JP3548413B2 - 光ディスクのフォトレジスト原盤の製造方法 - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスクのフォトレジスト原盤及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
現在、高密度の記録媒体として光により記録データを読み出す光ディスクが利用されており、光ディスクの各種形態の中には、深さが異なるピットとグルーブとを形成したものがある。そのような光ディスクを得るには、光ディスクのフォトレジスト原盤のパターン形成もピットとグルーブとで変える必要がある。
【0003】
このため、従来は、強度が弱いレーザによってグルーブを形成し、強度が強いレーザによってピットを形成している。ここで、ピットの深さはフォトレジストの膜厚で決定するが、グルーブの深さはレーザの強度に依存し、レーザ強度の変動やフォーカス信号の変動などによってグルーブの深さに変動が生じやすい。また同様に、グルーブの幅の制御も非常に困難である。
【0004】
このような問題を解決するために提案された従来の技術の第一の例としては特開平2−276038号公報記載の発明がある。この第一の例ではフォトレジスト層を二層化し、ガラス原盤上の第一フォトレジスト層のプリベイク温度に比べて、第一フォトレジスト層上の第二フォトレジスト層のプリベイク温度を低くしている。
【0005】
一般に、プリベイク温度が高いほど、フォトレジストの感光感度特性は低くなる。したがって、このような製造方法によれば、第一層目のフォトレジストの感度は、第二層目のフォトレジストの感度に比べて低くなる。よって、第一フォトレジスト層が感光しないレーザ強度の最大値と、第一フォトレジスト層が感光するレーザ強度の最小値との間には差ができる。したがって、グルーブを所定の深さに形成できるレーザの強度にある程度の許容範囲を得ることができる。
【0006】
しかし、この第一の例では、第一フォトレジスト層の上に第二フォトレジスト層を塗布する際に、第一層目のフォトレジストが融けてしまったり、或いは、第一層目のフォトレジストが第二層目のフォトレジストと表面で反応してしまうという不都合が生じ、これにより、第一フォトレジスト層の表面粗さが増大し、グルーブノイズが大きくなるという問題がある。
【0007】
このような問題を解決するために提案された従来の技術の第二の例としては特開平7−161077号公報記載の発明がある。この第二の例では、第一の例における第一フォトレジスト層と第二フォトレジスト層との間に、第一層目のフォトレジストと第二層目のフォトレジストとが混合することを防止する中間層を設けている。中間層には、レーザに対して透過性を有し、フォトレジスト及びその溶剤に溶解せず、且つ、フォトレジストを侵さずにエッチングや水洗等により除去可能な性質のものが選択される。
【0008】
また、この第二の例でも、第一の例と同様に、第一層目のフォトレジストの感度は第二層目のフォトレジストの感度に比べて低く設定されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
従来の技術の第一の例及び第二の例のように、第一フォトレジスト層の感度を第二フォトレジスト層の感度よりも低く設定すると、ピットの形状に第一層目と第二層目との間で段差ができ、光ディスクの読み取りの際に良好な信号が得られない。
【0010】
また、従来の第二の例では、中間層が設けられているのだから第一フォトレジスト層の感度を第二フォトレジスト層の感度よりも低くしなくてもグルーブの深さを制御できる。しかも、第一フォトレジスト層を露光するレーザの強度は中間層によって弱められるので、第一フォトレジスト層の感度を第二フォトレジスト層の感度よりも低くしてしまっては、ピットの第一層目と第二層目との間にできる段差が大きくなってしまう。
【0011】
本発明は、深さが異なるグルーブ及びピットを同じ原盤に形成し、且つ、第一層目と第二層目との間に段差がないピットを得ることを目的とする。
【0012】
また本発明は、第二フォトレジスト層のプリベイク時及びポストベイク時に第一フォトレジスト層から溶媒が蒸発してガスが発生し、ガスが集中する部分が盛り上がることによる欠陥の発生を防ぐことを目的とする。
【0013】
さらに本発明は、中間層の選択の不適によりピットの底部に凹凸が生じることの防止を目的とする。
【0014】
さらに本発明は、グルーブ及びピットの形状・寸法を規定することにより、この光ディスクのフォトレジスト原盤を用いて製造された光ディスクから良好な信号を得ることを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明は、光ディスクのフォトレジスト原盤の製造方法であって、第一フォトレジスト層のプリベイク温度は第二フォトレジスト層のプリベイク温度よりも高い。
【0018】
したがって、第二フォトレジスト層のプリベイク時に第一フォトレジスト層から溶媒が蒸発してガスが発生することがない。
【0019】
請求項2記載の発明は、光ディスクのフォトレジスト原盤の製造方法であって、第一フォトレジスト層及び第二フォトレジスト層のプリベイク温度はポストベイク温度よりも高い。
【0020】
したがって、ポストベイク時に第一フォトレジスト層から溶媒が蒸発してガスが発生することがない。
【0025】
【発明の実施の形態】
本発明の光ディスクのフォトレジスト原盤及びその製造方法の実施の第一の実施の形態について、図面に基づいて説明する。本実施の形態では、まず、図1(a)に示すように、ガラス基盤1上にフォトレジスト(ここでは東京応化製のTSMR−8900)をスピンコートして100℃でプリベイクし、厚さ約1500Åの第一フォトレジスト層2を形成する。
【0026】
次に、第一フォトレジスト層2上に、In2O3(95wt%)−SnO2(5wt%)をDCスパッタし、厚さ約50Åの中間層3を形成する。
【0027】
次に、中間層3上に、フォトレジスト(ここではヘキスト製のAZP−1350)をスピンコートして90℃でプリベイクし、厚さ約1500Åの第二フォトレジスト層4を形成する。
【0028】
ここで、第一フォトレジスト層2の感度は第二フォトレジスト層4の感度よりも高い。第一フォトレジスト層2を形成したフォトレジストはプリベイク温度が高すぎると、第二フォトレジスト層4を形成したフォトレジストよりも感度が低くなるが、本実施の形態ではプリベイク温度を適当な値に設定することによって、第一フォトレジスト層2の感度を第二フォトレジスト層4の感度よりも高くしている。
【0029】
このような第一フォトレジスト層2と第二フォトレジスト層4とを、波長457.8nmのArレーザを用いて、線速1.2m/sで露光する。
【0030】
グルーブは、第二フォトレジスト層4を感光させる第一の光である強度3.0mWのArレーザAで露光することにより形成する。ピットは、第一フォトレジスト層2及び第二フォトレジスト層4を感光させる第二の光で強度5.0mWのArレーザBで露光することにより形成する。
【0031】
露光後、現像液(ここでは東京応化製のDE−3)で第二フォトレジスト層4の現像を行い(図1(b)参照)、硝酸で中間層3のエッチングを行い(図1(c)参照)、現像液で第一フォトレジスト層2の現像を行うことによりグルーブ5及びピット6のパターニングを行って、図1(d)に示す光ディスクのフォトレジスト原盤7を得る。
【0032】
このように形成されたグルーブ5は、半値幅が約0.5μm、深さが約1550Åになる。ピット6は、半値幅が約0.55μm、深さが約3050Åになる。この光ディスクのフォトレジスト原盤7に、Niの導電膜(図示せず)を無磁界めっきによって約500Å形成し、さらに、Niを電鋳によって約0.3mm形成して、スタンパ(図示せず)を得る。このスタンパにより、光ディスクであるハイブリッドCD−Rを作製する。
【0033】
ここで、Niの導電膜を無磁界めっきによって形成する場合には、パターニング後のポストベイクを必要としない。
【0034】
本実施の形態では、第一フォトレジスト層2は中間層で弱められたArレーザBにより露光されるが、第一フォトレジスト層2の感度は第二フォトレジスト層4の感度よりも高いので、第一フォトレジスト層2と第二フォトレジスト層4との間で段差になりにくく、良好な形状のピット6を得ることができる。したがって、本実施の形態の光ディスクのフォトレジスト原盤7を用いて形成されたスタンパにより作製される光ディスクから、良好な信号を得ることができる。
【0035】
また、本実施の形態では、第二フォトレジスト層4のプリベイク温度は第一フォトレジスト層2のプリベイク温度よりも低いので、第二フォトレジスト層4のプリベイク時に第一フォトレジスト層2から溶媒が蒸発したガスが発生することがないため、ガスが集中する部分が盛り上がることによる欠陥が発生しない。
【0036】
つぎに、本発明の光ディスクのフォトレジスト原盤及びその製造方法の実施の第二の実施の形態について説明する。なお、第一の実施の形態で説明した部分の同一部分には同一符号を用い、詳細な説明も省略する(以下の実施の形態でも同様とする)。本実施の形態では、まず、図1(a)に示すように、ガラス基盤1上にフォトレジスト(ここでは東京応化製のTSMR−GP8000)をスピンコートして135℃でプリベイクし、厚さ約1500Åの第一フォトレジスト層2を形成する。
【0037】
次に、第一フォトレジスト層2上に、In2O3(95wt%)−SnO2(5wt%)をDCスパッタし、厚さ約60Åの中間層3を形成する。
【0038】
次に、中間層3上に、フォトレジスト(ここでは東京応化製のTSMR−8900)をスピンコートして90℃でプリベイクし、厚さ約1500Åの第二フォトレジスト層4を形成する。
【0039】
ここで、第一フォトレジスト層2のフォトレジストのプリベイク温度が135℃とかなり高いが、第一フォトレジスト層2の感度は第二フォトレジスト層4の感度よりも高い。
【0040】
このような第一フォトレジスト層2と第二フォトレジスト層4とを、波長457.8nmのArレーザを用いて、線速1.2m/sで露光する。
【0041】
グルーブは、第二フォトレジスト層4を感光させる第一の光である強度2.6mWのArレーザAで露光することにより形成する。ピットは、第一フォトレジスト層2及び第二フォトレジスト層4を感光させる第二の光で強度4.5mWのArレーザBで露光することにより形成する。
【0042】
露光後、現像液で第二フォトレジスト層4の現像を行い(図1(b)参照)、硝酸で中間層3のエッチングを行い(図1(c)参照)、現像液で第一フォトレジスト層2の現像を行うことによりグルーブ5及びピット6のパターニングを行う(図1(d)参照)。これを130℃でポストベイクし、光ディスクのフォトレジスト原盤7を得る。
【0043】
このように形成されたグルーブ5は、半値幅が約0.55μm、深さが約1560Åになる。ピット6は、半値幅が約0.6μm、深さが約3060Åになる。この光ディスクのフォトレジスト原盤7に、Niの導電膜(図示せず)をDCスパッタによって約500Å形成し、さらに、Niを電鋳によって約0.3mm形成して、スタンパ(図示せず)を得る。このスタンパにより、光ディスクであるハイブリッドCD−Rを作製する。
【0044】
本実施の形態では、第一の実施の形態と同様に、第一フォトレジスト層2は中間層で弱められたArレーザBにより露光されるが、第一フォトレジスト層2の感度は第二フォトレジスト層4の感度よりも高いので、第一フォトレジスト層2と第二フォトレジスト層4との間で段差になりにくく、良好な形状のピット6を得ることができる。したがって、本実施の形態の光ディスクのフォトレジスト原盤7を用いて形成されたスタンパにより作製される光ディスクから、良好な信号を得ることができる。
【0045】
また、本実施の形態では、第二フォトレジスト層4のプリベイク温度は第一フォトレジスト層2のプリベイク温度よりも低いので、第二フォトレジスト層4のプリベイク時に第一フォトレジスト層2から溶媒が蒸発したガスが発生することがないため、ガスが集中する部分が盛り上がることによる欠陥が発生しない。
【0046】
さらに、本実施の形態では、ポストベイクを行っているが、ポストベイク温度は第一フォトレジスト層2のプリベイク温度よりも低いので、第二フォトレジスト層4から溶媒が蒸発したガスが発生することはあっても、第一フォトレジスト層2から前記ガスが発生することがないため、ガスが集中する部分が盛り上がることによる欠陥が発生しない。
【0047】
なお、本実施の形態においては、In2O3(95wt%)−SnO2(5wt%)で厚さ約60Åの中間層3を形成しているが、実施にあたっては、In2O3で厚さ約40Åの中間層3を形成しても第二の実施の形態と同様の効果が得られる。
【0048】
また、本実施の形態の実施にあたっては、SnO2で厚さ約50Åの中間層3を形成し、この中間層3のエッチングを塩酸で行っても、第二の実施の形態と同様の効果が得られる。
【0049】
つぎに、本発明の光ディスクのフォトレジスト原盤及びその製造方法の第三の実施の形態について説明する。本実施の形態では、まず、図1(a)に示すように、ガラス基盤1上にフォトレジスト(ここでは東京応化製のTSMR−GP8000)をスピンコートして135℃でプリベイクし、厚さ約300Åの第一フォトレジスト層2を形成する。
【0050】
次に、第一フォトレジスト層2上に、In2O3をDCスパッタし、厚さ約100Åの中間層3を形成する。
【0051】
次に、中間層3上に、フォトレジスト(ここではシプレイ製のS9912NX)をスピンコートして90℃でプリベイクし、厚さ約400Åの第二フォトレジスト層4を形成する。
【0052】
ここで、第一フォトレジスト層2の感度は第二フォトレジスト層4の感度よりも高い。
【0053】
このような第一フォトレジスト層2と第二フォトレジスト層4とを、波長457.8nmのArレーザを用いて、線速1.2m/sで露光する。
【0054】
グルーブは、第二フォトレジスト層4を感光させる第一の光である強度3.0mWのArレーザAで露光することにより形成する。ピットは、第一フォトレジスト層2及び第二フォトレジスト層4を感光させる第二の光で強度4.5mWのArレーザBで露光することにより形成する。
【0055】
露光後、現像液で第二フォトレジスト層4の現像を行い(図1(b)参照)、硝酸で中間層3のエッチングを行い(図1(c)参照)、現像液で第一フォトレジスト層2の現像を行うことによりグルーブ5及びピット6のパターニングを行う(図1(d)参照)。これを130℃でポストベイクし、光ディスクのフォトレジスト原盤7を得る。
【0056】
このように形成されたグルーブ5は、半値幅が約0.5μm、深さが約400Åになる。ピット6は、半値幅が約0.6μm、深さが約800Åになる。この光ディスクのフォトレジスト原盤7に、Niの導電膜(図示せず)をDCスパッタによって約500Å形成し、さらに、Niを電鋳によって約0.3mm形成して、スタンパ(図示せず)を得る。このスタンパにより、光ディスクであるハイブリッドCD−RWを作製する。
【0057】
本実施の形態によっても、第二の実施の形態と同様の効果が得られる。
【0058】
ここで、酸化膜からなる中間層にSiO2やAl2O3が用いられていると、ピット6の底部に図2に示すような凹凸が生じる。このことは、中間層3の膜厚、ピット6形成時のレーザBの強度、中間層3のエッチング条件、第一フォトレジスト層2の現像条件を変えても改善されない。本発明では、中間層をIn2O2,SnO2,In2O3−SnO2(ITO)により形成しているので、ピットの底部に凹凸が生じない。
【0060】
【発明の効果】
請求項1記載の発明では、第一フォトレジスト層のプリベイク温度は第二フォトレジスト層のプリベイク温度よりも高いので、第二フォトレジスト層のプリベイク時に第一フォトレジスト層から溶媒が蒸発してガスが発生することがないため、ガスが集中する部分が盛り上がることによる欠陥を防止することができる。
【0061】
請求項2記載の発明では、第一フォトレジスト層及び第二フォトレジスト層のプリベイク温度はポストベイク温度よりも高いので、ポストベイク時に第一フォトレジスト層から溶媒が蒸発してガスが発生することがないため、ガスが集中する部分が盛り上がることによる欠陥を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光ディスクのフォトレジスト原盤及びその製造方法の実施の形態を示す説明図である。
【図2】底面に凹凸ができたピットを示す模式図である。
【符号の説明】
1 ガラス原盤
2 第一フォトレジスト層
3 中間層
4 第二フォトレジスト層
5 グルーブ
6 ピット
7 光ディスクのフォトレジスト原盤
A 第一の光
B 第二の光
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスクのフォトレジスト原盤及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
現在、高密度の記録媒体として光により記録データを読み出す光ディスクが利用されており、光ディスクの各種形態の中には、深さが異なるピットとグルーブとを形成したものがある。そのような光ディスクを得るには、光ディスクのフォトレジスト原盤のパターン形成もピットとグルーブとで変える必要がある。
【0003】
このため、従来は、強度が弱いレーザによってグルーブを形成し、強度が強いレーザによってピットを形成している。ここで、ピットの深さはフォトレジストの膜厚で決定するが、グルーブの深さはレーザの強度に依存し、レーザ強度の変動やフォーカス信号の変動などによってグルーブの深さに変動が生じやすい。また同様に、グルーブの幅の制御も非常に困難である。
【0004】
このような問題を解決するために提案された従来の技術の第一の例としては特開平2−276038号公報記載の発明がある。この第一の例ではフォトレジスト層を二層化し、ガラス原盤上の第一フォトレジスト層のプリベイク温度に比べて、第一フォトレジスト層上の第二フォトレジスト層のプリベイク温度を低くしている。
【0005】
一般に、プリベイク温度が高いほど、フォトレジストの感光感度特性は低くなる。したがって、このような製造方法によれば、第一層目のフォトレジストの感度は、第二層目のフォトレジストの感度に比べて低くなる。よって、第一フォトレジスト層が感光しないレーザ強度の最大値と、第一フォトレジスト層が感光するレーザ強度の最小値との間には差ができる。したがって、グルーブを所定の深さに形成できるレーザの強度にある程度の許容範囲を得ることができる。
【0006】
しかし、この第一の例では、第一フォトレジスト層の上に第二フォトレジスト層を塗布する際に、第一層目のフォトレジストが融けてしまったり、或いは、第一層目のフォトレジストが第二層目のフォトレジストと表面で反応してしまうという不都合が生じ、これにより、第一フォトレジスト層の表面粗さが増大し、グルーブノイズが大きくなるという問題がある。
【0007】
このような問題を解決するために提案された従来の技術の第二の例としては特開平7−161077号公報記載の発明がある。この第二の例では、第一の例における第一フォトレジスト層と第二フォトレジスト層との間に、第一層目のフォトレジストと第二層目のフォトレジストとが混合することを防止する中間層を設けている。中間層には、レーザに対して透過性を有し、フォトレジスト及びその溶剤に溶解せず、且つ、フォトレジストを侵さずにエッチングや水洗等により除去可能な性質のものが選択される。
【0008】
また、この第二の例でも、第一の例と同様に、第一層目のフォトレジストの感度は第二層目のフォトレジストの感度に比べて低く設定されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
従来の技術の第一の例及び第二の例のように、第一フォトレジスト層の感度を第二フォトレジスト層の感度よりも低く設定すると、ピットの形状に第一層目と第二層目との間で段差ができ、光ディスクの読み取りの際に良好な信号が得られない。
【0010】
また、従来の第二の例では、中間層が設けられているのだから第一フォトレジスト層の感度を第二フォトレジスト層の感度よりも低くしなくてもグルーブの深さを制御できる。しかも、第一フォトレジスト層を露光するレーザの強度は中間層によって弱められるので、第一フォトレジスト層の感度を第二フォトレジスト層の感度よりも低くしてしまっては、ピットの第一層目と第二層目との間にできる段差が大きくなってしまう。
【0011】
本発明は、深さが異なるグルーブ及びピットを同じ原盤に形成し、且つ、第一層目と第二層目との間に段差がないピットを得ることを目的とする。
【0012】
また本発明は、第二フォトレジスト層のプリベイク時及びポストベイク時に第一フォトレジスト層から溶媒が蒸発してガスが発生し、ガスが集中する部分が盛り上がることによる欠陥の発生を防ぐことを目的とする。
【0013】
さらに本発明は、中間層の選択の不適によりピットの底部に凹凸が生じることの防止を目的とする。
【0014】
さらに本発明は、グルーブ及びピットの形状・寸法を規定することにより、この光ディスクのフォトレジスト原盤を用いて製造された光ディスクから良好な信号を得ることを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明は、光ディスクのフォトレジスト原盤の製造方法であって、第一フォトレジスト層のプリベイク温度は第二フォトレジスト層のプリベイク温度よりも高い。
【0018】
したがって、第二フォトレジスト層のプリベイク時に第一フォトレジスト層から溶媒が蒸発してガスが発生することがない。
【0019】
請求項2記載の発明は、光ディスクのフォトレジスト原盤の製造方法であって、第一フォトレジスト層及び第二フォトレジスト層のプリベイク温度はポストベイク温度よりも高い。
【0020】
したがって、ポストベイク時に第一フォトレジスト層から溶媒が蒸発してガスが発生することがない。
【0025】
【発明の実施の形態】
本発明の光ディスクのフォトレジスト原盤及びその製造方法の実施の第一の実施の形態について、図面に基づいて説明する。本実施の形態では、まず、図1(a)に示すように、ガラス基盤1上にフォトレジスト(ここでは東京応化製のTSMR−8900)をスピンコートして100℃でプリベイクし、厚さ約1500Åの第一フォトレジスト層2を形成する。
【0026】
次に、第一フォトレジスト層2上に、In2O3(95wt%)−SnO2(5wt%)をDCスパッタし、厚さ約50Åの中間層3を形成する。
【0027】
次に、中間層3上に、フォトレジスト(ここではヘキスト製のAZP−1350)をスピンコートして90℃でプリベイクし、厚さ約1500Åの第二フォトレジスト層4を形成する。
【0028】
ここで、第一フォトレジスト層2の感度は第二フォトレジスト層4の感度よりも高い。第一フォトレジスト層2を形成したフォトレジストはプリベイク温度が高すぎると、第二フォトレジスト層4を形成したフォトレジストよりも感度が低くなるが、本実施の形態ではプリベイク温度を適当な値に設定することによって、第一フォトレジスト層2の感度を第二フォトレジスト層4の感度よりも高くしている。
【0029】
このような第一フォトレジスト層2と第二フォトレジスト層4とを、波長457.8nmのArレーザを用いて、線速1.2m/sで露光する。
【0030】
グルーブは、第二フォトレジスト層4を感光させる第一の光である強度3.0mWのArレーザAで露光することにより形成する。ピットは、第一フォトレジスト層2及び第二フォトレジスト層4を感光させる第二の光で強度5.0mWのArレーザBで露光することにより形成する。
【0031】
露光後、現像液(ここでは東京応化製のDE−3)で第二フォトレジスト層4の現像を行い(図1(b)参照)、硝酸で中間層3のエッチングを行い(図1(c)参照)、現像液で第一フォトレジスト層2の現像を行うことによりグルーブ5及びピット6のパターニングを行って、図1(d)に示す光ディスクのフォトレジスト原盤7を得る。
【0032】
このように形成されたグルーブ5は、半値幅が約0.5μm、深さが約1550Åになる。ピット6は、半値幅が約0.55μm、深さが約3050Åになる。この光ディスクのフォトレジスト原盤7に、Niの導電膜(図示せず)を無磁界めっきによって約500Å形成し、さらに、Niを電鋳によって約0.3mm形成して、スタンパ(図示せず)を得る。このスタンパにより、光ディスクであるハイブリッドCD−Rを作製する。
【0033】
ここで、Niの導電膜を無磁界めっきによって形成する場合には、パターニング後のポストベイクを必要としない。
【0034】
本実施の形態では、第一フォトレジスト層2は中間層で弱められたArレーザBにより露光されるが、第一フォトレジスト層2の感度は第二フォトレジスト層4の感度よりも高いので、第一フォトレジスト層2と第二フォトレジスト層4との間で段差になりにくく、良好な形状のピット6を得ることができる。したがって、本実施の形態の光ディスクのフォトレジスト原盤7を用いて形成されたスタンパにより作製される光ディスクから、良好な信号を得ることができる。
【0035】
また、本実施の形態では、第二フォトレジスト層4のプリベイク温度は第一フォトレジスト層2のプリベイク温度よりも低いので、第二フォトレジスト層4のプリベイク時に第一フォトレジスト層2から溶媒が蒸発したガスが発生することがないため、ガスが集中する部分が盛り上がることによる欠陥が発生しない。
【0036】
つぎに、本発明の光ディスクのフォトレジスト原盤及びその製造方法の実施の第二の実施の形態について説明する。なお、第一の実施の形態で説明した部分の同一部分には同一符号を用い、詳細な説明も省略する(以下の実施の形態でも同様とする)。本実施の形態では、まず、図1(a)に示すように、ガラス基盤1上にフォトレジスト(ここでは東京応化製のTSMR−GP8000)をスピンコートして135℃でプリベイクし、厚さ約1500Åの第一フォトレジスト層2を形成する。
【0037】
次に、第一フォトレジスト層2上に、In2O3(95wt%)−SnO2(5wt%)をDCスパッタし、厚さ約60Åの中間層3を形成する。
【0038】
次に、中間層3上に、フォトレジスト(ここでは東京応化製のTSMR−8900)をスピンコートして90℃でプリベイクし、厚さ約1500Åの第二フォトレジスト層4を形成する。
【0039】
ここで、第一フォトレジスト層2のフォトレジストのプリベイク温度が135℃とかなり高いが、第一フォトレジスト層2の感度は第二フォトレジスト層4の感度よりも高い。
【0040】
このような第一フォトレジスト層2と第二フォトレジスト層4とを、波長457.8nmのArレーザを用いて、線速1.2m/sで露光する。
【0041】
グルーブは、第二フォトレジスト層4を感光させる第一の光である強度2.6mWのArレーザAで露光することにより形成する。ピットは、第一フォトレジスト層2及び第二フォトレジスト層4を感光させる第二の光で強度4.5mWのArレーザBで露光することにより形成する。
【0042】
露光後、現像液で第二フォトレジスト層4の現像を行い(図1(b)参照)、硝酸で中間層3のエッチングを行い(図1(c)参照)、現像液で第一フォトレジスト層2の現像を行うことによりグルーブ5及びピット6のパターニングを行う(図1(d)参照)。これを130℃でポストベイクし、光ディスクのフォトレジスト原盤7を得る。
【0043】
このように形成されたグルーブ5は、半値幅が約0.55μm、深さが約1560Åになる。ピット6は、半値幅が約0.6μm、深さが約3060Åになる。この光ディスクのフォトレジスト原盤7に、Niの導電膜(図示せず)をDCスパッタによって約500Å形成し、さらに、Niを電鋳によって約0.3mm形成して、スタンパ(図示せず)を得る。このスタンパにより、光ディスクであるハイブリッドCD−Rを作製する。
【0044】
本実施の形態では、第一の実施の形態と同様に、第一フォトレジスト層2は中間層で弱められたArレーザBにより露光されるが、第一フォトレジスト層2の感度は第二フォトレジスト層4の感度よりも高いので、第一フォトレジスト層2と第二フォトレジスト層4との間で段差になりにくく、良好な形状のピット6を得ることができる。したがって、本実施の形態の光ディスクのフォトレジスト原盤7を用いて形成されたスタンパにより作製される光ディスクから、良好な信号を得ることができる。
【0045】
また、本実施の形態では、第二フォトレジスト層4のプリベイク温度は第一フォトレジスト層2のプリベイク温度よりも低いので、第二フォトレジスト層4のプリベイク時に第一フォトレジスト層2から溶媒が蒸発したガスが発生することがないため、ガスが集中する部分が盛り上がることによる欠陥が発生しない。
【0046】
さらに、本実施の形態では、ポストベイクを行っているが、ポストベイク温度は第一フォトレジスト層2のプリベイク温度よりも低いので、第二フォトレジスト層4から溶媒が蒸発したガスが発生することはあっても、第一フォトレジスト層2から前記ガスが発生することがないため、ガスが集中する部分が盛り上がることによる欠陥が発生しない。
【0047】
なお、本実施の形態においては、In2O3(95wt%)−SnO2(5wt%)で厚さ約60Åの中間層3を形成しているが、実施にあたっては、In2O3で厚さ約40Åの中間層3を形成しても第二の実施の形態と同様の効果が得られる。
【0048】
また、本実施の形態の実施にあたっては、SnO2で厚さ約50Åの中間層3を形成し、この中間層3のエッチングを塩酸で行っても、第二の実施の形態と同様の効果が得られる。
【0049】
つぎに、本発明の光ディスクのフォトレジスト原盤及びその製造方法の第三の実施の形態について説明する。本実施の形態では、まず、図1(a)に示すように、ガラス基盤1上にフォトレジスト(ここでは東京応化製のTSMR−GP8000)をスピンコートして135℃でプリベイクし、厚さ約300Åの第一フォトレジスト層2を形成する。
【0050】
次に、第一フォトレジスト層2上に、In2O3をDCスパッタし、厚さ約100Åの中間層3を形成する。
【0051】
次に、中間層3上に、フォトレジスト(ここではシプレイ製のS9912NX)をスピンコートして90℃でプリベイクし、厚さ約400Åの第二フォトレジスト層4を形成する。
【0052】
ここで、第一フォトレジスト層2の感度は第二フォトレジスト層4の感度よりも高い。
【0053】
このような第一フォトレジスト層2と第二フォトレジスト層4とを、波長457.8nmのArレーザを用いて、線速1.2m/sで露光する。
【0054】
グルーブは、第二フォトレジスト層4を感光させる第一の光である強度3.0mWのArレーザAで露光することにより形成する。ピットは、第一フォトレジスト層2及び第二フォトレジスト層4を感光させる第二の光で強度4.5mWのArレーザBで露光することにより形成する。
【0055】
露光後、現像液で第二フォトレジスト層4の現像を行い(図1(b)参照)、硝酸で中間層3のエッチングを行い(図1(c)参照)、現像液で第一フォトレジスト層2の現像を行うことによりグルーブ5及びピット6のパターニングを行う(図1(d)参照)。これを130℃でポストベイクし、光ディスクのフォトレジスト原盤7を得る。
【0056】
このように形成されたグルーブ5は、半値幅が約0.5μm、深さが約400Åになる。ピット6は、半値幅が約0.6μm、深さが約800Åになる。この光ディスクのフォトレジスト原盤7に、Niの導電膜(図示せず)をDCスパッタによって約500Å形成し、さらに、Niを電鋳によって約0.3mm形成して、スタンパ(図示せず)を得る。このスタンパにより、光ディスクであるハイブリッドCD−RWを作製する。
【0057】
本実施の形態によっても、第二の実施の形態と同様の効果が得られる。
【0058】
ここで、酸化膜からなる中間層にSiO2やAl2O3が用いられていると、ピット6の底部に図2に示すような凹凸が生じる。このことは、中間層3の膜厚、ピット6形成時のレーザBの強度、中間層3のエッチング条件、第一フォトレジスト層2の現像条件を変えても改善されない。本発明では、中間層をIn2O2,SnO2,In2O3−SnO2(ITO)により形成しているので、ピットの底部に凹凸が生じない。
【0060】
【発明の効果】
請求項1記載の発明では、第一フォトレジスト層のプリベイク温度は第二フォトレジスト層のプリベイク温度よりも高いので、第二フォトレジスト層のプリベイク時に第一フォトレジスト層から溶媒が蒸発してガスが発生することがないため、ガスが集中する部分が盛り上がることによる欠陥を防止することができる。
【0061】
請求項2記載の発明では、第一フォトレジスト層及び第二フォトレジスト層のプリベイク温度はポストベイク温度よりも高いので、ポストベイク時に第一フォトレジスト層から溶媒が蒸発してガスが発生することがないため、ガスが集中する部分が盛り上がることによる欠陥を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光ディスクのフォトレジスト原盤及びその製造方法の実施の形態を示す説明図である。
【図2】底面に凹凸ができたピットを示す模式図である。
【符号の説明】
1 ガラス原盤
2 第一フォトレジスト層
3 中間層
4 第二フォトレジスト層
5 グルーブ
6 ピット
7 光ディスクのフォトレジスト原盤
A 第一の光
B 第二の光
Claims (2)
- ガラス基板上に第一フォトレジスト層と酸化膜からなる中間層と前記第一フォトレジスト層よりも感光感度特性の低い第二フォトレジスト層とを順次形成し、前記第二フォトレジスト層の形成後前記第二フォトレジスト層を感光させる第一の光と前記第二フォトレジスト層及び前記第一フォトレジスト層を感光させる第二の光とにより露光してグルーブ及びピットを形成し、前記第一の光及び前記第二の光とによる露光後前記第二フォトレジスト層を現像し、第二フォトレジスト層の現像後前記中間層を除去し、前記中間層の除去後前記第一フォトレジスト層を現像し、第一フォトレジスト層のプリベイク温度は第二フォトレジスト層のプリベイク温度よりも高い光ディスクのフォトレジスト原盤の製造方法。
- ガラス基板上に第一フォトレジスト層と酸化膜からなる中間層と前記第一フォトレジスト層よりも感光感度特性の低い第二フォトレジスト層とを順次形成し、前記第二フォトレジスト層の形成後前記第二フォトレジスト層を感光させる第一の光と前記第二フォトレジスト層及び前記第一フォトレジスト層を感光させる第二の光とにより露光してグルーブ及びピットを形成し、前記第一の光及び前記第二の光とによる露光後前記第二フォトレジスト層を現像し、第二フォトレジスト層の現像後前記中間層を除去し、前記中間層の除去後前記第一フォトレジスト層を現像し、第一フォトレジスト層及び第二フォトレジスト層のプリベイク温度はポストベイク温度よりも高い光ディスクのフォトレジスト原盤の製造方法。
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