JP4239975B2 - 光ディスク製造用原盤の作製方法及び光ディスクの製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【技術分野】
本発明は、光ディスクの製造において、トラッキング用、アドレス用等のグルーブや、データ記録のピット等の凹凸パターンを有する光ディスク基板を、例えば射出成型、２Ｐ（Ｐｈｏｔｏ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）法によって形成するスタンパを転写作製するための光ディスク製造用原盤の作製方法及び光ディスクの製造方法に関する。
【０００２】
【背景技術】
近年、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）などの光ディスクは記録媒体として幅広い分野で使用されるようになった。
【０００３】
この光ディスクは、ポリカーボネート等の光学的に透明な光ディスク基板上に各種情報信号例えばアドレス信号、トラッキング信号を得るグルーブ、データ情報信号の記録部としてのピット等の微細な情報凹凸パターンが形成され、この上にアルミニウム等の金属薄膜からなる反射膜が形成され、更にその反射膜上に保護膜が形成された構造を有する。
【０００４】
この光ディスクは、図１３Ａ〜図１３Ｊに示すような製造工程を経て製造される（例えば特開２００１−１９５７９１号公報、段落［０００２］〜［０００６］参照）。
【０００５】
まず、ガラス基板９０を用意し（図１３Ａ）、表面を充分に平滑にしたガラス基板９０の上に、感光性のフォトレジスト（有機レジスト）からなるレジスト層９１を均一に形成してレジスト基板９２を構成する（図１３Ｂ）。
【０００６】
ついで、記録用レーザ光をレジスト基板９２のレジスト層９１上で基板９０の内周部から外周部、あるいは外周部から内周部にかけてらせん状に相対的に走査させながら、情報信号パターンに対応させてオンオフ制御した記録用レーザ光を照射してレジスト層９１に、最終的に得る光ディスク基板の情報凹凸パターンに対応するパターン露光すなわち感光を行った露光原盤９３を形成する（図１３Ｃ）。
【０００７】
次に、レジスト層９１を現像することによって所定の凹凸パターンが形成された原盤９４を得る（図１３Ｄ）。
次に、電鋳法によって原盤９４の凹凸パターン面上に金属ニッケルメッキ層９５を形成する（図１３Ｅ）。このメッキ層９５を原盤９４から剥離し、所定の加工を施し、原盤９４の凹凸パターンが転写された成型用スタンパ９６を得る（図１３Ｆ）。
この成型用スタンパ９６を用いて射出成型法によって熱可塑性樹脂のポリカーボネートによる樹脂製の光ディスク基板９７を成形する（図１３Ｇ、Ｈ）。
ついで、この光ディスク基板９７の凹凸面にＡｌ合金の反射膜９８（図１３Ｉ）と保護膜９９とを成膜することにより光ディスク２００を得る（図１３Ｊ）。
【０００８】
このようにして製造された光ディスクは品質検査された後に製品となるが、この品質項目の１つとしてアシンメトリ（Ａｓｙｍｍｅｔｒｙ）がある。アシンメトリは、信号再生したとき再生信号の振幅の非対称性を示すものであり、光ディスクの再生信号の品質の指標となり、プレーヤや光ピックアップの評価の基準にもなる重要項目である。更に、アシンメトリは光ディスクに形成される凹凸パターンのうち、凹部（ピット）の寸法変動の影響を受けるため、最近の光ディスクの高容量化に伴って凹凸パターンが微細化される状況においては、より重要な管理項目となってきている。
【０００９】
以上のことから、光ディスクのピットの寸法変動を抑制すべく上記製造工程において各工程の適正製造条件が設定され、アシンメトリがある一定の範囲内に収まるように管理されている。特に光ディスクの製造における原盤作製の工程はピット形成に重大な影響を及ぼす工程であり、厳格な管理が要求されている。
尚、アシンメトリの管理範囲として、ＤＶＤ−ＲＯＭの規格では−５〜＋１５％の範囲とされている。
【００１０】
しかしながら、アシンメトリは信号再生したときのＲＦ信号パターンから求められることから、露光後のレジスト層の潜像からそれを測定することは困難であり、上記製造工程の最終製品の段階（図１３Ｊ）の光ディスクでしか測定ができなかった。そのため、その結果がＮＧ（Ｎｏ Ｇｏｏｄ）であった場合にはそれまでの一連の労力、製造時間、製品が無駄になってしまっていた。したがって、露光工程の製造条件起因の不良が発生した場合にはその損失は著しい。
【００１１】
また、通常は、最終工程後で判明したアシンメトリ測定結果を製造工程へフィードバックするため、製造条件の素早い修正もできなかった。特に露光工程の製造条件修正に関して、そのロットが露光工程を通過した時点から、そのロットの最終工程からのフィードバック情報に基いて修正された露光条件が反映されるまでの間には多くの時間を要していた。更に、露光工程の製造条件起因の不良が発生した場合には、不良原因究明にも時間がかかることから、条件の修正を反映させるまでに更に多大な時間を要し、全体の生産性を阻害することにもなっていた。
【００１２】
更に、上記露光工程では、レジスト基板におけるレジスト層を構成するレジスト材料に対応して設定された露光装置の記録パワーに基づき、露光条件一定でレジスト層への露光が行なわれるために、レジスト基板でレジスト層の記録感度が変動している場合にはその感度変動がそのまま記録される信号品質に影響を及ぼしていた。また、レジスト基板のロット間の記録感度のばらつきへの対応も困難であった。
【００１３】
【発明の開示】
本発明は、上述の従来技術における問題に鑑みてなされたものであり、光ディスク製造用原盤の作製における露光工程においてレジスト層に対する、露光直後に、その露光部分の記録信号特性から光ディスクの記録信号特性（アシンメトリ）の予測評価を可能ならしめ、更にはその評価結果に基いて直ちに露光装置の記録パワーの修正ができるようにして、高い生産性及び良品率をもって光ディスクを製造することのできる原盤の作製方法及び光ディスクの製造方法を提供する。
【００１４】
すなわち、本発明者らは、光ディスク製造用原盤の作製において、レジストとして、露光によって化学的に状態変化を生じさせる無機レジストを用いた場合、この露光による無機レジスト材料の化学的な状態変化に対応して光の反射率（反射光量）等が変化する現象を利用し、更に無機レジスト層の記録信号特性より求められる反射率や変調度とアシンメトリと、最終的に得る光ディスクにおけるそれぞれの反射率や変調度とアシンメトリとの相関が対応することに着目し、鋭意検討を行った結果、本発明による光ディスク製造用原盤及び光ディスクの製造方法を見出すに至ったものである。
【００１５】
本発明による光ディスク製造用原盤の作製方法は、基板上に形成された無機レジスト層に対して、光ディスクに形成される情報凹凸パターンの情報信号に対応する情報信号によって変調された記録用レーザ光を照射して、前記光ディスクの前記情報凹凸パターンに対応する露光パターンを形成する露光工程と、その後前記無機レジスト層に対し、現像処理を行って、前記無機レジスト層による前記情報凹凸パターンに対応する凹凸パターンを形成する現像工程とを有し、前記露光工程において、前記無機レジスト層の前記記録用レーザ光の照射位置の近傍の、前記記録用レーザ光の未露光領域及び露光領域に評価用レーザ光を照射し、前記評価用レーザ光の前記未露光領域からの反射率と、前記露光領域からの反射率との比が、データ測定用レジスト基板への露光により予め選択した反射率比の範囲内となるように前記記録用レーザ光のパワー制御を行うことを特徴とする。
【００１６】
また、本発明は、上述の光ディスク製造用原盤の作製方法において、その無機レジスト層として、遷移金属の不完全酸化物を含んだレジスト層を用いることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明は、上述の光ディスク製造用原盤の作製方法において、前記評価用レーザ光を照射する所定領域が、前記無機レジストの前記記録用レーザ光の照射領域以外の領域とすることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明は、上述の光ディスク製造用原盤の作製方法において、前記記録用レーザ光を照射しながら、前記評価用レーザ光の照射を、前記記録用レーザ光の照射位置の近傍に照射することを特徴とする。
【００１９】
また、本発明は、上述の光ディスク製造用原盤の作製方法において、前記記録用レーザ光を照射しながら照射する前記評価用レーザ光を、前記記録用レーザ光の照射位置の近傍の、前記記録用レーザ光の未露光領域及び露光領域に照射し、前記評価用レーザ光の前記未露光領域からの反射光量と、前記露光領域からの反射光量との比によって前記無機レジスト層による前記露光パターンの記録信号特性を評価することを特徴とする。
【００２０】
また、本発明による光ディスクの製造用原盤の製造方法は、前記反射光量の比が一定となるように、前記記録用レーザ光のパワー制御を行うことを特徴とする。
【００２１】
そして、本発明による光ディスクの製造方法は、光ディスク製造用原盤の作製工程と、前記原盤から前記光ディスク製造用のスタンパを転写作製するスタンパ作製工程と、前記スタンパによって光ディスク基板を転写製造する工程と、この光ディスク基板上に、反射膜を成膜する工程と、保護膜を成膜する工程とを有し、前記原盤の作製工程は、基板上に形成された無機レジスト層に対して、前記光ディスクに形成される情報凹凸パターンの情報信号に対応する情報信号によって変調された記録用レーザ光を照射して、前記光ディスクの前記情報凹凸パターンに対応する露光パターンを形成する露光工程と、その後前記無機レジスト層に対し、現像処理を行って、前記無機レジスト層による前記情報凹凸パターンに対応する凹凸パターンを形成する工程とを有し、前記露光工程において、前記無機レジスト層の前記記録用レーザ光の照射位置の近傍の、前記記録用レーザ光の未露光領域及び露光領域に評価用レーザ光を照射し、前記評価用レーザ光の前記未露光領域からの反射率と、前記露光領域からの反射率との比が、データ測定用レジスト基板への露光により予め選択した反射率比の範囲内となるように前記記録用レーザ光のパワー制御を行う。
【００２２】
また、本発明による光ディスクの製造方法は、前記無機レジスト層が遷移金属の不完全酸化物を含んだレジスト層であることを特徴とする。
【００２３】
上述した本発明による原盤作製方法においては、露光部と未露光部とにおいて反射率が相違する無機レジスト層が用いられることによって、この反射率の差を利用して、評価用レーザ光の照射により、露光状態を評価することができ、この評価に基いて露光パワーの設定、もしくは露光パワーを変化させる制御を行って、レジスト層の露光工程で、最終的に得る光ディスクでの情報凹凸パターンで要求される特性、具体的には例えばＤＶＤ−ＲＯＭにおける−５〜＋１５％の要求値範囲のアシンメトリが得られるようにすることができるものである。
【００２４】
すなわち、本発明によれば、原盤作製の露光工程の段階で、露光処理前のテスト露光を上述した情報信号に基いて行っておくことによって、これからの評価用レーザ光の反射光によって、この露光パターンの記録信号特性の評価を行って、この露光条件による最終製品の良否を判定し、その結果から直ちに記録用の露光予定領域に対して露光装置の記録パワーの決定が可能となる。
【００２５】
ここで、露光パターンの記録信号特性の評価とは、露光原盤の記録信号特性、すなわち反射率比や変調度とアシンメトリとについて所定の範囲内にあるか否かを評価することであり、これによって最終製品の光ディスクの記録信号特性の判定を行うことができるものである。これは後述するところから明らかなように、レジスト層の上述した記録信号特性と、光ディスクの記録信号特性、具体的には光ディスクの反射率比や変調度とアシンメトリとの関係が、互いに対応する関係にあることによる。
【００２６】
ここで、評価用レーザ光は、レジスト層に対してその感光が生じない程度のパワーのレーザ光であり、この評価用レーザ光は、記録用レーザ光と同一の、例えば半導体レーザを用いて、そのパワーを切り換えることによって得たレーザ光を用いることもできるが、評価用レーザ光と、露光用すなわち記録用レーザ光と同時に用いるときは、異なる半導体レーザを用いるとか、１本のレーザ光を、グレーティングやホログラム等によって分岐し、例えばその０次光を記録用レーザ光として用い、±１次光を評価用レーザ光とすることができる。
【００２７】
次に、本発明における例えばレジスト層の反射率比（いわば規格化した反射光量比）、変調度、アシンメトリの定義は、光ディスクにおけると同様の定義によるものであるが、これについて図１０を参照して説明する。
【００２８】
図１０Ａの曲線４００は、１７ＰＰ変調方式における図１０Ｂで示したピット（マーク）列に対する評価用レーザ光の照射による反射光量を光ピックアップ装置で検出した再生信号波形を示す。図１０Ａで示すように、ＩＭ、Ｉ８Ｈ、Ｉ８Ｌ、Ｉ２Ｈ、Ｉ２Ｌは、それぞれ未露光部、８Ｔスペース、８Ｔピット、２Ｔスペース、２Ｔピットの再生出力、すなわち反射光量（戻り光量）である。
【００２９】
そして、反射率比は、全ピット及びスペースに対する戻り光の総量の平均Ｉｓと、未露光部に対する戻り光ＩＭとの比Ｉｓ／ＩＭとして定義され、変調度は、（Ｉ８Ｈ−Ｉ８Ｌ）／ＩＭとして定義され、アシンメトリは、｛（Ｉ８Ｈ＋Ｉ８Ｌ）−（Ｉ２Ｈ＋Ｉ２Ｌ）｝／｛２×（Ｉ８Ｈ−Ｉ８Ｌ）｝で定義される。
【００３０】
そして、実際には、露光した部分にはいろいろな長さのピット（マーク；例えば露光部）やスペースがあるため、再生時にはフォトディテクタから図１１に示すような、アイパターンが得られる。この場合、変調方式は１７ＰＰであるので最長スペースやマークは８Ｔ、最短スペースやマークは２Ｔとなる。
【００３１】
【発明を実施するための最良の形態】
本発明による光ディスク製造用原盤の作製方法と光ディスクの製造方法の実施の形態を例示説明する。
【００３２】
まず、本発明による光ディスク製造用原盤と、この原盤を用いて光ディスクを製造する、本発明による光ディスクの製造方法を図１Ａ〜Ｊの工程図を参照して説明する。
原盤を構成する基板１００の上に、スパッタリング法により所定の無機系のレジスト材料からなるレジスト層１０１を用意する（図１Ａ）。この基板１００を均一に成膜してレジスト基板１０２を得る（図１Ｂ）。
【００３３】
このレジスト層１０１のレジスト材は、遷移金属の不完全酸化物を含み、該不完全酸化物は、酸素の含有量が前記遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成の酸素含有量より小さいものであるようなレジスト材料より成る。この場合、レジスト層１０１の記録感度の改善のために基板１００とレジスト層１０１との間に所定の中間層１１０を形成してもよい。
尚、レジスト層１０１の膜厚は任意に設定可能であるが、１０ｎｍ〜１２０ｎｍの範囲内が好ましい。
【００３４】
次いで、既存のレーザ装置を備えた露光装置を利用して、レジスト層１０１に目的とする光ディスクにおける情報凹凸パターンに対応した情報信号によってオン・オフ変調した記録用レーザ光による選択的露光による露光工程を行って露光原盤１０３を作製する（図１Ｃ）。このとき、レジスト層１０１のレジスト材を構成する遷移金属の不完全酸化物は、紫外線又は可視光に対して吸収を示し、紫外線又は可視光が照射されることでその化学的性質が変化する。
【００３５】
更に、レジスト層１０１を現像することによって所定の凹凸パターンが形成された原盤１０４を得る（図１Ｄ）。この場合、無機レジストでありながら酸またはアルカリ水溶液に対して露光部と未露光部とでエッチング速度に差が生じる、いわゆる選択比が得られることを利用して現像することができる。
【００３６】
次に、電鋳法によって原盤１０４の凹凸パターン面上に金属ニッケルメッキ層１０５を形成する（図１Ｅ）。このメッキ層１０５を原盤１０４から剥離し、所定の加工を施し、原盤１０４の凹凸パターンが転写された成型用スタンパ１０６を得る（図１Ｆ）。
【００３７】
この成型用スタンパ１０６を用いて射出成型法によって熱可塑性樹脂のポリカーボネートによる樹脂製の光ディスク基板１０７を成形する（図１Ｇ、Ｈ）。
【００３８】
ついで、この光ディスク基板１０７の凹凸面に例えばＡｌ合金による反射膜１０８（図１Ｉ）と保護膜１０９とを成膜することにより光ディスク３００を得る（図１Ｊ）。
【００３９】
上記レジスト層１０２に適用されるレジスト材料は、遷移金属の不完全酸化物である。ここで、遷移金属の不完全酸化物とは、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成より酸素含有量が少ない方向にずれた化合物のこと、すなわち遷移金属の不完全酸化物における酸素の含有量が、上記遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成の酸素含有量より小さい化合物のことと定義する。これにより、この材料からなるレジスト層１０２は、その遷移金属の完全酸化物の状態では透過してしまう紫外線または可視光の光エネルギーを吸収することが可能となり、無機レジスト材料の化学的な状態変化を利用した信号パターンの記録が可能となる。
【００４０】
レジスト材料を構成する具体的な遷移金属としては、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ａｇ等が挙げられる。この中でも、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｂ、を用いることが好ましく、紫外線又は可視光により大きな化学的変化を得られるといった見地から特にＭｏ、Ｗを用いることが好ましい。
【００４１】
そして、本発明製造方法においては、上述した原盤作製の露光工程に先立って予め上述したレジスト基板１０２と同様のデータ測定用レジスト基板を用意し、これに対する露光を行ってその記録信号特性としての、前述した反射率比と、変調度と、アシンメトリとの少なくともいずれかの測定データを求めて置く。
【００４２】
これらデータは、データ測定用レジスト基板上に、例えば目的とする光ディスクにおいて、１７ＰＰ変調方式によるデータ記録を得ようとする場合は、この１７ＰＰの記録信号に基く露光を例えば複数の同心円上にその記録用レーザ光のパワーを変化させて露光パターンを形成する。
【００４３】
これら記録パワーを変化させた露光パターンを、評価用レーザ光を照射して、その反射光（戻り光）を検出して、例えば反射率比を求め、図３に示す反射率比対記録パワーの関係を求める。
【００４４】
次に、この測定に用いたデータ測定用レジスト基板によって、前述した図１Ｄ〜Ｊと同様の工程を経てデータ測定用の光ディスクを作製する。
このデータ測定用の光ディスク上に形成された情報凹凸パターンの情報信号を再生してアシンメトリの測定を行う。
このようにして、図４に示す、光ディスクのアシンメトリと、先に求めた露光原盤の反射率比との関係を得る。
【００４５】
このようにして得た図４のデータを基に、光ディスク製造用原盤の製造工程における図１Ｃの露光工程の露光、すなわち記録用レーザ光のパワー制御を行う。
【００４６】
この場合、製造原盤毎に図３と同様の反射率比と記録パワーとの関係のデータを求め、先に得た図４のデータから、光ディスクにおいて求めるアシンメトリに応じた反射率比が得られるレーザ光による記録パワーを求め、この記録パワーの制御のもとに露光がなされる。
すなわち、この場合、例えばレジスト基板１０２に対し、その無効領域すなわちスタンパ形成に用いられる領域外の例えば外周無効領域に対して記録用レーザ光のパワーを変化させるテスト露光を行い、この露光部に評価用レーザ光を照射し、その記録信号特性（反射率比、変調度、アシンメトリ）を測定し、先に求めた図４のデータと比較して、最終的に得られる光ディスクにおいて要求されるアシンメトリが得られる露光パワーすなわち記録用レーザ光のパワーを求め、これによってすべての記録領域の露光処理を行う。
【００４７】
この方法は、レジスト基板における記録感度の変動が極端に大きくない限りは、特に光ディスクの記録信号のアシンメトリを規格範囲内に精度良く収めることができる。
【００４８】
また、レジスト基板における記録感度の変動が大きい場合においても、この露光工程において、記録用レーザ光を照射しながら、その記録用レーザ光の照射位置の近傍の未露光領域、露光領域それぞれに評価用レーザ光を照射し、その未露光領域、露光領域のそれぞれに照射される評価用レーザ光によって得られる未露光領域の反射光量に対する露光領域の反射光量の比からレジスト層１０１の記録信号特性（反射率比、変調度、アシンメトリ）の評価を行い、その評価結果に基いてその比が一定となるように記録用レーザ光の記録パワーを修正する。
特に、露光工程においては、露光装置の状態や基板の状態が製造条件の変動要因となることから、この修正は有効である。また、この方法は、レジスト基板１０２の近傍領域では、一般に近似の記録信号特性が得られることから、その修正が有効になされる。
【００４９】
尚、他のレジスト基板によって、例えば、レジストのスパッタマシーンの特性を知り、記録感度の変動の傾向に応じて、評価用レーザ光の照射形態（スポット形状）を調整することが望ましい。例えば、記録感度の差が小さく、半径方向に緩やかな記録感度の差が存在するような場合は、評価用レーザ光スポットは、レジスト基板の半径方向を長径とする楕円形状のスポットとする。
【００５０】
また、上述した評価用レーザ光の反射光量の比が一定となるように、記録用レーザ光の記録パワーを調整することにより、最終的に得る光ディスクの記録信号のアシンメトリをディスク全体で一定とすることができる。この方法は、特にレジスト基板の記録感度がレジスト層の膜厚変動などにより半径方向に不可避的に変化する場合に有効であり、その記録感度の変化による感光結果の変動を適切に修正できる。
【００５１】
また、予め、反射率比とアシンメトリとの関係を得ておくことにより、レジスト基板１０２におけるレジスト層１０１に光を照射しながら、その記録用レーザ光の照射位置の近傍の所定領域に評価用レーザ光を照射し、この評価用レーザ光を照射した時の反射光量によって、上述した、予め得ておいた反射率比とアシンメトリとの関係から光ディスクの記録信号特性の予測評価を行うことができる。
【００５２】
この方法により、露光原盤から最終的な光ディスクの記録信号のアシンメトリの推定が可能となり、露光工程の段階で最終製品の信号品質の予測及び判定をすることができるようになる。
【００５３】
図２を参照してレジスト露光工程で使用される露光装置の構成を示す。この装置は、レジスト層が露光される例えばレーザ光を発生するビーム発生源１１が設けられ、これよりのレーザ光が、コリメータレンズ１２、グレーティング１９、ビームスプリッタ１３を通じ、対物レンズ１４によってレジスト層が成膜されたレジスト基板１５のレジスト層にフォーカシングされて照射される構成を有する。また、この露光装置は、レジスト基板１５からの反射光をビームスプリッタ１３及び集光レンズ１７を介して分割フォトディテクタ１８上で結ぶ構成を有する。分割フォトディテクタ１８は、レジスト基板１５からの反射光を検出し、この検出結果から得られるフォーカス誤差信号を生成し、フォーカスアクチュエータ（図示せず）に送る。フォーカスアクチュエータは、対物レンズ１４の高さ方向の位置制御を行うものである。ターンテーブル１６には送り機構（図示せず）が設けられており、レジスト基板１５の露光位置を精度良く変えることができる。
【００５４】
また、この露光装置においては、情報信号、反射光量信号に基いて、レーザ駆動回路（図示せず）によってレーザビーム発生源１１を制御しながら露光を行う。
【００５５】
更に、ターンテーブル１６の中心軸にはスピンドルモータ制御系が設けられ、光学系の半径位置と所望の線速度とに基いて、最適なスピンドル回転数を設定しスピンドルモータの制御を行う。
【００５６】
レジスト層の露光にあたっては、まずレジスト基板１５を、図２に示される露光装置のターンテーブル１６にレジスト成膜面が上側に配置されるようにセットする。
【００５７】
ついで、ビーム発生源１１からレジスト基板１５へレーザ光を照射しつつ、ターンテーブル１６上に搭載されたレジスト基板１５を回転させながら、ターンテーブル１６とともに半径方向に移動することにより、レジスト基板１５の主面上の内周部から外周部、あるいは外周部から内周部にかけてレジスト層にらせん状もしくは同心円状に信号パターンが記録される。詳しくは、レジスト基板１５上に集光されたビームスポットの光強度がある程度以上であると、レジスト基板１５上の無機レジスト材料に化学的な状態変化が発生し、記録マークが形成されることから、実際の露光では記録用信号パターンに対応させてビーム発生源１１からの出射光量を変化させ、レジスト層の記録マークのパターンを作り出すことにより信号の記録が行われる。
【００５８】
［光ディスク製造用原盤の作製方法］
本発明による光ディスク製造用原盤の作製方法は、図１Ｃの露光工程の段階で行う方法であり、上記露光工程における無機レジスト材料の化学的状態の違いによるレーザ光などの光の反射率の差異を利用し、光ディスクから光ピックアップにより信号を取り出すのと同様に露光原盤から信号を取り出し評価することができる。その詳細を以下に説明する。尚、露光原盤とは、露光後かつ現像前のレジスト基板をいう。
【００５９】
図１Ｃのレジスト層露光工程において、露光前のレジスト基板１５が図２の露光装置のターンテーブル１６上にレジスト成膜面が上側に配置されるようにセットされた状態で評価用レーザ光を照射する（Ｓ１）。
【００６０】
詳しくは、ビーム発生源１１からレジスト基板１５へ露光時のパワーよりも低いレーザ光を照射しつつ、ターンテーブル１６上に搭載されたレジスト基板１５を回転させながら、ターンテーブル１６とともに半径方向に移動することにより、レジスト基板１５の主面上の内周部から外周部、あるいは外周部から内周部にかけて、レジスト層上をらせん状もしくは同心円状にレーザ光が相対的に走査されながら照射される。尚、このときのレーザ光のパワーは露光時の３０分の１程度でよい。
【００６１】
ステップＳ１で照射されたレーザ光がレジスト層で反射された光を露光装置のビームスプリッタ１３、集光レンズ１７を経てフォトディテクタ１８で検出する（Ｓ２）。フォトディテクタ１８で検出された信号の低域成分はレジスト層の反射率と相関があることから、その検出された信号の中から露光前のレジスト層の反射光量（図１０ＡのＩＭ）の半径方向の変動状態を知る（Ｓ３）。
【００６２】
次に、所定の記録パワーのレーザ光の照射によって、レジスト層に後述する露光制御方法に基く露光を行い、記録用信号例えば１７ＰＰ変調方式に対応した記録信号による露光を行う（Ｓ４）。このとき、レジスト層である遷移金属の不完全酸化物のうち、記録用レーザ光が照射された領域ではその化学的性質が変化している。
【００６３】
つづいて、ステップＳ１と同一条件で、レジスト基板１５のレジスト層に記録されたらせん状もしくは同心円状の信号記録部（ピット列、グルーブ等）に沿って、レーザ光が相対的に走査されながら照射される（Ｓ５）。
そして、ステップＳ２と同様に、ステップＳ５で照射されたレーザ光がレジスト層で反射された光を露光装置のビームスプリッタ１３、集光レンズ１７を経てフォトディテクタ１８で検出する（Ｓ６）。フォトディテクタ１８で検出された信号の中から露光後のレジスト層の反射光量（Ｉ８Ｈ、Ｉ８Ｌ、Ｉ２Ｈ、Ｉ２Ｌ）の半径方向の変動状態を取り出す（Ｓ７）。
【００６４】
次いで、ステップＳ３の露光前の反射光量の半径方向の変動状態とステップＳ７の露光後の反射光量の半径方向の変動状態とに基いて各位置における反射率比の半径方向の変動状態を求める（Ｓ８）。この反射率比とは、露光原盤の検出点におけるレジスト層の露光前の反射率を基準とした、露光前後の反射率の比であり、基板条件（基板種類、中間層種類及び厚み）・レジスト条件（無機レジスト種類、厚みなど）・露光条件（光の波長、記録パワーなど）によって決定されるものである。
【００６５】
そして、予め測定しておいた反射率比と光ディスクのアシンメトリとの関係（図４）に基いて、ステップＳ８で求められた反射率比の半径方向の変動状態から最終的に作製される光ディスクのアシンメトリの半径方向の変動状態（図７）を類推し、露光原盤としての信号評価を行なって良否の確認を行う（Ｓ９）。例えば、ＤＶＤ−ＲＯＭ用の露光原盤であれば、最終的に作製される光ディスクの記録領域全面においてアシンメトリが例えば＋５〜＋１０％の範囲内にあるか否かで良品判定を行なう。
【００６６】
ステップＳ８、ステップＳ９について、更に詳細を説明する。
露光時の記録パワーと露光前後の反射率比との関係の一例を図３に示す。ここでは、シリコンを基板とし、レジスト材料としてＷの３価とＭｏの３価との不完全酸化物を用いて、波長４０５ｎｍのレーザ光で上記評価方法に従って露光原盤を実際に作製し、記録用レーザ光のビームスポット径と評価用レーザ光のビームスポット径とは同じで一定とする条件で、記録と評価とを行なった。
【００６７】
図３において、記録用レーザ光の記録パワーが大きくなるにつれて反射率比が低下する傾向が認められた。露光後の無機レジスト材料の化学的な状態変化によって反射率は低下するが、記録パワーが大きくなるほど、その反射率が低下する領域（レジスト層に記録されるマーク）が大きくなるからである。したがって、必ずしも反射率比が小さければよいわけではなく、反射率比が小さすぎると光ディスクの凹部（または凸部）が広がりすぎて光ディスクの記録信号のアシンメトリなどの信号規格を外れてしまうことから、信号規格を満足するには反射率比はある範囲内に存在する必要がある。その参考例を図４に示す。
【００６８】
図４は、図３で作製された露光原盤を使用して、図１Ａ〜Ｊの製造工程に従い光ディスクを作製し、そのアシンメトリを測定した結果である。図４において反射率比とアシンメトリとの間には１対１対応の相関が認められ、例えば反射率比が０．９２０〜０．９２５の範囲内であれば、アシンメトリは＋５〜＋１０％の範囲内（ＤＶＤ−ＲＯＭの管理範囲）に入ることが分かる。
【００６９】
したがって、前述したように、この関係図を予め求めておけば、現像前の露光原盤の反射率比からその原盤から作製される光ディスクの記録信号のアシンメトリを類推し、規格内であるか否かの信号評価を行なうことが可能である。また、レジスト層の厚みなどのレジスト基板の構造が多少異なることによって記録感度が異なる場合でも上記図３、４に示した関係は保たれるため、同一構成の露光原盤であればロット間の多少の変動は気にすることはない。但し、レジスト層現像工程以降の製造条件が一定であることなどが前提である。
【００７０】
また、上記露光評価方法のうち、ステップＳ７においてフォトディテクタ１８で検出された信号の高域成分から露光原盤の記録信号のアシンメトリや変調度を求めることもできる。すなわち、露光部分の反射率が変化することにより、露光あり・なしの領域に反射率の差異が生じ、そこに評価用レーザ光を照射するとその差異により発生する回折現象からＲＦ信号パターンが得られ、そのＲＦ信号パターンからアシンメトリや変調度を求めることができる。こうして求められたアシンメトリや変調度と、この露光原盤を現像し作製された光ディスクの記録信号のアシンメトリとの間にも図３、図４と同様の関係が認められる。したがって、上記露光評価方法と同様の手法で現像前の露光原盤のアシンメトリからその原盤から作製される光ディスクの記録信号のアシンメトリを類推し、規格内であるか否かの信号評価を行なうことが可能である。
【００７１】
以上のように、本発明の露光評価方法を用いれば、レジスト層露光工程の段階でその露光原盤により作製される光ディスクの信号品質を予測評価することができる。
【００７２】
［露光制御方法］
次に、前述した光ディスク製造用原盤の製造方法におけるステップＳ４について詳細に述べる。
この露光制御方法は、図１Ｃの露光工程の段階において、上述した露光評価方法を利用してレジスト基板の露光パターンの記録信号特性の評価を行ない、その評価結果に基いて、該レジスト基板に対する記録用光の記録パワーを調整するものである。その詳細を以下に説明する。
【００７３】
その第１の実施の形態を説明する。
露光前のレジスト基板を用いて、レジスト基板の主面上の内周部や外周部などの光ディスクの記録領域とならない部分（ディスク規格として用いない部分）において試し露光を行い、その露光部分の露光前後の反射率比やアシンメトリや変調度を計測し、図３に示したような記録パワーとの関係を求める（Ｓ１１）。
【００７４】
次に、光ディスクの記録信号のアシンメトリの目標値（例えば＋９％）となるように、予め求めておいた図４に示したような反射率比（または露光原盤のアシンメトリや変調度）と光ディスクの記録信号のアシンメトリとの関係から反射率比（または露光原盤のアシンメトリや変調度）を求める（Ｓ１２）。
【００７５】
ついで、ステップＳ１２で求められた反射率比（または露光原盤のアシンメトリや変調度）となるように、ステップＳ１１で求められた「記録用レーザ光の記録パワー」と「反射率比（または露光原盤のアシンメトリや変調度）」との関係から記録用レーザ光の記録パワーを求める（Ｓ１３）。
ステップＳ１３で求められた記録パワーの条件でレジスト層露光工程を実施する（Ｓ１４）。
【００７６】
レジスト基板内の記録感度の変動が小さい場合には、この方法によって光ディスクの記録信号のアシンメトリを規格範囲内に精度良く収めることができる。
【００７７】
本発明に係る露光制御方法の第２の実施の形態を図５を参照しながら説明する。
この方法は記録用レーザ光を走査している過程の中で露光部分近傍の信号評価を行い、その評価結果を基に直ちに記録用レーザ光の記録パワーにフィードバックして、その調整を行うものである。
【００７８】
図５は図２の露光装置における本発明の露光制御方法の態様を示すものであり、レジスト層露光工程の段階でレジスト基板のレジスト層表面に３つのレーザ光を照射してピット列方向に走査している様子を示している。
【００７９】
これは図２の露光装置においてグレーティング１９を活用することにより、１つのビーム発生源１１からのレーザ光が３つのビームに分けてレジスト層表面に照射され、それぞれ同じ径のスポットＡ、Ｂ、Ｃの光点となっている。ここでは、スポットＡにより記録が行われる。また、スポットＢとスポットＣとのパワーは等しく、スポットＡの約３０分の１と小さく、レジスト層の信号を読み取るために用いられる。これらスポットＡを中心としてその近傍にスポットＢ、Ｃが配置されている。
【００８０】
この態様において次のような露光制御が行われる。
まず、光ディスクの記録信号のアシンメトリの目標値（例えば＋９％）となるように、予め求めておいた図４に示したような反射率比と光ディスクの記録信号のアシンメトリとの関係から反射率比Ｒを求められる（Ｓ２１）。露光のスタート時には、その反射率比Ｒとなるように予め用意された図３に示したような記録用光の記録パワーと反射率比との関係から求められた記録パワーの記録用光がスポットＡに照射される。
【００８１】
スポットＢは実際のビーム走査方向において記録用スポットＡよりも先行した配置となっており、露光前のレジスト層の反射光量を計測する（Ｓ２２）。スポットＣは実際のビームの走査方向において記録用スポットＡよりも後ろの配置となっており、露光後のレジスト層の反射光量を計測する（Ｓ２３）。いずれの反射光量も、それぞれのスポットからの反射光を図２のビームスプリッタ１３及び集光レンズ１７を介して分割フォトディテクタ１８で検出し計測されるものである。
【００８２】
次に、それらの反射光量の比、すなわち（スポットＣの反射光量）／（スポットＢの反射光量）を求める（Ｓ２４）。この反射光量比は、上記露光評価方法で述べた反射率比に相当する。
【００８３】
ステップＳ２１で求めてあった反射率比Ｒと、ステップＳ２４で求められた反射光量比とを比較して、それらが一致するか確認する（Ｓ２５）。
両者が一致した場合、その記録パワーの条件でのレーザ光照射（露光）が継続される（Ｓ２６）。
両者が一致しない場合、ステップＳ２１の記録パワーとステップＳ２４の反射光量比との関係に基いて、前記記録用レーザ光の記録パワーと反射率比との関係を修正する（Ｓ２７）。例えば、図３において記録用レーザ光の記録パワーと反射光量比（反射率比）との関係から求めて、その記録パワー条件にスポットＡのレーザ光の条件を修正し、露光を実施する（Ｓ２８）。
【００８４】
上記ステップＳ２２からＳ２８までの一連の処理はごく短時間（μｓオーダー）で行われるものであり、レジスト基板のレジスト層表面に３つのレーザ光を照射してピット列方向に走査している過程の中で連続して行われるものである。
【００８５】
以上の露光制御方法によって、常に反射光量比が一定になるように記録用レーザ光の記録パワーを制御することができ、ひいてはその露光原盤により作製された光ディスクの記録信号のアシンメトリを一定とすることができる。特に、この露光制御方法では、図６に示すようなレジスト基板の内周と外周との間に記録感度差があるような場合でも、図７に示すように「露光原盤の反射率比」と「光ディスクのアシンメトリ」の関係は図４と同様に保たれるので、上記露光制御方法を用いることにより光ディスク全体に渡って安定した信号品質が得られることが特徴である。
【００８６】
次に、本発明に係る露光制御方法の第３の実施の形態を図８を参照しながら説明する。この方法は、記録感度の差が小さく、半径方向に緩やかな記録感度の差が存在するようなレジスト基板にも対応できるように第２の実施の形態を改良したものである。
すなわち、図８では、図２の露光装置のグレーティング１９を活用することにより、１つのビーム発生源１１からのレーザ光が３つのビームに分けてレジスト層表面に照射され、真円のスポットＡ、並びにレジスト基板半径方向が長径となる楕円形状のスポットＢ、Ｃの光点となっている。ここでは、スポットＡにより記録が行われ、スポットＢとスポットＣとのパワーは等しく、スポットＡの約３０分の１と小さく、レジスト層の信号を読み取るために用いられる。また、スポットＡを挟むようにその近傍にスポットＢ、Ｃが配置されている。
【００８７】
この態様において露光制御は上記第２の実施の形態における場合と同様である。この方法によって、常に反射光量比が一定になるように記録用レーザ光の記録パワーを制御することができ、ひいてはその露光原盤により作製された光ディスクの記録信号のアシンメトリを一定とすることができる。特に、この露光制御方法では、記録感度の差が小さく、半径方向に緩やかな記録感度の差が存在するようなレジスト基板も精度良く制御することが可能となる。
【００８８】
また、この実施形態による方法には、第二の実施の形態よりもグレーティングの角度調整や記録用レーザ光学系の位置調整が簡単となる利点もある。
【００８９】
また、本発明に係る露光制御方法及び露光評価方法は、上記無機レジスト材料に対してレーザ光と水銀ランプの光とを組み合わせた光で露光する方法にも適用可能である。例えば、波長６６０ｎｍの赤色半導体レーザと、波長１８５ｎｍ、２５４ｎｍ、及び４０５ｎｍ程度にピークを有する水銀ランプからの露光との組み合わせである。
【００９０】
【実施例】
レジスト材料としてＷの３価とＭｏの３価との不完全酸化物を用いて図１Ａ〜Ｊに示した製造工程に従って原盤を実際に作製し、最終的に光ディスクを作製した。特に、レジスト層露光工程においては上記第二の実施の形態の露光制御方法によって露光制御を行った。以下、図１Ａ〜Ｊを参照しながら実施内容を説明する。
【００９１】
まず、シリコンウエハを基板１００（図１Ａ）とし、その基板上に、スパッタリング法によりアモルファスシリコンからなる中間層１０１を８０ｎｍの膜厚で均一に成膜した。ついで、その上にスパッタリング法によりＷとＭｏとの不完全酸化物からなるレジスト層１０２を均一に成膜した（図１Ｂ）。このとき、ＷとＭｏとの不完全酸化物からなるスパッタターゲットを用い、アルゴン雰囲気中でスパッタリングを行った。このとき、堆積したレジスト層をＥＤＸ（Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ Ａｎａｌｙｓｉｓ）にて解析したところ、成膜されたＷとＭｏとの不完全酸化物におけるＷとＭｏとの比率は８０：２０であり、酸素の含有率は６０ａｔ．％であった。また、レジスト層の膜厚は５５ｎｍであった。
【００９２】
レジスト層の成膜が終了したレジスト基板を、図２に示す露光装置のターンテーブル上に載置した。ついでターンテーブルを所望の回転数で回転させながら照射閾値パワー未満のレーザを照射し、レジスト層にフォーカスが合うようにアクチュエータにて対物レンズの高さ方向の位置を設定した。
【００９３】
次に、光学系を固定した状態で、ターンテーブルに設けられた送り機構により所望の半径位置にターンテーブルを移動させ、図５に示すように露光装置のグレーティングを活用することにより、１つのビーム発生源からのレーザ光を３つのビームに分けてレジスト層表面に照射した。このとき、スポットＡでは情報データに応じてピットに対応する照射パルスをレジスト層に照射し、レジスト層を露光する。スポットＢでは露光前のレジスト層の反射光量が計測される。ここでは、光ディスクの記録信号のアシンメトリが＋９．５％、すなわち反射率比０．９２となるように、上記第２の実施の形態で示した露光制御方法に基いて露光制御を行った。
【００９４】
また、このとき、ターンテーブルを回転させたままレジスト基板の半径方向にターンテーブルを連続的に僅かな距離にて移動させながら、露光を行った。このときの露光条件を以下に示す。
・露光波長：４０５ｎｍ
・露光光学系の開口数ＮＡ：０．９５
・変調方式：１７ＰＰ
・ピット長：１１２ｎｍ
・トラックピッチ：３２０ｎｍ
・露光時の線速度：４．９２ｍ／ｓ
・書込方式：相変化ディスクと同様な簡易書込み方式
・記録パワー（初期値）：１３．０ｍＷ（スポットＡ）
・評価パワー：各０．２ｍＷ（スポットＢ、Ｃ）
【００９５】
上記露光後に所定の現像、電鋳、射出成型、反射膜、保護膜形成を行い、１２ｃｍ径の光ディスクを得た。尚、以上の露光原盤から光ディスクを得るまでの工程は従来公知の技術で製造した。得られた光ディスクでは、１３０ｎｍ長のピット、幅１４９ｎｍの線状ピットなどが実際の信号パターンに対応する状態でピットが形成されており、記録容量２５ＧＢの光ディスクとなっていることが確認された。
【００９６】
（比較例）
上記実施例における光ディスクの製造工程のうち、レジスト層露光工程において本発明の露光制御方法を適用せずに従来の露光方法（記録パワー一定）で処理を行い、それ以外は同じ製造条件で光ディスクを製造した。
【００９７】
尚、露光工程終了の段階で露光原盤に評価用レーザ光を照射し、本発明による記録信号特性（反射率比）の評価を行なったところ、ディスク半径３７ｍｍ〜４０ｍｍの領域のみが最終製品の信号特性を満足するものと予測された。
【００９８】
上記実施例及び比較例で得られた記録容量２５ＧＢの光ディスクについて、光ディスク全周にわたってアシンメトリを測定した。その結果を図９に示す。
【００９９】
実施例においては、光ディスクの半径方向の全長でアシンメトリが安定してほぼ目標値（＋９．５％）となっており、ＤＶＤ−ＲＯＭ規格で判定すると信号品質の優れた合格品であることが確認された。これに対して、比較例の光ディスクでは内径から外径にかけてアシンメトリが大きく増加しており、ＤＶＤ−ＲＯＭ規格で判定すると内周部、外周部において信号品質がＮＧとなっていた。
これは、レジスト基板の記録感度がレジスト層の膜厚変動などにより半径方向に不可避的に変化しているが、従来の露光制御方法では感光結果、すなわち凹部寸法精度にその記録感度の変化が修正されることなくそのまま現れてしまう結果である。これに対して、本発明によればその記録感度の変化による感光結果の変動を適切に修正できることが示されている。
【０１００】
尚、本発明において、上述した説明においては、主として記録ピット（マーク）について説明したが、トラッキングあるいはアドレス用等のグルーブを有する光ディスクを製造する場合に、本発明を適用することもできる。
【０１０１】
また、例えば露光原盤に対する評価用レーザ光照射において、そのレーザ光源の例えば半導体レーザに高周波重畳を行うことによってレーザ光の安定化を図ることができる。
【０１０２】
また、レジスト層に対する記録用レーザ光によるパターン露光においては、各ピットに関して、図１２Ａ〜Ｃにおける曲線ａで示す単一パルス光によって行う場合に限らず、図１２Ａ〜Ｃに示すように、例えばｎＴのマークの記録において、（ｎ−１）のパルスによる記録、ｎ／２のパルス光による記録、あるいはダンベル（凹字状）パターンのパルス光などによることもできるなど、種々の形態をとることができる。
【０１０３】
また、上述した例では、原盤１０４から直接的に成型用スタンパ１０６を形成した場合であるが、原盤１０４から、例えば複数のマスタースタンパを作製し、このマスタースタンパの転写によってマザースタンパを作製して、成型用スタンパ１０６を得ることができる。このように、１つの原盤１０４から複数のマスターを得ることができるのは、本発明によるときは、原盤の情報凹凸パターンが無機レジストによって構成され、これが強靭であることから可能となるものである。
【０１０４】
そして、上述した本発明製造方法を実施する記録用レーザ光、評価用レーザ光を得る半導体レーザは、例えばペルチェ素子等によってその温度制御を行って半導体レーザの温度を一定としてレーザ光の出力の安定化を図ることが望ましいものである。
【０１０５】
【産業上の利用可能性】
本発明に係る露光制御方法によって、露光工程の段階で、露光処理前のテスト露光、あるいは露光直後にその露光部分の記録信号特性（反射光量比、露光原盤に記録された信号に関する再生信号のアシンメトリ）に基いて、その露光条件による最終製品の良否が判定できることから、その結果から直ちにつぎの露光予定領域に対して露光装置の記録パワーの決定や修正が可能となる。また、前記反射光量の比が一定となるように、前記記録用光の記録パワーを調整することによって、最終的な光ディスクの記録信号のアシンメトリをディスク全体で一定とすることができる。
【０１０６】
本発明に係る露光評価方法によって、露光原盤から最終的な光ディスクの記録信号のアシンメトリの推定が可能となり、露光工程の段階で最終製品の信号品質の判定をすることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ａ〜Ｊ 本発明による光ディスク製造用原盤の作製及び光ディスクの製造工程図である。
【図２】本発明を適用したレジスト層露光工程で用いられる露光装置を模式的に表す図である。
【図３】本発明による光ディスク製造用原盤の作製方法及び光ディスクの製造方法における露光時の記録パワーと露光前後の反射率比との関係を示す図である。
【図４】本発明による光ディスク製造用原盤の作製方法及び光ディスクの製造方法における露光原盤の反射率比と光ディスクの記録信号のアシンメトリとの関係を示す図である。
【図５】本発明方法の一実施の形態例の露光態様を示す図である。
【図６】内周、外周で記録感度の異なるレジスト基板における露光時の記録パワーと露光前後の反射率比との関係を示す図である。
【図７】内周、外周で記録感度の異なるレジスト基板を用いた場合の露光原盤の反射率比と光ディスクの記録信号のアシンメトリとの関係を示す図である。
【図８】本発明方法の、他の実施の形態例の露光態様を示す図である。
【図９】本発明方法を適用した場合の光ディスクの半径方向におけるアシンメトリ測定結果を示す図である。
【図１０】本発明の説明に供する露光原盤上の露光パターンのピット列とこれによる再生信号（反射光量）との関係を示す図である。
【図１１】本発明の説明に供する露光原盤上の露光パターンによる再生信号の波形図である。
【図１２】Ａ〜Ｃ それぞれレジスト基板に対する露光信号パルスを示す図である。
【図１３】Ａ〜Ｊ 従来の光ディスクの製造工程図である。
【引用符号の説明】
１１ ビーム発生源
１２ コリメータレンズ
１３ ビームスプリッタ
１４ 対物レンズ
１５ レジスト基板
１６ ターンテーブル
１７ 集光レンズ
１８ 分割フォトディテクタ
１９ グレーティング
９０，１００ 基板
９１，１０１ レジスト層
９２，１０２ レジスト基板
９３，１０３ 露光原盤
９４，１０４ 原盤
９５，１０５ メッキ層
９６，１０６ 成型用スタンパ
９７，１０７ 光ディスク基板
９８，１０８ 反射膜
１１０ 中間層
２００，３００ 光ディスク
【技術分野】
本発明は、光ディスクの製造において、トラッキング用、アドレス用等のグルーブや、データ記録のピット等の凹凸パターンを有する光ディスク基板を、例えば射出成型、２Ｐ（Ｐｈｏｔｏ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）法によって形成するスタンパを転写作製するための光ディスク製造用原盤の作製方法及び光ディスクの製造方法に関する。
【０００２】
【背景技術】
近年、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）などの光ディスクは記録媒体として幅広い分野で使用されるようになった。
【０００３】
この光ディスクは、ポリカーボネート等の光学的に透明な光ディスク基板上に各種情報信号例えばアドレス信号、トラッキング信号を得るグルーブ、データ情報信号の記録部としてのピット等の微細な情報凹凸パターンが形成され、この上にアルミニウム等の金属薄膜からなる反射膜が形成され、更にその反射膜上に保護膜が形成された構造を有する。
【０００４】
この光ディスクは、図１３Ａ〜図１３Ｊに示すような製造工程を経て製造される（例えば特開２００１−１９５７９１号公報、段落［０００２］〜［０００６］参照）。
【０００５】
まず、ガラス基板９０を用意し（図１３Ａ）、表面を充分に平滑にしたガラス基板９０の上に、感光性のフォトレジスト（有機レジスト）からなるレジスト層９１を均一に形成してレジスト基板９２を構成する（図１３Ｂ）。
【０００６】
ついで、記録用レーザ光をレジスト基板９２のレジスト層９１上で基板９０の内周部から外周部、あるいは外周部から内周部にかけてらせん状に相対的に走査させながら、情報信号パターンに対応させてオンオフ制御した記録用レーザ光を照射してレジスト層９１に、最終的に得る光ディスク基板の情報凹凸パターンに対応するパターン露光すなわち感光を行った露光原盤９３を形成する（図１３Ｃ）。
【０００７】
次に、レジスト層９１を現像することによって所定の凹凸パターンが形成された原盤９４を得る（図１３Ｄ）。
次に、電鋳法によって原盤９４の凹凸パターン面上に金属ニッケルメッキ層９５を形成する（図１３Ｅ）。このメッキ層９５を原盤９４から剥離し、所定の加工を施し、原盤９４の凹凸パターンが転写された成型用スタンパ９６を得る（図１３Ｆ）。
この成型用スタンパ９６を用いて射出成型法によって熱可塑性樹脂のポリカーボネートによる樹脂製の光ディスク基板９７を成形する（図１３Ｇ、Ｈ）。
ついで、この光ディスク基板９７の凹凸面にＡｌ合金の反射膜９８（図１３Ｉ）と保護膜９９とを成膜することにより光ディスク２００を得る（図１３Ｊ）。
【０００８】
このようにして製造された光ディスクは品質検査された後に製品となるが、この品質項目の１つとしてアシンメトリ（Ａｓｙｍｍｅｔｒｙ）がある。アシンメトリは、信号再生したとき再生信号の振幅の非対称性を示すものであり、光ディスクの再生信号の品質の指標となり、プレーヤや光ピックアップの評価の基準にもなる重要項目である。更に、アシンメトリは光ディスクに形成される凹凸パターンのうち、凹部（ピット）の寸法変動の影響を受けるため、最近の光ディスクの高容量化に伴って凹凸パターンが微細化される状況においては、より重要な管理項目となってきている。
【０００９】
以上のことから、光ディスクのピットの寸法変動を抑制すべく上記製造工程において各工程の適正製造条件が設定され、アシンメトリがある一定の範囲内に収まるように管理されている。特に光ディスクの製造における原盤作製の工程はピット形成に重大な影響を及ぼす工程であり、厳格な管理が要求されている。
尚、アシンメトリの管理範囲として、ＤＶＤ−ＲＯＭの規格では−５〜＋１５％の範囲とされている。
【００１０】
しかしながら、アシンメトリは信号再生したときのＲＦ信号パターンから求められることから、露光後のレジスト層の潜像からそれを測定することは困難であり、上記製造工程の最終製品の段階（図１３Ｊ）の光ディスクでしか測定ができなかった。そのため、その結果がＮＧ（Ｎｏ Ｇｏｏｄ）であった場合にはそれまでの一連の労力、製造時間、製品が無駄になってしまっていた。したがって、露光工程の製造条件起因の不良が発生した場合にはその損失は著しい。
【００１１】
また、通常は、最終工程後で判明したアシンメトリ測定結果を製造工程へフィードバックするため、製造条件の素早い修正もできなかった。特に露光工程の製造条件修正に関して、そのロットが露光工程を通過した時点から、そのロットの最終工程からのフィードバック情報に基いて修正された露光条件が反映されるまでの間には多くの時間を要していた。更に、露光工程の製造条件起因の不良が発生した場合には、不良原因究明にも時間がかかることから、条件の修正を反映させるまでに更に多大な時間を要し、全体の生産性を阻害することにもなっていた。
【００１２】
更に、上記露光工程では、レジスト基板におけるレジスト層を構成するレジスト材料に対応して設定された露光装置の記録パワーに基づき、露光条件一定でレジスト層への露光が行なわれるために、レジスト基板でレジスト層の記録感度が変動している場合にはその感度変動がそのまま記録される信号品質に影響を及ぼしていた。また、レジスト基板のロット間の記録感度のばらつきへの対応も困難であった。
【００１３】
【発明の開示】
本発明は、上述の従来技術における問題に鑑みてなされたものであり、光ディスク製造用原盤の作製における露光工程においてレジスト層に対する、露光直後に、その露光部分の記録信号特性から光ディスクの記録信号特性（アシンメトリ）の予測評価を可能ならしめ、更にはその評価結果に基いて直ちに露光装置の記録パワーの修正ができるようにして、高い生産性及び良品率をもって光ディスクを製造することのできる原盤の作製方法及び光ディスクの製造方法を提供する。
【００１４】
すなわち、本発明者らは、光ディスク製造用原盤の作製において、レジストとして、露光によって化学的に状態変化を生じさせる無機レジストを用いた場合、この露光による無機レジスト材料の化学的な状態変化に対応して光の反射率（反射光量）等が変化する現象を利用し、更に無機レジスト層の記録信号特性より求められる反射率や変調度とアシンメトリと、最終的に得る光ディスクにおけるそれぞれの反射率や変調度とアシンメトリとの相関が対応することに着目し、鋭意検討を行った結果、本発明による光ディスク製造用原盤及び光ディスクの製造方法を見出すに至ったものである。
【００１５】
本発明による光ディスク製造用原盤の作製方法は、基板上に形成された無機レジスト層に対して、光ディスクに形成される情報凹凸パターンの情報信号に対応する情報信号によって変調された記録用レーザ光を照射して、前記光ディスクの前記情報凹凸パターンに対応する露光パターンを形成する露光工程と、その後前記無機レジスト層に対し、現像処理を行って、前記無機レジスト層による前記情報凹凸パターンに対応する凹凸パターンを形成する現像工程とを有し、前記露光工程において、前記無機レジスト層の前記記録用レーザ光の照射位置の近傍の、前記記録用レーザ光の未露光領域及び露光領域に評価用レーザ光を照射し、前記評価用レーザ光の前記未露光領域からの反射率と、前記露光領域からの反射率との比が、データ測定用レジスト基板への露光により予め選択した反射率比の範囲内となるように前記記録用レーザ光のパワー制御を行うことを特徴とする。
【００１６】
また、本発明は、上述の光ディスク製造用原盤の作製方法において、その無機レジスト層として、遷移金属の不完全酸化物を含んだレジスト層を用いることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明は、上述の光ディスク製造用原盤の作製方法において、前記評価用レーザ光を照射する所定領域が、前記無機レジストの前記記録用レーザ光の照射領域以外の領域とすることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明は、上述の光ディスク製造用原盤の作製方法において、前記記録用レーザ光を照射しながら、前記評価用レーザ光の照射を、前記記録用レーザ光の照射位置の近傍に照射することを特徴とする。
【００１９】
また、本発明は、上述の光ディスク製造用原盤の作製方法において、前記記録用レーザ光を照射しながら照射する前記評価用レーザ光を、前記記録用レーザ光の照射位置の近傍の、前記記録用レーザ光の未露光領域及び露光領域に照射し、前記評価用レーザ光の前記未露光領域からの反射光量と、前記露光領域からの反射光量との比によって前記無機レジスト層による前記露光パターンの記録信号特性を評価することを特徴とする。
【００２０】
また、本発明による光ディスクの製造用原盤の製造方法は、前記反射光量の比が一定となるように、前記記録用レーザ光のパワー制御を行うことを特徴とする。
【００２１】
そして、本発明による光ディスクの製造方法は、光ディスク製造用原盤の作製工程と、前記原盤から前記光ディスク製造用のスタンパを転写作製するスタンパ作製工程と、前記スタンパによって光ディスク基板を転写製造する工程と、この光ディスク基板上に、反射膜を成膜する工程と、保護膜を成膜する工程とを有し、前記原盤の作製工程は、基板上に形成された無機レジスト層に対して、前記光ディスクに形成される情報凹凸パターンの情報信号に対応する情報信号によって変調された記録用レーザ光を照射して、前記光ディスクの前記情報凹凸パターンに対応する露光パターンを形成する露光工程と、その後前記無機レジスト層に対し、現像処理を行って、前記無機レジスト層による前記情報凹凸パターンに対応する凹凸パターンを形成する工程とを有し、前記露光工程において、前記無機レジスト層の前記記録用レーザ光の照射位置の近傍の、前記記録用レーザ光の未露光領域及び露光領域に評価用レーザ光を照射し、前記評価用レーザ光の前記未露光領域からの反射率と、前記露光領域からの反射率との比が、データ測定用レジスト基板への露光により予め選択した反射率比の範囲内となるように前記記録用レーザ光のパワー制御を行う。
【００２２】
また、本発明による光ディスクの製造方法は、前記無機レジスト層が遷移金属の不完全酸化物を含んだレジスト層であることを特徴とする。
【００２３】
上述した本発明による原盤作製方法においては、露光部と未露光部とにおいて反射率が相違する無機レジスト層が用いられることによって、この反射率の差を利用して、評価用レーザ光の照射により、露光状態を評価することができ、この評価に基いて露光パワーの設定、もしくは露光パワーを変化させる制御を行って、レジスト層の露光工程で、最終的に得る光ディスクでの情報凹凸パターンで要求される特性、具体的には例えばＤＶＤ−ＲＯＭにおける−５〜＋１５％の要求値範囲のアシンメトリが得られるようにすることができるものである。
【００２４】
すなわち、本発明によれば、原盤作製の露光工程の段階で、露光処理前のテスト露光を上述した情報信号に基いて行っておくことによって、これからの評価用レーザ光の反射光によって、この露光パターンの記録信号特性の評価を行って、この露光条件による最終製品の良否を判定し、その結果から直ちに記録用の露光予定領域に対して露光装置の記録パワーの決定が可能となる。
【００２５】
ここで、露光パターンの記録信号特性の評価とは、露光原盤の記録信号特性、すなわち反射率比や変調度とアシンメトリとについて所定の範囲内にあるか否かを評価することであり、これによって最終製品の光ディスクの記録信号特性の判定を行うことができるものである。これは後述するところから明らかなように、レジスト層の上述した記録信号特性と、光ディスクの記録信号特性、具体的には光ディスクの反射率比や変調度とアシンメトリとの関係が、互いに対応する関係にあることによる。
【００２６】
ここで、評価用レーザ光は、レジスト層に対してその感光が生じない程度のパワーのレーザ光であり、この評価用レーザ光は、記録用レーザ光と同一の、例えば半導体レーザを用いて、そのパワーを切り換えることによって得たレーザ光を用いることもできるが、評価用レーザ光と、露光用すなわち記録用レーザ光と同時に用いるときは、異なる半導体レーザを用いるとか、１本のレーザ光を、グレーティングやホログラム等によって分岐し、例えばその０次光を記録用レーザ光として用い、±１次光を評価用レーザ光とすることができる。
【００２７】
次に、本発明における例えばレジスト層の反射率比（いわば規格化した反射光量比）、変調度、アシンメトリの定義は、光ディスクにおけると同様の定義によるものであるが、これについて図１０を参照して説明する。
【００２８】
図１０Ａの曲線４００は、１７ＰＰ変調方式における図１０Ｂで示したピット（マーク）列に対する評価用レーザ光の照射による反射光量を光ピックアップ装置で検出した再生信号波形を示す。図１０Ａで示すように、ＩＭ、Ｉ８Ｈ、Ｉ８Ｌ、Ｉ２Ｈ、Ｉ２Ｌは、それぞれ未露光部、８Ｔスペース、８Ｔピット、２Ｔスペース、２Ｔピットの再生出力、すなわち反射光量（戻り光量）である。
【００２９】
そして、反射率比は、全ピット及びスペースに対する戻り光の総量の平均Ｉｓと、未露光部に対する戻り光ＩＭとの比Ｉｓ／ＩＭとして定義され、変調度は、（Ｉ８Ｈ−Ｉ８Ｌ）／ＩＭとして定義され、アシンメトリは、｛（Ｉ８Ｈ＋Ｉ８Ｌ）−（Ｉ２Ｈ＋Ｉ２Ｌ）｝／｛２×（Ｉ８Ｈ−Ｉ８Ｌ）｝で定義される。
【００３０】
そして、実際には、露光した部分にはいろいろな長さのピット（マーク；例えば露光部）やスペースがあるため、再生時にはフォトディテクタから図１１に示すような、アイパターンが得られる。この場合、変調方式は１７ＰＰであるので最長スペースやマークは８Ｔ、最短スペースやマークは２Ｔとなる。
【００３１】
【発明を実施するための最良の形態】
本発明による光ディスク製造用原盤の作製方法と光ディスクの製造方法の実施の形態を例示説明する。
【００３２】
まず、本発明による光ディスク製造用原盤と、この原盤を用いて光ディスクを製造する、本発明による光ディスクの製造方法を図１Ａ〜Ｊの工程図を参照して説明する。
原盤を構成する基板１００の上に、スパッタリング法により所定の無機系のレジスト材料からなるレジスト層１０１を用意する（図１Ａ）。この基板１００を均一に成膜してレジスト基板１０２を得る（図１Ｂ）。
【００３３】
このレジスト層１０１のレジスト材は、遷移金属の不完全酸化物を含み、該不完全酸化物は、酸素の含有量が前記遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成の酸素含有量より小さいものであるようなレジスト材料より成る。この場合、レジスト層１０１の記録感度の改善のために基板１００とレジスト層１０１との間に所定の中間層１１０を形成してもよい。
尚、レジスト層１０１の膜厚は任意に設定可能であるが、１０ｎｍ〜１２０ｎｍの範囲内が好ましい。
【００３４】
次いで、既存のレーザ装置を備えた露光装置を利用して、レジスト層１０１に目的とする光ディスクにおける情報凹凸パターンに対応した情報信号によってオン・オフ変調した記録用レーザ光による選択的露光による露光工程を行って露光原盤１０３を作製する（図１Ｃ）。このとき、レジスト層１０１のレジスト材を構成する遷移金属の不完全酸化物は、紫外線又は可視光に対して吸収を示し、紫外線又は可視光が照射されることでその化学的性質が変化する。
【００３５】
更に、レジスト層１０１を現像することによって所定の凹凸パターンが形成された原盤１０４を得る（図１Ｄ）。この場合、無機レジストでありながら酸またはアルカリ水溶液に対して露光部と未露光部とでエッチング速度に差が生じる、いわゆる選択比が得られることを利用して現像することができる。
【００３６】
次に、電鋳法によって原盤１０４の凹凸パターン面上に金属ニッケルメッキ層１０５を形成する（図１Ｅ）。このメッキ層１０５を原盤１０４から剥離し、所定の加工を施し、原盤１０４の凹凸パターンが転写された成型用スタンパ１０６を得る（図１Ｆ）。
【００３７】
この成型用スタンパ１０６を用いて射出成型法によって熱可塑性樹脂のポリカーボネートによる樹脂製の光ディスク基板１０７を成形する（図１Ｇ、Ｈ）。
【００３８】
ついで、この光ディスク基板１０７の凹凸面に例えばＡｌ合金による反射膜１０８（図１Ｉ）と保護膜１０９とを成膜することにより光ディスク３００を得る（図１Ｊ）。
【００３９】
上記レジスト層１０２に適用されるレジスト材料は、遷移金属の不完全酸化物である。ここで、遷移金属の不完全酸化物とは、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成より酸素含有量が少ない方向にずれた化合物のこと、すなわち遷移金属の不完全酸化物における酸素の含有量が、上記遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成の酸素含有量より小さい化合物のことと定義する。これにより、この材料からなるレジスト層１０２は、その遷移金属の完全酸化物の状態では透過してしまう紫外線または可視光の光エネルギーを吸収することが可能となり、無機レジスト材料の化学的な状態変化を利用した信号パターンの記録が可能となる。
【００４０】
レジスト材料を構成する具体的な遷移金属としては、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ａｇ等が挙げられる。この中でも、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｂ、を用いることが好ましく、紫外線又は可視光により大きな化学的変化を得られるといった見地から特にＭｏ、Ｗを用いることが好ましい。
【００４１】
そして、本発明製造方法においては、上述した原盤作製の露光工程に先立って予め上述したレジスト基板１０２と同様のデータ測定用レジスト基板を用意し、これに対する露光を行ってその記録信号特性としての、前述した反射率比と、変調度と、アシンメトリとの少なくともいずれかの測定データを求めて置く。
【００４２】
これらデータは、データ測定用レジスト基板上に、例えば目的とする光ディスクにおいて、１７ＰＰ変調方式によるデータ記録を得ようとする場合は、この１７ＰＰの記録信号に基く露光を例えば複数の同心円上にその記録用レーザ光のパワーを変化させて露光パターンを形成する。
【００４３】
これら記録パワーを変化させた露光パターンを、評価用レーザ光を照射して、その反射光（戻り光）を検出して、例えば反射率比を求め、図３に示す反射率比対記録パワーの関係を求める。
【００４４】
次に、この測定に用いたデータ測定用レジスト基板によって、前述した図１Ｄ〜Ｊと同様の工程を経てデータ測定用の光ディスクを作製する。
このデータ測定用の光ディスク上に形成された情報凹凸パターンの情報信号を再生してアシンメトリの測定を行う。
このようにして、図４に示す、光ディスクのアシンメトリと、先に求めた露光原盤の反射率比との関係を得る。
【００４５】
このようにして得た図４のデータを基に、光ディスク製造用原盤の製造工程における図１Ｃの露光工程の露光、すなわち記録用レーザ光のパワー制御を行う。
【００４６】
この場合、製造原盤毎に図３と同様の反射率比と記録パワーとの関係のデータを求め、先に得た図４のデータから、光ディスクにおいて求めるアシンメトリに応じた反射率比が得られるレーザ光による記録パワーを求め、この記録パワーの制御のもとに露光がなされる。
すなわち、この場合、例えばレジスト基板１０２に対し、その無効領域すなわちスタンパ形成に用いられる領域外の例えば外周無効領域に対して記録用レーザ光のパワーを変化させるテスト露光を行い、この露光部に評価用レーザ光を照射し、その記録信号特性（反射率比、変調度、アシンメトリ）を測定し、先に求めた図４のデータと比較して、最終的に得られる光ディスクにおいて要求されるアシンメトリが得られる露光パワーすなわち記録用レーザ光のパワーを求め、これによってすべての記録領域の露光処理を行う。
【００４７】
この方法は、レジスト基板における記録感度の変動が極端に大きくない限りは、特に光ディスクの記録信号のアシンメトリを規格範囲内に精度良く収めることができる。
【００４８】
また、レジスト基板における記録感度の変動が大きい場合においても、この露光工程において、記録用レーザ光を照射しながら、その記録用レーザ光の照射位置の近傍の未露光領域、露光領域それぞれに評価用レーザ光を照射し、その未露光領域、露光領域のそれぞれに照射される評価用レーザ光によって得られる未露光領域の反射光量に対する露光領域の反射光量の比からレジスト層１０１の記録信号特性（反射率比、変調度、アシンメトリ）の評価を行い、その評価結果に基いてその比が一定となるように記録用レーザ光の記録パワーを修正する。
特に、露光工程においては、露光装置の状態や基板の状態が製造条件の変動要因となることから、この修正は有効である。また、この方法は、レジスト基板１０２の近傍領域では、一般に近似の記録信号特性が得られることから、その修正が有効になされる。
【００４９】
尚、他のレジスト基板によって、例えば、レジストのスパッタマシーンの特性を知り、記録感度の変動の傾向に応じて、評価用レーザ光の照射形態（スポット形状）を調整することが望ましい。例えば、記録感度の差が小さく、半径方向に緩やかな記録感度の差が存在するような場合は、評価用レーザ光スポットは、レジスト基板の半径方向を長径とする楕円形状のスポットとする。
【００５０】
また、上述した評価用レーザ光の反射光量の比が一定となるように、記録用レーザ光の記録パワーを調整することにより、最終的に得る光ディスクの記録信号のアシンメトリをディスク全体で一定とすることができる。この方法は、特にレジスト基板の記録感度がレジスト層の膜厚変動などにより半径方向に不可避的に変化する場合に有効であり、その記録感度の変化による感光結果の変動を適切に修正できる。
【００５１】
また、予め、反射率比とアシンメトリとの関係を得ておくことにより、レジスト基板１０２におけるレジスト層１０１に光を照射しながら、その記録用レーザ光の照射位置の近傍の所定領域に評価用レーザ光を照射し、この評価用レーザ光を照射した時の反射光量によって、上述した、予め得ておいた反射率比とアシンメトリとの関係から光ディスクの記録信号特性の予測評価を行うことができる。
【００５２】
この方法により、露光原盤から最終的な光ディスクの記録信号のアシンメトリの推定が可能となり、露光工程の段階で最終製品の信号品質の予測及び判定をすることができるようになる。
【００５３】
図２を参照してレジスト露光工程で使用される露光装置の構成を示す。この装置は、レジスト層が露光される例えばレーザ光を発生するビーム発生源１１が設けられ、これよりのレーザ光が、コリメータレンズ１２、グレーティング１９、ビームスプリッタ１３を通じ、対物レンズ１４によってレジスト層が成膜されたレジスト基板１５のレジスト層にフォーカシングされて照射される構成を有する。また、この露光装置は、レジスト基板１５からの反射光をビームスプリッタ１３及び集光レンズ１７を介して分割フォトディテクタ１８上で結ぶ構成を有する。分割フォトディテクタ１８は、レジスト基板１５からの反射光を検出し、この検出結果から得られるフォーカス誤差信号を生成し、フォーカスアクチュエータ（図示せず）に送る。フォーカスアクチュエータは、対物レンズ１４の高さ方向の位置制御を行うものである。ターンテーブル１６には送り機構（図示せず）が設けられており、レジスト基板１５の露光位置を精度良く変えることができる。
【００５４】
また、この露光装置においては、情報信号、反射光量信号に基いて、レーザ駆動回路（図示せず）によってレーザビーム発生源１１を制御しながら露光を行う。
【００５５】
更に、ターンテーブル１６の中心軸にはスピンドルモータ制御系が設けられ、光学系の半径位置と所望の線速度とに基いて、最適なスピンドル回転数を設定しスピンドルモータの制御を行う。
【００５６】
レジスト層の露光にあたっては、まずレジスト基板１５を、図２に示される露光装置のターンテーブル１６にレジスト成膜面が上側に配置されるようにセットする。
【００５７】
ついで、ビーム発生源１１からレジスト基板１５へレーザ光を照射しつつ、ターンテーブル１６上に搭載されたレジスト基板１５を回転させながら、ターンテーブル１６とともに半径方向に移動することにより、レジスト基板１５の主面上の内周部から外周部、あるいは外周部から内周部にかけてレジスト層にらせん状もしくは同心円状に信号パターンが記録される。詳しくは、レジスト基板１５上に集光されたビームスポットの光強度がある程度以上であると、レジスト基板１５上の無機レジスト材料に化学的な状態変化が発生し、記録マークが形成されることから、実際の露光では記録用信号パターンに対応させてビーム発生源１１からの出射光量を変化させ、レジスト層の記録マークのパターンを作り出すことにより信号の記録が行われる。
【００５８】
［光ディスク製造用原盤の作製方法］
本発明による光ディスク製造用原盤の作製方法は、図１Ｃの露光工程の段階で行う方法であり、上記露光工程における無機レジスト材料の化学的状態の違いによるレーザ光などの光の反射率の差異を利用し、光ディスクから光ピックアップにより信号を取り出すのと同様に露光原盤から信号を取り出し評価することができる。その詳細を以下に説明する。尚、露光原盤とは、露光後かつ現像前のレジスト基板をいう。
【００５９】
図１Ｃのレジスト層露光工程において、露光前のレジスト基板１５が図２の露光装置のターンテーブル１６上にレジスト成膜面が上側に配置されるようにセットされた状態で評価用レーザ光を照射する（Ｓ１）。
【００６０】
詳しくは、ビーム発生源１１からレジスト基板１５へ露光時のパワーよりも低いレーザ光を照射しつつ、ターンテーブル１６上に搭載されたレジスト基板１５を回転させながら、ターンテーブル１６とともに半径方向に移動することにより、レジスト基板１５の主面上の内周部から外周部、あるいは外周部から内周部にかけて、レジスト層上をらせん状もしくは同心円状にレーザ光が相対的に走査されながら照射される。尚、このときのレーザ光のパワーは露光時の３０分の１程度でよい。
【００６１】
ステップＳ１で照射されたレーザ光がレジスト層で反射された光を露光装置のビームスプリッタ１３、集光レンズ１７を経てフォトディテクタ１８で検出する（Ｓ２）。フォトディテクタ１８で検出された信号の低域成分はレジスト層の反射率と相関があることから、その検出された信号の中から露光前のレジスト層の反射光量（図１０ＡのＩＭ）の半径方向の変動状態を知る（Ｓ３）。
【００６２】
次に、所定の記録パワーのレーザ光の照射によって、レジスト層に後述する露光制御方法に基く露光を行い、記録用信号例えば１７ＰＰ変調方式に対応した記録信号による露光を行う（Ｓ４）。このとき、レジスト層である遷移金属の不完全酸化物のうち、記録用レーザ光が照射された領域ではその化学的性質が変化している。
【００６３】
つづいて、ステップＳ１と同一条件で、レジスト基板１５のレジスト層に記録されたらせん状もしくは同心円状の信号記録部（ピット列、グルーブ等）に沿って、レーザ光が相対的に走査されながら照射される（Ｓ５）。
そして、ステップＳ２と同様に、ステップＳ５で照射されたレーザ光がレジスト層で反射された光を露光装置のビームスプリッタ１３、集光レンズ１７を経てフォトディテクタ１８で検出する（Ｓ６）。フォトディテクタ１８で検出された信号の中から露光後のレジスト層の反射光量（Ｉ８Ｈ、Ｉ８Ｌ、Ｉ２Ｈ、Ｉ２Ｌ）の半径方向の変動状態を取り出す（Ｓ７）。
【００６４】
次いで、ステップＳ３の露光前の反射光量の半径方向の変動状態とステップＳ７の露光後の反射光量の半径方向の変動状態とに基いて各位置における反射率比の半径方向の変動状態を求める（Ｓ８）。この反射率比とは、露光原盤の検出点におけるレジスト層の露光前の反射率を基準とした、露光前後の反射率の比であり、基板条件（基板種類、中間層種類及び厚み）・レジスト条件（無機レジスト種類、厚みなど）・露光条件（光の波長、記録パワーなど）によって決定されるものである。
【００６５】
そして、予め測定しておいた反射率比と光ディスクのアシンメトリとの関係（図４）に基いて、ステップＳ８で求められた反射率比の半径方向の変動状態から最終的に作製される光ディスクのアシンメトリの半径方向の変動状態（図７）を類推し、露光原盤としての信号評価を行なって良否の確認を行う（Ｓ９）。例えば、ＤＶＤ−ＲＯＭ用の露光原盤であれば、最終的に作製される光ディスクの記録領域全面においてアシンメトリが例えば＋５〜＋１０％の範囲内にあるか否かで良品判定を行なう。
【００６６】
ステップＳ８、ステップＳ９について、更に詳細を説明する。
露光時の記録パワーと露光前後の反射率比との関係の一例を図３に示す。ここでは、シリコンを基板とし、レジスト材料としてＷの３価とＭｏの３価との不完全酸化物を用いて、波長４０５ｎｍのレーザ光で上記評価方法に従って露光原盤を実際に作製し、記録用レーザ光のビームスポット径と評価用レーザ光のビームスポット径とは同じで一定とする条件で、記録と評価とを行なった。
【００６７】
図３において、記録用レーザ光の記録パワーが大きくなるにつれて反射率比が低下する傾向が認められた。露光後の無機レジスト材料の化学的な状態変化によって反射率は低下するが、記録パワーが大きくなるほど、その反射率が低下する領域（レジスト層に記録されるマーク）が大きくなるからである。したがって、必ずしも反射率比が小さければよいわけではなく、反射率比が小さすぎると光ディスクの凹部（または凸部）が広がりすぎて光ディスクの記録信号のアシンメトリなどの信号規格を外れてしまうことから、信号規格を満足するには反射率比はある範囲内に存在する必要がある。その参考例を図４に示す。
【００６８】
図４は、図３で作製された露光原盤を使用して、図１Ａ〜Ｊの製造工程に従い光ディスクを作製し、そのアシンメトリを測定した結果である。図４において反射率比とアシンメトリとの間には１対１対応の相関が認められ、例えば反射率比が０．９２０〜０．９２５の範囲内であれば、アシンメトリは＋５〜＋１０％の範囲内（ＤＶＤ−ＲＯＭの管理範囲）に入ることが分かる。
【００６９】
したがって、前述したように、この関係図を予め求めておけば、現像前の露光原盤の反射率比からその原盤から作製される光ディスクの記録信号のアシンメトリを類推し、規格内であるか否かの信号評価を行なうことが可能である。また、レジスト層の厚みなどのレジスト基板の構造が多少異なることによって記録感度が異なる場合でも上記図３、４に示した関係は保たれるため、同一構成の露光原盤であればロット間の多少の変動は気にすることはない。但し、レジスト層現像工程以降の製造条件が一定であることなどが前提である。
【００７０】
また、上記露光評価方法のうち、ステップＳ７においてフォトディテクタ１８で検出された信号の高域成分から露光原盤の記録信号のアシンメトリや変調度を求めることもできる。すなわち、露光部分の反射率が変化することにより、露光あり・なしの領域に反射率の差異が生じ、そこに評価用レーザ光を照射するとその差異により発生する回折現象からＲＦ信号パターンが得られ、そのＲＦ信号パターンからアシンメトリや変調度を求めることができる。こうして求められたアシンメトリや変調度と、この露光原盤を現像し作製された光ディスクの記録信号のアシンメトリとの間にも図３、図４と同様の関係が認められる。したがって、上記露光評価方法と同様の手法で現像前の露光原盤のアシンメトリからその原盤から作製される光ディスクの記録信号のアシンメトリを類推し、規格内であるか否かの信号評価を行なうことが可能である。
【００７１】
以上のように、本発明の露光評価方法を用いれば、レジスト層露光工程の段階でその露光原盤により作製される光ディスクの信号品質を予測評価することができる。
【００７２】
［露光制御方法］
次に、前述した光ディスク製造用原盤の製造方法におけるステップＳ４について詳細に述べる。
この露光制御方法は、図１Ｃの露光工程の段階において、上述した露光評価方法を利用してレジスト基板の露光パターンの記録信号特性の評価を行ない、その評価結果に基いて、該レジスト基板に対する記録用光の記録パワーを調整するものである。その詳細を以下に説明する。
【００７３】
その第１の実施の形態を説明する。
露光前のレジスト基板を用いて、レジスト基板の主面上の内周部や外周部などの光ディスクの記録領域とならない部分（ディスク規格として用いない部分）において試し露光を行い、その露光部分の露光前後の反射率比やアシンメトリや変調度を計測し、図３に示したような記録パワーとの関係を求める（Ｓ１１）。
【００７４】
次に、光ディスクの記録信号のアシンメトリの目標値（例えば＋９％）となるように、予め求めておいた図４に示したような反射率比（または露光原盤のアシンメトリや変調度）と光ディスクの記録信号のアシンメトリとの関係から反射率比（または露光原盤のアシンメトリや変調度）を求める（Ｓ１２）。
【００７５】
ついで、ステップＳ１２で求められた反射率比（または露光原盤のアシンメトリや変調度）となるように、ステップＳ１１で求められた「記録用レーザ光の記録パワー」と「反射率比（または露光原盤のアシンメトリや変調度）」との関係から記録用レーザ光の記録パワーを求める（Ｓ１３）。
ステップＳ１３で求められた記録パワーの条件でレジスト層露光工程を実施する（Ｓ１４）。
【００７６】
レジスト基板内の記録感度の変動が小さい場合には、この方法によって光ディスクの記録信号のアシンメトリを規格範囲内に精度良く収めることができる。
【００７７】
本発明に係る露光制御方法の第２の実施の形態を図５を参照しながら説明する。
この方法は記録用レーザ光を走査している過程の中で露光部分近傍の信号評価を行い、その評価結果を基に直ちに記録用レーザ光の記録パワーにフィードバックして、その調整を行うものである。
【００７８】
図５は図２の露光装置における本発明の露光制御方法の態様を示すものであり、レジスト層露光工程の段階でレジスト基板のレジスト層表面に３つのレーザ光を照射してピット列方向に走査している様子を示している。
【００７９】
これは図２の露光装置においてグレーティング１９を活用することにより、１つのビーム発生源１１からのレーザ光が３つのビームに分けてレジスト層表面に照射され、それぞれ同じ径のスポットＡ、Ｂ、Ｃの光点となっている。ここでは、スポットＡにより記録が行われる。また、スポットＢとスポットＣとのパワーは等しく、スポットＡの約３０分の１と小さく、レジスト層の信号を読み取るために用いられる。これらスポットＡを中心としてその近傍にスポットＢ、Ｃが配置されている。
【００８０】
この態様において次のような露光制御が行われる。
まず、光ディスクの記録信号のアシンメトリの目標値（例えば＋９％）となるように、予め求めておいた図４に示したような反射率比と光ディスクの記録信号のアシンメトリとの関係から反射率比Ｒを求められる（Ｓ２１）。露光のスタート時には、その反射率比Ｒとなるように予め用意された図３に示したような記録用光の記録パワーと反射率比との関係から求められた記録パワーの記録用光がスポットＡに照射される。
【００８１】
スポットＢは実際のビーム走査方向において記録用スポットＡよりも先行した配置となっており、露光前のレジスト層の反射光量を計測する（Ｓ２２）。スポットＣは実際のビームの走査方向において記録用スポットＡよりも後ろの配置となっており、露光後のレジスト層の反射光量を計測する（Ｓ２３）。いずれの反射光量も、それぞれのスポットからの反射光を図２のビームスプリッタ１３及び集光レンズ１７を介して分割フォトディテクタ１８で検出し計測されるものである。
【００８２】
次に、それらの反射光量の比、すなわち（スポットＣの反射光量）／（スポットＢの反射光量）を求める（Ｓ２４）。この反射光量比は、上記露光評価方法で述べた反射率比に相当する。
【００８３】
ステップＳ２１で求めてあった反射率比Ｒと、ステップＳ２４で求められた反射光量比とを比較して、それらが一致するか確認する（Ｓ２５）。
両者が一致した場合、その記録パワーの条件でのレーザ光照射（露光）が継続される（Ｓ２６）。
両者が一致しない場合、ステップＳ２１の記録パワーとステップＳ２４の反射光量比との関係に基いて、前記記録用レーザ光の記録パワーと反射率比との関係を修正する（Ｓ２７）。例えば、図３において記録用レーザ光の記録パワーと反射光量比（反射率比）との関係から求めて、その記録パワー条件にスポットＡのレーザ光の条件を修正し、露光を実施する（Ｓ２８）。
【００８４】
上記ステップＳ２２からＳ２８までの一連の処理はごく短時間（μｓオーダー）で行われるものであり、レジスト基板のレジスト層表面に３つのレーザ光を照射してピット列方向に走査している過程の中で連続して行われるものである。
【００８５】
以上の露光制御方法によって、常に反射光量比が一定になるように記録用レーザ光の記録パワーを制御することができ、ひいてはその露光原盤により作製された光ディスクの記録信号のアシンメトリを一定とすることができる。特に、この露光制御方法では、図６に示すようなレジスト基板の内周と外周との間に記録感度差があるような場合でも、図７に示すように「露光原盤の反射率比」と「光ディスクのアシンメトリ」の関係は図４と同様に保たれるので、上記露光制御方法を用いることにより光ディスク全体に渡って安定した信号品質が得られることが特徴である。
【００８６】
次に、本発明に係る露光制御方法の第３の実施の形態を図８を参照しながら説明する。この方法は、記録感度の差が小さく、半径方向に緩やかな記録感度の差が存在するようなレジスト基板にも対応できるように第２の実施の形態を改良したものである。
すなわち、図８では、図２の露光装置のグレーティング１９を活用することにより、１つのビーム発生源１１からのレーザ光が３つのビームに分けてレジスト層表面に照射され、真円のスポットＡ、並びにレジスト基板半径方向が長径となる楕円形状のスポットＢ、Ｃの光点となっている。ここでは、スポットＡにより記録が行われ、スポットＢとスポットＣとのパワーは等しく、スポットＡの約３０分の１と小さく、レジスト層の信号を読み取るために用いられる。また、スポットＡを挟むようにその近傍にスポットＢ、Ｃが配置されている。
【００８７】
この態様において露光制御は上記第２の実施の形態における場合と同様である。この方法によって、常に反射光量比が一定になるように記録用レーザ光の記録パワーを制御することができ、ひいてはその露光原盤により作製された光ディスクの記録信号のアシンメトリを一定とすることができる。特に、この露光制御方法では、記録感度の差が小さく、半径方向に緩やかな記録感度の差が存在するようなレジスト基板も精度良く制御することが可能となる。
【００８８】
また、この実施形態による方法には、第二の実施の形態よりもグレーティングの角度調整や記録用レーザ光学系の位置調整が簡単となる利点もある。
【００８９】
また、本発明に係る露光制御方法及び露光評価方法は、上記無機レジスト材料に対してレーザ光と水銀ランプの光とを組み合わせた光で露光する方法にも適用可能である。例えば、波長６６０ｎｍの赤色半導体レーザと、波長１８５ｎｍ、２５４ｎｍ、及び４０５ｎｍ程度にピークを有する水銀ランプからの露光との組み合わせである。
【００９０】
【実施例】
レジスト材料としてＷの３価とＭｏの３価との不完全酸化物を用いて図１Ａ〜Ｊに示した製造工程に従って原盤を実際に作製し、最終的に光ディスクを作製した。特に、レジスト層露光工程においては上記第二の実施の形態の露光制御方法によって露光制御を行った。以下、図１Ａ〜Ｊを参照しながら実施内容を説明する。
【００９１】
まず、シリコンウエハを基板１００（図１Ａ）とし、その基板上に、スパッタリング法によりアモルファスシリコンからなる中間層１０１を８０ｎｍの膜厚で均一に成膜した。ついで、その上にスパッタリング法によりＷとＭｏとの不完全酸化物からなるレジスト層１０２を均一に成膜した（図１Ｂ）。このとき、ＷとＭｏとの不完全酸化物からなるスパッタターゲットを用い、アルゴン雰囲気中でスパッタリングを行った。このとき、堆積したレジスト層をＥＤＸ（Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ Ａｎａｌｙｓｉｓ）にて解析したところ、成膜されたＷとＭｏとの不完全酸化物におけるＷとＭｏとの比率は８０：２０であり、酸素の含有率は６０ａｔ．％であった。また、レジスト層の膜厚は５５ｎｍであった。
【００９２】
レジスト層の成膜が終了したレジスト基板を、図２に示す露光装置のターンテーブル上に載置した。ついでターンテーブルを所望の回転数で回転させながら照射閾値パワー未満のレーザを照射し、レジスト層にフォーカスが合うようにアクチュエータにて対物レンズの高さ方向の位置を設定した。
【００９３】
次に、光学系を固定した状態で、ターンテーブルに設けられた送り機構により所望の半径位置にターンテーブルを移動させ、図５に示すように露光装置のグレーティングを活用することにより、１つのビーム発生源からのレーザ光を３つのビームに分けてレジスト層表面に照射した。このとき、スポットＡでは情報データに応じてピットに対応する照射パルスをレジスト層に照射し、レジスト層を露光する。スポットＢでは露光前のレジスト層の反射光量が計測される。ここでは、光ディスクの記録信号のアシンメトリが＋９．５％、すなわち反射率比０．９２となるように、上記第２の実施の形態で示した露光制御方法に基いて露光制御を行った。
【００９４】
また、このとき、ターンテーブルを回転させたままレジスト基板の半径方向にターンテーブルを連続的に僅かな距離にて移動させながら、露光を行った。このときの露光条件を以下に示す。
・露光波長：４０５ｎｍ
・露光光学系の開口数ＮＡ：０．９５
・変調方式：１７ＰＰ
・ピット長：１１２ｎｍ
・トラックピッチ：３２０ｎｍ
・露光時の線速度：４．９２ｍ／ｓ
・書込方式：相変化ディスクと同様な簡易書込み方式
・記録パワー（初期値）：１３．０ｍＷ（スポットＡ）
・評価パワー：各０．２ｍＷ（スポットＢ、Ｃ）
【００９５】
上記露光後に所定の現像、電鋳、射出成型、反射膜、保護膜形成を行い、１２ｃｍ径の光ディスクを得た。尚、以上の露光原盤から光ディスクを得るまでの工程は従来公知の技術で製造した。得られた光ディスクでは、１３０ｎｍ長のピット、幅１４９ｎｍの線状ピットなどが実際の信号パターンに対応する状態でピットが形成されており、記録容量２５ＧＢの光ディスクとなっていることが確認された。
【００９６】
（比較例）
上記実施例における光ディスクの製造工程のうち、レジスト層露光工程において本発明の露光制御方法を適用せずに従来の露光方法（記録パワー一定）で処理を行い、それ以外は同じ製造条件で光ディスクを製造した。
【００９７】
尚、露光工程終了の段階で露光原盤に評価用レーザ光を照射し、本発明による記録信号特性（反射率比）の評価を行なったところ、ディスク半径３７ｍｍ〜４０ｍｍの領域のみが最終製品の信号特性を満足するものと予測された。
【００９８】
上記実施例及び比較例で得られた記録容量２５ＧＢの光ディスクについて、光ディスク全周にわたってアシンメトリを測定した。その結果を図９に示す。
【００９９】
実施例においては、光ディスクの半径方向の全長でアシンメトリが安定してほぼ目標値（＋９．５％）となっており、ＤＶＤ−ＲＯＭ規格で判定すると信号品質の優れた合格品であることが確認された。これに対して、比較例の光ディスクでは内径から外径にかけてアシンメトリが大きく増加しており、ＤＶＤ−ＲＯＭ規格で判定すると内周部、外周部において信号品質がＮＧとなっていた。
これは、レジスト基板の記録感度がレジスト層の膜厚変動などにより半径方向に不可避的に変化しているが、従来の露光制御方法では感光結果、すなわち凹部寸法精度にその記録感度の変化が修正されることなくそのまま現れてしまう結果である。これに対して、本発明によればその記録感度の変化による感光結果の変動を適切に修正できることが示されている。
【０１００】
尚、本発明において、上述した説明においては、主として記録ピット（マーク）について説明したが、トラッキングあるいはアドレス用等のグルーブを有する光ディスクを製造する場合に、本発明を適用することもできる。
【０１０１】
また、例えば露光原盤に対する評価用レーザ光照射において、そのレーザ光源の例えば半導体レーザに高周波重畳を行うことによってレーザ光の安定化を図ることができる。
【０１０２】
また、レジスト層に対する記録用レーザ光によるパターン露光においては、各ピットに関して、図１２Ａ〜Ｃにおける曲線ａで示す単一パルス光によって行う場合に限らず、図１２Ａ〜Ｃに示すように、例えばｎＴのマークの記録において、（ｎ−１）のパルスによる記録、ｎ／２のパルス光による記録、あるいはダンベル（凹字状）パターンのパルス光などによることもできるなど、種々の形態をとることができる。
【０１０３】
また、上述した例では、原盤１０４から直接的に成型用スタンパ１０６を形成した場合であるが、原盤１０４から、例えば複数のマスタースタンパを作製し、このマスタースタンパの転写によってマザースタンパを作製して、成型用スタンパ１０６を得ることができる。このように、１つの原盤１０４から複数のマスターを得ることができるのは、本発明によるときは、原盤の情報凹凸パターンが無機レジストによって構成され、これが強靭であることから可能となるものである。
【０１０４】
そして、上述した本発明製造方法を実施する記録用レーザ光、評価用レーザ光を得る半導体レーザは、例えばペルチェ素子等によってその温度制御を行って半導体レーザの温度を一定としてレーザ光の出力の安定化を図ることが望ましいものである。
【０１０５】
【産業上の利用可能性】
本発明に係る露光制御方法によって、露光工程の段階で、露光処理前のテスト露光、あるいは露光直後にその露光部分の記録信号特性（反射光量比、露光原盤に記録された信号に関する再生信号のアシンメトリ）に基いて、その露光条件による最終製品の良否が判定できることから、その結果から直ちにつぎの露光予定領域に対して露光装置の記録パワーの決定や修正が可能となる。また、前記反射光量の比が一定となるように、前記記録用光の記録パワーを調整することによって、最終的な光ディスクの記録信号のアシンメトリをディスク全体で一定とすることができる。
【０１０６】
本発明に係る露光評価方法によって、露光原盤から最終的な光ディスクの記録信号のアシンメトリの推定が可能となり、露光工程の段階で最終製品の信号品質の判定をすることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ａ〜Ｊ 本発明による光ディスク製造用原盤の作製及び光ディスクの製造工程図である。
【図２】本発明を適用したレジスト層露光工程で用いられる露光装置を模式的に表す図である。
【図３】本発明による光ディスク製造用原盤の作製方法及び光ディスクの製造方法における露光時の記録パワーと露光前後の反射率比との関係を示す図である。
【図４】本発明による光ディスク製造用原盤の作製方法及び光ディスクの製造方法における露光原盤の反射率比と光ディスクの記録信号のアシンメトリとの関係を示す図である。
【図５】本発明方法の一実施の形態例の露光態様を示す図である。
【図６】内周、外周で記録感度の異なるレジスト基板における露光時の記録パワーと露光前後の反射率比との関係を示す図である。
【図７】内周、外周で記録感度の異なるレジスト基板を用いた場合の露光原盤の反射率比と光ディスクの記録信号のアシンメトリとの関係を示す図である。
【図８】本発明方法の、他の実施の形態例の露光態様を示す図である。
【図９】本発明方法を適用した場合の光ディスクの半径方向におけるアシンメトリ測定結果を示す図である。
【図１０】本発明の説明に供する露光原盤上の露光パターンのピット列とこれによる再生信号（反射光量）との関係を示す図である。
【図１１】本発明の説明に供する露光原盤上の露光パターンによる再生信号の波形図である。
【図１２】Ａ〜Ｃ それぞれレジスト基板に対する露光信号パルスを示す図である。
【図１３】Ａ〜Ｊ 従来の光ディスクの製造工程図である。
【引用符号の説明】
１１ ビーム発生源
１２ コリメータレンズ
１３ ビームスプリッタ
１４ 対物レンズ
１５ レジスト基板
１６ ターンテーブル
１７ 集光レンズ
１８ 分割フォトディテクタ
１９ グレーティング
９０，１００ 基板
９１，１０１ レジスト層
９２，１０２ レジスト基板
９３，１０３ 露光原盤
９４，１０４ 原盤
９５，１０５ メッキ層
９６，１０６ 成型用スタンパ
９７，１０７ 光ディスク基板
９８，１０８ 反射膜
１１０ 中間層
２００，３００ 光ディスク
Claims (9)
- 基板上に形成された無機レジスト層に対して、光ディスクに形成される情報凹凸パターンの情報信号に対応する情報信号によって変調された記録用レーザ光を照射して、前記光ディスクの前記情報凹凸パターンに対応する露光パターンを形成する露光工程と、
その後前記無機レジスト層に対し、現像処理を行って、前記無機レジスト層による前記情報凹凸パターンに対応する凹凸パターンを形成する現像工程とを有し、
前記露光工程において、前記無機レジスト層の前記記録用レーザ光の照射位置の近傍の、前記記録用レーザ光の未露光領域及び露光領域に評価用レーザ光を照射し、前記評価用レーザ光の前記未露光領域からの反射率と、前記露光領域からの反射率との比が、データ測定用レジスト基板への露光により予め選択した反射率比の範囲内となるように前記記録用レーザ光のパワー制御を行う
光ディスク製造用原盤の作製方法。 - 前記無機レジスト層がＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ａｇのうち少なくとも１種の遷移金属による不完全酸化物を含んだレジスト層である請求項１記載の光ディスク製造用原盤の作製方法。
- 前記評価用レーザ光の出力は、前記記録用レーザ光の出力よりも小さい請求項１又は２に記載の光ディスク製造用原盤の作製方法。
- 前記記録用レーザ光としてレーザ光の０次光を用い、その±１次回折光を前記評価用レーザ光として用いる請求項１〜３のいずれか１項に記載の光ディスク製造用原盤の作製方法。
- 前記±１次回折光による前記評価用レーザ光が、前記基板の半径方向が長径となる楕円形状のスポットとされる請求項４記載の光ディスク製造用原盤の作成方法。
- 前記露光工程において、前記評価用レーザ光の前記未露光領域からの反射率と、前記露光領域からの反射率との比が一定となるように前記記録用レーザ光のパワー制御を行う請求項１〜５のいずれかに記載の光ディスク製造用原盤の作製方法。
- 光ディスク製造用原盤の作製工程と、前記原盤から前記光ディスク製造用のスタンパを転写作製するスタンパ作製工程と、前記スタンパによって光ディスク基板を転写製造する工程と、該光ディスク基板上における反射膜の成膜工程と、保護膜の成膜工程とを有し、
前記原盤の作製工程は、基板上に形成された無機レジスト層に対して、前記光ディスクに形成される情報凹凸パターンの情報信号に対応する情報信号によって変調された記録用レーザ光を照射して、前記光ディスクの前記情報凹凸パターンに対応する露光パターンを形成する露光工程と、その後前記無機レジスト層に対し、現像処理を行って、前記無機レジスト層による前記情報凹凸パターンに対応する凹凸パターンを形成する工程とを有し、
前記露光工程において、前記無機レジスト層の前記記録用レーザ光の照射位置の近傍の、前記記録用レーザ光の未露光領域及び露光領域に評価用レーザ光を照射し、前記評価用レーザ光の前記未露光領域からの反射率と、前記露光領域からの反射率との比が、データ測定用レジスト基板への露光により予め選択した反射率比の範囲内となるように前記記録用レーザ光のパワー制御を行う
光ディスクの製造方法。 - 前記無機レジスト層がＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ａｇのうち少なくとも１種の遷移金属による不完全酸化物を含んだレジスト層である請求項７記載の光ディスクの製造方法。
- 前記露光工程において、前記評価用レーザ光の前記未露光領域からの反射率と、前記露光領域からの反射率との比が一定となるように前記記録用レーザ光のパワー制御を行う請求項７又は８に記載の光ディスクの製造方法。
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