JPS6266443A - 光メモリ素子用フオトマスク - Google Patents
光メモリ素子用フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS6266443A JPS6266443A JP20786585A JP20786585A JPS6266443A JP S6266443 A JPS6266443 A JP S6266443A JP 20786585 A JP20786585 A JP 20786585A JP 20786585 A JP20786585 A JP 20786585A JP S6266443 A JPS6266443 A JP S6266443A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- film
- pattern
- optical memory
- memory element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は光学的に情報を記録、再生、消去する光メモリ
素子用基板を作製する際に使用するフォトマスクに関す
る。
素子用基板を作製する際に使用するフォトマスクに関す
る。
〈発明の技術的背景とその問題点〉
近年、光メモリ素子は高密度、大容量メモリ素子として
年々その必要性が高まっている。この光メモリ素子はそ
の使用形態により、再生専用メモリ、追加記録可能メモ
リおよび書き換え可能メモリの３種に分けることができ
る。
年々その必要性が高まっている。この光メモリ素子はそ
の使用形態により、再生専用メモリ、追加記録可能メモ
リおよび書き換え可能メモリの３種に分けることができ
る。
このうち、追加記録可能メモリ及び書き換え可能メモリ
として使用する元メモリ素子は、情報の記録、再生、消
去を行う元ビームを光メモリ素子の所定の位置に案内す
るために、通常光メモリ素子の基板にガイドトラックを
備えている。またこのガイドトラックが何番目のトラッ
クであるかを識別するために、ガイドトラックの一部に
トラック番地を示す情報が書き込まれている。ことが多
い。
として使用する元メモリ素子は、情報の記録、再生、消
去を行う元ビームを光メモリ素子の所定の位置に案内す
るために、通常光メモリ素子の基板にガイドトラックを
備えている。またこのガイドトラックが何番目のトラッ
クであるかを識別するために、ガイドトラックの一部に
トラック番地を示す情報が書き込まれている。ことが多
い。
このガイドトラックを元メモリ素子の基板に形成するた
めの製法の１つに特開昭５９−２１０５４７に示す方法
がある。これを第２図を用いて略説する。まず第２図（
ａ）に示すようにガラスディスクｌにスピンナー等で塗
布したレジスト膜２を形成し、次に同図（ｂ）のごとく
、あらかじめガイドトラックやガイド番地を形成したフ
ォトマスク３を用い、該フォトマスク３を介してガラス
ディスクｌに紫外線４を照射してフォトマスク３のガイ
ドトラックやトラック番地のパターン（同図（（ｂ）［
５で示している）をレジスト２に転写し、次に同図（Ｃ
）のごとくレジスト２を現像した後、同図（ｄ）のごと
くＣＦやＣＨＦ３ガス中でのりアクチイプイオンエッチ
ングあるいはフッ酸等のウェットエツチングでガラスデ
ィスクｌにガイドトラックやトラック番地をきざみ、最
後に同図（ｄ）の工程で残ったレジスト２を０゜プラズ
マでアッシングしたり、アセトン等の有機溶剤で除去し
、同図（ｅ）の如く基板を形成する。
めの製法の１つに特開昭５９−２１０５４７に示す方法
がある。これを第２図を用いて略説する。まず第２図（
ａ）に示すようにガラスディスクｌにスピンナー等で塗
布したレジスト膜２を形成し、次に同図（ｂ）のごとく
、あらかじめガイドトラックやガイド番地を形成したフ
ォトマスク３を用い、該フォトマスク３を介してガラス
ディスクｌに紫外線４を照射してフォトマスク３のガイ
ドトラックやトラック番地のパターン（同図（（ｂ）［
５で示している）をレジスト２に転写し、次に同図（Ｃ
）のごとくレジスト２を現像した後、同図（ｄ）のごと
くＣＦやＣＨＦ３ガス中でのりアクチイプイオンエッチ
ングあるいはフッ酸等のウェットエツチングでガラスデ
ィスクｌにガイドトラックやトラック番地をきざみ、最
後に同図（ｄ）の工程で残ったレジスト２を０゜プラズ
マでアッシングしたり、アセトン等の有機溶剤で除去し
、同図（ｅ）の如く基板を形成する。
この従来方法において技術的に困難なのは、同図（ｂ）
のガイドトラックやトラック番地のパターンの転写工程
である。即ち、フォトマスク３とレジスト２とは密着し
ていることが望ましいが、従来ではフォトマスク３やガ
ラスディスクｌのソリのためにフォトマスク３とガラス
ディスクｌとの間に部分的な密着不良が生ずる。しかし
、この密着不良が生じると第３図に示すようにフォトマ
スクの基板３（たとえば石英ガラス）とレジスト膜２と
の間で露光用紫外線８の干渉（マスク裏面での反射光６
とレジスト表面での反射光７との干渉）が生じ、従って
密着不良部分の間隙に対応した干渉縞が生ずる。そうす
ると転写されたパターン惧体的にはガイドトラック）の
線幅が変化する。しかし光ディスクではガイドトラック
幅の変動はノイズ源となるため、幅一定であることが必
要である０ く目的〉 本発明は密着不良により生ずる干渉縞をなくし、転写パ
ターンの線幅を一定にすることのできる光デイスク用フ
ォトマスクを提供することを目的とする。
のガイドトラックやトラック番地のパターンの転写工程
である。即ち、フォトマスク３とレジスト２とは密着し
ていることが望ましいが、従来ではフォトマスク３やガ
ラスディスクｌのソリのためにフォトマスク３とガラス
ディスクｌとの間に部分的な密着不良が生ずる。しかし
、この密着不良が生じると第３図に示すようにフォトマ
スクの基板３（たとえば石英ガラス）とレジスト膜２と
の間で露光用紫外線８の干渉（マスク裏面での反射光６
とレジスト表面での反射光７との干渉）が生じ、従って
密着不良部分の間隙に対応した干渉縞が生ずる。そうす
ると転写されたパターン惧体的にはガイドトラック）の
線幅が変化する。しかし光ディスクではガイドトラック
幅の変動はノイズ源となるため、幅一定であることが必
要である０ く目的〉 本発明は密着不良により生ずる干渉縞をなくし、転写パ
ターンの線幅を一定にすることのできる光デイスク用フ
ォトマスクを提供することを目的とする。
〈実施例〉
以下に本発明に係る光メモリ素子用フォトマスクの実施
例を図面を用いて詳細に説明する。
例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明に係る光メモリ素子用フォトマスクの一
実施例を示す一部拡大断面図である。
実施例を示す一部拡大断面図である。
即ち、第３図において示したフォトマスク３の基板裏面
での反射６を防ぐために、第１図に示す如くフォトマス
ク３のパターン５の形成面に紫外線反射防止膜９を形成
する。
での反射６を防ぐために、第１図に示す如くフォトマス
ク３のパターン５の形成面に紫外線反射防止膜９を形成
する。
本発明はこの紫外線防止膜９の材料、膜厚、膜構造、成
膜方法に依存しない。すなわち、フォトマスク３のパタ
ーン５の形成面での紫外線を通過する部分の反射率を下
げることができればよい。
膜方法に依存しない。すなわち、フォトマスク３のパタ
ーン５の形成面での紫外線を通過する部分の反射率を下
げることができればよい。
上記紫外線反射防止膜９としてはたとえばＬｉＦの単層
膜を真空蒸着でλ／４ｎ（λ：紫外線の波長ｎ ：Ｌｉ
Ｆの屈折率）の厚さに成膜しても良い。より具体的には
６００Ａ〜８００Ａ程度で良い。又、材料としてはＮ
ａ Ｆ ＋ＡｔＦ Ｂ・８ＮａＦ等を用いても良い。
膜を真空蒸着でλ／４ｎ（λ：紫外線の波長ｎ ：Ｌｉ
Ｆの屈折率）の厚さに成膜しても良い。より具体的には
６００Ａ〜８００Ａ程度で良い。又、材料としてはＮ
ａ Ｆ ＋ＡｔＦ Ｂ・８ＮａＦ等を用いても良い。
く効果〉
本、発明によれば、フォトマスクとレジスト膜との間の
露光用紫外線の干渉により生ずる、転写不良をなくす効
果がある。特に光メモリ素子のガイドトラックの線幅を
一定にするに最適なマスクを提供することができる。
露光用紫外線の干渉により生ずる、転写不良をなくす効
果がある。特に光メモリ素子のガイドトラックの線幅を
一定にするに最適なマスクを提供することができる。
第１図は本発明に係る光メモリ素子用フォトマスクの一
実施例の一部拡大断面図、第２図は従来の光メモリ素子
用基板の製法を示す説明図、第３図中、１ニガラスデイ
スク ２ニレジスト ３：フォトマスク ４：紫外線
５：パターン ６：反射光 ７：反射光 ８：露光用紫
外線 ９：紫外線反射防止膜 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 （他２名）笛 ９
Ｍ 第２図
実施例の一部拡大断面図、第２図は従来の光メモリ素子
用基板の製法を示す説明図、第３図中、１ニガラスデイ
スク ２ニレジスト ３：フォトマスク ４：紫外線
５：パターン ６：反射光 ７：反射光 ８：露光用紫
外線 ９：紫外線反射防止膜 代理人 弁理士 福 士 愛 彦 （他２名）笛 ９
Ｍ 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板に塗布されたレジスト膜に対してパターンを転
写する為のフォトマスクであって、 パターン形成側に露光光に対する反射防止膜を被覆した
ことを特徴とする光メモリ素子用フォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20786585A JPS6266443A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | 光メモリ素子用フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20786585A JPS6266443A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | 光メモリ素子用フオトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6266443A true JPS6266443A (ja) | 1987-03-25 |
| JPH0339341B2 JPH0339341B2 (ja) | 1991-06-13 |
Family
ID=16546825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20786585A Granted JPS6266443A (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | 光メモリ素子用フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6266443A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5479421A (en) * | 1989-12-27 | 1995-12-26 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Data input control device for serial controller |
-
1985
- 1985-09-19 JP JP20786585A patent/JPS6266443A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5479421A (en) * | 1989-12-27 | 1995-12-26 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Data input control device for serial controller |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0339341B2 (ja) | 1991-06-13 |
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