JP2001243664A - 記録媒体の製造方法、記録媒体製造用原盤の製造方法、記録媒体の製造装置、および記録媒体製造用原盤の製造装置 - Google Patents

記録媒体の製造方法、記録媒体製造用原盤の製造方法、記録媒体の製造装置、および記録媒体製造用原盤の製造装置

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JP2001243664A
JP2001243664A JP2000051958A JP2000051958A JP2001243664A JP 2001243664 A JP2001243664 A JP 2001243664A JP 2000051958 A JP2000051958 A JP 2000051958A JP 2000051958 A JP2000051958 A JP 2000051958A JP 2001243664 A JP2001243664 A JP 2001243664A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザ光照射過程をとって記録パターンの形
成を行う記録媒体および記録媒体製造用原盤の製造にお
いて、そのレーザ照射位置を正確に調整することができ
るようする。 【解決手段】 レーザ光を主レーザ光13Mと副レーザ
光13Sとに分岐し、主レーザ光13Mによって記録パ
ターンに対応するパターン照射を行い、副レーザ光13
Sによって、主レーザ光13Mによるパターン照射処理
がなされた領域から、その位置情報を得て、主レーザ光
13Mの位置調整を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録媒体の製造方
法、記録媒体製造用原盤の製造方法、記録媒体の製造装
置、および記録媒体製造用原盤の製造装置に係わる。本
発明でいう原盤とは、この原盤自体を、例えば射出成形
によってあるいは2P法(Photopolymerization 法) 等
によって微細凹凸を有する記録媒体を成形するスタンパ
ー、このスタンパーを複数転写複製するためのいわゆる
マスター、このマスターを複数転写複製するためのいわ
ゆるマザーマスターを含めて指称するものである。
【0002】
【従来の技術】昨今、より高記録密度化の要求が高まっ
ている。そして、近年、記録媒体に対する光再生を行う
光学ピックアップにおいて、記録媒体と光学レンズとの
距離を200nm以下とするいわゆるニアフィールド構
成の提案がなされ、光学レンズ系の高N.A.(高開口
数)化、短波長再生レーザ光すなわちいわゆる青紫レー
ザ光の使用によってビームスポット径の縮小化を可能に
して、トラックピッチの縮小化、記録マークの幅および
長さの縮小化を図ることができるようにして、より高記
録密度化の向上を目指している。
【0003】ところで、再生光のスポット径は、通常記
録マークの読み出しを確実に行うことができるように、
記録マーク幅の2倍程度に選定される。言い換えれば、
記録媒体に形成する記録マーク幅は、再生光として形成
可能な最小スポット径の1/2以下に形成することが望
まれる。
【0004】現在、記録媒体の製造過程、例えばその成
形の原盤の製造過程では、通常、図9にその概略断面図
を示すように、原盤を構成する基板101、例えばガラ
ス基板上に感光性材料層102がスピンコート法により
形成され、この感光性材料層102に対して、レーザ光
103を、集光レンズ104によって集光させ、例えば
記録したいデータに応じて照射し、その後この感光性材
料層102を現像することによって、例えばレーザ光照
射によって感光反応された領域を除去して感光性材料層
102のパターン化を行い、この感光性材料層をマスク
として基板101に対するエッチングを行って、記録デ
ータに応じた微細凹凸の形成がなされる。
【0005】感光性材料の特性は、図10にγ(ガン
マ)曲線の例を示すように、或る露光量の値以上の露光
量において、急激にすなわちほぼステップ的に感光反応
する特性を有しているので、この感光性材料に対して図
11Aの曲線201で示すレーザ光パワー分布によるレ
ーザ光によって露光を行った場合に比し、このパワーよ
り大きなパワーを有する図11Bの曲線202のレーザ
光パワー分布を有するレーザ光によって露光する場合、
感光性材料層102における実質的な感光反応領域20
2aは、曲線201のレーザ光パワー分布の場合の感光
反応領域201aに比し、或る程度広がるものの、この
広がりは、露光パワーに応じた広がりとはならない。
【0006】したがって、上述した例えば記録媒体製造
用原盤の製造工程において、そのレーザ光を、例えば上
述した基板101の回転によって感光性材料層102上
に、例えば渦巻き状に走査させながら、例えば図12A
の曲線203に示す発光パターンによる露光を行う場
合、図12Bに示すように、基板101上の感光性材料
層102にレーザ光照射パターンに応じた露光部102
Aが形成され、現像によって例えばこの露光部を除去
し、この感光性材料層102をエッチングマスクとして
基板101に対してエッチングして形成した微細凹凸
は、図12Cに例えばその記録マークとしての凹部10
3の平面図を示すように、安定したパターンとして形成
される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法においては、感光性材料層に対する、照射レーザ光の
スポットの位置制御に問題がある。すなわち、この感光
性材料層は、照射レーザ光に対して透明であり、また、
例えば先に露光したトラックをレーザ光の戻り光によっ
て検出することも、露光部と非露光部とのレーザ光に対
する反射率の変化がないことから殆ど不可能である。
【0008】そこで、通常、このレーザ光のスポット位
置の制御は、なされない状態で露光処理がなされること
から、レーザ光のスポット位置は、正確に設定できるよ
うに、レーザ光のスポットを感光性材料層上に走査する
ためのスライドステージとしては、レーザスケールを搭
載した高精度のスライドステージが用いられる。しかし
ながら、このような高精度のスライドステージ高価であ
り、また、この精度によってパターン露光精度が制約さ
れる。
【0009】また、上述の感光性材料層に対するパター
ン露光によって形成した微細凹凸パターンは、殆ど露光
に用いるレーザ光のスポット径によって決まることにな
り、光学限界を越えた微細凹凸パターンを形成すること
ができない。したがって、例えば再生レーザ光のスポッ
ト径を可能な限り小さくしても、その記録マーク幅を、
この再生レーザ光のスポット径の1/2以下に小さくし
て形成することができない。
【0010】また、感光材層に対するパターン露光装置
として、電子線描画装置などが開発され、微細パターン
の形成、すなわち高密度化の手助けをしているが、この
電子線描画装置は、高真空中で描画作業を行う必要があ
ることから、この装置は、大型となり、また、高価格で
あるという問題がある。
【0011】本発明は、記録媒体および記録媒体製造用
原盤の製造方法において、記録パターンの形成を、レー
ザ光の位置を正確に調整して形成することができるよう
にして、上述した諸問題の解決を図る。
【0012】また、本発明は、記録マーク幅を、レーザ
光のスポット以下にすることができるようにして記録密
度の向上を図る。
【0013】また、本発明は、記録媒体および記録媒体
製造用原盤の製造装置において、その構造の簡易化、小
型化、取扱の簡便化、メンテナンスの簡易化を図る。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明による記録媒体の
製造方法は、記録媒体の記録パターンの形成工程でレー
ザ光照射処理がなされる記録媒体の製造方法にあって、
レーザ光を主レーザ光と副レーザ光とに分岐し、主レー
ザ光によって記録パターンに対応するパターン照射を行
い、副レーザ光によって、主レーザ光によるパターン照
射処理がなされた領域から、その位置情報を得て、主レ
ーザ光の位置調整を行うものである。
【0015】また、本発明による記録媒体製造用原盤の
製造方法は、記録媒体製造用原盤の記録パターンの形成
工程でレーザ光照射処理がなされる記録媒体製造用原盤
の製造方法にあって、レーザ光を主レーザ光と副レーザ
光とに分岐し、主レーザ光によって記録パターンに対応
するパターン照射を行い、副レーザ光によって、主レー
ザ光によるパターン照射処理がなされた領域から、その
位置情報を得て、主レーザ光の位置調整を行う。
【0016】また、本発明による記録媒体の製造装置
は、記録媒体の記録パターンの形成工程でレーザ光照射
がなされる記録媒体の製造装置にあって、少なくとも一
主面に、レーザ光の照射処理がなされる処理面を有する
記録媒体を構成する基板を保持する保持手段と、レーザ
光源部と、レーザ光源部からのレーザ光を、記録パター
ンに応じて変調すると共に、この記録パターンの周期よ
りも高周波の周波数に変調する変調手段と、レーザ光を
分岐する分岐手段と、レーザ光を処理面に集光させる集
光レンズ系を有する光学系と、処理面に対し、レーザ光
の照射位置を移動させる移動手段と、分岐手段によって
分岐された副レーザ光によって、主レーザ光によるパタ
ーン照射による処理がなされた領域から位置情報を得
て、主レーザ光の位置調整を行う調整手段とを具備する
構成とする。
【0017】更に、本発明による記録媒体製造用原盤の
製造装置は、記録媒体製造用原盤の記録パターンの形成
工程でレーザ光照射がなされる記録媒体製造用原盤の製
造装置にあって、少なくとも一主面に、レーザ光の照射
処理がなされる処理面を有する記録媒体製造用原盤を構
成する基板を保持する保持手段と、レーザ光源部と、レ
ーザ光源部からのレーザ光を、記録パターンに応じて変
調すると共に、記録パターンの周期よりも高周波の周波
数に変調する変調手段と、レーザ光を分岐する分岐手段
と、レーザ光を処理面に集光させる集光レンズ系を有す
る光学系と、処理面に対し、レーザ光の照射位置を移動
させる移動手段と、分岐手段によって分岐された副レー
ザ光によって、主レーザ光によるパターン照射による処
理がなされた領域から、位置情報を得て、主レーザ光の
位置調整を行う調整手段とを具備する構成とする。
【0018】上述したように、本発明による記録媒体お
よび媒体製造用原盤の製造方法においては、レーザ光を
主レーザ光と副レーザ光とに分岐し、主レーザ光によっ
て記録パターンに対応するパターン照射を行い、副レー
ザ光によって、主レーザ光によるパターン照射処理がな
された領域から、その位置情報を得る。つまり、レーザ
光のパターン照射処理がなされる面が、主レーザ光のパ
ワーの照射処理で光学的特性が変化するようになされる
ものであり、このようにして、この主レーザ光によるの
位置を、先に照射処理がなされた領域を基準にしてその
位置の調整を可能にする。
【0019】また、本発明による記録媒体および媒体製
造用原盤の製造装置においては、高真空室内での処理の
作業を必要としないことから、簡潔、小型の装置を構成
する。
【0020】
【発明の実施の形態】本発明は、例えば前述したニアフ
ィールド構成、短波長の青紫レーザ光が用いられる記録
媒体に適用し得る。
【0021】本発明による記録媒体製造方法は、前述し
たように、記録媒体の記録パターンの形成工程でレーザ
光照射処理がなされる場合に、そのレーザ光を主レーザ
光と副レーザ光とに分岐し、主レーザ光によって記録パ
ターンに対応するパターン照射を行い、この主レーザ光
によるパターン照射処理がなされ、光学的特性が変化し
た領域から、例えばそのトラック位置を、副レーザ光に
よって検出し、レーザ光、すなわち主レーザ光の位置調
整例えばトラッキング調整を行う。
【0022】本発明による記録媒体の製造方法は、例え
ば図1にその一例の概略平面図を示すように、例えば記
録マーク1を構成する凹部あるいは凸部が配列された微
細凹凸2が形成された記録媒体を製造する場合に適用し
得る。
【0023】先ず記録媒体を構成する例えば透明基板
の、例えばガラス基板上に酸化シリコン(SiO2 )層
が形成された基板(以下SiO2 基板という)、また或
る場合は透明樹脂基板等が用意され、この上に、レーザ
光照射処理がなされる材料層、例えば感熱材料層を被着
形成する。この感熱性材料層は、記録パターンに応じた
所要パワーのレーザ光の照射による温度上昇によって変
質部が形成され、この変質によって光学的特性が変化し
て、照射レーザ光の戻り光を発生し得る構成とする。本
発明における主レーザ光は、感熱材料層を変質し得る温
度上昇を来すことのできるパワーに選定され、副レーザ
光は、感熱材料層を変質するに至らないパワーに選定さ
れる。
【0024】そして、この感熱材料層に、レーザ光を、
目的とする微細凹凸2のパターンに応じたパターン、す
なわち例えば図1の記録マーク1の配列パターン、ある
いはこのパターンの反転パターンをもって照射する。
【0025】このレーザ光は、主レーザ光と、副レーザ
光とに分岐される。この分岐は、グレーティング(回折
格子)によって行うことができる。すなわち、このグレ
ーティングによる0次光を、主レーザ光とし、1次光を
副レーザ光とする。グレーティングによるレーザ光の分
岐は、良好になされるものである。そして、0次光によ
る主レーザ光は、1次光による副レーザ光に比し、その
パワーが大きいことから、上述したような、主レーザ光
は、感熱材料層を変質し得るパワーに選定し、副レーザ
光は、感熱材料層を変質するに至らないパワーに選定す
ることができる。
【0026】そして、この場合の、主レーザ光のスポッ
ト位置の設定、すなわち主レーザ光の位置調整例えばト
ラッキング調整は、まず、主レーザ光によって、例えば
1周分の円もしくは渦巻き状の軌跡等にパターン照射を
行い、爾後は、このパターン照射がなされた領域、すな
わち変質部からの、副レーザ光の戻り光を検出すること
によって、この副レーザ光と所定の位置関係にある主レ
ーザ光の位置の検出を行うことができる。そして、この
検出およびレーザ光の位置調整は、通常の光記録媒体例
えば光ディスク等における光記録および/または光再生
がなされるいわゆる光ピックアップで用いられている周
知のトラッキングサーボ方法を適用することができる。
【0027】そして、レーザ光スポットと、温度上昇領
域についてみると、照射レーザ光のスポットにおけるパ
ワー分布が、例えば図2中曲線3であり、感熱材料層に
おける実質的レーザスポットSPであるとすると、感熱
材料層における変質部、すなわち温度上昇部4は、レー
ザスポットSPより狭小領域となる。すなわち、この変
質部は、レーザスポットより小さくすることができ、更
に、例えばレーザパワーの選定によってその温度上昇領
域4、すなわち変質部の幅を、より小に選定できる。因
みに、温度昇温領域4は、スポット移動方向に関して後
方側で広がるパターンを示すのは、後方側におけるレー
ザ光の照射時間が長いことによって先端より高温となっ
て熱が広がることに因る。
【0028】そして、この感熱材料層に対する照射レー
ザ光は、目的とする微細凹凸パターンに応じて強度変調
がなされる。例えば記録媒体に記録すべき記録データパ
ターンが、例えば図3Aで示すパターンである場合、こ
のデータパターンによる記録データ信号による変調と同
時に、図3Bあるいは図3Cに示すように、この記録デ
ータ信号の周波数より高い例えば数100MHzの一定
の高周波信号をもって変調する。すなわち、感熱材料層
において、これに変質を生じることのできる温度上昇を
得るレベル以上のパワーのレーザ光照射を変質部を形成
する部分に対して選択的に行うと同時に、この部分のレ
ーザ照射を、図3Bに示すように、高い周波数によるオ
ン・オフの繰り返しによってパルスレーザ光によって照
射する変調を行うか、あるいは図3Cに示すように、変
質部の形成部におけるレーザ光の選択的照射において、
パワーを或るレベル以上の繰り返しレーザ光のパワー変
調を行う。
【0029】その後、この感熱材料層を現像して、その
変質部あるいは変質されていない非変質部を除去し、感
熱材料層をパターン化する。このようにすると、感熱材
料層のパターン化によって、この感熱材料層による微細
凹凸の形成がなされることから、この状態をもって微細
凹凸を有する記録媒体とすることもできるが、この場合
は、微細凹凸の深さ(高低差)が、感熱材料層の厚さに
よって規定されるなどの制約を受けることから、この感
熱材料層をエッチングマスクとして、基板表面を例えば
異方性エッチングによるRIE(反応性イオンエッチン
グ)によって所要の深さにエッチングして、必要な深さ
を有する微細凹凸を形成することができる。
【0030】上述したように、感熱材料層を用いこれに
対し、レーザ光照射による温度上昇領域4を形成して変
質部の形成を行うことにより、レーザ光のスポットより
小さい、感熱材料層に変質部を形成することができるこ
とから、例えば図1における記録マークの幅W、トラッ
クピッチPは、レーザ光スポットより狭小に形成でき
る。すなわち、より微細で、高密度の微細凹凸を形成す
ることができる。
【0031】そして、この場合、図3Bおよび図3Cで
説明した高周波変調を行ってレーザ照射を断続的あるい
は強弱の繰り返しによって行うようにするときは、得ら
れた記録マークパターンは、図3Dに斜線を付した領域
aで示すように、例えばその長短に依存することなく一
様な幅に確実に形成することができる。すなわち、レー
ザ照射を、このような高周波変調をすることなく、デー
タパターンによる変調のみによる照射を行う場合、長い
変質部では、長時間連続的にレーザ照射がなされること
によって、レーザ光照射の後端側に向かうほど加熱領域
が広がり、これによって図3D中鎖線bに示すように、
変質部の幅がレーザ照射部の後端に向かって広がる。す
なわち、記録マークの長短によって幅に変動を来す。と
ころが、上述したように、高周波変調を行ってレーザ照
射を断続的あるいは強弱の繰り返しによって行うように
するときは、マーク長が長い場合においても、温度上昇
を抑制でき、マーク長の長短の依存性が改善された変質
部の形成、ひいてはマークパターンの形成を行うことが
できる。
【0032】そして、本発明においては、レーザ光の分
岐を行って、レーザパワーが小さく、感熱材料層に変質
をもたらすことのない副レーザ光によって、主レーザ光
の位置の検出、したがって、トラッキングサーボを行う
ので、正確に相対的に所定の位置に、変質部の形成、ひ
いては記録媒体における微細凹凸の形成を正確に行うこ
とができる。
【0033】また、本発明による記録媒体製造用原盤の
製造方法は、上述した記録媒体の製造方法に準じた工程
による。例えば図1にその一例の概略平面図を示すよう
に、例えば記録マーク1を構成する凹部あるいは凸部が
配列された微細凹凸2が形成された記録媒体を、例えば
射出成型、2P法等によって得るための原盤を製造する
場合に適用し得る。
【0034】この原盤の製造方法は、原盤を構成する基
板、例えば石英基板、SiO2 基板等が用意され、この
上に上述した材料層として、例えば感熱材料層を形成す
る。そして、この感熱材料層に、前述したと同様に、レ
ーザ光を、例えばグレーティングによって分岐して、感
熱材料層に対し変質部を形成する主レーザ光と、変質部
を形成しえない副レーザ光を形成する。そして、この感
熱材料層を現像することによってその変質部あるいは変
質されていない非変質部を除去し、感熱材料層をパター
ン化する。この場合においても、感熱材料層のパターン
化によって、この感熱材料層による微細凹凸の形成がな
されることから、この状態をもって微細凹凸を有する記
録媒体製造用原盤とすることもできるが、この場合は、
微細凹凸の深さ(高低差)が、感熱材料層の厚さによっ
て規定されるなどの制約を受けることから、この感熱材
料層をエッチングマスクとして、基板表面を例えば異方
性エッチングによるRIEによって所要の深さにエッチ
ングして、必要な深さを有する微細凹凸を形成して、記
録媒体製造用原盤を形成することができる。これら原盤
は、冒頭に述べたように、スタンパー、あるいはこのス
タンパーを複製形成するためのいわゆるマスター、また
はこのマスターを複製形成するためのいわゆるマザーマ
スター等を指称するものである。
【0035】また、この場合においても、図3で説明し
たと同様の、変調がなされたレーザ光による照射がなさ
れる。その後、この感熱材料層を現像して、その変質部
あるいは変質されていない部分を除去し、感熱材料層を
パターン化する。この場合においても、図2で説明した
ように、レーザスポットより狭小な変質部を形成するこ
とができる。
【0036】この本発明による原盤の製造方法において
も、記録媒体の製造方法におけると同様に、感熱材料層
を用いこれに対し、レーザ光照射によって変質部の形成
を行うことにより、より微細で、高密度の微細凹凸を形
成することができる。
【0037】また、高周波変調を行ってレーザ照射を断
続的あるいは強弱の繰り返しによって行うようにするこ
とによって、マーク長の長短の依存性が改善された微細
凹凸の形成ができる。
【0038】そして、この原盤の製造方法においても、
前述したと同様の方法により、副レーザ光による位置検
出を行ってトラッキングサーボを行う。
【0039】上述の本発明による記録媒体の製造方法、
および記録媒体製造用原盤の製造方法において用い得る
感熱材料層は、互いに異なる構成材料による少なくとも
2層以上、すなわち少なくとも第1および第2の材料層
による積層構造とすることができる。そして、上述した
レーザ光照射による温度上昇により、これら構成材料層
間に相互拡散あるいは溶解を生じさせてこれら2つ以上
の材料の混合あるいは反応による変質部を形成する。ま
た、この感熱材料層の構成材料は、無機材料であること
が望ましい。
【0040】感熱材料層の具体的構成は、例えばAl層
とCu層との積層構造、Al層とGe層との積層構造、
Si層とAl層との積層構造、Ge層とAu層との積層
構造、また、これら2層構造に限られるものではなく、
3層以上の積層構造とすることができる。また、熱酸化
現象が生じるじるような金属例えばTi,Taなど1層
膜構造による感熱材料層を構成し、レーザ光の照射によ
り空気中の酸素を反応させて変質させる構成とすること
もできる。
【0041】感熱材料層に対する照射レーザ光は、半導
体レーザ特に短波長の青紫レーザ光(例えば波長410
nm〜390nm)の例えばGaN系レーザによるレー
ザ光を用いることが望ましい。このような短波長レーザ
によって、レーザ光のスポット径の微小化を図る。
【0042】感熱材料層のパターン化の現像処理は、例
えば1〜3%のテトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイド水溶液によって行う。
【0043】次に、本発明による記録媒体の製造方法の
実施例を図4および図5の工程図(その1)および(そ
の2)を参照して説明するが、本発明による記録媒体製
造用原盤の製造方法は、この例に限定されるものではな
い。
【0044】図4Aに示すように、記録媒体の構成基
板、例えばガラス基板上にSiO2 層(図示せず)が形
成された例えば円板状の基板11を用意し、そのSiO
2 面上に、感熱材料層12を形成する。この感熱材料層
12は、レーザ光の温度上昇により変質、すなわち特性
が変化する膜構成とする。この例においては、感熱材料
層12が、第1および第2の材料層12aおよび12b
の積層構造による構成とした場合である。これら第1お
よび第2の材料層12aおよび12bは、レーザ光照射
による温度上昇により、相互拡散あるいは溶解により例
えば合金化することによって変質部を形成する材料構成
とする。そして、同時にこの変質部は、これと、変質さ
れていない部分との間に、後述の現像処理工程で用いら
れる現像液(溶解液)に対し、溶解レートに差が生じる
ような材料を選択する。このような第1および第2の材
料層12aおよび12bの構成材料層の組み合わせは、
AlとCu,AlとGe等がある。
【0045】この感熱材料層12に対して、図4Bに示
すように、レーザ光13を照射する。このレーザ光13
は、例えばグレーティングによる0次光による主レーザ
光と、1次光による副レーザ光とに分岐されている(図
4Bにおいては主レーザ光13Mのみを示す)。そし
て、レーザ光を、例えば基板11の回転と、レーザスポ
ットの、基板11の半径方向への移動によって、感熱材
料層12におけるレーザスポットを、同図中矢印で示す
ように、相対的に所定方向、例えば円板状基板11上
に、円もしくは渦巻状に沿って移動させる。
【0046】このとき、この相対的移動と共に、例えば
図3で説明したように、目的のデータパターンに対応す
るパターンによってレーザ光照射を行い、同時に、この
データパターンの周波数より高周波数の、例えば図3B
または図3Cで示す高周波変調によるパワーを変化させ
るレーザ光照射によって感熱材料層12に、所要のパタ
ーンの昇温部を形成し、この昇温部において、感熱材料
層12の第1および第2の材料層12aおよび12b
を、相互に例えば合金化し、目的とする微細凹凸のパタ
ーンに応じた変質部12sを形成する。このようにし
て、図5Aに示すように、感熱材料層12に、例えば合
金化による変質部12sと、他部の合金化がなされない
非変質部12nとを形成する。
【0047】このレーザ光の照射に際して、本発明方法
においては、後に詳述するように、その例えば1周分も
しくは1本分のトラックに関するパターン露光を行って
後、このトラック上の変質部に、副レーザ光を照射し
て、その戻り光を検出し、トラックからのずれを検出し
て、この副レーザ光と相対的に所定の位置関係にある主
レーザ光の位置を検出し、この主レーザ光が常時所定の
位置すなわちトラック線上を移動するようにトラッキン
グサーボを行う。
【0048】その後、感熱材料層12に対し、現像処理
を行って、図5Bに示すように、この例では変質部12
sを除去、すなわち選択エッチングする。この現像液、
すなわち変質部のエッチング液としては、例えば1〜3
%程度のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
水溶液を用い、これに浸すことにより例えば合金化され
た変質部12を選択的にエッチング除去することがで
き、感熱材料層12を、パターン化することができる。
【0049】そして、この例においては、図5Cに示す
ように、この微細パターン化された感熱材料層12をエ
ッチングマスクとして、基板1、例えばその表面のSi
2層をエッチングして、微細凹凸15を形成する。こ
のエッチングは、異方性エッチングによるRIEによっ
て、凹凸断面が垂直性に富んだ微細凹凸15を形成する
ことができる。
【0050】この微細凹凸15の高低差(深さ)は、例
えば基板の表面層のSiO2 層を選定することによっ
て、自由に選定できる。また、或る場合は、例えばSi
2 表面層下の下地基板をエッチングストッパとするこ
とによって、微細凹凸15の深さをSiO2 表面層の厚
さによって規定するようにすることもできる。
【0051】その後、感熱材料層12を、その第2およ
び第2の各材料層12bおよび12aの各溶液に順次浸
漬させて、これらを除去する。このようにして、図5D
に示すように、基板11の表面に微細凹凸15が形成さ
れる。その後、感熱材料層12を、溶解除去し、この微
細凹凸15が形成された基板11に、図示しないが、例
えば反射膜、保護膜、また或る場合は各種記録層例えば
磁性層、相変化材料層等の記録層を形成して、目的とす
る記録媒体16、例えば光ディスク、光磁気ディスク、
光相変化ディスク等を得ることができる。
【0052】上述した方法におけるように、感熱材料層
12のレーザ光照射後の、現像処理、すなわち選択エッ
チングにおいてテトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイド水溶液を使用する場合は、従来通常の感光性材料
層を用いた方法において、その感光性材料層としてノボ
ラック樹脂を用いる原盤作製方法において使用していた
作業と同様の作業によることになるので、従来の工程に
用いていた装置・工程をそのまま使用することができる
という利点を有する。
【0053】尚、上述した例では、感熱材料層12とし
て、レーザ光照射による変質部を、現像処理、すなわち
選択エッチングによって除去した場合であるが、変質部
以外を除去する方法によることもできる。また、感熱材
料層12は、例えばGeとAlの組み合わせのほか、S
iとAlの組み合わせ、GeとAuの組み合わせ等によ
って構成し、非変質部の第1および第2の材料の除去
を、燐酸、水、グリセリンとの混合液と、酒石酸溶剤と
過酸化水素酸との混合液を用いることによって除去でき
る。
【0054】また、感熱材料層12は、多層構造とする
場合に限られるものではなく、例えば熱酸化現象によっ
て変質部12sを形成できる金属、例えばチタン、タン
タル等の単層構造とすることもできる。この場合、レー
ザ光の照射により空気中の酸素と反応させて変質させ
る。
【0055】上述したように、本発明においては、多
層、もしくは単層感熱材料層を、無機材質によって構成
することができるので、これら多層、もしくは単層感熱
材料層を、スパッタリング法、あるいは真空蒸着法など
によって成膜できることから、例えば従来通常における
ような感光性材料層を用いる場合におけるスピンコート
法による成膜方法に比較して、薄い膜厚を各部均一に形
成することができる。したがって、例えば微細記録マー
ク等の微細凹凸を確実に形成することができる。
【0056】また、前述したように、パターン化された
感熱材料層12をマスクとして、例えばRIEによっ
て、基板11に対するエッチングを行って微細凹凸15
の形成を行うことによって、感熱材料層12自体によっ
て微細凹凸を形成する場合におけるような、感熱材料層
12の厚さ、断面形状によって、微細凹凸の深さ、形状
に依存する不都合を回避できる。
【0057】次に、本発明による原盤の製造方法の実施
例を説明するが、この原盤の製造方法は、図4および図
5で説明したと記録媒体の形成方法に準じた方法によっ
て行うことができものであり、この原盤の製造において
は、基板11が、原盤を構成する基板によって構成す
る。しかしながら、この場合においても、例えば上述し
たSiO2 基板を用いることができる。
【0058】そして、このようにして作製した図5Dに
示す原盤26は、これをスタンパーとして用いることも
できるし、この原盤26をスタンパーを反転複製するマ
スターとすることもできるし、更にこの原盤26をマス
ターを反転複製するマザーマスターとすることもでき
る。
【0059】また、このようにして得たスタンパーを用
いて、目的とする微細凹凸を有する記録媒体基板を、射
出成型、2P法等によって形成し、これに、前述した記
録媒体の製造におけると同様に、例えば反射膜、保護
膜、また或る場合は各種記録層等の成膜を行って目的と
する例えば光ディスク、光磁気ディスク、光相変化ディ
スク等を得ることができる。
【0060】また、本発明による記録媒体の製造装置
は、図6にその一例の概略構成を示すように、例えば感
熱材料層より成る変質部が非変質部とが異なる光学特性
を示すことのできる材料層(図示せず)が被着形成され
た記録媒体を構成する例えば円板状の基板11を保持す
る保持手段41と、レーザ光源部42と、これよりのレ
ーザ光13を、微細凹凸のパターンに応じて変調すると
共に、微細凹凸のパターンの周期よりも高周波の周波数
で変調する変調手段43と、レーザ光を主レーザ光13
Mと副レーザ光12Sに分岐する分岐手段60例えばグ
レーティングと、レーザ光を基板11上の材料層に集光
させる集光レンズ系44を有する光学系45と、材料層
に対し、レーザ光の照射位置を移動させる移動手段と、
材料層の変質部12sからの、戻り光を検出してトラッ
キング調整を行うトラッキング調整手段50とを有す
る。
【0061】図6の構成においては、光学系45が、偏
光ビームスプリッタ48、1/4波長板49、集光レン
ズ系(対物レンズ)44と、例えばトラッキング調整手
段50を構成する光学系、例えば集光レンズ51とを有
する。また、トラッキング調整手段50は、例えば図8
Aに示すように、例えば2分割構成のフォトダイオード
を有し、これら2つのフォトダイオード素子の出力が、
差動増幅器54に入力されてトラッキングサーボ信号を
取り出すようになされている。
【0062】分岐手段60として、グレーティングを用
いる場合、0次光によって主レーザ光13Mを、1次光
によって副レーザ光13Sを構成することが好ましい
が、この部分、2本の1次光のうちの1本など不要分岐
レーザ光は、遮蔽体57を、例えばフォトディテクタの
前方に配置して排除する。
【0063】そして、例えば図8Bに模式的に示すよう
に、副レーザ光13Sの例えば中心が、先に形成した変
質部12sの幅方向の中心に位置するとき、図8Aに実
線円で模式的示すように、その戻り光のスポットが2分
割フォトダイオードの例えば中心位置にあって差動増幅
器54の出力、すなわちサーボ信号がゼロであり、副レ
ーザ光13Sが、変質部12sの幅方向にいずれかずれ
たとき、破線円で模式的示すように、その戻り光のスポ
ットが2分割フォトダイオードの2つのフォトダイオー
ド素子の例えば中心位置から、いずれかの分割されたフ
ォトダイオード素子側に片寄ることによって差動増幅器
54からサーボ信号が取り出される。このようにして、
副レーザ光の位置の検出がなされることから、主レーザ
光の位置の検出がなされ、所定トラッキング位置からの
ずれを調整するサーボ信号とすることができる。
【0064】一方、集光レンズ(対物レンズ)44は、
アクチュエータ55に保持され、トラッキングサーボ信
号によって、その微小位置制御がなされ、トラッキング
調整がなされる。
【0065】そして、移動手段は、スライドステージ5
6によって構成され、これに少なくとも集光レンズ44
系を含む光学系45が配置されて、レーザ光13の照射
位置が、基板11の例えば半径方向に移動可能に構成さ
れる。
【0066】また、基板11は、例えばその保持手段4
1によって回転駆動され、上述した移動手段、すなわち
スライドステージ56との共働により、レーザ光13
が、基板11上の材料層すなわち感熱材料層に、同心上
の各円に、あるいは渦巻き状に走査されるようになされ
る。
【0067】レーザ光13は、高速変調器47および低
速変調器46によって、図3で説明したように、一定の
高周波信号による変調と、記録データ信号による変調が
なされる。
【0068】レーザ光源部42は、例えば半導体レーザ
によらない例えばArガスレーザ等のレーザと、更に例
えば波長変換器を具備して短波長レーザとして取り出す
構成とすることができる。この場合においては、図6に
示すように、低速変調器46と、高速変調器47とが、
レーザ光源部42から発射され、光学系45によって基
板11に向かうレーザ光13の光路中に設けられる。
【0069】低速変調器46は、例えば、図3で説明し
た記録データ信号によってレーザ光13の変調がなさ
れ、高速変調器47は、図3で説明した一定の高周波信
号によってレーザ光の変調がなされる。この低速変調器
46は、各種周知の変調器、例えば電気光学(EO)効
果、音響光学(AO)効果、そのほか各種の効果を利用
した変調器を用いることができる。また、高速変調器4
7は、例えば K.Osato,K.Yamamoto,I.Ichimura,F.Maed
a,Y.Kasami,M.Yamada,Proceedings of Optical Data St
orage'98,Aspen,Colorado,80-86, “A rewritable opti
cal disk system with over 10GB of capasity ”で報
告された変調器を用いることができる。
【0070】このようにして、レーザ光13によって基
板11上の材料層に対するレーザ光照射、すなわち感熱
材料層の変質部の形成がなされる。
【0071】また、図7に、概略構成図を示した例にお
いては、レーザ光源部42が、半導体レーザによって構
成された場合で、図7において、図6と対応する部分に
は同一符号を付して重複説明を省略するが、この場合の
変調手段43としては、半導体レーザへの注入電流を、
上述した記録データ信号と一定の高周波信号によって変
調させる。
【0072】上述した本発明装置によって、感熱材料層
に対するレーザ光の照射を行って後は、前述した本発明
方法にしたがって、感熱材料層の現像、エッチング等を
行って目的とする微細凹凸を有する記録媒体を得る。
【0073】また、本発明による記録媒体製造用原盤の
製造装置についても、図6および図7に示した構成と同
様の構成とすることができ、これらにおいて、基板保持
手段41が、原盤構成基板を保持する構成とする。
【0074】トラッキングサーボ方法としては、上述の
方法に限定されるものではなく、プッシュプル法など、
従来周知の方法を用いることができる。
【0075】本発明による記録媒体の製造装置および記
録媒体製造用原盤の製造装置によれば、簡潔な構成とす
ることができるので、小型に、廉価に構成することがで
きる。
【0076】特に、図7で示した構成によるときは、半
導体レーザを用いることにより、より小型、簡潔に構成
することができ、低価格化と同時に、メンテナンスの手
間も格段に削減することができる。
【0077】また、レーザ光源部の半導体レーザとし
て、GaN系等の短波長レーザを用いることが、より小
さい微細凹凸を形成することができ、高密度化が図られ
る。
【0078】上述したように、本発明は、微細凹凸を有
する記録媒体、例えば再生専用光ディスクを始めとし
て、書き込み可能な光ディスク、相変化型光ディスク、
光磁気ディスク、磁気ディスクを得ることができ、ま
た、いわゆる円板状のディスクに限られるものではな
く、他の形状例えばカード形状による記録媒体を得る場
合に適用することができる。
【0079】すなわち、本発明は、最終的に形成する記
録媒体における微細凹凸は、いわゆるピットに限られ
ず、グルーブ等を有する構成とすることのできるなど、
種々の構成に適用することができる。
【0080】
【発明の効果】上述したように、本発明による記録媒体
あるいは記録媒体製造用原盤の製造方法によれば、トラ
ッキングサーボを行って、パターン形成を可能にするこ
とからより高密度、高精度の記録パターンの形成を行う
ことができる。
【0081】そして、このようにトラッキングサーボを
行うことにより、上述したスライドステージとしては、
従来におけるような高精度で高価なスライドステージの
使用を回避できる。
【0082】また、通常におけるような感光性材料によ
らず、感熱材料層を用いることによって、これにレーザ
光を照射して熱的に変質させた部分を形成して現像処理
しててこの変質部あるいは非変質部を除去してパターン
化する方法によってレーザ光スポットより幅狭の加熱領
域で変質部の形成を行ことができるので、これを用いて
形成した微細凹凸は、レーザ光スポットの光学的限界以
下の微細パターンとして形成することができる。したが
って、高記録密度、高解像度の記録媒体を構成すること
ができる。
【0083】そして、その感熱材料層に対するレーザ光
照射を、例えば記録データ信号による変調と同時に、こ
れより周波数の高い一定高周波信号による変調を行うよ
うにすることによって、長いパターンを形成する場合に
おけるレーザ光照射による温度上昇によってレーザの移
行の後方側で、感熱材料層における変質部のパターンが
幅が広がることを有効に回避できる。したがって、感熱
材料層における変質部のパターンを、パターンの長短に
依存することなく、確実に目的とするパターンに形成で
き、最終的に高記録密度、高解像度の記録媒体を製造す
ることができる。
【0084】また、本発明による記録媒体および媒体製
造用原盤の製造装置によれば、高真空室を設けるなどの
必要がないことから、簡潔、小型で、廉価の装置とし
て、またそのメンテナンスが簡単の装置を構成できるも
のである。
【0085】本発明による記録媒体の製造方法、記録媒
体製造用原盤の製造方法、記録媒体の製造装置、および
記録媒体構造用原盤の製造装置によれば、確実に高記録
密度の記録媒体の製造が可能であり、したがって、特に
光記録、再生において前述したニアフィールド構成や、
短波長の青紫レーザを用いる記録媒体を製造する場合に
おいて有益である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による記録媒体および記録媒体製造用原
盤の製造方法によって得る、目的とする微細凹凸パター
ンの一例の平面図である。
【図2】本発明方法で用いるレーザ光のパワー分布と温
度上昇領域との関係を示す図である。
【図3】本発明による記録媒体および記録媒体製造用原
盤の製造方法の、レーザ光の変調方法の説明図で、Aは
データパターン、BおよびCはレーザ光照射パターン、
Dは微細凹凸パターンを示す。
【図4】AおよびBは、本発明による記録媒体および記
録媒体製造用原盤の製造方法の各一例の工程図(その
1)である。
【図5】A〜Dは、本発明による記録媒体および記録媒
体製造用原盤の製造方法の各一例の工程図(その2)で
ある。
【図6】本発明による記録媒体および記録媒体製造用原
盤の製造装置の一例の構成図である。
【図7】本発明による記録媒体および記録媒体製造用原
盤の製造装置の他の一例の構成図である。
【図8】Aは、トラッキングサーボ信号の取出し回路の
一例を示す図である。Bは、副レーザ光の位置とサーボ
信号との関係説明図である。
【図9】は従来の感光性材料を用いた例えば原盤の製造
方法の説明に供する概略断面図である。
【図10】感光性材料のγ(ガンマ)曲線図である。
【図11】従来方法の説明に供する図で、AおよびBは
それぞれレーザ光のパワー分布と感光反応領域の関係を
示す図である。
【図12】従来方法の説明に供する図で、Aは、レーザ
光パターン図、Bは露光パターン図、Cは、凹部のパタ
ーン図である。
【符号の説明】
1・・・記録マーク、2・・・微細凹凸、3・・・レー
ザ光パワー分布曲線、4・・・温度上昇領域、11・・
・記録媒体あるいは原盤構成基板、12・・・感熱材料
層、12a・・・第1の材料層、12b・・・第2の材
料層、12s・・・変質部、13・・・レーザ光、13
M・・・主レーザ光、13S・・・副レーザ光、15・
・・微細凹凸、16・・・原盤、41・・・保持手段、
42・・・レーザ光源部、43・・・変調手段、44・
・・集光レンズ(対物レンズ)系、45・・・光学系、
46・・・低速変調器、47・・・高速変調器、48・
・・偏光ビームスプリッタ、49・・・1/4波長板、
50・・・トラッキング調整手段、51・・・集光レン
ズ、52・・・分岐手段、53・・・フォトディテク
タ、54・・・差動増幅器、55・・・アクチュエー
タ、56・・・スライドステージ、57・・・遮蔽体、
101・・・基板、102・・・感光性材料層、103
・・・レーザ光、104・・・集光レンズ、201,2
02・・・レーザ光パワー分布曲線、201a,202
a・・・感光反応領域
フロントページの続き Fターム(参考) 2H097 AA07 AB07 BA01 CA17 EA01 FA10 LA20 5D118 AA03 BA01 BB09 BF03 CA13 CA22 CC05 CC12 CC17 CD03 CF03 CG02 CG14 CG24 CG32 DA12 DB04 DB12 DC03 5D121 AA01 AA02 AA04 BA01 BB11 BB21 BB28 BB31 BB38 CA03 CA07 CB03 CB08 CB09 DD07 DD11 DD17 EE20 EE27 GG04

Claims (33)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 記録媒体の記録パターンの形成工程でレ
    ーザ光照射処理がなされる記録媒体の製造方法にあっ
    て、 上記レーザ光を主レーザ光と副レーザ光とに分岐し、 上記主レーザ光によって上記記録パターンに対応するパ
    ターン照射を行い、 上記副レーザ光によって、上記主レーザ光によるパター
    ン照射処理がなされた領域から、その位置情報を得て、
    上記主レーザ光の位置調整を行うようにしたことを特徴
    とする記録媒体の製造方法。
  2. 【請求項2】 上記レーザの分岐は、グレーティングに
    よって行うことを特徴とする請求項1に記載の記録媒体
    の製造方法。
  3. 【請求項3】 上記レーザ光が、半導体レーザ光である
    ことを特徴とする請求項1に記載の記録媒体の製造方
    法。
  4. 【請求項4】 上記レーザ光が、青紫レーザ光であるこ
    とを特徴とする請求項1に記載の記録媒体の製造方法。
  5. 【請求項5】 上記レーザ光は、集光レンズによってそ
    の照射面に集光させ、該集光によるスポットは、上記集
    光レンズの位置を移動させることによって行うことを特
    徴とする請求項1に記載の記録媒体の製造方法。
  6. 【請求項6】 記録媒体を構成する基体上に、感熱性材
    料層が形成され、 該感熱材料層に対する上記記録パターンに応じたレーザ
    光の照射によって、上記副レーザ光による上記位置情報
    を得る領域ともなし得るレーザ光の戻り光を生じる変質
    部を形成し、 その後、上記感熱材料層に対する現像処理を行って、上
    記感熱材料層の変質部もしくは非変質部の除去して、上
    記感熱材料層をパターン化することを特徴とする請求項
    1に記載の記録媒体の製造方法。
  7. 【請求項7】 上記副レーザ光は、上記感熱材料層を変
    質することのないパワーとされたことを特徴とする請求
    項6に記載の記録媒体の製造方法。
  8. 【請求項8】 上記パターン化された上記感熱材料層を
    マスクとして上記記録媒体を構成する基板に微細凹凸パ
    ターンを形成することを特徴とする請求項6に記載の記
    録媒体の製造方法。
  9. 【請求項9】 上記感熱性材料層に対する上記記録パタ
    ーンに応じたレーザ光の照射を、上記記録パターンの周
    期より高周波の周波数に変調されたレーザ光によって行
    うことを特徴とする請求項6に記載の記録媒体の製造方
    法。
  10. 【請求項10】 上記感熱材料層が無機材料より成るこ
    とを特徴とする請求項6に記載の記録媒体の製造方法。
  11. 【請求項11】 上記感熱材料層が、互いに異なる構成
    材料による少なくとも第1および第2の材料層による積
    層構造を有し、 上記レーザ光照射による温度上昇により、相互拡散ある
    いは溶解を生じさせて上記少なくとも第1および第2の
    材料層の構成材料の混合もしくは反応によって上記変質
    部を形成することを特徴とする請求項6に記載の記録媒
    体の製造方法。
  12. 【請求項12】 上記感熱材料層が、互いに異なる構成
    材料による無機材料より成る少なくとも第1および第2
    の材料層による積層構造を有し、 上記レーザ光照射による温度上昇により、相互拡散ある
    いは溶解を生じさせて上記少なくとも第1および第2の
    材料層の上記構成材料の混合もしくは反応によって上記
    変質部を形成することを特徴とする請求項6に記載の記
    録媒体の製造方法。
  13. 【請求項13】 上記材料層の現像処理を、テトラメチ
    ルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液によって行う
    ことを特徴とする請求項6に記載の記録媒体の製造方
    法。
  14. 【請求項14】 上記パターン化された上記感熱材料層
    をマスクとして反応性イオンエッチングによって上記記
    録媒体を構成する基板に微細凹凸パターンを形成するこ
    とを特徴とする請求項6に記載の記録媒体の製造方法。
  15. 【請求項15】 記録媒体製造用原盤の記録パターンの
    形成工程でレーザ光照射処理がなされる記録媒体製造用
    原盤の製造方法にあって、 上記レーザ光を主レーザ光と副レーザ光とに分岐し、 上記主レーザ光によって上記記録パターンに対応するパ
    ターン照射を行い、 副レーザ光によって、上記主レーザ光によるパターン照
    射処理がなされた領域から、その位置情報を得て、上記
    主レーザ光の位置調整を行うようにしたことを特徴とす
    る記録媒体製造用原盤の製造方法。
  16. 【請求項16】 上記レーザの分岐は、グレーティング
    によって行うことを特徴とする請求項15に記載の記録
    媒体製造用原盤の製造方法。
  17. 【請求項17】 上記レーザ光が、半導体レーザ光であ
    ることを特徴とする請求項15に記載の記録媒体製造用
    原盤の製造方法。
  18. 【請求項18】 上記レーザ光が、青紫レーザ光である
    ことを特徴とする請求項15に記載の記録媒体製造用原
    盤の製造方法。
  19. 【請求項19】 上記レーザ光は、集光レンズによって
    その照射面に集光させ、該集光によるスポットは、上記
    集光レンズの位置を移動させることによって行うことを
    特徴とする請求項15に記載の記録媒体製造用原盤の製
    造方法。
  20. 【請求項20】 記録媒体製造用原盤を構成する基体上
    に、感熱性材料層が形成され、 該感熱材料層に対する上記記録パターンに応じたレーザ
    光の照射によって、上記副レーザ光による上記位置情報
    を得る領域ともなし得るレーザ光の戻り光を生じる変質
    部を形成し、 その後、上記感熱材料層に対する現像処理を行って、上
    記感熱材料層の変質部もしくは非変質部の除去して、上
    記感熱材料層をパターン化することを特徴とする請求項
    15に記載の記録媒体製造用原盤の製造方法。
  21. 【請求項21】 上記パターン化された上記感熱材料層
    をマスクとして上記記録媒体製造用原盤を構成する基板
    に微細凹凸パターンを形成することを特徴とする請求項
    20に記載の記録媒体製造用原盤の製造方法。
  22. 【請求項22】 上記感熱性材料層に対する上記記録パ
    ターンに応じたレーザ光の照射を、上記記録パターンの
    周期より高周波の周波数に変調されたレーザ光によって
    行うことを特徴とする請求項20に記載の記録媒体製造
    用原盤の製造方法。
  23. 【請求項23】 上記感熱材料層が無機材料より成るこ
    とを特徴とする請求項20に記載の記録媒体製造用原盤
    の製造方法。
  24. 【請求項24】 上記感熱材料層が、互いに異なる構成
    材料による少なくとも第1および第2の材料層による積
    層構造を有し、 上記レーザ光照射による温度上昇により、相互拡散ある
    いは溶解を生じさせて上記少なくとも第1および第2の
    材料層の構成材料の混合もしくは反応によって上記変質
    部を形成することを特徴とする請求項20に記載の記録
    媒体製造用原盤の製造方法。
  25. 【請求項25】 上記感熱材料層が、互いに異なる構成
    材料による無機材料より成る少なくとも第1および第2
    の材料層による積層構造を有し、 上記レーザ光照射による温度上昇により、相互拡散ある
    いは溶解を生じさせて上記少なくとも第1および第2の
    材料層の上記構成材料の混合もしくは反応によって上記
    変質部を形成することを特徴とする請求項20に記載の
    記録媒体製造用原盤の製造方法。
  26. 【請求項26】 上記材料層の現像処理を、テトラメチ
    ルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液によって行う
    ことを特徴とする請求項20に記載の記録媒体製造用原
    盤の製造方法。
  27. 【請求項27】 上記パターン化された上記感熱材料層
    をマスクとして反応性イオンエッチングによって上記記
    録媒体製造用原盤を構成する基板に微細凹凸パターンを
    形成することを特徴とする請求項20に記載の記録媒体
    製造用原盤の製造方法。
  28. 【請求項28】 記録媒体の記録パターンの形成工程で
    レーザ光照射がなされる記録媒体の製造装置にあって、 少なくとも一主面に、上記レーザ光の照射処理がなされ
    る処理面を有する記録媒体を構成する基板を保持する保
    持手段と、 レーザ光源部と、 該レーザ光源部からのレーザ光を、上記記録パターンに
    応じて変調すると共に、該記録パターンの周期よりも高
    周波の周波数に変調する変調手段と、 上記レーザ光を分岐する分岐手段と、 上記レーザ光を上記処理面に集光させる集光レンズ系を
    有する光学系と、 上記処理面に対し、上記レーザ光の照射位置を移動させ
    る移動手段と、 上記分岐手段によって分岐された副レーザ光によって、
    上記主レーザ光によるパターン照射による処理がなされ
    た領域から、位置情報を得て、上記主レーザ光の位置調
    整を行う調整手段とを具備して成ることを特徴とする記
    録媒体の製造装置。
  29. 【請求項29】 上記変調手段が、高速変調器と低速変
    調器とにより構成されたことを特徴とする請求項28に
    記載の記録媒体製造用原盤の製造装置。
  30. 【請求項30】 上記レーザ光源部が、半導体レーザよ
    り成り、 上記変調手段が、上記半導体レーザへの注入電流を変調
    する構成とされたことを特徴とする請求項28に記載の
    記録媒体の製造装置。
  31. 【請求項31】 記録媒体製造用原盤の記録パターンの
    形成工程でレーザ光照射がなされる記録媒体製造用原盤
    の製造装置にあって、 少なくとも一主面に、上記レーザ光の照射処理がなされ
    る処理面を有する記録媒体製造用原盤を構成する基板を
    保持する保持手段と、 レーザ光源部と、 該レーザ光源部からのレーザ光を、上記記録パターンに
    応じて変調すると共に、該記録パターンの周期よりも高
    周波の周波数に変調する変調手段と、 上記レーザ光を分岐する分岐手段と、 上記レーザ光を上記処理面に集光させる集光レンズ系を
    有する光学系と、 上記処理面に対し、上記レーザ光の照射位置を移動させ
    る移動手段と、 上記分岐手段によって分岐された副レーザ光によって、
    上記主レーザ光によるパターン照射による処理がなされ
    た領域から、位置情報を得て、上記主レーザ光の位置調
    整を行う調整手段とを具備して成ることを特徴とする記
    録媒体製造用原盤の製造装置。
  32. 【請求項32】 上記変調手段が、高速変調器と低速変
    調器とにより構成されたことを特徴とする請求項31に
    記載の記録媒体製造用原盤製造用原盤の製造装置。
  33. 【請求項33】 上記レーザ光源部が、半導体レーザよ
    り成り、 上記変調手段が、上記半導体レーザへの注入電流を変調
    する構成とされたことを特徴とする請求項32に記載の
    記録媒体製造用原盤の製造装置。
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WO2010035736A1 (ja) * 2008-09-29 2010-04-01 富士フイルム株式会社 レーザ加工装置
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