WO2004047096A1

WO2004047096A1 - 光ディスク製造用原盤の作製方法及び光ディスクの製造方法

Info

Publication number: WO2004047096A1
Application number: PCT/JP2003/014848
Authority: WO
Inventors: Shinichi Kai; Akira Kouchiyama; Katsuhisa Aratani; Kenzo Nakagawa; Yoshihiro Takemoto
Original assignee: Sony Corporation
Priority date: 2002-11-20
Filing date: 2003-11-20
Publication date: 2004-06-03
Also published as: KR20050074273A; EP1564734A1; KR101143795B1; US20050128926A1; JPWO2004047096A1; TW200423117A; CN100440349C; US7648671B2; EP1564734B1; ATE521968T1; CN1692417A; JP4239975B2; TWI261835B; EP1564734A4

Abstract

基板100上に形成された無機レジスト層101に対して、光ディスクに形成される情報凹凸パターンの情報信号に対応する情報信号によって変調された記録用レーザ光を照射して、前記光ディスクの前記情報凹凸パターンに対応する露光パターンを形成する露光工程と、その後前記無機レジスト層に対し、現像処理を行って、前記無機レジスト層による前記情報凹凸パターンに対応する露光パターンを形成する現像工程とを有し、前記露光工程において、前記無機レジスト層の所定領域に評価用レーザ光を照射し、該評価用レーザ光の反射光により、前記無機レジスト層による前記露光パターンの記録信号特性を評価し、この評価結果に基いて前記記録用レーザ光のパワー制御を行うことにより、目的とする光ディスクにおける情報記録が確実に得られるようにする。

Description

明細書

光ディスク製造用原盤の作製方法及び光ディスクの製造方法技術分野

本発明は、光ディスクの製造において、トラッキング用、アドレス用等のグループや、データ記録のピット等の凹 ώパターンを有する光ディスク基板を、例えば射出成型、 2 Ρ (P h o t o P o 1 y m e r i z a t i o n ) 法によって开成するスタンノヽ⁰を転写作製するための光ディスク製造用原盤の作製方法及ぴ光デイスクの製造方法に関する。

'背景技術

近年、 D V D (D i g i t a l V e r s a t i 1 e D i s c ) などの光ディスクは記録媒体として幅広い分野で使用されるようになった。

この光ディスクは、ポリカーボネート等の光学的に透明な光デイスク基板上に各種情報信号例えばァドレス信号、トラッキング信号を得るグループ、データ情報信号の記録部としてのピット等の微細な情報凹凸パターンが形成され、この上にアルミニウム等の金属薄膜からなる反射膜が形成され、更にその反射膜上に保護膜が形成された構造を有する。

この光ディスクは、図 1 3 〜図 1 3 】に示すような製造工程を経て製造される（例えば特開 2 0 0 1 - 1 9 5 7 9 1号公報、段落 [ 0 0 0 2 ] 〜 [ 0 0 0 6 ] 参照）。

まず、ガラス基板 9 0 を用意し（図 1 3 A)、表面を充分に平滑にしたガラス基板 9 0の上に、感光性のフオトレジスト（有機レジスト）からなるレジスト層 9 1 を均一に形成してレジスト基板 9 2 を構成する（図 1 3 B )。ついで、記録用レーザ光をレジスト基板 9 2 のレジスト層 9 1 上で基板 9 0の內周部から外周部、あるいは外周部から内周部にかけてらせん状に相対的に走查させながら、情報信号パターンに対応させてオンオフ制御した記録用レーザ光を照射してレジスト層 9 1 に、最終的に得る光ディスク基板の情報凹凸パターンに対応するパターン露光すなわち感光を行った露光原盤 9 3 を形成する（図 1 3 C )。

次に、レジスト層 9 1 を現像することによつて所定の凹凸パタ一ンが形成された原盤 9 4 を得る（図 1 3 D )。

次に、法によつて原盤 9 4の凹凸パタ一ン面上に金属ニッケルメソキ層 9 5 を形成する（図 1 3 E )。のメクキ層 9 5 を原盤 9 4から剥離し、所定の加工を施し、原盤 9 4の凹凸パターンが転写された成型用スタンノ 9 6 を得る（図 1 3 F )。

この成型用スタンパ 9 6 を用いて射出成型法によつて熱可塑性樹脂のポリ力ーボネートによる樹脂製の光ティスク基板 9 7を成形する (図 1 3 G、 H )。

つい - での光ディスク基板 9 7 の凹凸面に A 1 合金の反射膜

9 8 (図 1 3 I ) と保護膜 9 9 と，を成膜することにより光デイスク 2 0 0 を得る（図 1 3 J )。

このようにして製造された光ディスクは P

PP質検查された後に製品となるが、この品質項目の 1つとしてァシンメ卜 V ( A s y m m e t r y ) 力 ^sめる。ァシンメトリは、信号再生したとき再生信号の振幅の非対称性を示すものであり、光ディスクの再生信号の品質の指標となり、プレーヤや光ピックアップの評価の基準にもなる重要項目である。更に、ァシンメトリは光ディスクに形成される凹凸パターンのうち、凹部（ピット）の寸法変動の影響を受けるため、最近の光ディスクの高容量化に伴って凹凸パターンが微細化される状況においては、より重要な管理項目となってきている。

以上のことから、光ディスクのピットの寸法変動を抑制すべく上記製造工程において各工程の適正製造条件が設定され、ァシンメトリがある一定の範囲内に収まるように管理されている。特に光ディスクの製造における原盤作製の工程はピット形成に重大な影響を及ぼす工程であり、厳格な管理が要求されている。

尚、ァシンメトリの管理範囲として、 D V D— R O Mの規格では一 5 〜 + 1 5 %の範囲とされている。

しかしながら、ァシンメトリは信号再生したとぎの R F信号パターンから求められることから、露光後のレジス卜層の潜像からそれを測定するとは困難であり、上記製造ェ程の最終製品の段階（図 1 3 J ) の光デイスクでしか測定ができなかつた。そのため、その結果が N G ( N o G o o d ) であつた場にはそれまでの一連の労力ヽ製造時間、製品が無駄になつてしまつていた。したがつて、露光工程の製造条件起因の不良が発生した場合にはその損失は著しレ、。

またヽ通常は、最終工程後で判明したァシンメト y測定結果を製造ェ程フィードノックするため、製造条件の素早い修正もできなかつた。特に露光工程の製造条件修正に関してヽその Π ク卜が露光ェ ί口を通過した時点から、そのロットの最終ェ程からのフィ一ド、ノクク情報に基いて修正された露光条件が反映されるまでの間には多くの時間を要していた。更に、露光工程の製造条件起因の不良が発生した場合には、不良原因究明にも時 l¾jがかかることからヽ条件の修正を反映させるまでに更-に多大な時 1曰]を要し全体の生産性を阻害することにもなつていた。

更に、上記露光工程では、レジスト基板におけるレジスト層を構成するレジスト材料に対応して設定された露光装置の記録パヮ一に基づき、露光条件一定でレジスト層への露光が行なわれるために、レジスト基板でレジスト層の記感度が変動している場合にはその感度変動がそのまま記録される信号品質に影響を及ぼしていた。また、レジスト基板の口ク卜間の記録感度のばらつきへの対応も困難であった o 発明の開不

本発明は、上述の従来技術における問題に鑑みてなされたものであり、光ディスク製造用原盤の作製にける露光工程においてレジスト層に対する露光直後に、その露光部分の記録信号特性から光デイスクの記録信号特性（ァシンメ卜リ）の予測評価を可能ならしめ、更にはその評価結果に基いて直ちに露光装置の記録パ

V一の修正ができるようにして、高レ、生産性及ぴ良品率をもって光ディスクを製造することのできる原盤の作製方法及び光デイス夕の製造方法を提供す Ό

すなわち、本発明者らは、光テイスク製造用原盤の作製において、レジストとして、露光によつて化学的に状態変化を生じさせる無機レジストを用いた場、の露光による無機レジスト材料の化学的な状態変化に対応して光の反射率 (反射光量）等が変化する現象を利用し、更に無機レジスト層の記録信号特性より求められる反射率や変調度とァシンメ卜ジと、最終的に得る光デイスクにおけるそれぞれの反射率や変調度とァシンメトリとの相関が対応することに着目し、鋭、検 piを行った結果、本発明による光一、、

Vイスク製造用原盤及び光ティスクの製造方法を見出すに至ったものである。

本発明による光ディスク製造用原盤の作製方法は、基板上に形成された無機レジスト層に対して、前記光ディスクに形成される情報凹凸パターンの情報信号に対応する情報信号によって変調された記録用レーザ光を照射して、前記光ディスクの前記情報凹凸パターンに対応する露光パターンを形成する露光工程と、その後前記無機レジスト層に対し、現像処理を行つて、前記無機レジスト層による前記情報凹凸ノヽ⁰ターンに対応する凹凸パターンを形成

.、ム

する現像工程とを有し、刖記露光工程において、前記無機レジスト層の所定領域に評価用レ一ザ光を照射し、該評価用レ一ザ光の反射光により、前記無機レジスト層による前記露光パタ一ンの記録信号特性を評価し、この評価結果に基いて前記記録用レ一ザ光のパワー制御を行うことを特徴とする。

また、本発明は、上述の光デイスク製造用原盤の作: ：方法において、その無機レジストとして、遷移金属の不完全：化物を含んだレジスト層を用いるとを特徴とする

また、本発明は、上述の光ディスク製造用原盤作製方法において、前記評価用レ一ザ光を照射する所定領域が記無機レジストの前記記録用レ一ザ光の照射領域以外の領域することを特徴とする。

また、本発明は上述の光ディスク製造用原盤の作製方法にお

—、入 =^.—,

いて、前記記録用レ一ザ光を照射しながら、 IU 己評価用レ―ザ光の照射を、前記記用レザ光の照射位置の近傍に照射することを特徴とする。

また、本発明は上述の光ディスク製造用原盤の作製方法において、前記記録用レ一ザ光を照射しながら照射する前記評価用レ一ザ光を、前記記用レーザ光の照射位置の近傍の、前記記録用レーザ光の未露光域及び露光領域に照射し、前記評価用レーザ光の前記未露光領域力らの反射光量と、前記露光領域からの反射光量との比によつて前記無機レジスト層による前記露光パターンの記録信号特性を評価することを特徴とする。

また、本発明による光デイスクの製造用原盤の製造方法は、前記反射光量の比が一定となるように、前記記録用レーザ光のパヮ一制御を行うことを特徴とする。

そして、本発明による光ディスクの製造方法は、光ディスク製造用原盤の作製工程と、前記原盤から前記光ディスク製造用のスタンパを転写作製するスタンパ作製工程と、前記スタンパによつて光ディスク基板を転写製造する工程と、この光ディスク基板上に、反射膜を成膜する工程と、保護膜を成膜する工程とを有し、前記原盤の作製工程は、基板上に形成された無機レジスト層に対して、前記光ディスクに形成される情報凹凸パターンの情報信号に対応する情報信号によって変調された記録用レーザ光を照射して、前記光ディスクの前記情報凹凸パターンに対応する露光パターンを形成する露光工程と、その後前記無機レジスト層に対し、現像処理を行つて、刖記ノ、"機レジスト層による目 IJ記情報凹凸バターンに対応する凹凸パタ一ンを形成する工程とを有し、前記露光

_ ¾£にいて、 BU記ハ、、機レジスト層の所定領域に評価用レーザ光を照射し、該評価用レ一ザ光の反射光により、前記無機レジスト層による目リ ,己露光パタ一ンの tfb 号特性を評価し、この評価結果に基い 5し g己 fee用レ一ザ光のパヮ一制御を行つことを特徴とする。

また、本発明による光ディスクの製造方法は、前記無機レジスト層が遷移金属の不完全酸化物を含んだレジスト層であるとを特徴とする

上述した本発明による原盤作製方法においては、露光部と未露光部とにおいて反射率が相違する無機レジスト層が用いら'れることによつてゝこの反射率の差を利用して、評価用レーザ光の照射により、露光状態を評価することができ、この評価に基いて露光パヮ一の設定、もしくは露光パヮ一を変化させる制御を行て、レジスト層の露光工程で、最終的に得る光ディスクでの情報凹凸パタ一ンで求される特性、具体的には例えば D V D— R O Mにおける一 5〜十 1 5 %の要求値範囲のァシンメトリが得られるようにすることができるものである。

すなわち、本発明によれば、原盤作製の露光工程の段階で、露光処理前のテスト露光を上述した情報信号に基いて行っておくことによって、これからの評価用レーザ光の反射光によって、この露光パターンの記録信号特性の評価を行って、この露光条件による最終製品の良否を判定し、その結果から直ちに記録用の露光予定領域に対して露光装置の記録パワーの決定が可能となる。

ここで、露光パターンの記録信号特性の評価とは、露光原盤の記録信号特性、すなわち反射率比や変調度とァシンメトリとについて所定の範囲内にあるか否かを評価することであり、これによつて最終製品の光テイスクの記録信号特性の判定を行うことがでさるものである。これは後述するところから明らかなように、レジスト層の上述した記録信号特性と、光ディスクの記録信号特性、具体的には光ディスクの反射率比や変調度とァシンメトリとの関係が、互いに対応する関係にあることによる。

ここで、評価用レ一ザ光は、レジスト層に対してその感光が生じない程度のパヮ一のレーザ光であり、この評価用レーザ光は、記録用レーザ光と —の、例えば半導体レーザを用いて、そのパフ一を切り換えることによって得たレーザ光を用いることもできるが、評価用レーザ光と、露光用すなわち記録用レーザ光と同時に用いるときは、異なる半導体レーザを用いるとか、 1本のレーザ光を、グレーティングゃホログラム等によって分岐し、例えばその 0次光を記録用，レーザ光として用い、 ± 1次光を評価用レーザ光とすることができる。

次に、本発明における例えばレジスト層の反射率比（いわば規格化した反射光量比）、変調度、ァシンメトリの定義は、光デイスクにおけると同様の定義によるものであるが、これについて図 1 0 を参照して説明する。

図 1 O Aの曲線 4 0 0は、 1 7 P P変調方式における図 1 O B で示したピット（マーク）列に対する評価用レーザ光の照射による反射光量を光ピックアップ装置で検出した再生信号波形を示す。図 1 0 Aで示すように、 I _M、 I _{8 H}、 1 ₈い I _{2 H}、 I _{2 L}は、それぞれ未露光部、 8 Tスペース、 8 Tピット、 2 Tスペース、 2 Tピットの再生出力、すなわち反射光量（戻り光量）である。

そして、反射率比は、全ピット及びスペースに対する戻り光の総量の平均 I s と、未露光部に対する戻り光 I _Mとの比 I s / I _M として定義され、 ¾調度は、 ( I ₈ ： H ― I 8 _L ) ' I Mとして定義され、ァシンメトリは、 {( I _{8 H} + I 8：し）一（ I 2 ] _H+ I _{2 L})} / { 2

X ( I _{8 H}— I _{8 L})} で定義される

そして、実際には、露光した部分にはいろいろな長さのピット

(マーク；例えば露光部）やスぺスがあるため、再生時にはフオトディテクタ力ら図 1 1 に示すような、アイパターンが得られる。この場合、変調方式は 1 7 P Pであるので最長スぺ一スゃマークは 8 T、最短スペースやマ一クは 2 Tとなる o 図面の簡単な説明

図 1 A〜図 1 J は、本発明による光ディスク製造用原盤の作製及び光ディスクの製造工程図である

図 2は、本発明を適用したレジス卜層露光ェ程で用いられる露光装置を模式的に表す図であ

図 3 は、本発明による光ディスク製造用原盤の作製方法及び光ディスクの製造方法における露光時の記録パヮ一と露光前後の反射率比との関係を示す図であ Ό o

図 4は、本発明による光ディスク製造用原盤の作製方法及び光ディスクの製造方法における露光原盤の反射率比と光ディスクの記録信号のァシンメトリとの関係を示す図である o 図 5 は、本発明方法の一実施の形態例の露光態を示す図であ o

図 6 は、内周、外周で記録感度の異なるレジス h基板における光時の記録パワーと露光前後の反射率比との係を示す図であ o

図 7は、内周、外周で記録感度の異なるレジス卜基板を用いた場の露光原盤の反射率比と光ディスクの記録信号のァシンメトとの関係を示す図である。

図 8 は、本発明方法の、他の実施の形態例の露光態様を示す図である o

図 9 は、本発明方法を適用した場合の光ティスクの半径方向にけるァシンメトリ測定結果を示す図である 0

図 1 0は、本発明の説明に供する露光原盤上の露光パターンのピク卜列とこれによる'再生信号（反射光里 ) との関係を示す図である o

図 1 1 は、本発明の説明に供する露光原盤上の露光パターンによる再生信号の波形図である。

図 1 2 A 〜図 1 2 Cは、それぞれレジス卜基板に対する露光信号パルスを示す図である。

図 1 3 A〜図 1 3 J は、従来の光ディスクの製造工程図である。発明を実施するための最良の形態

本発明による光ディスク製造用原盤の作製方法と光ディスクの製造方法の実施の形態を例示.説明する。

まず本発明による光ディスク製造用原盤と、この原盤を用いて光ディスクを製造する、本発明による光ディスクの製造方法を図 1 A J の工程図を参照して説明する。原盤を構成する基板 1 0 0 の上に、スパッタリング法により所定の無機系のレジスト材料からなるレジスト層 1 0 1 を用意する (図 1 A )。この基板 1 0 0 を均一に成膜してレジスト基板 1 0 2 を得る（図 1 B )。

このレジスト層 1 0 1 のレジスト材は、遷移金属の不完全酸化物を含み、該不完全酸化物は、酸素の含有量が前記遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成の酸素含有量より小さいものであるようなレジスト材料より成る。この場合、レジスト層 1 0 1 の記録感度の改善のために基板 1 0 0 とレジスト層 1 0 1 との間に所定の中間層 1 1 0 を形成してもよい。

尚、レジスト層 1 0 1 の膜厚は任思に HX定可能であるが、 1 0 n m ~ 1 2 0 η mの範囲内が好ましレ、 o

次いで、既存のレーザ装置を備えた露光装置を利用して、レジスト層 1 0 1 に目的とする光デイスクにおける情報凹凸パターンに j心した情報信号によってオン · ォフ変調した記録用レ一ザ光による選択的露光による露光工程を行つて露光原盤 1 0 3 を作製する（図 1 c )。このとき、レジスト層 1 0 1 のレジスト材を構成する遷移金属の不完全酸化物は、紫外線又は可視光に対して吸収を示し、紫外線又は可視光が照射されることでその化学的性質が変化する。

更に、レジスト層 1 0 1 を現像することによって所定の凹凸パターンが形成された原盤 1 0 4 を得る（図 1 D )。この場合、無機レジストでありながら酸またはアルカリ水溶液に対して露光部と未露光部とでエッチング速度に差が生じる、いわゆる選択比が得られることを利用して現像することができる。

次に、電鍚法によって原盤 1 0 4 の凹凸パターン面上に金属- ッケルメツキ層 1 0 5 を形成する（図 1 E )。このメツキ層 1 0 5 を原盤 1 0 4から剥離し、所定の加工を施し、原盤 1 0 4の凹凸パターンが転写された成型用スタンパ 1 0 6 を得る（図 1 F )。この成型用スタンパ 1 0 6 を用いて射出成型法によって熱可塑性樹脂のポリカーボネートによる樹脂製の光ディスク基板 1 0 7 を成形する（図 1 G、 H)。

ついで、この光ディスク基板 1 0 7の凹凸面に例えば A 1 合金による反射膜 1 0 8 (図 I I ) と保護膜 1 0 9 とを成膜することにより光ディスク 3 0 0 を得る（図 1 J )。

上記レジスト層 1 0 2に適用されるレジスト材料は、遷移金属の不完全酸化物である。ここで、遷移金属の不完全酸化物とは、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成より酸素含有量が少ない方向にずれた化合物のこと、すなわち遷移金属の不完全酸化物における酸素の含有量が、上記遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成の酸素含有量より小さい化合物のことと定義する。これにより、この材料からなるレジスト層 1 0 2は、その遷移金属の完全酸化物の状態では透過してしまう紫外線または可視光の光エネルギーを吸収することが可能となり、無機レジスト材料の化学的な状態変化を利用した信号パターンの記録が可能となる。

レジスド材料を構成する具体的な遷移金属としては、 T i 、V、 C r 、 Mn、 F e 、 N b、 C u、 N i 、 C o、 M o、 T a、 W、

Z r 、 R u、 A g等が挙げられる。この中でも、 M o、 W、 C r 、

F e 、 N b、を用いることが好ましく、紫外線又は可視光により大さな化学的変化を得られるといった見地から特に M o、 Wを用いることが好ましい。

そして、本発明製造方法においては、上述した原盤作製の露光ェ程に先立って予め上述したレジスト基板 1 0 2 と同様のデータ測定用レジスト基板を用意し、これに対する露光を行ってその記録信号特性としての、前述した反射率比と、変調度と、ァシンメトリとの少なくともいずれかの測定データを求めて置く。

これらデータは、データ測定用レジスト基板上に、例えば目的とする光ディスクにおいて、 1 7 P P変調方式によるデータ記録を得ようとする場合は、この 1 7 P P の記録信号に基く露光を例えば複数の同心円上にその記録用レーザ光のパワーを変化させて露光パターンを形成する。 .

これら記録パワーを変化させた露光パターンを、評価用レーザ光を照射して、その反射光（戻り光）を検出して、例えば反射率比を求め、図 3 に示す反射率比対記録パワーの関係を求める。

次に、この測定に用いたデータ測定用レジスト基板によって、前述した図 I D〜 J と同様の工程を経てデータ測定用の光デイスクを作製する。

このデータ測定用の光ディスク上に形成された情報凹凸パターンの情報信号を再生してァシンメトリの測定を行う。

このようにして、図 4に示す、光ディスクのァシンメトリと、先に求めた露光原盤の反射率比との関係を得る。

このようにして得た図 4 のデータを基に、光ディスク製造用原盤の製造工程における図 1 Cの露光工程の露光、すなわち記録用レーザ光のパワー制御を行う。

この場合、製造原盤毎に図 3 と同様の反射率比と記録パワーとの関係のデータを求め、先に得た図 4のデータから、光ディスクにおいて求めるァシンメトリに応じた反射率比が得られるレーザ光による記録パワーを求め、この記録パワーの制御のもとに露光がなされる。

すなわち、この場合、例えばレジスト基板 1 0 2 に対し、その無効領域すなわちスタンぺ形成に用いられる領域外の例えば外周 ■ 無効領域に対して記録用レーザ光のパワーを変化させるテスト露光を行い、この露光部に評価用レーザ光を照射し、その記録信号特性 (反射率比、変度、ァシンメ卜ジ ) を測定し、先に求めた図 4のデータと比較して、最終的に得られる光デイスクにおいて要求されるァシンメ卜ジが得られる露光パヮ一すなわち記録用レ一ザ光のパヮ一を求めヽれによつてすベての己嫁 ¾域の露光処理を行う。

- の方法は、レン、、、ス卜基板における喊感度の変動が極端に大さくない限りは、特に光テイスクのし ^ 号のァシンメトリを規格範囲内に精度良 <収めることがでさる。

また、レジスト基板における記の変動が大さい場合においても、この露光工程において、記録用レ一ザ光を照射しながら、その記録用レーザ光の照射位置の近傍の未露光領域ヽ露光領域それぞれに評価用レーザ光を照射し、その未露光領域露光領域のそれぞれに照射される評価用レーザ光によつて得られる未露光領域の反射光量に対する露光領域の反射光の比からレジスト層 1 0 1 の記録信号特性（反射率比、変調度、ァシンメ卜ジ ) の評価を行い、その評価結果に基いてその比が一定となるよにし ^用レーザ光の記録パワーを修正する o

特に、露光工程においては、露光装置の状態や基板の状態が製造条件の変動要因となることから、この修正は有効である。また、この方法は、レジスト基板 1 0 2の近傍領域では、一般に近似の記録信号特性が得られることから、その修正が有効になされる。

尚、他のレジスト基板によって、例えば、レジストのスパックマシーンの特性を知り、記録感度の変動の傾向に応じて、評価用レーザ光の照射形態（スポット形状）を調整することが望ましい。例えば、記録感度の差が小さく、半径方向に緩やかな記録感度の差が存在するような場合は、評価用レーザ光スポットは、レジスト基板の半径方向を長径とする楕円形状のスポットとする。

また、上述した評価用レーザ光の反射光量の比が一定となるように、記録用レーザ光の記録パワーを調整することにより、最終的に得る光ディスクの記録信号のァシンメトリをディスク全体で一定とすることができる。この方法は、特にレジスト基板の記録感度がレジスト層の膜厚変動などにより半径方向に不可避的に変化する場合に有効であり、その記録感度の変化による感光結果の変動を適切に修正できる。

また、予め、反射率比とァシンメトリとの関係を得ておくことにより、レジスト基板 1 0 2におけるレジスト層 1 0 1に光を照射しながら、その記録用レーザ光の照射位置の近傍の所定領域に評価用レーザ光を照射し、この評価用レーザ光を照射した時の反射光量によって、上述した、予め得ておいた反射率比とァシンメドリとの関係から光ディスクの記録信号特性の予測評価を行うことができる。

この方法により、露光原盤から最終的な光ディスクの記録信号のァシンメトリの推定が可能となり、露光工程の段階で最終製品の信号品質の予測及び判定をすることができるようになる。

図 2 を参照してレジスト露光工程で使用される露光装置の構成を示す。この装置は、レジスト層が露光される例えばレーザ光を発生するビーム発生源 1 1 が設けられ、これよりのレーザ光が、コリメータレンズ 1 2 、グレーティング 1 9 、ビームスプリッタ 1 3 を通じ、対物レンズ 1 4によってレジスト層が成膜されたレジスト基板 1 5 のレジスト層にフォーカシングされて照射される構成を有する。また、この露光装置は、レジスト基板 1 5からの反射光をビームスプリッタ 1 3及ぴ集光レンズ 1 7 を介して分割フォトディテクタ 1 8上で結ぶ構成を有する。分割フォトディテクタ 1 8は、レジスト基板 1 5からの反射光を検出し、この検出結果から得られるフォーカス誤差信号を生成し、フォーカスァクチユエータ（図示せず）に送る。フォーカスァクチユエータは、対物レンズ 1 4 の高さ方向の位置制御を行うものである。ターンテーブル 1 6 には送り機構（図示せず）が設けられており、レジスト基板 1 5の露光位置を精度良く変えることができる。

また、この露光装置においては、情報信号、反射光量信号に基いて、レーザ駆動回路（図示せず）によってレーザビーム発生源 1 1 を制御しながら露光を行う。

更にタ一ンテ一ブル 1 6の中心軸にはスピンドルモータ制御系が設けられ、光学系の半径位置と所望の線速度とに基いて、最適なスピンドル回 fe数を BX定しスピンドルモータの制御を行う。

レジスト層の露 ίしめ 7こつては、まずレジス卜基板 1 5 を、図

2に示される露光装置のタ一ンテ一ブル 1 6 にレジスト成膜面が上側に配置されるようにセ V 卜する ο

つレヽで、ビ一ム発生源 1 1 からレジスト基板 1 5へレーザ光を照射しつつ、ターンテーブル 1 6上に搭載されたレジスト基板 1 5 を回転させながら、ターンテーブル 1 6 とともに半径方向に移動することにより、レジスト基板 1 5の主面上の内周部から外周部、あるいは外周部から内周部にかけてレジスト層にらせん状もしくは同心円状に信号パターンが記録される。詳しくは、レジスト基板 1 5上に集光されたビームスポットの光強度がある程度以上であると、レジスト基板 1 5上の無機レジスト材料に化学的な状態変化が発生し、記録マークが形成されることから、実際の露光では記録用信号パターンに対応させてビーム発生源 1 1からの出射光量を変化させ、レジスト層の記録マークのパターンを作り出すことにより信号の記録が行われる。

[光ディスク製造用原盤の作製方法]

本発明による光ディスク製造用原盤の作製方法は、図 1 Cの露光工程の段階で行う方法であり、上記露光工程における無機レジスト材料の化学的状態の違いによるレーザ光などの光の反射率の差異を利用し、光ディスクから光ピックアップにより信号を取り出すのと同様に露光原盤から信号を取り出し評価することができる。その詳細を以下に説明する。尚、露光原盤とは、露光後かつ現像前のレジスト基板をいう。

図 1 Cのレジスト層露光工程において、露光前のレジスト基板 1 5が図 2の露光装置のターンテーブル 1 6上にレジスト成膜面が上側に配置されるようにセットされた状態で評価用レーザ光を照射する（ S 1 )。

詳し < は、ビーム発生源 1 1 力、らレジス卜板 1 5 露光時のパヮ一よりも低いレ一ザ光を照射しつ O 、タンテーブル 1 6上に搭載されたレジスト基板 1 5 を回転せながら、タ一ンテープル 1 6 とともに半径方向に移動することにより、レジスト基板 1

5 の主面上の内周部から外周部、あるレ、は外周部から内周部にかけて、レジスト層上をらせん状もしくは |pj '\ <円状にレ一ザ光が相対的に走查されながら照射され尚、このときのレ一ザ光のパヮ一は露光時の 3 0分の 1程度でよい。

ステップ S 1 で照射されたレ一ザ光がレジスト層で反射された光を露光装置のビ一ムスプリッタ 1 3、集光レンズ 1 7を経てフォ卜了ィテクタ 1 8で検出する ( s 2 )。フォトディテクタ 1 8で検出さ号の低域成分はレジスト層の反射率と相関があることから、その検出された信号の中から露光前のレジスト層の反射光量（図 1 0 Aの I _M ) の半径方向の変動状態を知る（ S 3 )。次に、所定の記録パワーのレーザ光の照射によって、レジスト層に後述する露光制御方法に基く露光を行い、記録用信号例えば 1 7 P P変調方式に対応した記録信号による露光を行う（ S 4 )。このとき、レジスト層である遷移金属の不完全酸化物のうち、記録用レーザ光が照射された領域ではその化学的性質が変化している。つづいて、ステップ S 1 と同一条件で、レジスト基板 1 5 のレジス卜層に記録されたらせん状もしくは同心円状の信号記録部

(ピ V ト列、グループ等）に沿って、レーザ光が相対的に走査されながら照射される（ S 5 )。

そして、ステップ S 2 と同様に、ステップ S 5で照射されたレ一ザ光がレジスト層で反射された光を露光装置のビームスプリッタ 1 3 、集光レンズ 1 7を経てフォトディテクタ 1 8で検出する

( S 6 )。フォトディテクタ 1 8で検出された信号の中から露光後

-.、、

のレンスト層の反射光量（ ι _{8 Η}、 1 ₈い I _{2 H}、 I _{2 L} ) の半径方向の変動状態を取り出す（ S 7 )。

次いで、ステップ S 3の露光前の反射光量の半径方向の変動状態とステツプ S 7の露光後の反射光量の半径方向の変動状態とに基いて各位置における反射率比の半径方向の変動状態を求める

( S 8 )。この反射率比とは、露光原盤の検出点におけるレジスト層の露光前の反射率を基準とした、露光前後の反射率の比であり、基板条件（基板種類、中間層種類及び厚み） · レジスト条件（無機レジスト種類、厚みなど） ·露光条件（光の波長、記録パワーなど）によつて決定されるものである。

そして、予め測定しておいた反射率比と光ディスクのァシンメ卜ジとの関係（図 4 ) に基いて、ステップ S 8で求められた反射率比の半径方向の変動状態から最終的に作製される光ディスクのァシンメトリの半径方向の変動状態（図 7 ) を類推し、露光原盤としての信号評価を行なって良否の確認を行う（ S 9 )。例えば、

D V D _ R O M用の露光原盤であれば、最終的に作製される光ディスクの記録領域全面においてァ.シンメトリが例えば + 5〜十 1

0 %の範囲内にあるか否かで良品判定を行なう。

ステップ S 8、ステップ S 9 について、更に詳細を説明する。露光時の記録パワーと露光前後の反射率比との関係の一例を図 3 に示す。ここでは、シリコンを基板とし、レジスト材料として Wの 3価と M oの 3価との不完全酸化物を用いて、波長 4 0 5 n mのレーザ光で上記評価方法に従って露光原盤を実際に作製し、記録用レーザ光のビームスポット径と評価用レーザ光のビームスポット径とは同じで一定とする条件で、記録と評価とを行なった。

図 3 において、記録用レーザ光の記録パワーが大きくなるにつれて反射率比が低下する傾向が認められた。露光後の無機レジスト材料の化学的な状態変化によって反射率は低下するが、記録パフ一が大きくなるほど、その反射率が低下する領域（レジスト層に HD録されるマーク）が大きくなるからである。したがって、必ずしも反射率比が小さければよいわけではなく、反射率比が小さすぎると光ディスクの凹部（または凸部）が広がりすぎて光ディスクの記録信号のァシンメトリなどの信号規格を外れてしまうことから、信号規格を満足するには反射率比はある範囲内に存在する必要がある。その参考例を図 4に示す。

図 4は、図 3で作製された露光原盤を使用して、図 1 A〜： [ の製造工程に従い光ディスクを作製し、そのァシンメトリを測定した結果である。図 4において反射率比とァシンメトリとの間には

1対 1対応の相関が認められ、例えば反射率比が 0 . 9 2 0〜 0 .

9 2 5 の範囲'内であれば、ァシンメトリは + 5〜 + 1 0 %の範囲内 ( D V D— R O Mの管理範囲）に入ることが分かる。

したがって、前述したように、この関係図を予め求めておけば、現像前の露光原盤の反射率比からその原盤から作製される光ディスクの記録信号のァシンメトリを類推し、規格内であるか否かの信号評価を行なうことが可能である。また、レジスト層の厚みなどのレジスト基板の構造が多少異なることによって記録感度が異なる場合でも上記図 3、 4に示した関係は保たれるため、同一構成の露光原盤であればロット間の多少の変動は気にすることはない。伹し、レジスト層現像工程以降の製造条件が一定であることなどが前提である。

また、上記露光評価方法のうち、ステップ S 7 においてフォトディテクタ 1 8で検出された信号の高域成分から露光原盤の記録信号のァシンメトリや変調度を求めることもできる。すなわち、露光部分の反射率が変化することにより、露光あり · なしの領域に反射率の差異が生じ、そこに評価用レーザ光を照射するとその差異により発生する回折現象から R F信号パターンが得られ、その R F信号パターンからァシンメトリゃ変調度を求めることができる。こうして求められたァシンメトリや変調度と、この露光原盤を現像し作製された光ディスクの記録信号のァシンメトリとの間にも図 3、図 4 と同様の関係が認められる。したがって、上記露光評価方法と同様の手法で現像前の露光原盤のァシンメトリからその原盤から作製される光ディスクの記録信号のァシンメトリを類推し、規格内であるか否かの信号評価を行なうことが可能である。

以上のように、本発明の露光評価方法を用いれば、レジスト層露光工程の段階でその露光原盤により作製される光ディスクの信号品質を予測評価することができる。

[露光制御方法]

次に、前述した光ディスク製造用原盤の製造方法にけるステップ S 4について詳細に述ベる o

この露光制御方法は、図 1 Cの露光工程の段階において、上述した露光評価方法を利用してレジスト基板の露光パターンの記録信号特性の評価を行ないその評価結果に基いて、該レジスト基板に対する記録用光の記録パヮーを調整するものである。その詳細を以下に説明する。

その第 1 の実施の形態を明する。露光前のレジスト基板を用いて、レジスト基板の主面上の内周部や外周部などの光ディスクの記録領域とならない部分（デイスク規格として用いない部分）において試し露光を行い、その露光部分の露光前後の反射率比ゃァシンメトリや変調度を計測し、図

3 に示したような記録パ V一との関係を求める（ S 1 1 )。

次に、光デイスクの記録信号のァシンメトリの目標値 (例えば

+ 9 % ) となるよにヽ予め求めておいた図 4 に示したような反射率比（または露光原盤のァシンメトリや変調度）と光ディスクの記録信号のァシンメ卜ジとの関係から反射率比（または露光原盤のァシンメトリや調度 ) を求める（ S 1 2；)。

っレヽで、ステツプ S 1 2で求められた反射率比（または露光原盤のァシンメトリや変度 ) となるように、ステップ S 1 1 で求められた「記録用レ一ザ光の記録パワー」と「反射率比 (または露光原盤のァシンメ卜 y 変調度） Jとの関係から記録用レーザ光の記録パワーを求める ( S 1 3 )。

ステップ S 1 3で求められた記録パワーの条件でレジスト層露光工程を実施する ( S 1 4 )。

レジスト基板内の記録感度の変動が小さい場合には、この方法によって光デイスクの記録信号のァシンメトリを規格範囲内に精度良く収めることがでぎる o

本発明に係る露光方法の第 2の実施の形態を図 5 を参照しながら説明する。

この方法は記録用レ一ザ光を走查している過程の中で露光部分近傍の信号評価を行い、その評価結果を基に直ちに記録用レーザ光の記録パヮ一にフィ一ド、ノックして、その調整を行うものである。

図 5は図 2の露光装置における本発明の露光制御方法の態様を示すものであり、レジスト層露光工程の段階でレジスト基板のレジスト層表面に 3つのレーザ光を照射してピット列方向に走査している様子を示している。

これは図 2の露光装置においてグレーティング 1 9 を活用することにより、 1つのビーム発生源 1 1 からのレーザ光が 3つのビームに分けてレジスト層表面に照射され、それぞれ同じ径のスポット A、 B、 Cの光点となっている。ここでは、スポット Aにより記録が行われる。また、スポット B とスポット C とのパワーは等しく、スポクト Aの約 3 0分の 1 と / j、さく、レジスト層の信号を読み取るために用いられ Ό。これらスポット Aを中心としてその近傍にスポクト B、じが配置されている。

この態様にねいて次のような露光制御が行われる。

まず、光ティスクの記録信号のァシンメトリの目標値 (例えば

+ 9 % ) となるように、予め求めておいた図 4に示したような反射率比と光ティスクの記録信号のァシンメトリとの関係から反射率比 Rを求められる（ S 2 1 ) o 露光のスタート時には、その反射率比 Rとなるように予め用意された図 3に示したような記録用光の記録パフ一と反射率比との関係から求められた記録パヮ一の記録用光がスポ V ト Aに照射され Ό o

スポッ卜 Bは実際のビーム走查方向において記録用スポット A よりも先行した配置となつており、露光前のレジスト層の反射光量を計測する（ S 2 2 )。スポット Cは実際のビームの走査方向において記録用スポット Aよりも後ろの配置となっており、露光後のレジスト層の反射光量を計測する（ S 2 3 )。いずれの反射光量も、それぞれのスポットからの反射光を図 2のビームスプリッタ 1 3及び集光レンズ 1 7 を介して分割フォトディテクタ 1 8で検出し計測されるものである。

次に、それらの反射光量の比、すなわち、（スポット Cの反射光量） / (スポット Bの反射光量）を求める（ S 2 4 )。この反射光量比は、上己 ¾· 3t評価方法で述ベた反射率比に相当する。

ステップ S 2 1 で求めてあつた反射率比 Rと、ステップ S 2 4 で求められた反射光量比とを比較して、それらが一致するか確認する ( S 2 5 )。

両者がー致した場合、その記録パワーの条件でのレーザ光照射

(露光 ) が継続される（ S 2 6

两者がー致しなレ、口、ステップ S 2 1 の記録パワーとステツプ S 2 4の反射光量比との関係に基いて、前記記録用レーザ光の記録パヮ一と反射率比との関係を修正する（ S 2 7 )。例えば、図

3にいて記録用レ一ザ光の記録パヮ一と反射光量比（反射率比）との関係から求めて、その記録パワー条件にスポット Aのレーザ光の条件を修正し、露光を実施する（ S 2 8 )。

上記ステップ S 2 2力ら S 2 8までの一連の処理はごく短時間 - sオーダー）で行われるものであり、レジスト基板のレジスト層表面に 3 つのレ一ザ光を照射してピット列方向に走査している過程の中で連続して行われるものである。

以上の露光制御方法によって、常に反射光量比が一定になるように記録用レーザ光の記録パワーを制御すること力 sでき、ひいてはその露光原盤により作製された光ディスクの記録信号のァシンメトリを一定とすることができる。特に、この露光制御方法では、図 6 に示すようなレジスト基板の内周と外周との間に記録感度差があるような場合でも、図 7に示すように「露光原盤の反射率比」と「光ディスクのァシンメトリ」の関係は図 4 と同様に保たれるので、上記露光制御方法を用いることにより光ディスク全体に渡つて安定した信号品質が得られることが特徴である。

次に、本発明に係る露光制御方法の第 3の実施の形態を図 8 を参照しながら説明する。この方法は、記録感度の差が小さく、半径方向に緩やかな記録感度の差が存在するようなレジスト基板にも対応できるように第 2の実施の形態を改良したものである。すなわち、図 8では、図 2の露光装置のグレーティング 1 9 を活用することにより、 1つのビーム発生源 1 1 からのレーザ光が 3つのビームに分けてレジスト層表面に照射され、真円のスポッド A、並びにレジスト基板半径方向が長径となる楕円形状のスポット B、 Cの光点となっている。ここでは'、スポット Aにより記録が行われ、スポット B とスポット C とのパワーは等しく、スポト Aの約 3 0分の 1 と小さく、レジスト層の信号を読み取るために用いられる ο また、スポット Αを挟むようにその近傍にスポ V 卜 B、 Cが配置されている。

この態様において露光制御は上記第 2の実施の形態における場合と同様でめ ο この方法によつて、常に反射光量比が一定になるように記録用レザ光の記録パヮーを制御することができ、ひいてはその露光原盤により作製された光ディスクの記録信号のァシンメト V を一定とすることができる。特に、この露光制御方法で ί¾、 BD録感度の差が小さく、半径方向に緩やかな記録感度の差が存在するようなレジスト基板も精度良く制御することが可能となる。

また、 - の実施形態による方法には、第二の実施の形態よりもグレーティングの角度調整や記録用レーザ光学系の位置調整が簡単となる利点もある。

よ />—ゝ本発明に係る露光制御方法及び露光評価方法は、上記無機レジスト材料に対してレーザ光と水銀ランプの光とを組み合わせた光で露光する方法にも適用可能である。例えば、波長 6 6 0 n mの赤色半導体レーザと、波長 1 8 5 n m、 2 5 4 n m、及ぴ 4 0 5 n m程度にピークを有する水銀ランプからの露光との組み合わせである。

(実施例）レジスト材料として Wの 3価と M oの 3価との不完全酸化物を用いて図 1 A〜 J に示した製造工程に従って原盤を実際に作製し、最終的に光ディスクを作製した。特に、レジスト層露光工程においては上記第二の実施の形態の露光制御方法によって露光制御を行った。以下、図 1 A〜 J を参照しながら実施内容を説明する。

まず、シリコンウェハを基板 1 0 0 (図 1 A ) とし、その基板上に、スパタリング法によりアモルファスシリコンからなる中間層 1 0 1 を 8 0 n mの膜厚で均一に成膜した。ついで、その上にスノクタジング法により Wと M o との不完全酸化物からなるレジスト層 1 0 2を均一に成膜した（図 1 B )。このとき、 Wと M o との不完全酸化物からなるス /、°ッタターゲットを用い、ァノレゴン分囲気中でスパックリングを行つた。このとき、堆積したレジス層を E D X ( E n e r g y D i s p e r s l v e X— r a y A n a 1 y s l s ) にて解析したところ、成膜された Wと M o との不兀全酸化物における Wと M o との比率は 8 0 ： 2 0であ

X) 、酸素の含有率は 6 0 a t . %で .あった。また、レジスト層の膜厚は 5 5 n mであった。

レジス卜層の成膜が終了したレジスト基板を、図 2 に示す露光装置のタ一ンテープノレ上に載置した。ついでターンテーブルを所望の回転数で回転させながら照射閾値パワー未満のレーザを照射し、レジス卜層にフォー力スが合うようにァクチュエータにて対物レンズのさ方向の位置を設定した。

次に、光学系を固定した状態で、ターンテープノレに設けられた送り機構により所望の半径 1AI置にターンテープノレを移動させ、図

5 に示すよつに露光装置のグレーテイングを活用することにより

1 つのビ一ム発生源からのレーザ光を 3 つのビームに分けてレジスト層表面に照射した。このとき、スポット Aでは情報データに応じてピ V 卜に対応する照射パルスをレジスト層に照射し、レジスト層を露光する。スポット Bでは露光前のレジスト層の反射光量が計測される。ここでは、光ディスクの記録信号のァシンメトリが + 9 . 5 %、すなわち反射率比 0 . 9 2 となるように、上記第 2の実施の形態で示した露光制御方法に基いて露光制御を行つた。

また、このとき、ターンテーブルを回転させたままレジスト基板の半径方向にターンテーブルを連続的に僅かな距離にて移動させながら、露光を行った。このときの露光条件を以下に示す。 • 露光波長： 4 0 5 n m

' 露光光学系の開口数 NA : 0 . 9 5

• 変調方式： 1 7 P P

' ピット長： 1 1 2 n m

• トラックピッチ： 3 2 0 n m

• 露光時の線速度： 4. 9 2 m/ s

· 書込方式：相変化ディスクと同様な簡易書込み方式

• 記録パワー（初期値）： 1 3 . 0 mW (スポット A )

' 評価パワー：各 0. 2 m W (スポット B、 C )

上記露光後に所定の現像、電铸、射出成型、反射膜、保護膜形成を行い、 1 2 c m径の光ディスクを得た。尚、以上の露光原盤から光ディスクを得るまでの工程は従来公知の技術で製造した。得られた光ディスクでは、 1 3 0 n m長のピット、幅 1 4 9 n m の線状ピットなどが実際の信号パターンに対応する状態でピットが形成されており、記録容量 2 5 G Bの光ディスクとなっていることが確認された。

(比較例）

上記実施例における光ディスクの製造工程のうち、レジスト層露光工程において本発明の露光制御方法を適用せずに従来の露光方法（記録パヮ——定）で処理を行い、それ以外は同じ製造条件で光ディスクを製造した。

尚、露光工程終了の段階で露光原盤に評価用レーザ光を照射し、本発明による記録信号特性（反射率比）の評価を行なったところ、ディスク半径 3 7 m n！〜 4 O m mの領域のみが最終製品の信号特性を満足するものと予測された。

上記実施例及び比較例で得られた記録容量 2 5 G Bの光デイスクについて、光ディスク全周にわたってァシンメトリを測定した。その結果を図 9に示す。

実施例においては、光ディスクの半径方向の全長でァシンメトリが安定してほぼ目標値 ( + 9 . 5 % ) となっており、 D V D -

R O M規格で判定すると信号品質の優れた合格品であるとが確認された。これに対して、比較例の光ァィスクでは内径から外径にかけてァシンメトリが大きく増加しており、 D V D ― R Ο Μ規格で判定すると内周部、外周部におレ、て信号品質が N Gとなっていた。

これは、レジスト基板の記録感度がレジスト層の膜厚変動などにより半径方向に不可避的に変化しているが、従来の露光制御方法では感光結果、すなわち凹部寸法 n度にその記録感度の変化が修正されることなくそのまま現れてしまう結果である o これに対して、本発明によればその記録感度の変化による感光果の変動を適切に修正できることが示されてい Ό。

尚、本発明において、上述しに α?έ明においては、主として記録ピット（マーク）について説明したが、卜ラッキングめるいは了ドレス用等のグループを有する光ディスクを製造する場合に、本発明を適用することもできる。

また、例えば露光原盤に対する評価用レーザ光照射において、そのレーザ光源の例えば半導体レーザに高周波重畳を行うことによってレーザ光の安定化を図ることができる。またヽレジスト層に対する記録用レーザ光によるパターン露光におレ、ては、各ピットに関して、図 1 2 A〜 Cにおける曲線 a で示す単一パルス光によって行う場合に限らず、図 1 2 A〜 Cに示すように、例えば n Tのマークの記録において、（ n— 1 ) のパルスによる記録、 n / 2のパルス光による記録、あるいはダンベル

(凹字状 )パターンのパルス光などによることもできるなど、種々の形態をとることができる。

また、上述した例では、原盤 1 0 4から直接的に成型用スタンパ 1 0 6 を形成した場合であるが、原盤 1 0 4から、例えば複数のマスタースタンパを作製し、このマスタ'ースタンパの転写によつてマザースタンパを作製して、成型用スタンパ 1 0 6 を得ることがでぎる。このように、 1 つの原盤 1 0 4から複数のマスターを得る、 _とができるのは、本発明によるときは、原盤の情報凹凸パタ一ンが無機レジストによって構成され、これが強靭であることから可能となるものである。

そして、上述した本発明製造方法を実施する記録用レーザ光、評価用レ一ザ光を得る半導体レーザは、例えばペルチェ素子等によつてその温度制御を行って,半導体レーザの湿度を一定としてレ一ザ光の出力の安定化を図ることが望ましいものである。産業上の利用可能性

本発明に係る露光制御方法によって、露光工程の段階で、露光処理刖のテスト露光、あるいは露光直後にその露光部分の記録信号特性（反射光量比、露光原盤に記録された信号に関する再生信号のァシンメトリ）に基いて、その露光条件による最終製品の良否が判定できることから、その結果から直ちにつぎの露光予定領域に対して露光装置の記録パワーの決定や修正が可能となる。また、前記反射光量の比が一定となるように、前記記録用光の記録パワーを調整することによって、最終的な光ディスクの記録信号のァシンメトリをディスク全体で一定とすることができる。

本発明に係る露光評価方法によって、露光原盤から最終的な光ディスクの記録信号のァシンメトリの推定が可能となり、露光ェ程の段階で最終製品の信号品質の判定をすることができるようになる。

Claims

請求の範囲

1 . 光ディスク製造用原盤の作製方法であって、

基板上に形成された無機レジスト層に対して、前記光ディスクに形成される情報凹凸パターンの情報信号に対応する情報信号によって変調された記録用レーザ光を照射して、前記光ディスクの前記情報凹凸パターンに対応する露光パターンを形成する露光ェ程と、

その後前記無機レジスト層に対し、現像処理を行って、前記無機レジスト層による前記情報凹凸パターンに対応する露光パターンを形成する現像工程とを有し、

前記露光工程において、前記無機レジスト層の所定領域に評価用レーザ光を照射し、該評価用レーザ光の反射光により、前記無機レジスト層による前記露光パターンの情報信号特性を評価し、この評価結果に基いて前記記録用レーザ光のパワー制御を行うことを特徴とする光ディスク製造用原盤の作製方法。

2 . 前記無機レジスト層が遷移金属の不完全酸化物を含んだレジスト層であることを特徴とする請求の範囲第 1項記載の光ディスク製造用原盤の作製方法。

3 . 前記評価用レーザ光を照射する所定領域が、，前記無機レジストの前記記録用レーザ光の照射領域以外の領域であることを特徴とする請求の範囲第 1項記載の光ディスク製造用原盤の作製方法。

4 . 前記記録用レーザ光を照射しながら、前記評価用レーザ光の照射を、前記記録用レーザ光の照射位置の近傍に照射することを特徴とする請求の範囲第 1項記載の光ディスク製造用原盤の作製方法。

5 . 前記記録用レーザ光を照射しながら照射する前記評価用レ一ザ光を、前記記録用レーザ光の照射位置の近傍の、前記記録用レザ光の未露光領域及び露光領域に照射し、前記評価用レーザ光の目 IJ 5己未露光領域からの反射光量と、前記露光領域からの反射光量との比によって前記無機レジスト層による前記露光パターンの情報信号特性を評価することを特徴とす求の範囲第 1項記載の光デイスク製造用原盤の作製方法。

'

6 • 刖記.反射光量の比が一定となるように、 IU記記録用レーサ光のパヮ一制御を行うことを特徴とする請求の範囲第 5項に記載の光ディスク製造用原盤の作製方法。

-、

7 • 光ディスク製造用原盤の作製工程と、 m記原盤から前記光ディスク製造用のスタンパを転写作製するスタンパ作製工程と、刖記スタンパによって光ディスク基板を転写製造する工程と、該光ティスク基板上における反射膜の成膜ェ程と、保護膜の成膜ェとを有し、

前記原盤の作製工程は、基板上に形成された無機レジスト層に対して、前記光ディスクに形成される情報凹凸パターンの情報信号に対応する情報信号によって変調された記録用レーザ光を照射して、前記光ディスクの前記情報凹凸パターンに対応する露光パターンを形成する露光工程と、その後前記無機レジスト層に対し、現像処理を行って、前記無機レジ.スト層による前記情報凹凸パタ —ンに対応する露光パターンを形成する工程とを有し、前記露光工程において、前記無機レジスド層の所定領域に評価用レーザ光を照射し、該評価用レーザ光の反射光により、前記無機レジスト層による前記露光パターンの情報信号特性'を評価し、この評価結果に基いて前記記録用レーザ光のパワー制御を行うことを特徴とする光ディスクの製造方法。

8 . 前記無機レジスト層が遷移金属の不完全酸化物を含んだレジスト層であることを特徴とする請求の範囲第 7項記載の光ディスクの製造方法。