリ素子のガイドト
ラック等によるノイズの増加を押えることができる。
第１図は本発明の一実施例、第２図は本発明に係るマス
クの透過率の分光特性、第３図はマスクパターンを光メ
モリ素子に転写する際に使用する光源の光出力とマスク
の他の実施例における分光特性を示す。第４図は光メモ
リ素子の製造工程、第５図は本発明のマスクにパターン
を記録する時の基本図、第６図は従来のマスクの構成を
、第７図は従来のマスクにガイドトラックを記録した後
に現像した時に生じるトラックを示す。 図中の番号は以下の通りである： （１）・・・マスク基体、 （２）・・・・・・誘電体
多層膜、（３）・・・ガラスディスク、（４）・・・レ
ジスト膜、（５）・・・フォトマスク、 （６）・・・
光を透過しない膜、（７）・・・光、 （８
）・・・フォトマスク用基板、（９）・・・光を透過し
ない膜、（１０）・・・レジスト、（１１）・・・対物
レンズ、 （１２）・・・光、（１３）＝ Ｃｒ
ｏ ｘ膜、 （１４）＝ Ｉ ｎｏ ３膜、（
１５）・・・レジスト端面 第１図 第２図 液長（ｎｍ） 第３１１ｍ 波長（ｎｍ ） 第５図 第４図
クの透過率の分光特性、第３図はマスクパターンを光メ
モリ素子に転写する際に使用する光源の光出力とマスク
の他の実施例における分光特性を示す。第４図は光メモ
リ素子の製造工程、第５図は本発明のマスクにパターン
を記録する時の基本図、第６図は従来のマスクの構成を
、第７図は従来のマスクにガイドトラックを記録した後
に現像した時に生じるトラックを示す。 図中の番号は以下の通りである： （１）・・・マスク基体、 （２）・・・・・・誘電体
多層膜、（３）・・・ガラスディスク、（４）・・・レ
ジスト膜、（５）・・・フォトマスク、 （６）・・・
光を透過しない膜、（７）・・・光、 （８
）・・・フォトマスク用基板、（９）・・・光を透過し
ない膜、（１０）・・・レジスト、（１１）・・・対物
レンズ、 （１２）・・・光、（１３）＝ Ｃｒ
ｏ ｘ膜、 （１４）＝ Ｉ ｎｏ ３膜、（
１５）・・・レジスト端面 第１図 第２図 液長（ｎｍ） 第３１１ｍ 波長（ｎｍ ） 第５図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、マスク基体（１）の上層に誘電体多層膜（２）を設
けてなり、かつ該誘電体多層膜（２）が波長４００ｎｍ
付近の光は透過しないが、４５０ｎｍ付近の光は透過す
ることを特徴とするフォトマスク。 ２、フォトマスクが光メモリ用である第１項記載のフォ
トマスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26331785A JPH071389B2 (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | フオトマスクの製造方法 |
| US06/930,157 US4764441A (en) | 1985-11-22 | 1986-11-12 | Photo-mask for production of substrate for optical memory element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26331785A JPH071389B2 (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | フオトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62123465A true JPS62123465A (ja) | 1987-06-04 |
| JPH071389B2 JPH071389B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=17387799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26331785A Expired - Fee Related JPH071389B2 (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | フオトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH071389B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63121054A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-25 | Nec Corp | フオトマスク |
| JPH01243062A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-27 | Nikon Corp | フォトマスク |
| JP2006317737A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 露光用マスク |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4915961A (ja) * | 1972-04-11 | 1974-02-12 | ||
| JPS593436A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Nec Corp | 写真食刻用フオト・マスク |
| JPS60194457A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-02 | Hitachi Ltd | ホトマスク |
-
1985
- 1985-11-22 JP JP26331785A patent/JPH071389B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4915961A (ja) * | 1972-04-11 | 1974-02-12 | ||
| JPS593436A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Nec Corp | 写真食刻用フオト・マスク |
| JPS60194457A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-02 | Hitachi Ltd | ホトマスク |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63121054A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-25 | Nec Corp | フオトマスク |
| JPH01243062A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-27 | Nikon Corp | フォトマスク |
| JP2006317737A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 露光用マスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH071389B2 (ja) | 1995-01-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |