JP3479413B2 - 光ディスク原盤の製造方法、光ディスク原盤、光ディスク用スタンパ及び光ディスク用スタンパの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク原盤の
製造方法、光ディスク原盤、光ディスク用スタンパの製
造方法及び光ディスク用スタンパに関する。

【０００２】

【従来の技術】近時、光学的に情報の再生を行ったり、
光学的に情報の再生と記録を行う光ディスクが出現して
おり、このような光ディスクとしては、例えば、ＣＤ
（コンパクトディスク：Compact Disc）、ＣＤ−ＲＯＭ
（Compact Disc Read Only Memory ）及び光磁気ディス
ク等がある。

【０００３】このような光ディスクは、一般的に、直径
１２０ｍｍあるいは８０ｍｍで、盤厚が１．２ｍｍの円
盤状に形成されており、音楽情報だけでなく、コンピュ
ータソフトの情報等の記録媒体として広く利用されてい
る。

【０００４】ピットとグルーブを有する光ディスクにお
いては、それぞれの深さは、λ／４ｎ、λ／８ｎ（λ：
再生波長、ｎ：基板の屈折率）であることが望ましい。
そのような光ディスクを得るために、光ディスク原盤に
おけるフォトレジストのパターン形成もピットとグルー
ブで変える必要がある。

【０００５】従来、フォトレジストのパターンの深さを
変えるために、感光させるレーザーの強度を利用してい
た。すなわち、発光強度の弱いレーザーにより浅いグル
ーブを形成し、発光強度の強いレーザーにより深いピッ
トを形成していた。そして、ピットの深さは、フォトレ
ジストの膜厚で決まるが、グルーブの深さは、レーザー
の強度に依存し、レーザーパワーの変動、フォーカス信
号の変動などにより、グルーブの深さに変動が発生しや
すいとともに、グルーブの幅の制御も非常に困難であ
る。

【０００６】そこで、上記の問題を解決するために、従
来、特公平６−３８２９９号公報に案内溝付光ディスク
の製造方法が提案され、また、特開平７−１６１０７７
号公報に光ディスクの案内溝及びピット作製方法が提案
されている。これらの公報記載の技術は、基盤上に第１
のフォトレジスト層、中間層、第２のフォトレジスト層
の順に積層し、中間層、第２のフォトレジスト層の厚さ
によりグルーブ深さを形成し、第１のフォトレジスト
層、中間層、第２のフォトレジスト層の厚さによりピッ
ト深さを形成することにより、レーザーパワーの変動、
フォーカス信号の変動などの影響を受けずにピットとグ
ルーブを形成している。また、中間層として、ポリビニ
ルアルコール、ポリアクリルアミド、メチルセルロース
等の水溶性もしくはアルカリ可溶性樹脂を用い、その上
下に２層のフォトレジスト膜を形成することにより、中
間層に溝遮断効果を持たせて、深さの異なる２種類の台
形パターンを得ている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の光ディスクの製造方法にあっては、第１のフ
ォトレジスト層、中間層及び第２のフォトレジスト層の
厚さでピットとグルーブの厚さを制御するようにしてい
たため、ピットとグルーブの深さを制御することはでき
るが、ピットとグルーブの幅を制御することができな
い。

【０００８】また、中間層をポリビニルアルコールやメ
チルセルロース等の水溶性あるいはアルカリ可溶性樹脂
により形成していたため、フォトレジスト膜に対する密
着性が悪く、現像あるいはエッチングのときに、第２の
フォトレジスト層や中間層が剥がれてしまうという問題
があった。

【０００９】

【００１０】 本発明は、中間層を形成する前に、第１
のフォトレジスト層の表面に逆スパッタ処理を施すこと
により、第１のフォトレジスト層と中間層との密着性を
向上させて、中間層が剥がれることを防止することので
きる光ディスク原盤の製造方法を提供することを目的と
している。

【００１１】 本発明は、露光後であって第２のフォト
レジスト層を現像する前に、１２０℃以上でベークを行
うことにより、各層の密着性を向上させて、各層が剥が
れることを防止するとともに、適切に露光して潜像を形
成することのできる光ディスク原盤の製造方法を提供す
ることを目的としている。

【００１２】 本発明は、第１と第２のフォトレジスト
層の露光感度を異ならせ、第２のフォトレジスト層のみ
を露光する第２の記録光の強度の許容範囲を変えること
により、ピット形成時の第１のフォトレジスト層の開口
部と第２のフォトレジスト層の底部分の幅を制御して、
段の発生しないピットを形成でき、また、幅の広いピッ
トを形成することのできる光ディスク原盤の製造方法を
提供することを目的としている。

【００１３】 本発明は、第１のフォトレジスト層と第
２のフォトレジスト層をポジ型フォトレジストにより形
成するとともに、第１のフォトレジスト層と第２のフォ
トレジスト層を露光する第１の記録光として、第２のフ
ォトレジスト層のみを露光する第２の記録光よりもその
露光強度の強いものを使用することにより、第１の記録
光でピットを形成し、第２の記録光でハーフグルーブを
形成して、深さの異なるピットとハーフグルーブを容易
に形成することができ、かつ、ハーフグルーブよりも幅
の広いピットを形成することのできる光ディスク原盤の
製造方法を提供することを目的としている。

【００１４】 本発明は、中間層として、記録光が９０
％以上透過する屈折率及び膜厚に形成して、第２のフォ
トレジスト層のみを露光する第２の記録光の強度の許容
範囲を変えることにより、中間層の屈折率と膜厚を制御
して、第２の記録光の強度を変化させることにより、第
１のフォトレジスト層と第２のフォトレジスト層との間
に段の発生しない、かつ、ハーフグルーブの幅を容易に
制御することのできる光ディスク原盤の製造方法を提供
することを目的としている。

【００１５】 本発明は、第１のフォトレジスト層をネ
ガ型フォトレジストで、第２のフォトレジスト層をポジ
型フォトレジストで形成するとともに、第１のフォトレ
ジスト層と第２のフォトレジスト層を露光する第１の記
録光として、第２のフォトレジスト層のみを露光する第
２の記録光よりもその露光強度の強いものを使用するこ
とにより、第１の記録光でハーフグルーブを形成し、第
２の記録光でピットを形成するとともに、深さの異なる
ピットとハーフグルーブを容易に形成することができ、
かつ、ピットよりも幅の広いハーフグルーブを形成する
ことのできる光ディスク原盤の製造方法を提供すること
を目的としている。

【００１６】 本発明は、中間層として、記録光が８５
％以下透過する屈折率及び膜厚に形成して、第２のフォ
トレジスト層のみを露光する第２の記録光の強度の記録
範囲を変えることにより、第１のフォトレジスト層と第
２のフォトレジスト層との間に段の発生しない、かつ、
ピットの幅を容易に制御することのできる光ディスク原
盤の製造方法を提供することを目的としている。

【００１７】 本発明は、第１と第２のフォトレジスト
層がポジ型フォトレジストで形成され、第１と第２のフ
ォトレジスト層を露光する第１の記録光により深さの深
い第１の露光パターンを露光し、第２のフォトレジスト
層のみを露光する第２の記録光により深さの浅い第２の
露光パターンを露光し、かつ、第１の露光パターンが第
２の露光パターンよりも幅が広く露光されるようにし
て、深さの浅い台形形状のハーフグルーブとハーフグル
ーブよりも深い台形形状で、かつ、ハーフグルーブより
も幅の広いピットが形成され、光ディスクの再生波長に
対して、安定したトラッキング及び正確な再生信号を得
ることのできる光ディスク原盤を提供することを目的と
している。

【００１８】 本発明は、第１のフォトレジストがネガ
型フォトレジストで、第２のフォトレジスト層がポジ型
フォトレジストで形成され、第１と第２のフォトレジス
ト層を露光する第１の記録光により深さの浅い第１の露
光パターンを露光し、第２のフォトレジスト層のみを露
光する第２の記録光により深さの深い第２の露光パター
ンを露光し、かつ、第１の露光パターンが第２の露光パ
ターンよりも幅が広く露光されるようにして、必要な深
さと幅のピットとハーフグルーブが容易に形成され、光
ディスクの再生波長に対して、安定したトラッキング及
び正確な再生信号を得ることのできる光ディスク原盤を
提供することを目的としている。

【００１９】 本発明は、第１のフォトレジスト層のエ
ッチング、中間層のエッチング及び第２のフォトレジス
ト層のエッチングの順にスタンパ表面を洗浄して、深さ
の異なるピットとハーフグルーブを有する光ディスク用
スタンパを提供することを目的としている。

【００２０】 本発明は、第１のフォトレジスト層のエ
ッチング、中間層のエッチング及び第２のフォトレジス
ト層のエッチングの順にスタンパ表面を洗浄して、深さ
の異なるピットとハーフグルーブを有する光ディスク用
スタンパを得ることのできる光ディスク用スタンパの製
造方法を提供することを目的としている。

【００２１】

【００２２】

【００２３】

【００２４】

【００２５】

【００２６】

【課題を解決するための手段】本発明 の光ディスク原盤
の製造方法は、基盤上に、スピンコート法により厚さ３
００Å〜２０００Åの第１のフォトレジスト層を形成
し、該第１のフォトレジスト層上にスパッタ法、蒸着
法、あるいは、ＣＶＤ法のうちいずれか一つの方法によ
り厚さ５０Å〜３００Åの酸化膜からなる中間層を形成
し、さらに、スピンコート法により厚さ３００Å〜２０
００Åの第２のフォトレジスト層を順次積層して形成
し、前記第２のフォトレジスト層側から前記第１のフォ
トレジスト層と前記第２のフォトレジスト層の双方を露
光する第１の記録光と前記第２のフォトレジスト層のみ
を露光する第２の記録光とにより露光した後、前記第２
のフォトレジスト層の現像、前記中間層のエッチング及
び前記第１のフォトレジスト層の現像により光ディスク
原盤を形成する光ディスク原盤の製造方法において、前
記中間層を形成する前に、前記第１のフォトレジスト層
の表面を逆スパッタ処理を施すことにより、上記目的を
達成している。

【００２７】上記構成によれば、第１のフォトレジスト
層と中間層との密着性を向上させることができ、第１の
フォトレジスト層の現像時に、中間層が剥がれることを
防止することができる。

【００２８】 上記各場合において、例えば、前記露光
後であって前記第２のフォトレジスト層を現像する前
に、１２０℃以上でベークを行うものであってもよい。

【００２９】ここで、フォトレジストは、高温でベーク
を行うと、その露光感度が低下するが、露光後にベーク
を行っているので、フォトレジストの露光感度を低下さ
せることがない。

【００３０】上記構成によれば、フォトレジストの露光
感度を低下させることなく、各層の密着性を向上させる
ことができ、現像時に各層が剥がれることを防止するこ
とができる。

【００３１】 また、例えば、前記第１のフォトレジス
ト層の露光感度と前記第２フォトレジストの露光感度を
異ならせ、前記第２の記録光の強度の許容範囲を変える
ものであってもよい。

【００３２】ここで、第１のフォトレジスト層の露光感
度を第２のフォトレジスト層の露光感度よりも低くする
と、第１のフォトレジスト層に潜像が形成されにくくな
り、第１のフォトレジスト層に潜像を形成するのに、露
光強度の強い記録光を必要とする。したがって、第１の
フォトレジスト層の露光感度と第２のフォトレジスト層
の露光感度を変えることにより、ピットあるいはハーフ
グルーブの幅を制御することができる。

【００３３】すなわち、第１のフォトレジスト層として
ポジ型フォトレジストを用いているときには、第１のフ
ォトレジスト層にアルカリ水溶液に可溶な潜像が形成さ
れにくくなる分、第２の記録光の強度を強くすることが
でき、ハーフグルーブの幅も広くなる。また、第１と第
２のフォトレジスト層にポジ型フォトレジストを用いて
いると、フォトレジスト層の境界部分に段が発生するお
それがあるが、第１のフォトレジスト層の開口部分と第
２のフォトレジスト層の底部分の幅を、第１と第２のフ
ォトレジスト層の露光感度を調整することにより、同じ
大きさにすることができ、段の発生を防止することがで
きる。

【００３４】さらに、第１のフォトレジスト層としてネ
ガ型フォトレジストを用いているときには、第１のフォ
トレジスト層に潜像が形成されにくくなる分、アルカリ
水溶液に可溶な部分が広くなり、ピットの幅を広くする
ことができる。

【００３５】上記構成によれば、第１のフォトレジスト
層と第２のフォトレジスト層の露光感度を調整すること
により、深さの異なる台形形状のピットとハーフグルー
ブを容易に形成することができるとともに、ピットの段
の発生を防止することができる。

【００３６】 さらに、例えば、前記第１のフォトレジ
スト層及び前記第２のフォトレジスト層は、その露光部
分がアルカリ水溶液に可溶なポジ型フォトレジストによ
り形成されており、前記第１の記録光が、前記第２の記
録光よりもその露光強度が強いものであってもよい。

【００３７】上記構成によれば、第１と第２のフォトレ
ジスト層の双方を露光強度の強い第１の記録光により露
光して深さの深いピットを形成し、第２のフォトレジス
ト層のみを露光強度の弱い第２の記録光により露光して
深さの浅いハーフグルーブを形成するとともに、露光部
分がアルカリ水溶液に可溶であるので、ハーフグルーブ
よりも幅の広いピットを容易に形成することができる。

【００３８】 また、例えば、前記中間層は、前記記録
光が９０％以上透過する屈折率及び膜厚に形成し、前記
第２の記録光の強度の許容範囲を変えるものであっても
よい。

【００３９】ここで、中間層の屈折率が大きくなると、
第２のフォトレジスト層と中間層の界面での記録光の反
射が多くなり、第１のフォトレジスト層への光が減少し
て、第１のフォトレジスト層への記録光が減少した分、
第２のフォトレジスト層のみを露光する第２の記録光の
強度を強くすることができ、第２のフォトレジスト層の
潜像を広くして、ハーフグルーブの幅を広くすることが
できる。すなわち、中間層の屈折率を変えることによ
り、ハーフグルーブの幅を制御することができる。

【００４０】また、中間層の膜厚を厚くすると、中間層
で吸収される記録光が多くなり、第１のフォトレジスト
層への記録光が減少して、第１のフォトレジスト層への
記録光が減少した分、第２のフォトレジスト層のみを露
光する第２の記録光の強くすることができ、第２のフォ
トレジスト層の潜像を広くして、ハーフグルーブの幅を
広くすることができる。すなわち、中間層の膜厚を変え
ることにより、ハーフグルーブの幅を制御することがで
きる。

【００４１】さらに、第１と第２のフォトレジスト層に
ポジ型のフォトレジストを使用すると、フォトレジスト
層の境界部分に段が発生するおそれがあるが、中間層の
屈折率と膜厚を変えることにより、第２の記録光の第１
のフォトレジスト層への強度を制御することができ、段
の発生を防止することができる。

【００４２】上記構成によれば、第１のフォトレジスト
層と第２のフォトレジスト層の双方を露光する第１の記
録光でピットを形成し、第２のフォトレジスト層のみを
露光する第２の記録光でハーフグルーブを形成して、深
さの異なるピットとハーフグルーブを容易に形成するこ
とができるとともに、ハーフグルーブよりも幅が広く段
のないピットを形成することができる。

【００４３】 さらに、例えば、前記第１のフォトレジ
スト層は、その露光部分がアルカリ水溶液に不溶となる
ネガ型フォトレジストにより形成され、前記第２のフォ
トレジスト層は、その露光部分がアルカリ水溶液に可溶
なポジ型フォトレジストにより形成されており、前記第
１の記録光が、前記第２の記録光よりもその露光強度が
強いものであってもよい。

【００４４】上記構成によれば、第１と第２のフォトレ
ジスト層の双方を露光強度の強い第１の記録光により露
光し、第２のフォトレジスト層のみを露光強度の弱い第
２の記録光により露光するが、第１のフォトレジスト層
がネガ型フォトレジストであり、露光部分がアルカリ水
溶液に不溶であるので、露光強度の強い第１の記録光に
より深さの浅いハーフグルーブが形成され、露光強度の
弱い第２の記録光により深さの深いピットが形成され
る。したがって、ハーフグルーブよりも幅が広く、段の
ないピットを容易に形成することができる。

【００４５】 また、例えば、前記中間層は、前記記録
光が８５％以下透過する屈折率及び膜厚に形成し、前記
第２の記録光の強度の許容範囲を変えることにより、上
記目的を達成している。

【００４６】ここで、第１のフォトレジスト層は、その
露光部分がアルカリ水溶液に不溶のネガ型フォトレジス
トで形成され、第２のフォトレジスト層は、その露光部
分がアルカリ水溶液に可溶のポジ型フォトレジストで形
成されている。

【００４７】そして、中間層の屈折率が大きくなると、
第２のフォトレジスト層と中間層の界面での記録光の反
射が多くなり、第１のフォトレジスト層への光が減少し
て、第１のフォトレジスト層への記録光が減少した分、
第１のフォトレジスト層の潜像が小さくなって、アルカ
リ水溶液に可溶な部分が広くなって、ピットの幅を広く
することができる。すなわち、中間層の屈折率を変える
ことにより、ピットの幅を制御することができる。

【００４８】また、中間層の膜厚を厚くすると、中間層
で吸収される記録光が多くなり、第１のフォトレジスト
層への記録光が減少して、第１のフォトレジスト層への
記録光が減少した分、第１のフォトレジスト層の潜像が
小さくなって、アルカリ水溶液に可溶な部分が広くなっ
て、ピットの幅を広くすることができる。すなわち、中
間層の膜厚を変えることにより、ピットの幅を制御する
ことができる。

【００４９】上記構成によれば、中間層の屈折率と膜厚
を調整することにより、第１のフォトレジスト層と第２
のフォトレジスト層の双方を露光する第１の記録光でハ
ーフグルーブを形成し、第２のフォトレジスト層のみを
露光する第２の記録光でピットを形成して、深さの異な
る台形形状のピットとハーフグルーブを容易に形成する
ことができるとともに、ハーフグルーブよりも幅の狭い
ピットを形成することができる。

【００５０】 本発明の光ディスク原盤は、上述の光デ
ィスク原盤製造方法により製造される光ディスク原盤で
あって、前記第１の記録光により深さの深い第１の露光
パターンが露光され、前記第２の記録光により深さの浅
い第２の露光パターンがが露光され、かつ、前記第１の
露光パターンが前記第２の露光パターンよりも幅が広く
露光されることにより形成されることにより、上記目的
を達成している。

【００５１】上記構成によれば、深さの浅い台形形状の
ハーフグルーブと深さが深くハーフグルーブよりも幅の
広いピットを簡単に形成することができ、光ディスクの
再生波長に対して安定したトラッキング及び正確な再生
信号を得ることができる。

【００５２】 本発明の光ディスク原盤は、上述の光デ
ィスク原盤製造方法により製造される光ディスク原盤で
あって、前記第１の記録光により深さの浅い第１の露光
パターンが露光され、前記第２の記録光により深さの深
い第２の露光パターンがが露光され、かつ、前記第２の
露光パターンが前記第１の露光パターンよりも幅が狭く
露光されることにより形成されていることにより、上記
目的を達成している。

【００５３】上記構成によれば、深さの深いピットと深
さが浅く幅の広いハーフグルーブを簡単に形成すること
ができ、光ディスクの再生波長に対して、安定したトラ
ッキング及び正確な再生信号を得ることができる。

【００５４】 本発明の光ディスク用スタンパの製造方
法は、上述の光ディスク原盤に、Ｎｉ膜をスパッタある
いは蒸着により形成した後、Ｎｉを電鋳し、さらに前記
基盤からＮｉを剥離した後、前記第１のフォトレジスト
層のエッチング、前記中間層のエッチング及び前記第２
のフォトレジスト層のエッチングを順次行うことによ
り、上記目的を達成している。

【００５５】上記構成によれば、光ディスク用スタンパ
の洗浄において、前記第１のフォトレジスト層のエッチ
ング、前記中間層のエッチング及び前記第２のフォトレ
ジスト層のエッチングの順にスタンパ表面を洗浄するこ
とができ、深さの異なるピットとハーフグルーブを有す
る光ディスク用スタンパを得ることができる。

【００５６】 本発明の光ディスク用スタンパは、上述
の光ディスク原盤に、Ｎｉ膜をスパッタあるいは蒸着に
より形成した後、Ｎｉを電鋳し、さらに前記基盤からＮ
ｉを剥離した後、前記第１のフォトレジスト層のエッチ
ング、前記中間層のエッチング及び前記第２のフォトレ
ジスト層のエッチングを順次行って製造することによ
り、上記目的を達成している。

【００５７】

【００５８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施の形態は、本発明の好適な実施の形態であるか
ら、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本
発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定す
る旨の記載がない限り、これらの態様に限られるもので
はない。

【００５９】図１は、本発明の光ディスク原盤の製造方
法及び光ディスク原盤の第１の実施の形態を適用した光
ディスクの製造方法及び光ディスク原盤を示す図であ
る。

【００６０】図１において、光ディスク原盤１は、ガラ
ス基板２を洗浄した後、ガラス基板２の表面をＨＭＤＳ
（ヘキサメチルジシラザン）処理し、その露光部分がア
ルカリ水溶液に可溶なポジ型レジスト材であるＴＳＭＲ
−８９００（東京応化工業製）を用いて第１のフォトレ
ジスト層３を、１７００Åの厚さにスピンコート法によ
り形成して、プリベークを行う。

【００６１】次に、第１のフォトレジスト層３の表面を
逆スパッタした後、ＩＴＯ（Ｉｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂の９
５：５ｗｔ％の合金）を用いて、ＡｒとＯ₂ の雰囲気中
でＤＣマグネトロンスパッタにより、中間層４を５０Å
の厚さに形成する。この中間層４の表面をＨＭＤＳ処理
した後、ポジ型レジスト材であるＴＳＭＲ−８９００を
用いてスピンコート法により第２のフォトレジスト層５
を、１７００Åの厚さに形成し、その後、プリベークを
行う。

【００６２】すなわち、本実施の形態では、第１のフォ
トレジスト層３を形成した後、中間層４を形成する前
に、第１のフォトレジスト層３の表面を逆スパッタし、
中間層４を形成した後、第２のフォトレジスト層５を形
成する前に、中間層４の表面をＨＭＤＳ処理して、その
後第２のフォトレジスト層５を形成している。

【００６３】このようにして、第１のフォトレジスト層
３、中間層４及び第２のフォトレジスト層５を形成する
と、次に、レーザーの露光、エッチング及び現像を行っ
て、ハーフグルーブ（案内溝）とピットを形成する。

【００６４】具体的には、図１に示すように、第１のフ
ォトレジスト層３と第２のフォトレジスト層５の双方を
露光する第１の記録光Ｌａの露光強度を、５．０ｍＷ、
第２のフォトレジスト層５のみを露光する第２の記録光
Ｌｂを、２．２ｍＷとし、１．２ｍ／ｓの線速のレーザ
ーを、第１のフォトレジスト層５側から光ディスク原盤
１に照射することにより露光する。第１の記録光Ｌａに
より、図１に示すように、第１のフォトレジスト層３と
第２のフォトレジスト層５にアルカリ水溶液に可溶な露
光部分（潜像）３ａ、５ａが形成され、第２の記録光Ｌ
ｂにより、第２のフォトレジスト層５のみにアルカリ水
溶液に可溶な潜像５ｂが形成される。

【００６５】そして、上記レーザーの露光後、現像を行
う前に、１３０℃で１０分間ベークを行い、ベークした
後、アルカリ水溶液であるＤＥ−３（東京応化工業製）
により、第２のフォトレジスト層５を現像する１回目の
現像を行う。次いで、純水で１０％以下に希釈した硝酸
により、ＩＴＯである中間層４のエッチングを行い、そ
の後、再度、ＤＥ−３により第１のフォトレジスト層３
を現像する２回目の現像を行う。

【００６６】上記現像及びエッチングにより、第１のフ
ォトレジスト層３及び第２のフォトレジスト層５の潜像
の形成された部分が除去されて、第２のフォトレジスト
層３のみに、開口幅が０．６８μｍで、深さが１７５０
Åの深さの浅い台形形状のハーフグループが形成され、
第１のフォトレジスト層３と第２のフォトレジスト層５
の双方にわたって、開口幅が０．９５μｍで、深さが３
４５０Åの深さの深い台形形状のピットが形成される。

【００６７】次に、本発明の光ディスク原盤の製造方法
及び光ディスク原盤の第２の実施の形態について説明す
る。本実施の形態は、上記第１の実施の形態と同様の光
ディスク及び光ディスクの製造方法に適用したものであ
り、本実施の形態の説明においては、上記図１で用いた
符号をそのまま用い、その詳細な説明を省略する。

【００６８】本実施の形態では、ガラス基板２を洗浄し
た後、ガラス基板２の表面をＨＭＤＳ処理し、その露光
部分がアルカリ水溶液に可溶なポジ型レジスト材である
ＴＳＭＲ−８９００を用いてスピンコート法により１７
００Åの厚さの第１のフォトレジスト層３を形成して、
プリベークを行う。

【００６９】この第１のフォトレジスト層３の表面を逆
スパッタした後、ＳｉＯ₂ をＡｒとＯ₂ 雰囲気中でＲＦ
マグネトロンスパッタを行って、酸化膜である中間層４
を７０Åの厚さに形成し、この中間層４の表面を逆スパ
ッタする。

【００７０】中間層４の表面をＨＭＤＳ処理した後、ポ
ジ型レジストであるＴＳＭＲ−８９００を用いてスピン
コート法により第２のフォトレジスト層５を１７００Å
の厚さに形成し、プリベークを行う。

【００７１】すなわち、本実施の形態では、中間層４を
形成する前に、第１のフォトレジスト層３の表面を逆ス
パッタするとともに、第２のフォトレジスト層５を形成
する前に、中間層４の表面を逆スパッタしている。

【００７２】このようにして第１のフォトレジスト層
３、中間層４及び第２のフォトレジスト層５を形成する
と、次に、レーザーの露光、エッチング及び現像を行っ
て、ハーフグルーブとピットを形成する。

【００７３】具体的には、図１に示したように、第１の
記録光Ｌａの露光強度を、５．０ｍＷ、第２の記録光Ｌ
ｂを２．４ｍＷとし、１．２ｍ／ｓの線速のレーザー
を、第１のフォトレジスト層５側から光ディスク原盤１
に照射することにより露光する。第１の記録光Ｌａによ
り、図１に示したように、第１のフォトレジスト層３と
第２のフォトレジスト層５にアルカリ水溶液に可溶な潜
像３ａ、５ａが形成され、第２の記録光Ｌｂにより、第
２のフォトレジスト層５のみにアルカリ水溶液に可溶な
潜像５ｂが形成される。

【００７４】上記レーザーの露光後、現像を行う前に、
１３０℃で１０分間ベークを行った後、アルカリ水溶液
であるＤＥ−３により、第２のフォトレジスト層５を現
像する１回目の現像を行い、純水で１０％以下に希釈し
たフッ酸により、ＳｉＯ₂ で形成した中間層４のエッチ
ングを行って、その後、再度、ＤＥ−３により第１のフ
ォトレジスト層３を現像する２回目の現像を行う。

【００７５】上記現像及びエッチングにより、開口幅が
０．７２μｍで、深さが１７７０Åの深さの浅い台形形
状のハーフグルーブが形成され、開口幅が０．９５μｍ
で、深さが３４７０Åの深さの深い台形形状のピットが
形成される。

【００７６】次に、本発明の光ディスク原盤の製造方法
及び光ディスク原盤の第３の実施の形態について説明す
る。本実施の形態は、上記第１の実施の形態と同様の光
ディスク及び光ディスクの製造方法に適用したものであ
り、本実施の形態の説明においては、上記図１で用いた
符号をそのまま用い、その詳細な説明を省略する。

【００７７】本実施の形態では、ガラス基板２を洗浄し
た後、ガラス基板２の表面をＨＭＤＳ処理し、高露光感
度のポジ型レジスト材であるＴＳＭＲ−Ｖ９０Ｍを用い
てスピンコート法により１７００Åの厚さに第１のフォ
トレジスト層３を形成し、プリベークを行う。

【００７８】この第１のフォトレジスト層３の表面を逆
スパッタした後、ＩＴＯを、ＡｒとＯ₂ 雰囲気中でＤＣ
マグネトロンスパッタを行って、酸化膜である中間層４
を６０Åの厚さに形成する。

【００７９】この中間層４の表面をＨＭＤＳ処理した
後、ポジ型レジスト材であるＴＳＭＲ−８９００を用い
てスピンコート法により第２のフォトレジスト層５を形
成し、プリベークを行う。

【００８０】すなわち、本実施の形態では、中間層４を
形成する前に、第１のフォトレジスト層３の表面を逆ス
タッパするとともに、中間層４の表面をＨＭＤＳ処理し
ている。また、第１のフォトレジスト層３を第２のフォ
トレジスト層５よりも高露光感度のフォトレジスト材で
形成している。

【００８１】このようにして、第１のフォトレジスト層
３、中間層４及び第２のフォトレジスト層５を形成する
と、レーザーの露光、エッチング及び現像を行って、ハ
ーフグルーブとピットを形成する。

【００８２】具体的には、図１に示したように、第１の
記録光Ｌａの露光強度を、５．０ｍＷ、第２の記録光Ｌ
ｂを、２．４ｍＷとし、１．２ｍ／ｓの線速のレーザー
を、第１のフォトレジスト層５側から光ディスク原盤１
に照射することにより露光する。第１の記録光Ｌａによ
り、図１に示したように、第１のフォトレジスト層３と
第２のフォトレジスト層５にアルカリ水溶液に可溶な潜
像３ａ、５ａが形成され、第２の記録光Ｌｂにより、第
２のフォトレジスト層５のみにアルカリ水溶液に可溶な
潜像５ｂが形成される。

【００８３】上記レーザーの露光後、現像を行う前に、
１３０℃で１０分間ベークを行った後、アルカリ水溶液
であるＤＥ−３により、第２のフォトレジスト層５を現
像する１回目の現像を行い、純水で１０％以下に希釈し
た硝酸により、ＩＴＯで形成した中間層４のエッチング
を行って、その後、再度、ＤＥ−３により第１のフォト
レジスト層３を現像する２回目の現像を行う。

【００８４】上記現像及びエッチングにより、開口幅が
０．７２μｍで、深さが１７６０Åの深さの浅い台形形
状のハーフグルーブが形成され、開口幅が０．９５μｍ
で、深さが３４６０Åの深さの深い台形形状のピットが
形成される。

【００８５】〈実験例１〉ガラス基盤上に第１のフォト
レジスト層、中間層及び第２のフォトレジスト層の順に
形成し、中間層上の第２のフォトレジスト層の密着性を
調べたところ、以下のような結果を得た。なお、以下の
実験例の説明においては、図１の符号を用いて説明す
る。

【００８６】本実験においては、まず、酸化膜である中
間層４の表面を何の処理もせずに、第２フォトレジスト
膜５を形成したところ、現像時に、第２のフォトレジス
ト層５が中間層４から剥離した。

【００８７】ところが、中間層４の表面を、Ａｒガス中
で３．８×１０^-3ｔｏｒｒにより１分間逆スパッタを行
った後、第２のフォトレジスト層５を形成したところ、
第２のフォトレジスト層５の剥離が減少した。

【００８８】また、中間層４の材料により剥離防止の効
果が異なることが分かった。すなわち、中間層４をＩＴ
Ｏで形成した場合、ＨＭＤＳ処理とレーザー露光を行っ
た後の高温ベークを行ったところ、第２のフォトレジス
ト層５の剥離を完全に防止することができた。ＳｉＯ₂
やＳｉＯで中間層４を形成した場合、逆スパッタ処理と
ＨＭＤＳ処理の両方を行い、露光後に、高温ベークを行
ったところ、第２のフォトレジスト層５の剥離を完全に
防止することができた。

【００８９】したがって、酸化膜である中間層４の表面
を逆スパッタとＨＭＤＳ処理の少なくとも１つの処理を
行うことにより、中間層４と第２のフォトレジスト層５
との密着性を向上させることができ、現像時に、中間層
４から第２のフォトレジスト層５が剥がれることを防止
することができる。

【００９０】〈実験例２〉ガラス基盤２上に第１のフォ
トレジスト層３、中間層４及び第２のフォトレジスト層
５の順に形成し、第１のフォトレジスト層３上の酸化膜
である中間層４の密着性を調べたところ、以下のような
結果を得た。

【００９１】なお、本実験においては、酸化膜である中
間層４上に第２のフォトレジスト層５を形成する際、上
記実験例１で示した中間層４の材料に適した逆スパッタ
処理とＨＭＤＳ処理の少なくとも一つの処理を行ってい
る。

【００９２】まず、第１のフォトレジスト層３の表面を
何の処理もせずに中間層４を形成したところ、第１のフ
ォトレジスト層３の現像時に、第１のフォトレジスト層
３と中間膜４の境界から剥離が発生した。

【００９３】ところが、第１のフォトレジスト層３の表
面を、Ａｒガス中で、３．８×１０^-3ｔｏｒｒにより１
分間逆スパッタを行った後、中間層４を形成したとこ
ろ、剥離が発生しなかった。

【００９４】したがって、第１のフォトレジスト層３の
表面を逆スパッタすることにより、酸化膜である中間層
４との密着性を向上させることができ、第１のフォトレ
ジスト層３を現像するとき、第１のフォトレジスト層３
から中間層４が剥がれるのを防止することができる。

【００９５】〈実験例３〉本実験では、図１に示した第
１の記録光Ｌａと第２の記録光Ｌｂにより潜像を形成す
る実験を行った。

【００９６】すなわち、第１の記録光Ｌａにより、第１
のフォトレジスト層３及び第２のフォトレジスト層５に
潜像３ａ、５ａを形成する。

【００９７】この場合、第１のフォトレジスト層３及び
第２のフォトレジスト層５のいずれもが、ポジ型である
ので、潜像部分３ａ、５ａは、アルカリ水溶液に可溶で
ある。そこで、第２のフォトレジスト層５の現像にアル
カリ水溶液、酸化膜である中間層４のエッチングに酸、
第１のフォトレジスト層３の現像に、アルカリ水溶液を
使用することにより、ピットのパターニングが可能にな
る。

【００９８】第２の記録光Ｌｂにより、第２のフォトレ
ジスト層５だけに潜像５ｂを形成する。第２のフォトレ
ジスト層５も、ポジ型であるので、潜像部分５ｂは、ア
ルカリ水溶液に可溶である。第２のフォトレジスト層５
の現像に、アルカリ水溶液を使用しているので、ハーフ
グルーブのパターニングが可能になる。すなわち、中間
層４のエッチング及び第１のフォトレジスト層３の現像
を行っても、第２の記録光Ｌｂによっては、第１のフォ
トレジスト層３に潜像が形成されないので、現像され
ず、第１のフォトレジスト層３にパターンは形成されな
い。

【００９９】そして、第１の記録光Ｌａの露光強度は、
第２の記録光Ｌｂの露光強度よりも強いので、第１の記
録光Ｌａにより第１のフォトレジスト層３と第２のフォ
トレジスト層５にわたって形成されるピットの幅は、第
２の記録光Ｌｂにより第２のフォトレジスト層５にのみ
形成されるハーフグルーブの幅よりも広くなる。

【０１００】したがって、深さの異なるピットとハーフ
グルーブ及びハーフグルーブよりも幅の広いピットを容
易に形成することができる。

【０１０１】〈実験例４〉本実験では、露光後にベーク
を行うことにより、現像時の剥離を調べた。すなわち、
フォトレジストのプリベーク温度よりも高い温度で、上
記露光後にベークを行う。

【０１０２】具体的には、上記露光後に、１３０℃で１
０分間オーブンでベークを行い、現像時に剥離が発生す
るか調べたところ、剥離が発生しなかった。

【０１０３】したがって、露光前に高温でベークする
と、第１のフォトレジスト層３及び第２のフォトレジス
ト層５の露光感度が低下するが、いま、露光後に、高温
でベークを行っているので、第１のフォトレジスト層３
及び第２のフォトレジスト層５の露光感度を低下させる
ことなく、第１のフォトレジスト層３と酸化膜からなる
中間層５との密着性及び中間層４と第２のフォトレジス
ト層５との密着性を向上させることができる。

【０１０４】〈実験例５〉本実験では、中間層４の屈折
率と膜厚を変化させた場合のピットとハーフグルーブの
幅を調べた。

【０１０５】すなわち、第１のフォトレジスト層３及び
第２のフォトレジスト層５を、ＴＳＭＲ−８９００を用
いて、１７００Åの厚さに形成し、中間層４の屈折率と
膜厚を変化させて、ピットとハーフグルーブの幅を調べ
たところ、図２に示すような結果を得た。なお、図２に
おいて、ハーフグルーブ最大開口幅とは、これ以上大き
い露光強度（Ｐｗ）になると、第１のフォトレジスト層
３へパターンが形成される限界のハーフグルーブのこと
をいう。

【０１０６】図２において、条件１と条件２では、中間
層４をＩＴＯで形成し、ＩＴＯの膜厚によるパターン幅
を調べたところ、ＩＴＯの膜厚が６０Åのときは、０．
７７μｍの幅のハーフグルーブが得られたものの、ピッ
ト形状が、図３に示すような段状になった。ＩＴＯの膜
厚を５０Åに減らすと、ピット形状は、図４に示すよう
なスムーズになるものの、０．６８μｍの幅のハーフグ
ルーブが形成された。条件３では、ＩＴＯよりも屈折率
の小さいＳｉＯ₂ で中間層４を７０Åの膜厚に形成した
ところ、条件２よりも、幅の広いハーフグルーブを形成
することができるとともに、ピット形状も段が形成され
ず、スムーズであった。

【０１０７】また、中間層４の膜厚が、０Å〜１００Å
のときの露光波長（λ＝４５８ｎｍ）に対する中間層４
のレーザーの透過率を調べたところ、図５に示す結果を
得た。

【０１０８】すなわち、図５に示すように、中間層４を
ＩＴＯで５０Åの厚さに形成したときの透過率は、約９
０％であり、中間層４をＩＴＯで６０Åの厚さに形成し
たときの透過率は、約８８％であった。また、中間層４
をＳｉＯ₂ で７０Åの厚さに形成したときの透過率は、
約９５％であった。以上の結果から、中間層４のレーザ
ーの透過率が、９０％以上のとき、ピット形状がスムー
ズになることが判明した。

【０１０９】したがって、中間層４の屈折率を大きくす
ると、第２のフォトレジスト層５と中間層４の界面での
光の反射が強くなって、第１のフォトレジスト層３への
光が減少し、第１のフォトレジスト層３への光が減少し
た分、第２の記録光Ｌｂを強くすることができる。その
結果、第２のフォトレジスト層５の潜像が広くなって、
潜像が広くなった分、幅の広いハーフグルーブを形成す
ることができる。したがって、中間層４の屈折率を調整
することにより、ハーフグルーブの幅を制御することが
できる。

【０１１０】また、中間層４の膜厚を厚くすると、中間
層４で吸収される光が多くなり、第１のフォトレジスト
層３への光が減少して、第１のフォトレジスト層３への
光が減少した分、第２の記録光Ｌｂを強くすることがで
きる。したがって、第２のフォトレジスト層５の潜像が
広くなり、潜像が広くなった分、ハーフグルーブの幅を
広くすることができる。その結果、中間層４の膜厚を調
整することにより、ハーフグルーブの幅を制御すること
ができる。

【０１１１】以上の結果から、中間層４の屈折率と膜厚
とを適宜調整することにより、ハーフグルーブの幅を容
易に制御することができ、目的とする幅のハーフグルー
ブを中間層４の屈折率と膜厚及びレーザーの露光強度を
制御することにより、容易に、かつ、適切に形成するこ
とができる。また、段のないピットを容易に形成するこ
とができる。

【０１１２】〈実験例６〉本実験では、第１のフォトレ
ジスト層３と第２のフォトレジスト層５の露光感度を変
えたときのピットとハーフグルーブの形成状態を調べ
た。

【０１１３】すなわち、本実験では、ＩＴＯにより中間
層４を６０Åの厚さに形成し、２つのフォトレジスト層
３、５を露光感度の異なるフォトレジスト材により形成
して、ピットとハーフグルーブの幅を調べた。

【０１１４】具体的には、図６に示すように、条件１で
は、第１のフォトレジスト層３と第２のフォトレジスト
層５を同じフォトレジスト材（ＴＳＭＲ−８９００）で
形成し、条件４では、第１のフォトレジスト層３を、高
露光感度のフォトレジスト材であるＴＳＭＲ−Ｖ９０Ｍ
（東京応化工業製）で、第２のフォトレジスト層５を、
第１のフォトレジスト層３よりも低い露光感度のＴＳＭ
Ｒ−８９００で形成した。

【０１１５】上記実験の結果、図６に示すように、条件
１では、ピットに図３に示したような段が発生したが、
条件４では、段がなくなり、上記実験例５の条件３と同
様に、図４に示したように、段のないスムースな形状の
ピットを形成することができた。

【０１１６】すなわち、第１のフォトレジスト層３の露
光感度を第２のフォトレジスト層５の露光感度よりも低
くすると、第１のフォトレジスト層３に潜像を形成する
のに強い光を必要とし、第１のフォトレジスト層３に潜
像が形成されにくくなる。その分、第２の記録光Ｌｂを
強くすることができ、第２のフォトレジスト層５の潜像
が広くって、潜像が広くなった分、ハーフグルーブの幅
も広くなる。その結果、第１のフォトレジスト層３と第
２のフォトレジスト層５の露光感度を変えることによ
り、ハーフグルーブの幅を制御することができる。

【０１１７】また、第１のフォトレジスト層３と第２の
フォトレジスト層５にポジ型レジストを使用しているの
で、第１のフォトレジスト層３と第２のフォトレジスト
層５の境界部分に図３に示したような段が発生するが、
第１のフォトレジスト層３の開口部分と第２のフォトレ
ジスト層５の底部分の幅を、フォトレジストの露光感度
を変えることにより、段の発生を防止することができ
る。

【０１１８】次に、本発明の光ディスク原盤の製造方法
及び光ディスク原盤の第４の実施の形態について、図７
に基づいて、説明する。本実施の形態は、第１のフォト
レジスト層をネガ型フォトレジスト材で形成したもので
ある。

【０１１９】本実施の形態では、光ディスク原盤１１
は、ガラス基板１２を洗浄した後、その露光部分がアル
カリ水溶液に不溶であるネガ型レジスト材のＦＨＴ−３
３２Ｓ（Ｆｕｊｉハント製）を用いて、スピンコート法
により１７００Åの厚さに第１のフォトレジスト層１３
を形成し、プリベークを行う。

【０１２０】第１のフォトレジスト層１３の表面を逆ス
パッタした後、ＩＴＯをＡｒとＯ₂雰囲気中でＤＣマグ
ネトロンスパッタを行うことにより、中間層１４を１０
０Åの厚さに形成する。

【０１２１】この中間層１４の表面をＨＭＤＳ処理した
後、ポジ型レジストであるＴＳＭＲ−８９００を用いて
スピンコート法により１７００Åの厚さに第２のフォト
レジスト層１５を形成し、プリベークを行う。

【０１２２】すなわち、本実施の形態では、第１のフォ
トレジスト層１３をネガ型フォトレジスト材で、第２の
フォトレジスト層１５をポジ型フォトレジスト材で、そ
れぞれ形成するが、中間層１４を形成する前に、第１の
フォトレジスト層１３の表面を逆スパッタするととも
に、第２のフォトレジスト層１５を形成する前に、ＩＴ
Ｏで形成した中間層１４の表面をＨＭＤＳ処理してい
る。

【０１２３】このようにして第１のフォトレジスト層１
３、中間層１４及び第２のフォトレジスト層１５を形成
すると、次に、レーザーの露光、エッチング及び現像を
行って、ハーフグルーブとピットを形成する。

【０１２４】具体的には、図７に示したように、第１の
記録光Ｌａの露光強度を、５．０ｍＷ、第２の記録光Ｌ
ｂを２．０ｍＷとし、１．２ｍ／ｓの線速のレーザー
を、第１のフォトレジスト層１５側から光ディスク原盤
１１に照射することにより露光する。第１の記録光Ｌａ
により、図７に示すように、第１のフォトレジスト層１
３には、アルカリ水溶液に不溶な潜像１３ａが、第２の
フォトレジスト層１５には、アルカリ水溶液に可溶な潜
像１５ａが、それぞれ形成され、第２の記録光Ｌｂによ
り、第２のフォトレジスト層１５のみにアルカリ水溶液
に可溶な潜像１５ｂが形成される。

【０１２５】上記レーザーの露光後、現像を行う前に、
１３０℃で２０分間ベークを行った後、アルカリ水溶液
であるＤＥ−３により、第２のフォトレジスト層１５を
現像する１回目の現像を行い、純水で１０％以下に希釈
した硝酸により、ＩＴＯで形成した中間層１４のエッチ
ングを行って、その後、再度、ＤＥ−３により第１のフ
ォトレジスト層１３を現像する２回目の現像を行う。

【０１２６】上記現像及びエッチングにより、開口幅が
０．９５μｍで、深さが１８００Åの深さの浅い台形形
状のハーフグルーブが形成され、開口幅が０．６５μｍ
で、深さが３５００Åの深さの深い台形形状のピットが
形成される。

【０１２７】次に、本発明の光ディスク原盤の製造方法
及び光ディスク原盤の第５の実施の形態について説明す
る。本実施の形態は、上記第４の実施の形態と同様の光
ディスク及び光ディスクの製造方法に適用したものであ
り、本実施の形態の説明においては、上記図 で用いた
符号をそのまま用い、その詳細な説明を省略する。

【０１２８】本実施の形態では、ガラス基板２を洗浄し
た後、ガラス基板２上にその露光部分がアルカリ水溶液
に不溶であるネガ型レジスト材であるＦＨＴ−３３２Ｓ
を用いてスピンコート法により１７００Åの厚さの第１
のフォトレジスト層１３を形成して、プリベークを行
う。

【０１２９】この第１のフォトレジスト層１３の表面を
逆スパッタした後、ＩＴＯをＡｒとＯ₂ 雰囲気中でＤＣ
マグネトロンスパッタを行って、酸化膜である中間層１
４を７０Åの厚さに形成する。

【０１３０】中間層１４の表面をＨＭＤＳ処理した後、
ポジ型レジストであるＴＳＭＲ−ＧＰ８０００を用いて
スピンコート法により第２のフォトレジスト層１５を１
７００Åの厚さに形成し、プリベークを行う。

【０１３１】すなわち、本実施の形態では、中間層１４
を形成する前に、ネガ型の第１のフォトレジスト層１３
の表面を逆スパッタするとともに、ポジ型の第２のフォ
トレジスト層１５を形成する前に、中間層１４の表面を
ＨＭＤＳ処理している。

【０１３２】このようにして第１のフォトレジスト層１
３、中間層１４及び第２のフォトレジスト層１５を形成
すると、次に、レーザーの露光、エッチング及び現像を
行って、ハーフグルーブとピットを形成する。

【０１３３】具体的には、図７に示したように、第１の
記録光Ｌａの露光強度を、５．０ｍＷ、第２の記録光Ｌ
ｂを、１．６ｍＷとし、１．２ｍ／ｓの線速のレーザー
を、第１のフォトレジスト層１５側から光ディスク原盤
１１に照射することにより露光する。第１の記録光Ｌａ
により、図７に示したように、第１のフォトレジスト層
１３には、アルカリ水溶液に不溶な潜像１３ａが、第２
のフォトレジスト層１５には、アルカリ水溶液に可溶な
潜像１５ａが、それぞれ形成され、第２の記録光Ｌｂに
より、第２のフォトレジスト層１５のみにアルカリ水溶
液に可溶な潜像１５ｂが形成される。

【０１３４】上記レーザーの露光後、現像を行う前に、
１３０℃で２０分間ベークを行った後、アルカリ水溶液
であるＤＥ−３により、第２のフォトレジスト層１５を
現像する１回目の現像を行い、純水で１０％以下に希釈
した硝酸により、ＩＴＯで形成した中間層１４のエッチ
ングを行って、その後、再度、ＤＥ−３により第１のフ
ォトレジスト層１３を現像する２回目の現像を行う。

【０１３５】上記現像及びエッチングにより、開口幅が
０．９５μｍで、深さが１７７０Åの深さの浅い台形形
状のハーフグルーブが形成され、開口幅が０．６７μｍ
で、深さが３４７０Åの深さの深い台形形状のピットが
形成される。

【０１３６】〈実験例７〉ガラス基盤上にネガ型の第１
のフォトレジスト層、中間層、ポジ型の第２のフォトレ
ジスト層を順次形成して、ピットとハーフグルーブの形
状を調査した。なお、以下の実験例の説明においては、
図７の符号を用いて説明する。

【０１３７】図７に示したように、第１の記録光Ｌａに
より、第１のフォトレジスト層１３及び第２のフォトレ
ジスト層１５に潜像を形成する。

【０１３８】第１のフォトレジスト層１３は、ネガ型フ
ォトレジスト材で形成され、第２のフォトレジスト層１
５は、ポジ型フォトレジスト材により形成されているの
で、第１のフォトレジスト層１３の潜像部分１３ａは、
アルカリ水溶液に不溶であり、第２のフォトレジスト層
１５の潜像部分１５ａ、１５ｂは、アルカリ水溶液に可
溶である。そして、第１のフォトレジスト層１３の現像
にアルカリ水溶液を使用しているので、酸化膜である中
間層１４のエッチング及び第１のフォトレジスト層１３
の現像を行っても、第１のフォトレジスト層１３にアル
カリ水溶液に不溶の潜像１３ａが形成され、第１のフォ
トレジスト層１３にパターンは形成されず、ハーフグル
ーブのパターニングが可能になる。

【０１３９】また、第２の記録光Ｌｂにより、第２のフ
ォトレジスト層１５だけに潜像１５ｂを形成する。第２
のフォトレジスト層１５は、ポジ型フォトレジスト材で
形成されているので、潜像部分１６ｂは、アルカリ水溶
液に可溶である。したがって、第２のフォトレジスト層
１５の現像にアルカリ水溶液、中間層１４のエッチング
に酸、第１のフォトレジスト層１３の現像にアルカリ水
溶液を使用することにより、ピットのパターニングが可
能になる。

【０１４０】このように、第１の記録光Ｌａで第１のフ
ォトレジスト層１３及び第２のフォトレジスト層１５を
露光するので、ハーフグルーブを形成でき、第２の記録
光Ｌｂで第２のフォトレジスト層１５のみを露光するの
で、ピットを形成できる。また、第１のフォトレジスト
層１３がネガ型レジスト材で形成され、第２のフォトレ
ジスト層１５がポジ型レジスト材で形成されているの
で、ハーフグルーブを形成する第１の記録光Ｌａの強度
が、ピットを形成する第２の記録光Ｌｂの強度よりも大
きく、ハーフグルーブの幅がピットの幅よりも広くな
る。その結果、深さの異なるピットとハーフグルーブ及
びハーフグルーブよりも幅の広いピットを容易に形成す
ることができる。

【０１４１】〈実験例８〉本実験では、第１のフォトレ
ジスト層１３をネガ型フォトレジスト材で形成し、第２
のフォトレジスト層１５をポジ型フォトレジスト材で形
成して、中間層１４の膜厚と屈折率を変化させて、ピッ
トとハーフグルーブの幅を調べた。

【０１４２】具体的には、第１のフォトレジスト層１３
をネガ型フォトレジスト材であるＦＨＴ−３３２Ｓを用
いて形成し、第２のフォトレジスト層１５をポジ型フォ
トレジスト材であるＴＳＭＲ−８９００を用いて形成し
て、中間層１４の膜厚と屈折率を変えたときの、ピット
とハーフグルーブの幅を調べたところ、図８に示すよう
な結果を得た。

【０１４３】中間層１４であるＩＴＯの膜厚が、６０Å
のときは、光がＩＴＯを透過しすぎて、第１のフォトレ
ジスト層１５を弱い露光パワーでも露光し、ピットが形
成できなかった。中間層１４であるＩＴＯの膜厚が厚く
なると、第１のフォトレジスト層１３への光の強度が減
少して、露光されにくくなるめ、ピットの幅が広くな
る。

【０１４４】また、図８に示すように、条件７では、屈
折率の高いＴｉＯ₂ で中間層１４を７０Åの厚さに形成
した場合、条件５のＩＴＯにより８０Åの厚さに中間層
１４を形成した場合よりも薄い膜厚であるが、屈折率の
影響で、第１のフォトレジスト層１３への光の強度が減
少して、露光されにくくなるため、ビットの幅が広くな
る。

【０１４５】中間層の膜厚が、０Å〜１００Åのときの
露光波長（λ＝４５８ｎｍ）に対する透過率を計算した
結果は、図５と同様であり、上述のように、ＩＴＯが、
６０Åのときの透過率は、約８８％で、８０Åのときの
透過率は、８４％である。また、ＴｉＯ₂ が、７０Åの
ときの透過率は、約８０％である。したがって、中間層
１４の屈折率と膜厚を調整して透過率を８５％以下にす
ることにより、ピットの幅を制御することができる。

【０１４６】したがって、中間層１４の屈折率を大きく
すると、第２のフォトレジスト層１５と中間層１４の界
面での光の反射が広くなり、第１のフォトレジスト層１
３への光が減少する。第１のフォトレジスト層１３への
光が減少した分、第１のフォトレジスト層１３の潜像が
小さくなって、アルカリ可溶の部分が広くなるので、ピ
ットの幅も広くなる。したがって、中間層１４の屈折率
を調整することにより、ピットの幅を制御することがで
きる。

【０１４７】また、中間層１４の膜厚を厚くすると、中
間層１４で吸収される光が多くなり、第１のフォトレジ
スト層１５への光が減少する。第１のフォトレジスト層
１５への光が減少した分、第１のフォトレジスト層１５
の潜像が小さくなり、アルカリ水溶液に可溶の部分が広
くなるので、ピットの幅も広くなる。したがって、中間
層１４の膜厚を調整することにより、ピットの幅を制御
することができる。

【０１４８】〈実験例９〉本実験では、第１のフォトレ
ジスト層１３及び第２のフォトレジスト層１５の露光感
度を変えたときのピットとハーフグルーブの幅を調べ
た。具体的には、中間層１４をＩＴＯより７０Åの厚さ
に形成し、高感度のフォトレジスト材としてＴＳＭＲ−
ＧＰ８０００を使用して、図９に条件５及び条件８で示
すように、第１のフォトレジスト層１３と第２のフォト
レジスト層１５の露光感度を変えたときのピットとハー
フグルーブの幅を調べた。

【０１４９】図９から分かるように、第１のフォトレジ
スト層１３の露光感度を第２のフォトレジスト層１５の
露光感度よりも低くすると、第１のフォトレジスト層１
３に潜像を作るのに強い光を必要とし、第１のフォトレ
ジスト層１３に潜像が形成されにくくなり、アルカリ水
溶液に可溶の部分が広くなって、ピットの幅も広くな
る。

【０１５０】その結果、第１のフォトレジスト層１３と
第２のフォトレジスト層１５の露光感度を変えることに
より、ピットの幅を制御することができる。

【０１５１】〈実験例１０〉本実験では、光ディスク原
盤からスタンパを形成する実験を行った。スタンパを形
成するには、光ディスク原盤をスタンパ化し、スタンパ
表面にある第１のフォトレジスト層や第２のフォトレジ
スト層及び酸化膜である中間層を除去しなければならな
い。

【０１５２】そこで、本実験では、第１のフォトレジス
ト層をＩＰＡ（イソプロピルアルコール）で溶かした
後、水洗、ＵＶ／Ｏ₃ 照射、再度、水洗を行うことで除
去する。なお、ＵＶ／Ｏ₃ 照射は、酸素Ｏ₂ 中で紫外線
ＵＶを照射して、酸素がオゾンＯ₃ に変化することによ
り、オゾンにより第１のフォトレジスト層を効率的に分
解する。

【０１５３】次に、酸化膜である中間層を酸で溶かした
後、水洗することで除去する。この酸は、中間層を形成
する酸化膜により異なり、例えば、ＩＴＯの場合は、希
塩酸を使用し、ＳｉＯ₂ の場合は、希フッ酸を使用す
る。

【０１５４】最後に、第２のフォトレジスト層を、第１
のフォトレジスト層と同じ方法で除去する。

【０１５５】このように光ディスク用スタンパの洗浄に
おいて、第１のフォトレジスト層のエッチング、酸化膜
からなる中間層のエッチング、第２のフォトレジスト層
のエッチングの順にスタンパ表面を洗浄すると、深さの
異なるピットとハーフグルーブを有する光ディスク用ス
タンパを容易に得ることができる。

【０１５６】以上、本発明者によってなされた発明を好
適な実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
上記のものに限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。

【０１５７】

【発明の効果】請求項１記載の発明の光ディスク原盤の
製造方法によれば、中間層と第２のフォトレジスト層と
の密着性を向上させることができ、第２のフォトレジス
ト層の現像時に、第２のフォトレジスト層が中間層から
剥がれることを防止することができる。

【０１５８】

【発明の効果】本発明の光ディスク原盤の製造方法によ
れば、第１のフォトレジスト層と中間層との密着性を向
上させることができ、第１のフォトレジスト層の現像時
に、中間層が剥がれることを防止することができる。

【０１５９】 本発明の光ディスク原盤の製造方法によ
れば、露光後にベークを行っているので、フォトレジス
トの露光感度を低下させることなく、各層の密着性を向
上させることができ、現像時に各層が剥がれることを防
止することができる。

【０１６０】 本発明の光ディスク原盤の製造方法によ
れば、第１のフォトレジスト層と第２のフォトレジスト
層の露光感度を調整することにより、深さの異なる台形
形状のピットとハーフグルーブを容易に形成することが
できるとともに、ピットの段の発生を防止することがで
きる。

【０１６１】 本発明の光ディスク原盤の製造方法によ
れば、第１と第２のフォトレジスト層の双方を露光強度
の強い第１の記録光により露光して深さの深いピットを
形成し、第２のフォトレジスト層のみを露光強度の弱い
第２の記録光により露光して深さの浅いハーフグルーブ
を形成するとともに、露光部分がアルカリ水溶液に可溶
であるので、ハーフグルーブよりも幅の広いピットを容
易に形成することができる。

【０１６２】 本発明の光ディスク原盤の製造方法によ
れば、第１のフォトレジスト層と第２のフォトレジスト
層の双方を露光する第１の記録光でピットを形成し、第
２のフォトレジスト層のみを露光する第２の記録光でハ
ーフグルーブを形成して、深さの異なるピットとハーフ
グルーブを容易に形成することができるとともに、ハー
フグルーブよりも幅が広く段のないピットを形成するこ
とができる。

【０１６３】 本発明の光ディスク原盤の製造方法によ
れば、第１と第２のフォトレジスト層の双方を露光強度
の強い第１の記録光により露光し、第２のフォトレジス
ト層のみを露光強度の弱い第２の記録光により露光する
が、第１のフォトレジスト層がネガ型フォトレジストで
あり、露光部分がアルカリ水溶液に不溶であるので、露
光強度の強い第１の記録光により深さの浅いハーフグル
ーブが形成され、露光強度の弱い第２の記録光により深
さの深いピットが形成される。したがって、ハーフグル
ーブよりも幅が広く、段のないピットを容易に形成する
ことができる。

【０１６４】 本発明の光ディスク原盤の製造方法によ
れば、中間層の屈折率と膜厚を調整することにより、第
１のフォトレジスト層と第２のフォトレジスト層の双方
を露光する第１の記録光でハーフグルーブを形成し、第
２のフォトレジスト層のみを露光する第２の記録光でピ
ットを形成して、深さの異なる台形形状のピットとハー
フグルーブを容易に形成することができるとともに、ハ
ーフグルーブよりも幅の狭いピットを形成することがで
きる。

【０１６５】 本発明の光ディスク原盤によれば、深さ
の浅い台形形状のハーフグルーブと深さが深くハーフグ
ルーブよりも幅の広いピットを簡単に形成することがで
き、光ディスクの再生波長に対して安定したトラッキン
グ及び正確な再生信号を得ることができる。

【０１６６】 本発明の光ディスク原盤によれば、深さ
の深いピットと深さが浅く幅の広いハーフグルーブを簡
単に形成することができ、光ディスクの再生波長に対し
て、安定したトラッキング及び正確な再生信号を得るこ
とができる。

【０１６７】 本発明の光ディスク用スタンパの製造方
法によれば、光ディスク用スタンパの洗浄において、前
記第１のフォトレジスト層のエッチング、前記中間層の
エッチング及び前記第２のフォトレジスト層のエッチン
グの順にスタンパ表面を洗浄することができ、深さの異
なるピットとハーフグルーブを有する光ディスク用スタ
ンパを得ることができる。

【０１６８】 本発明の光ディスク用スタンパによれ
ば、光ディスク用スタンパの洗浄において、前記第１の
フォトレジスト層のエッチング、前記中間層のエッチン
グ及び前記第２のフォトレジスト層のエッチングの順に
スタンパ表面を洗浄することができ、深さの異なるピッ
トとハーフグルーブを有する光ディスク用スタンパを得
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光ディスク原盤の製造方法、光ディス
ク原盤、光ディスク用スタンパ及び光ディスク用スタン
パの製造方法の第１の実施の形態を適用した光ディスク
原盤の側面断面図。

【図２】中間層の屈折率と膜厚を変化させた場合のピッ
トとハーフグルーブの幅及び段の有無の実験結果を示す
図。

【図３】第１のフォトレジスト層と第２のフォトレジス
ト層との境界部分に段の発生した状態を示す光ディスク
原盤の側面図。

【図４】第１のフォトレジスト層と第２のフォトレジス
ト層との境界部分に段が発生せずスムーズな状態を示す
光ディスク原盤の側面図。

【図５】中間層の膜厚とレーザーの透過率の関係を示す
図。

【図６】第１のフォトレジスト層と第２のフォトレジス
ト層の露光感度を変えたときのピットとハーフグルーブ
の幅及び段の有無の実験結果を示す図。

【図７】本発明の光ディスク原盤の製造方法、光ディス
ク原盤、光ディスク用スタンパ及び光ディスク用スタン
パの製造方法の第４の実施の形態を適用した光ディスク
原盤の側面断面図。

【図８】第１のフォトレジスト層をネガ型で、第２のフ
ォトレジスト層をポジ型で形成して、中間層の膜厚と屈
折率を変化させたときのピットとハーフグルーブの幅の
実験結果を示す図。

【図９】第１のフォトレジスト層と第２のフォトレジス
ト層の露光感度を変えたときのピットとハーフグルーブ
の幅の実験結果を示す図。

【符号の説明】

１、１１ 光ディスク原盤 ２、１２ ガラス基板 ３、１３ 第１のフォトレジスト層 ３ａ、１３ａ 潜像部分 ４、１４ 中間層 ５、１５ 第２のフォトレジスト層 ５ａ、５ｂ、１５ａ、１５ｂ 潜像部分

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−161077（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−45957（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−235084（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−166719（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−173941（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−247842（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−123035（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−150395（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−239530（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−249226（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−214397（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−94022（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−84787（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−129745（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−58062（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 7/26

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基盤上に、スピンコート法により厚さ３
   ００Å〜２０００Åの第１のフォトレジスト層を形成
   し、該第１のフォトレジスト層上にスパッタ法、蒸着
   法、あるいは、ＣＶＤ法のうちいずれか一つの方法によ
   り厚さ５０Å〜３００Åの酸化膜からなる中間層を形成
   し、さらに、スピンコート法により厚さ３００Å〜２０
   ００Åの第２のフォトレジスト層を順次積層して形成
   し、前記第２のフォトレジスト層側から前記第１のフォ
   トレジスト層と前記第２のフォトレジスト層の双方を露
   光する第１の記録光と前記第２のフォトレジスト層のみ
   を露光する第２の記録光とにより露光した後、前記第２
   のフォトレジスト層の現像、前記中間層のエッチング及
   び前記第１のフォトレジスト層の現像により光ディスク
   原盤を形成する光ディスク原盤の製造方法において、 前記中間層を形成する前に、前記第１のフォトレジスト
   層の表面を逆スパッタ処理を施すことを特徴とする光デ
   ィスク原盤の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１において、 前記露光後であって前記第２のフォトレジスト層を現像
   する前に、略１３０℃でベークを行うことを特徴とする
   光ディスク原盤の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１又は２において、 前記第１のフォトレジスト層の露光感度と前記第２フォ
   トレジストの露光感度を異ならせ、前記第２の記録光の
   強度の許容範囲を変えることを特徴とする光ディスク原
   盤の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１、２又は３において、 前記第１のフォトレジスト層及び前記第２のフォトレジ
   スト層は、その露光部分がアルカリ水溶液に可溶なポジ
   型フォトレジストにより形成されており、前記第１の記
   録光が、前記第２の記録光よりもその露光強度が強いこ
   とを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項４において、 前記中間層は、前記第１及び第２の記録光が９０％以上
   透過する屈折率及び膜厚に形成し、前記第２の記録光の
   強度の許容範囲を変えることを特徴とする光ディスク原
   盤の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項１、２又は３において、 前記第１のフォトレジスト層は、その露光部分がアルカ
   リ水溶液に不溶となるネガ型フォトレジストにより形成
   され、前記第２のフォトレジスト層は、その露光部分が
   アルカリ水溶液に可溶なポジ型フォトレジストにより形
   成されており、前記第１の記録光が、前記第２の記録光
   よりもその露光強度が強いことを特徴とする光ディスク
   原盤の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項６において、 前記中間層は、前記第１及び第２の記録光が８５％以下
   透過する屈折率及び膜厚に形成し、前記第２の記録光の
   強度の許容範囲を変えることを特徴とする光ディスクの
   製造方法。
8. 【請求項８】 請求項４又は５に記載の光ディスク原盤
   製造方法により製造される光ディスク原盤であって、 前記第１の記録光により深さの深い第１の露光パターン
   が露光され、前記第２の記録光により深さの浅い第２の
   露光パターンがが露光され、かつ、前記第１の露光パタ
   ーンが前記第２の露光パターンよりも幅が広く露光され
   ることにより形成されていることを特徴とする光ディス
   ク原盤。
9. 【請求項９】 請求項６又は７に記載の光ディスク原盤
   製造方法により製造される光ディスク原盤であって、 前記第１の記録光により深さの浅い第１の露光パターン
   が露光され、前記第２の記録光により深さの深い第２の
   露光パターンがが露光され、かつ、前記第２の露光パタ
   ーンが前記第１の露光パターンよりも幅が狭く露光され
   ることにより形成されていることを特徴とする光ディス
   ク原盤。
10. 【請求項１０】 請求項８又は９に記載の光ディスク原
    盤に、Ｎｉ膜をスパッタあるいは蒸着により形成した
    後、Ｎｉを電鋳し、さらに前記基盤からＮｉを剥離した
    後、前記第１のフォトレジスト層のエッチング、前記中
    間層のエッチング及び前記第２のフォトレジスト層のエ
    ッチングを順次行うことを特徴とする光ディスク用スタ
    ンパの製造方法。
11. 【請求項１１】 請求項８又は９に記載の光ディスク原
    盤に、Ｎｉ膜をスパッタあるいは蒸着により形成した
    後、Ｎｉを電鋳し、さらに前記基盤からＮｉを剥離した
    後、前記第１のフォトレジスト層のエッチング、前記中
    間層のエッチング及び前記第２のフォトレジスト層のエ
    ッチングを順次行って製造したことを特徴とする光ディ
    スク用スタンパ。