JPS60254432A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS60254432A JPS60254432A JP59109499A JP10949984A JPS60254432A JP S60254432 A JPS60254432 A JP S60254432A JP 59109499 A JP59109499 A JP 59109499A JP 10949984 A JP10949984 A JP 10949984A JP S60254432 A JPS60254432 A JP S60254432A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- light
- film
- photosensitive film
- control circuit
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Duplication Or Marking (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上■肌朋分野
本発明は露光装置に関する。本発明は、さらに詳しく述
べると、例えば光ディスクの製作等において光感応膜を
光ビームに露光するに際して、露光中に既露光部の露光
状態を検知することによって引き続く露光の露光条件を
精密に制御することが可能である露光装置に関する。
べると、例えば光ディスクの製作等において光感応膜を
光ビームに露光するに際して、露光中に既露光部の露光
状態を検知することによって引き続く露光の露光条件を
精密に制御することが可能である露光装置に関する。
従来致方
従来の露光装置において、例えば露光源からの出力光の
強度を予め設定しておいて、この設定された露光条件の
下において一連の露光を行なうのが一般的である。例え
ば、光ディスクの製作のためにレーザ光を用いて露光を
行なう場合、ディスクの内周側から外周側まで露光量を
一定に保つ必要があり、したがって、常法によれば、外
周側に行けば行くほど光強度が大となるように予め露光
条件を設定して、この条件下において露光を行なってい
る。しかしながら、この露光方式の場合、被露光膜であ
る光感応膜の組成２、性質、膜厚のばらつき等や照射す
る光の波長などによって露光量が変化し、安定で再現性
のある露光を達成することが困難である。露光条件を露
光前に予め設定しておくのではなくて、露光中に露光状
態を連続的に監視していてその結果から露光条件を常に
適切にコントロ”−ルすることも考えられる。しかし、
従来光感応膜として用いられている有機レジスト材料は
、露光及び現像を完了してはじめて露光状態を確認する
ことができるので、上述のように露光中に連続的に露光
状態を監視することは実質的に不可能である。
強度を予め設定しておいて、この設定された露光条件の
下において一連の露光を行なうのが一般的である。例え
ば、光ディスクの製作のためにレーザ光を用いて露光を
行なう場合、ディスクの内周側から外周側まで露光量を
一定に保つ必要があり、したがって、常法によれば、外
周側に行けば行くほど光強度が大となるように予め露光
条件を設定して、この条件下において露光を行なってい
る。しかしながら、この露光方式の場合、被露光膜であ
る光感応膜の組成２、性質、膜厚のばらつき等や照射す
る光の波長などによって露光量が変化し、安定で再現性
のある露光を達成することが困難である。露光条件を露
光前に予め設定しておくのではなくて、露光中に露光状
態を連続的に監視していてその結果から露光条件を常に
適切にコントロ”−ルすることも考えられる。しかし、
従来光感応膜として用いられている有機レジスト材料は
、露光及び現像を完了してはじめて露光状態を確認する
ことができるので、上述のように露光中に連続的に露光
状態を監視することは実質的に不可能である。
（シよ゛と る。 占
以上から理解される通り、光感応膜を光ビームに露光す
るに際して、安定で再現性のある露光を達成することが
できない、露光条件を精密に制御することができない２
等の問題が存在する。本発明は、このような問題点を解
決しようとするものである。
るに際して、安定で再現性のある露光を達成することが
できない、露光条件を精密に制御することができない２
等の問題が存在する。本発明は、このような問題点を解
決しようとするものである。
。 を ゛するための
本発明者らは、上述の問題点を解決すべく研究の結果、
ある特定の無機材料は光ビームの露光の結果として体積
変化又は光反射率の変化を生しるので、この無機材料か
らなる光感応膜を使用すればたとえ露光の途中でも露光
状態を連続的に監視することが可能であるという知見を
得、以下に詳述する本発明を完成した。
ある特定の無機材料は光ビームの露光の結果として体積
変化又は光反射率の変化を生しるので、この無機材料か
らなる光感応膜を使用すればたとえ露光の途中でも露光
状態を連続的に監視することが可能であるという知見を
得、以下に詳述する本発明を完成した。
本発明による露光装置は、すなわち、光感応膜を光ビー
ムに露光するための露光装置であって、露光源からの出
力光を強度変調するための光変調器を有する露光光学系
と、該露光光学系を用いた露光の結果として体積変化又
は光反射率の変化を被る無機材料からなる前記光感応膜
の露光中にその膜の体積変化又は光の反射率の変化を露
光直後に検知するための光検知器と、該光検知器と前記
光変調器の中間に接続されたものであって、前記光検知
器からの電圧の大きさに応じて前記光変調器の強度変調
をコントロールするための制御回路とを含んでなること
を特徴とする。
ムに露光するための露光装置であって、露光源からの出
力光を強度変調するための光変調器を有する露光光学系
と、該露光光学系を用いた露光の結果として体積変化又
は光反射率の変化を被る無機材料からなる前記光感応膜
の露光中にその膜の体積変化又は光の反射率の変化を露
光直後に検知するための光検知器と、該光検知器と前記
光変調器の中間に接続されたものであって、前記光検知
器からの電圧の大きさに応じて前記光変調器の強度変調
をコントロールするための制御回路とを含んでなること
を特徴とする。
作−朋
本発明において用いられる光感応膜は、前記した通り、
露光により体積変化又は光反射率を生じるような無機材
料からなる。したがって、このような光感応膜に露光を
施して微細パターンを書き込むと、露光域と非露光域と
との間で結晶相の変化が発生して光の反射率も変化する
。この光感応膜の露光域にその膜が不感光性を有する不
感帯波長領域の光を照射するかもしくは小出力で光感応
膜を露光しない光を照射すると、したがって、回折光が
発生する。この回折光を例えば回折モニターのような光
検知器で検知し、回折光強度からパターン幅等の露光状
態を知り、得られたデータを制御回路で処理して適切な
光強度変調指示を露光光学系の光変調器にフィードバン
クする。本発明によれば、露光装置の各要素を上述のよ
うに作用させる結果、光感応膜の露光中に露光条件をよ
り精密に制御することができる。
露光により体積変化又は光反射率を生じるような無機材
料からなる。したがって、このような光感応膜に露光を
施して微細パターンを書き込むと、露光域と非露光域と
との間で結晶相の変化が発生して光の反射率も変化する
。この光感応膜の露光域にその膜が不感光性を有する不
感帯波長領域の光を照射するかもしくは小出力で光感応
膜を露光しない光を照射すると、したがって、回折光が
発生する。この回折光を例えば回折モニターのような光
検知器で検知し、回折光強度からパターン幅等の露光状
態を知り、得られたデータを制御回路で処理して適切な
光強度変調指示を露光光学系の光変調器にフィードバン
クする。本発明によれば、露光装置の各要素を上述のよ
うに作用させる結果、光感応膜の露光中に露光条件をよ
り精密に制御することができる。
さらに、本発明において用いられる光感応膜の光反射率
は膜厚に応じて変化、する。したがって、露光開始前、
この光感応膜にその膜の不感帯波長領域の光を照射する
かもしくは小出力で光感応膜を露光しない光を照射し、
反射光のモニタリングによって膜厚分布の状態□を知り
、よって、膜厚分布が特に不良である光感応膜を露光に
先がけて取り除くことができる。
は膜厚に応じて変化、する。したがって、露光開始前、
この光感応膜にその膜の不感帯波長領域の光を照射する
かもしくは小出力で光感応膜を露光しない光を照射し、
反射光のモニタリングによって膜厚分布の状態□を知り
、よって、膜厚分布が特に不良である光感応膜を露光に
先がけて取り除くことができる。
本発明の実施において、例えばカルコゲナイド合金のよ
うな無機レジスト材料を光感応膜として有利に使用する
ことができる。有用な無機材料の一例を示すと、ＴｅＧ
ｅＳｎ、、 ＴｅＧｅ、 ＴｅＳｅ、八ｓＳ、ＡｓＳｅ
、ＳｂＳ、５ｂＳｅなどの合金である。このような材料
の成膜には、真空蒸着法のほか、スパッタリング法、電
子ビーム加熱法などを使用することができる。
うな無機レジスト材料を光感応膜として有利に使用する
ことができる。有用な無機材料の一例を示すと、ＴｅＧ
ｅＳｎ、、 ＴｅＧｅ、 ＴｅＳｅ、八ｓＳ、ＡｓＳｅ
、ＳｂＳ、５ｂＳｅなどの合金である。このような材料
の成膜には、真空蒸着法のほか、スパッタリング法、電
子ビーム加熱法などを使用することができる。
例えば、光ディスクを製作したい場合、所定の寸法をも
ったガラス円板上に無機レジストを蒸着法によって被着
させることができる。
ったガラス円板上に無機レジストを蒸着法によって被着
させることができる。
パターニングに用いられる露光源は、使用する光感応膜
の材料によって異なるというものの、一般的に高出力の
＾ｒ（アルゴン）レーザ、ＬＤ （レーザダイオード）
などを有利に使用することができる。このような露光源
からの光ビームは、光変調器で適当な光強度に変調せし
められた後、対物レンズで直径約１μｍの微小スポット
に集光され、光感応膜に照射される。
の材料によって異なるというものの、一般的に高出力の
＾ｒ（アルゴン）レーザ、ＬＤ （レーザダイオード）
などを有利に使用することができる。このような露光源
からの光ビームは、光変調器で適当な光強度に変調せし
められた後、対物レンズで直径約１μｍの微小スポット
に集光され、光感応膜に照射される。
光ビームの照射の結果として、光が照射された部分では
微細な結晶粒が成長し、光の透過率の減少及び反射率の
増加、すなわち、非晶質状態から結晶相への相転移が発
生する。したがって、露光直後、この光照射部分に真上
から小出力で光感応膜を露光しない光、例えばＨｅ−Ｎ
ｅ （ヘリウム−ネオン）レーザを所定の小出力にコン
トロールした光（直径約ＩＮ）、又は光感応膜の不感帯
波長領域の光を照射すると、光感応膜の露光パターンに
応じて反射光が回折され、０次、１次及び２次の回折光
が発生する。発生した回折光を例えば回折モニターのよ
うな光検知器で検知し、これをアナログ電圧に変換した
後で制御回路にインプットする。制御回路では、入力電
圧の大きさからパターン幅等の露光状態を割り出し、安
定で再現性のある露光を行なうのに最適な光強度変調条
件をめて露光光学系の光変調器にフィードバックする。
微細な結晶粒が成長し、光の透過率の減少及び反射率の
増加、すなわち、非晶質状態から結晶相への相転移が発
生する。したがって、露光直後、この光照射部分に真上
から小出力で光感応膜を露光しない光、例えばＨｅ−Ｎ
ｅ （ヘリウム−ネオン）レーザを所定の小出力にコン
トロールした光（直径約ＩＮ）、又は光感応膜の不感帯
波長領域の光を照射すると、光感応膜の露光パターンに
応じて反射光が回折され、０次、１次及び２次の回折光
が発生する。発生した回折光を例えば回折モニターのよ
うな光検知器で検知し、これをアナログ電圧に変換した
後で制御回路にインプットする。制御回路では、入力電
圧の大きさからパターン幅等の露光状態を割り出し、安
定で再現性のある露光を行なうのに最適な光強度変調条
件をめて露光光学系の光変調器にフィードバックする。
光変調器では、フィードバックされた情報にもとづいて
出力光が強度変調を受ける。
出力光が強度変調を受ける。
一方、露光の完了後、露光により光反射率が変化しかつ
現像液又はガスプラズマによるエツチングレートが露光
域と非露光域とで異なるようになった光感応膜をもった
被加工物を現像液又はガスプラズマによってエンチング
する。例えば、光ディスクの製作では、スピンドルから
外した光感応膜付のガラス円板を平行平板型のプラズマ
エツチング装置に入れ、エツチングガスとしてＣＦ４を
導入する。発生せるプラズマによって光感応膜をエツチ
ングすると、光照射により結晶化した部分は未露光域に
較べてエツチングレートが非常に遅く、したがって、光
照射パターンに対応する凸部がガラス円板上に生じ、凹
凸の、いわゆるネガ型のパターンが形成される。このパ
ターンは、非常に微細で、しかも精密である。
現像液又はガスプラズマによるエツチングレートが露光
域と非露光域とで異なるようになった光感応膜をもった
被加工物を現像液又はガスプラズマによってエンチング
する。例えば、光ディスクの製作では、スピンドルから
外した光感応膜付のガラス円板を平行平板型のプラズマ
エツチング装置に入れ、エツチングガスとしてＣＦ４を
導入する。発生せるプラズマによって光感応膜をエツチ
ングすると、光照射により結晶化した部分は未露光域に
較べてエツチングレートが非常に遅く、したがって、光
照射パターンに対応する凸部がガラス円板上に生じ、凹
凸の、いわゆるネガ型のパターンが形成される。このパ
ターンは、非常に微細で、しかも精密である。
尖隻興
本発明による露光装置の好ましい一例を添付の第１図を
参照しながら説明する。なお、ここでは光ディスクの製
作について説明する。
参照しながら説明する。なお、ここでは光ディスクの製
作について説明する。
図中の１は直径３０ｃｍのガラス円板であり、この上に
無機レジスト（カルコゲナイド合金）からなる光感応膜
２が被着されている。この円板は、スピンドルによって
軸支されていて、モータ３によって数百ｒｐｍの高速で
回転可能である。
無機レジスト（カルコゲナイド合金）からなる光感応膜
２が被着されている。この円板は、スピンドルによって
軸支されていて、モータ３によって数百ｒｐｍの高速で
回転可能である。
光感応膜２の露光は次のようにして行なう：アルゴンレ
ーザ光源４より発せられたレーザ光を光変調器５で変調
し、ミラー６で反射させた後に対物レンズ７で集光する
。対物レンズ７ではレーザ光が直径約１μｍの微小スポ
ットに集光され、ガラス円板１上の光感応１１１ｉ２に
照射される。対物レンズ７は、取り付は状態が図示され
ていないけれども移動ステージ８（移動方向を矢印で示
す）に設置されていて、ガラス円板１の内周側から外周
側に向ってゆっくり移動可能である。アルゴンレーザ光
の照射の結果として、パターン幅１．ｃｒ＋＋＋の露光
パターンが、ピッチ数μｍのスパイラル状に、光感応膜
２上に形成される。次いで、この露光直後の光感応膜２
に、その真上にあるヘリウム−ネオン光源９から、小出
力にコントロールしたビーム径約１ｆｉのへリウムーネ
オンレーザ光を照射する（照射方向を点線で示す）。こ
のレーザ光は、光感応膜２の露光パターン、すなわち、
光反射率の強弱のパターンにより回折され、図示される
０次、１次及び２次の回折光（それぞれＪｏ 。
ーザ光源４より発せられたレーザ光を光変調器５で変調
し、ミラー６で反射させた後に対物レンズ７で集光する
。対物レンズ７ではレーザ光が直径約１μｍの微小スポ
ットに集光され、ガラス円板１上の光感応１１１ｉ２に
照射される。対物レンズ７は、取り付は状態が図示され
ていないけれども移動ステージ８（移動方向を矢印で示
す）に設置されていて、ガラス円板１の内周側から外周
側に向ってゆっくり移動可能である。アルゴンレーザ光
の照射の結果として、パターン幅１．ｃｒ＋＋＋の露光
パターンが、ピッチ数μｍのスパイラル状に、光感応膜
２上に形成される。次いで、この露光直後の光感応膜２
に、その真上にあるヘリウム−ネオン光源９から、小出
力にコントロールしたビーム径約１ｆｉのへリウムーネ
オンレーザ光を照射する（照射方向を点線で示す）。こ
のレーザ光は、光感応膜２の露光パターン、すなわち、
光反射率の強弱のパターンにより回折され、図示される
０次、１次及び２次の回折光（それぞれＪｏ 。
Ｊｌ及びＪ２）を生じる。これらの回折光のそれぞれを
それ専用の光検知器９（ヘリウム−ネオン光源部分も有
する）、１ｏ及び１０′（移動ステージ８に設置されて
いる）によめモニターし、回折光強度をアナログ電圧に
変換した後で制御回路１１にインプットする。制御回路
１１では、与えられた電圧の大きさがら例えばパターン
幅を割り出し、パターン幅が所望な値となるに必要な最
適な光強度変調条件を決定し、これを光変調器５にフィ
ードバックする。光変調器５では、フィードバンクされ
た情報にもとづいてアルゴンレーザ光の光強度が変調さ
れる。したがって、本発明による露光装置では、露光中
、露光直後の光反射率の変化をベースとして連続的に露
光条件の制御が行なわれる。
それ専用の光検知器９（ヘリウム−ネオン光源部分も有
する）、１ｏ及び１０′（移動ステージ８に設置されて
いる）によめモニターし、回折光強度をアナログ電圧に
変換した後で制御回路１１にインプットする。制御回路
１１では、与えられた電圧の大きさがら例えばパターン
幅を割り出し、パターン幅が所望な値となるに必要な最
適な光強度変調条件を決定し、これを光変調器５にフィ
ードバックする。光変調器５では、フィードバンクされ
た情報にもとづいてアルゴンレーザ光の光強度が変調さ
れる。したがって、本発明による露光装置では、露光中
、露光直後の光反射率の変化をベースとして連続的に露
光条件の制御が行なわれる。
有する無機材料からなる光感応膜（被露光膜）の使用と
組み合わせて考慮したので、露光中に露光状態を検知し
て露光光学系の光度ｍ器にフィードバックすることがで
き、よって、露光条件をより精密に制御することができ
る。さらに、本発明によれば、より安定な露光を再現性
よく、しかも連続的に行なうごとができ、したがって、
満足し得る微細なパターンを得ることができる。さらに
、本発明によれば、露光を実施する前、露光に供す す
る光感応膜が適切な膜厚分布を有するか否かを容易に判
断し、不良品を取り除くことができる。
組み合わせて考慮したので、露光中に露光状態を検知し
て露光光学系の光度ｍ器にフィードバックすることがで
き、よって、露光条件をより精密に制御することができ
る。さらに、本発明によれば、より安定な露光を再現性
よく、しかも連続的に行なうごとができ、したがって、
満足し得る微細なパターンを得ることができる。さらに
、本発明によれば、露光を実施する前、露光に供す す
る光感応膜が適切な膜厚分布を有するか否かを容易に判
断し、不良品を取り除くことができる。
第１図は、本発明による露光装置の好ましい一例を示し
た略示図である。 図中、１はガラス円板、２は光感応膜、３はモータ、４
はアルゴンレーザ光源、５は光変調器、６はミラー、７
は対物レンズ、８は移動ステージ、９はへリウムーネオ
ンレーザ光源部分を有する光検知器、ｌＯ及び１０’は
光検知器、そして１１は制御回路である。
た略示図である。 図中、１はガラス円板、２は光感応膜、３はモータ、４
はアルゴンレーザ光源、５は光変調器、６はミラー、７
は対物レンズ、８は移動ステージ、９はへリウムーネオ
ンレーザ光源部分を有する光検知器、ｌＯ及び１０’は
光検知器、そして１１は制御回路である。
Claims (1)
- １、光感応膜を光ビームに露光するための露光装置であ
って、露光源からの出力光を強度変調するための光変調
器を有する露光光学系と、該露光光学系を用いた露光の
結果として体積変化又は光反射率の変化を被る無機材料
からなる前記光感応膜の露光中にその膜の体積変化又は
光の反射率の変化を露光直後に検知するための光検知器
と、該光検知器と前記光変調器の中間に接続されたもの
であって、前記光検知器からの電圧の大きさに応して前
記光変調器の強度変調をコントロールするための制御回
路とを含んでなることを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59109499A JPS60254432A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59109499A JPS60254432A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254432A true JPS60254432A (ja) | 1985-12-16 |
Family
ID=14511803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59109499A Pending JPS60254432A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60254432A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62263646A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-16 | Toshiba Corp | ウエハ検査装置 |
| WO2004047096A1 (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-03 | Sony Corporation | 光ディスク製造用原盤の作製方法及び光ディスクの製造方法 |
| CN100409335C (zh) * | 2003-01-09 | 2008-08-06 | 索尼株式会社 | 制造生产光盘的母盘的方法和生产光盘的方法 |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP59109499A patent/JPS60254432A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62263646A (ja) * | 1986-05-12 | 1987-11-16 | Toshiba Corp | ウエハ検査装置 |
| WO2004047096A1 (ja) * | 2002-11-20 | 2004-06-03 | Sony Corporation | 光ディスク製造用原盤の作製方法及び光ディスクの製造方法 |
| US7648671B2 (en) | 2002-11-20 | 2010-01-19 | Sony Corporation | Method of making master for manufacturing optical disc and method of manufacturing optical disc |
| CN100409335C (zh) * | 2003-01-09 | 2008-08-06 | 索尼株式会社 | 制造生产光盘的母盘的方法和生产光盘的方法 |
| KR101047255B1 (ko) | 2003-01-09 | 2011-07-06 | 소니 주식회사 | 광 디스크 제조용 원반의 제작 방법 및 광 디스크의 제조방법 |
| US8119043B2 (en) | 2003-01-09 | 2012-02-21 | Sony Corporation | Method of making master for manufacturing optical disc and method of manufacturing optical disc |
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