JPH09128818A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH09128818A JPH09128818A JP7309828A JP30982895A JPH09128818A JP H09128818 A JPH09128818 A JP H09128818A JP 7309828 A JP7309828 A JP 7309828A JP 30982895 A JP30982895 A JP 30982895A JP H09128818 A JPH09128818 A JP H09128818A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- resist layer
- output
- detecting
- film thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
- G03F7/704—Scanned exposure beam, e.g. raster-, rotary- and vector scanning
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、マスタリング工程を簡易かつ低コス
トで行うことのできる光デイスク原盤露光装置を実現す
る。 【解決手段】記録信号に応じて変調された第１のレーザ
光をレジスト層に照射してレジスト層を記録信号に応じ
たパターンで露光すると共に、レジスト層に感光しない
波長を有する第２のレーザ光を所定部材の所定面に照射
し、第２のレーザ光を所定部材の所定面に照射して得ら
れる第２の反射光の光量が一定となるように第２のレー
ザ光の出力光量を制御した状態での第２のレーザ光の出
力光量の変化に基づいてレジスト層の膜厚を測定し、第
２の反射光の光量変化に基づいて所定部材の所定面に存
在する欠陥を検査する。これにより、膜厚検査及び欠陥
検査を露光工程中に行うことができるので、膜厚検査工
程、欠陥検査工程及び露光工程を一本化し得、かくして
マスタリング工程を簡易かつ低コストで行うことのでき
る露光装置を実現し得る。
トで行うことのできる光デイスク原盤露光装置を実現す
る。 【解決手段】記録信号に応じて変調された第１のレーザ
光をレジスト層に照射してレジスト層を記録信号に応じ
たパターンで露光すると共に、レジスト層に感光しない
波長を有する第２のレーザ光を所定部材の所定面に照射
し、第２のレーザ光を所定部材の所定面に照射して得ら
れる第２の反射光の光量が一定となるように第２のレー
ザ光の出力光量を制御した状態での第２のレーザ光の出
力光量の変化に基づいてレジスト層の膜厚を測定し、第
２の反射光の光量変化に基づいて所定部材の所定面に存
在する欠陥を検査する。これにより、膜厚検査及び欠陥
検査を露光工程中に行うことができるので、膜厚検査工
程、欠陥検査工程及び露光工程を一本化し得、かくして
マスタリング工程を簡易かつ低コストで行うことのでき
る露光装置を実現し得る。
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 発明の属する技術分野 従来の技術 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段 発明の実施の形態（図１及び図２） （１）全体構成（図１） （２）膜厚欠陥測定部の構成（図１及び図２） （３）実施例の動作及び効果（図１及び図２） （４）他の実施例（図１及び図２） 発明の効果
【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明は露光装置に関し、例
えば光デイスク成形時に金型として用いるデイスク原盤
を作成する際に用いる露光装置に適用して好適なもので
ある。
えば光デイスク成形時に金型として用いるデイスク原盤
を作成する際に用いる露光装置に適用して好適なもので
ある。
【０００３】
【従来の技術】従来、プラスチツク材からなる光デイス
クの成形時に金型として用いるデイスク原盤（いわゆる
スタンパ）は、以下の手順により作成される。すなわ
ち、まずスピンコータ等を用いてガラス基盤の一面にフ
オトレジストを塗布してレジスト層を形成する。続いて
このレジスト層を光デイスク原盤露光装置を用いて露光
することにより信号を記録した後、これを現像すること
によりガラス原盤の一面上に残存するレジスト層によつ
て記録信号に応じた凹凸パターンを形成する。
クの成形時に金型として用いるデイスク原盤（いわゆる
スタンパ）は、以下の手順により作成される。すなわ
ち、まずスピンコータ等を用いてガラス基盤の一面にフ
オトレジストを塗布してレジスト層を形成する。続いて
このレジスト層を光デイスク原盤露光装置を用いて露光
することにより信号を記録した後、これを現像すること
によりガラス原盤の一面上に残存するレジスト層によつ
て記録信号に応じた凹凸パターンを形成する。
【０００４】次いでこの凹凸パターンの表面上に無電解
メツキ等により導電化膜層を形成し、さらにこの導電化
膜層上に電鋳により金属層を形成した後、当該金属層の
上部を研削することにより除去する。さらにこのように
して形成した導電化膜層及び金属層からなるスタンパ部
材をガラス原盤から剥離し、これを打ち抜き用シヤー等
を用いてドーナツ状の所定形状に打ち抜く。これにより
一面に記録信号に応じた凹凸パターンが形成されたスタ
ンパを得ることができる。
メツキ等により導電化膜層を形成し、さらにこの導電化
膜層上に電鋳により金属層を形成した後、当該金属層の
上部を研削することにより除去する。さらにこのように
して形成した導電化膜層及び金属層からなるスタンパ部
材をガラス原盤から剥離し、これを打ち抜き用シヤー等
を用いてドーナツ状の所定形状に打ち抜く。これにより
一面に記録信号に応じた凹凸パターンが形成されたスタ
ンパを得ることができる。
【０００５】ところでこのようなマスタリング工程で
は、ガラス基盤の一面にフオトレジストを塗布してレジ
スト層を形成した後、形成されたレジスト層の膜厚が適
正な膜厚に形成されているかをエリプソメータ等を用い
て検査する（以下、これを膜厚検査工程と呼ぶ）と共
に、ガラス原盤上に存在する傷やゴミ等による欠陥の有
無を光学ピツクアツプ等を用いて反射光量の変動として
検出して検査する（以下これを欠陥検査工程と呼ぶ）こ
とにより品質を維持及び管理するようになされている。
は、ガラス基盤の一面にフオトレジストを塗布してレジ
スト層を形成した後、形成されたレジスト層の膜厚が適
正な膜厚に形成されているかをエリプソメータ等を用い
て検査する（以下、これを膜厚検査工程と呼ぶ）と共
に、ガラス原盤上に存在する傷やゴミ等による欠陥の有
無を光学ピツクアツプ等を用いて反射光量の変動として
検出して検査する（以下これを欠陥検査工程と呼ぶ）こ
とにより品質を維持及び管理するようになされている。
【０００６】すなわちこのマスタリング工程では、露光
工程の前に膜厚検査工程と欠陥検査工程の２つの工程が
必要であるため、その分全工程のサイクルタイムが長く
なると共に、この膜厚検査工程及び欠陥検査工程は、独
立した装置を用いて別個に行われているため、装置架体
２台分の設置スペースが必要となる問題があつた。この
ような問題を解決する１つの方法として、膜厚検査工程
及び欠陥検査工程を１つの装置で同時に行うのもが考案
されている（特願平2-4158585 ）。
工程の前に膜厚検査工程と欠陥検査工程の２つの工程が
必要であるため、その分全工程のサイクルタイムが長く
なると共に、この膜厚検査工程及び欠陥検査工程は、独
立した装置を用いて別個に行われているため、装置架体
２台分の設置スペースが必要となる問題があつた。この
ような問題を解決する１つの方法として、膜厚検査工程
及び欠陥検査工程を１つの装置で同時に行うのもが考案
されている（特願平2-4158585 ）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところがこの場合、膜
厚検査工程及び欠陥検査工程を１つの装置で同時に行う
ようにしたことにより、２工程を１工程に減らすことが
できると共に装置架体の設置スペースを１台分減らすこ
とができるが、膜厚検査及び欠陥検査のために１工程分
の時間が必要となると共に装置架体１台分の設置スペー
スが必要であり、依然、サイクルタイム、装置のコスト
及び装置の設置スペースに対する問題を解決できない。
厚検査工程及び欠陥検査工程を１つの装置で同時に行う
ようにしたことにより、２工程を１工程に減らすことが
できると共に装置架体の設置スペースを１台分減らすこ
とができるが、膜厚検査及び欠陥検査のために１工程分
の時間が必要となると共に装置架体１台分の設置スペー
スが必要であり、依然、サイクルタイム、装置のコスト
及び装置の設置スペースに対する問題を解決できない。
【０００８】またガラス原盤をクリーントンネル内で自
動搬送して工程を１つのラインで構成するようになされ
たインライン型マスタリングシステムにおいては、搬送
系、架体などが工程数分必要となり、サイクルタイム、
装置のコスト及び装置の設置スペースが増加するという
問題があつた。
動搬送して工程を１つのラインで構成するようになされ
たインライン型マスタリングシステムにおいては、搬送
系、架体などが工程数分必要となり、サイクルタイム、
装置のコスト及び装置の設置スペースが増加するという
問題があつた。
【０００９】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、マスタリング工程を簡易かつ低コストで行うことの
できる露光装置を提案しようとするものである。
で、マスタリング工程を簡易かつ低コストで行うことの
できる露光装置を提案しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め第１の発明においては、所定部材の所定面にフオトレ
ジストを塗布することにより形成されたレジスト層に記
録信号に応じて変調された第１のレーザ光を照射するこ
とにより、レジスト層に所望の露光パターンを形成する
露光装置において、レジスト層が感光しない波長を有す
る第２のレーザ光を射出する光源と、光源から射出され
た第２のレーザ光をレジスト層に導く光学系と、第２の
レーザ光を所定部材の所定面に集光させる集光手段と、
第１のレーザ光又は第２のレーザ光を所定部材の所定面
に照射して得られる第１の反射光又は第２の反射光に基
づいて所定部材及び集光手段間の相対距離の誤差を検出
する焦点用光学系と、焦点用光学系の出力に基づいて集
光手段を駆動制御することにより所定部材及び集光手段
間の相対距離を一定に保持する駆動手段と、第２の反射
光の光量が一定となるように光源から射出される第２の
レーザ光の出力光量を制御する光量制御手段と、光源か
ら射出される第２のレーザ光の光量を検出する第１の光
量検出手段と、第１の光量検出手段の出力に基づいてレ
ジスト層の膜厚を測定する測定手段とを設ける。
め第１の発明においては、所定部材の所定面にフオトレ
ジストを塗布することにより形成されたレジスト層に記
録信号に応じて変調された第１のレーザ光を照射するこ
とにより、レジスト層に所望の露光パターンを形成する
露光装置において、レジスト層が感光しない波長を有す
る第２のレーザ光を射出する光源と、光源から射出され
た第２のレーザ光をレジスト層に導く光学系と、第２の
レーザ光を所定部材の所定面に集光させる集光手段と、
第１のレーザ光又は第２のレーザ光を所定部材の所定面
に照射して得られる第１の反射光又は第２の反射光に基
づいて所定部材及び集光手段間の相対距離の誤差を検出
する焦点用光学系と、焦点用光学系の出力に基づいて集
光手段を駆動制御することにより所定部材及び集光手段
間の相対距離を一定に保持する駆動手段と、第２の反射
光の光量が一定となるように光源から射出される第２の
レーザ光の出力光量を制御する光量制御手段と、光源か
ら射出される第２のレーザ光の光量を検出する第１の光
量検出手段と、第１の光量検出手段の出力に基づいてレ
ジスト層の膜厚を測定する測定手段とを設ける。
【００１１】また第２の発明においては、所定部材の所
定面にフオトレジストを塗布することにより形成された
レジスト層に記録信号に応じて変調された第１のレーザ
光を照射することにより、レジスト層に所望の露光パタ
ーンを形成する露光装置において、レジスト層が感光し
ない波長を有する第２のレーザ光を射出する光源と、光
源から射出された第２のレーザ光をレジスト層に導く光
学系と、第２のレーザ光を所定部材の所定面に集光させ
る集光手段と、第１のレーザ光又は第２のレーザ光を所
定部材の所定面に照射して得られる第１の反射光又は第
２の反射光に基づいて所定部材及び集光手段間の相対距
離の誤差を検出する焦点用光学系と、焦点用光学系の出
力に基づいて集光手段を駆動制御することにより所定部
材及び集光手段間の相対距離を一定に保持する駆動手段
と、第２の反射光の光量が一定となるように光源から射
出される第２のレーザ光の出力光量を制御する光量制御
手段と、第２の反射光の光量を検出する第２の光量検出
手段と、第２の光量検出手段の出力に基づいてレジスト
層に存在する欠陥を検出する測定手段とを設ける。
定面にフオトレジストを塗布することにより形成された
レジスト層に記録信号に応じて変調された第１のレーザ
光を照射することにより、レジスト層に所望の露光パタ
ーンを形成する露光装置において、レジスト層が感光し
ない波長を有する第２のレーザ光を射出する光源と、光
源から射出された第２のレーザ光をレジスト層に導く光
学系と、第２のレーザ光を所定部材の所定面に集光させ
る集光手段と、第１のレーザ光又は第２のレーザ光を所
定部材の所定面に照射して得られる第１の反射光又は第
２の反射光に基づいて所定部材及び集光手段間の相対距
離の誤差を検出する焦点用光学系と、焦点用光学系の出
力に基づいて集光手段を駆動制御することにより所定部
材及び集光手段間の相対距離を一定に保持する駆動手段
と、第２の反射光の光量が一定となるように光源から射
出される第２のレーザ光の出力光量を制御する光量制御
手段と、第２の反射光の光量を検出する第２の光量検出
手段と、第２の光量検出手段の出力に基づいてレジスト
層に存在する欠陥を検出する測定手段とを設ける。
【００１２】第１の発明においては、記録信号に応じて
変調された第１のレーザ光をレジスト層に照射してレジ
スト層に露光パターンを形成すると共に、当該レジスト
層が感光しない波長を有する第２のレーザ光を所定部材
の所定面に焦点を合わせて照射し、第２の反射光の光量
が一定となるように光源の出力光量を制御した状態での
第２のレーザ光の出力光量の変化に基づいてレジスト層
の膜厚を測定するようにしたことにより、膜厚検査を露
光工程中に行うことができるので、膜厚検査工程及び露
光工程を一本化し得る。
変調された第１のレーザ光をレジスト層に照射してレジ
スト層に露光パターンを形成すると共に、当該レジスト
層が感光しない波長を有する第２のレーザ光を所定部材
の所定面に焦点を合わせて照射し、第２の反射光の光量
が一定となるように光源の出力光量を制御した状態での
第２のレーザ光の出力光量の変化に基づいてレジスト層
の膜厚を測定するようにしたことにより、膜厚検査を露
光工程中に行うことができるので、膜厚検査工程及び露
光工程を一本化し得る。
【００１３】第２の発明においては、記録信号に応じて
変調された第１のレーザ光をレジスト層に照射してレジ
スト層に露光パターンを形成すると共に、当該レジスト
層が感光しない波長を有する第２のレーザ光を所定部材
の所定面に焦点を合わせて照射し、第２の反射光の光量
が一定となるように光源の出力光量を制御した状態での
第２の反射光の光量変化に基づいて所定部材の所定面の
欠陥を検出するようにしたことにより、欠陥検査を露光
工程中に行うことができるので、欠陥検査工程及び露光
工程を一本化し得る。
変調された第１のレーザ光をレジスト層に照射してレジ
スト層に露光パターンを形成すると共に、当該レジスト
層が感光しない波長を有する第２のレーザ光を所定部材
の所定面に焦点を合わせて照射し、第２の反射光の光量
が一定となるように光源の出力光量を制御した状態での
第２の反射光の光量変化に基づいて所定部材の所定面の
欠陥を検出するようにしたことにより、欠陥検査を露光
工程中に行うことができるので、欠陥検査工程及び露光
工程を一本化し得る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
施例を詳述する。
【００１５】（１）全体構成 図１において、１は全体として本発明を適用した光デイ
スク原盤露光装置を示し、レーザ光源２から射出された
検査用の光ビームＬA は偏光ビームスプリツタ３に入射
する。レーザ光源２は、単一直線偏光を出射し、当該レ
ーザ光源２の波長がレジスト層を感光しない可視光を出
射する可視光半導体レーザで構成されており、これによ
り光ビームＬA の光軸調整及び光量の調整を容易に行う
ことができるようになされている。
スク原盤露光装置を示し、レーザ光源２から射出された
検査用の光ビームＬA は偏光ビームスプリツタ３に入射
する。レーザ光源２は、単一直線偏光を出射し、当該レ
ーザ光源２の波長がレジスト層を感光しない可視光を出
射する可視光半導体レーザで構成されており、これによ
り光ビームＬA の光軸調整及び光量の調整を容易に行う
ことができるようになされている。
【００１６】偏光ビームスプリツタ３に入射した検査用
光ビームＬA は、その単一直線偏光成分が反射して１／
４波長板４に光ビームＬA1として入射すると共に、当該
単一直線偏光成分と直交する直線偏光成分は透過して光
ビームＬA2としてフオトダイオード及びアンプで構成さ
れ、Ｓ／Ｎ比が高く直線性に優れた高精度の光量検出素
子でなる入射光量検出部５に入射する。ここで偏光ビー
ムスプリツタ３における反射と透過の光量比（すなわち
光ビームＬA1と光ビームＬA2との光量比）は、光量を高
精度に検出するのに適正な比率に設定されている。この
場合、レーザヘツド（図示せず）を偏光ビームスプリツ
タ３に対して光軸中心に回転させることにより光量比を
変えることができる。光ビームＬA1は１／４波長板４に
よつて円偏光ビームＬA3に変換された後、ダイクロイツ
クミラー６に入射する。
光ビームＬA は、その単一直線偏光成分が反射して１／
４波長板４に光ビームＬA1として入射すると共に、当該
単一直線偏光成分と直交する直線偏光成分は透過して光
ビームＬA2としてフオトダイオード及びアンプで構成さ
れ、Ｓ／Ｎ比が高く直線性に優れた高精度の光量検出素
子でなる入射光量検出部５に入射する。ここで偏光ビー
ムスプリツタ３における反射と透過の光量比（すなわち
光ビームＬA1と光ビームＬA2との光量比）は、光量を高
精度に検出するのに適正な比率に設定されている。この
場合、レーザヘツド（図示せず）を偏光ビームスプリツ
タ３に対して光軸中心に回転させることにより光量比を
変えることができる。光ビームＬA1は１／４波長板４に
よつて円偏光ビームＬA3に変換された後、ダイクロイツ
クミラー６に入射する。
【００１７】一方、レジスト層が感光する波長を有し、
適正な光量を射出するレーザ光源（図示せず）と、記録
信号を変調する変調器（図示せず）とを有する露光光学
系７から記録信号に応じて変調された光強度変調光が露
光用の光ビームＬB として射出されて偏光ビームスプリ
ツタ８に入射する。この偏光ビームスプリツタ８は露光
用光ビームＬB のほぼ全光量が偏光ビームスプリツタ８
を透過するようにその単一直線偏光面が配置されてい
る。偏光ビームスプリツタ８を透過した単一直線偏光ビ
ームＬB1は、１／４波長板９によつて円偏光ビームＬB2
に変換された後、ダイクロイツクミラー６に入射され
る。
適正な光量を射出するレーザ光源（図示せず）と、記録
信号を変調する変調器（図示せず）とを有する露光光学
系７から記録信号に応じて変調された光強度変調光が露
光用の光ビームＬB として射出されて偏光ビームスプリ
ツタ８に入射する。この偏光ビームスプリツタ８は露光
用光ビームＬB のほぼ全光量が偏光ビームスプリツタ８
を透過するようにその単一直線偏光面が配置されてい
る。偏光ビームスプリツタ８を透過した単一直線偏光ビ
ームＬB1は、１／４波長板９によつて円偏光ビームＬB2
に変換された後、ダイクロイツクミラー６に入射され
る。
【００１８】ダイクロイツクミラー６は、円偏光ビーム
ＬA3と円偏光ビームＬB2とを合成する。合成された光ビ
ームＬABは対物レンズ１０によつて集光された後、ター
ンテーブル１１上に載置されたガラス原盤１２に合焦点
状態で照射され、その露光用光ビーム成分によつてガラ
ス原盤１２の所定面に形成されたレジスト層（図示せ
ず）を露光する。ここで円偏光ビームＬA3は、その光軸
が対物レンズ１０の光軸に対して若干オフセツトされて
対物レンズ１０に入射する。
ＬA3と円偏光ビームＬB2とを合成する。合成された光ビ
ームＬABは対物レンズ１０によつて集光された後、ター
ンテーブル１１上に載置されたガラス原盤１２に合焦点
状態で照射され、その露光用光ビーム成分によつてガラ
ス原盤１２の所定面に形成されたレジスト層（図示せ
ず）を露光する。ここで円偏光ビームＬA3は、その光軸
が対物レンズ１０の光軸に対して若干オフセツトされて
対物レンズ１０に入射する。
【００１９】ガラス原盤１２に入射した光ビームＬABは
ガラス原盤１２の反射率に応じた光量がガラス原盤１２
で反射して対物レンズ１０を介してダイクロイツクミラ
ー６に入射し、当該ダイクロイツクミラー６で円偏光ビ
ームＬA4及び円偏光ビームＬ B3とに分離される。円偏光
光ＬA4は、１／４波長板４に入射して元の単一直線偏光
光ＬA1と直交する偏光面を有する直線偏光光ＬA5に変換
された後、偏光ビームスプリツタ３を透過して１／２波
長板１３でその偏光面が適正な角度に回転されて偏光光
ＬA6として偏光ビームスプリツタ１４に入射する。
ガラス原盤１２の反射率に応じた光量がガラス原盤１２
で反射して対物レンズ１０を介してダイクロイツクミラ
ー６に入射し、当該ダイクロイツクミラー６で円偏光ビ
ームＬA4及び円偏光ビームＬ B3とに分離される。円偏光
光ＬA4は、１／４波長板４に入射して元の単一直線偏光
光ＬA1と直交する偏光面を有する直線偏光光ＬA5に変換
された後、偏光ビームスプリツタ３を透過して１／２波
長板１３でその偏光面が適正な角度に回転されて偏光光
ＬA6として偏光ビームスプリツタ１４に入射する。
【００２０】ここで直線偏光光ＬA5は、その偏光面があ
る角度をもつて偏光ビームスプリツタ１４に入射するの
で、偏光ビームスプリツタ１４で透過と反射の２つの直
線偏光成分に分離され、偏光ビームスプリツタ１４を透
過した直線偏光光ＬA7は、焦点位置誤差検出用光ビーム
ポジシヨンデイテクタ（以下、これを単にポジシヨンデ
イテクタと呼ぶ）１５に入射し、偏光ビームスプリツタ
１４で反射した直線偏光光ＬA8は、反射光量検出部１６
に入射する。
る角度をもつて偏光ビームスプリツタ１４に入射するの
で、偏光ビームスプリツタ１４で透過と反射の２つの直
線偏光成分に分離され、偏光ビームスプリツタ１４を透
過した直線偏光光ＬA7は、焦点位置誤差検出用光ビーム
ポジシヨンデイテクタ（以下、これを単にポジシヨンデ
イテクタと呼ぶ）１５に入射し、偏光ビームスプリツタ
１４で反射した直線偏光光ＬA8は、反射光量検出部１６
に入射する。
【００２１】偏光ビームスプリツタ１４における偏光光
ＬA7及びＬA8の光量比は、ポジシヨンデイテクタ１５及
び反射光量検出部１６においてそれぞれ偏光光ＬA7及び
ＬA8を高精度に検出し得るような光量比となるように、
直線偏光光ＬA5の偏光面を適切な角度に回転させるよう
に１／２波長板１３が調整されている。
ＬA7及びＬA8の光量比は、ポジシヨンデイテクタ１５及
び反射光量検出部１６においてそれぞれ偏光光ＬA7及び
ＬA8を高精度に検出し得るような光量比となるように、
直線偏光光ＬA5の偏光面を適切な角度に回転させるよう
に１／２波長板１３が調整されている。
【００２２】ポジシヨンデイテクタ１５は無分割のポジ
シヨンセンシングデイテクタでなり、検出した偏光光Ｌ
A7の光量に応じた電圧を演算回路１７の反転入力端子
（−）及び演算回路１８の入力端子（＋）に与える。演
算回路１７は与えられた電圧と基準電圧（＋）との差分
を演算し、当該差分に応じた差信号Ｓ１を算出して駆動
回路１９に送出する。演算回路１８は、与えられた電圧
と基準電圧（＋）とを加算し、当該加算結果としての和
信号Ｓ２を光量制御回路２０に送出する。
シヨンセンシングデイテクタでなり、検出した偏光光Ｌ
A7の光量に応じた電圧を演算回路１７の反転入力端子
（−）及び演算回路１８の入力端子（＋）に与える。演
算回路１７は与えられた電圧と基準電圧（＋）との差分
を演算し、当該差分に応じた差信号Ｓ１を算出して駆動
回路１９に送出する。演算回路１８は、与えられた電圧
と基準電圧（＋）とを加算し、当該加算結果としての和
信号Ｓ２を光量制御回路２０に送出する。
【００２３】駆動回路１９は、差信号Ｓ１に基づいてフ
オーカスアクチユエータ２１を介して対物レンズ１０を
駆動し、光ビームＬABがガラス原盤１２に対して焦点を
合わせて照射するように（すなわち差信号Ｓ１が「０」
になるように）制御する。光量制御回路２０は、和信号
Ｓ２に基づいて当該和信号Ｓ２がその制限された周波数
応答の範囲内でガラス原盤１２上での反射率にかかわら
ず一定となるように（すなわちガラス原盤１２からの反
射光の光量が一定となるように）、レーザ光源２から射
出されるレーザ光ＬA の出力光量を制御するようになさ
れている。これにより、レジスト層の膜厚の変化により
反射率が変動しても常に一定のフオーカスゲインを得る
ことができるので、高精度かつ高安定な焦点位置制御を
行うことができる。
オーカスアクチユエータ２１を介して対物レンズ１０を
駆動し、光ビームＬABがガラス原盤１２に対して焦点を
合わせて照射するように（すなわち差信号Ｓ１が「０」
になるように）制御する。光量制御回路２０は、和信号
Ｓ２に基づいて当該和信号Ｓ２がその制限された周波数
応答の範囲内でガラス原盤１２上での反射率にかかわら
ず一定となるように（すなわちガラス原盤１２からの反
射光の光量が一定となるように）、レーザ光源２から射
出されるレーザ光ＬA の出力光量を制御するようになさ
れている。これにより、レジスト層の膜厚の変化により
反射率が変動しても常に一定のフオーカスゲインを得る
ことができるので、高精度かつ高安定な焦点位置制御を
行うことができる。
【００２４】反射光量検出部１６はＳ／Ｎ比が高く直線
性に優れ、高周波数応答の光量検出素子でなり、直線偏
光光ＬA8の光量を検出してこの光量を電圧に変換して検
出信号Ｓ３として膜厚欠陥測定部２２に送出する。ここ
で反射光量検出部１６により検出される反射光量は、集
光ビームスポツトがガラス原盤１２上の表面の傷やゴミ
などに照射された場合には、その大きさや形状に応じて
減少する。すなわち反射光量検出部１６で得られる光量
は、ガラス原盤１２上にゴミや傷があつた場合、急峻な
光量変化として現れ、膜厚欠陥測定部２２はこの光量変
化が見られる範囲をドロツプアウト（ＤＯ）幅としてこ
の長さを測定する。
性に優れ、高周波数応答の光量検出素子でなり、直線偏
光光ＬA8の光量を検出してこの光量を電圧に変換して検
出信号Ｓ３として膜厚欠陥測定部２２に送出する。ここ
で反射光量検出部１６により検出される反射光量は、集
光ビームスポツトがガラス原盤１２上の表面の傷やゴミ
などに照射された場合には、その大きさや形状に応じて
減少する。すなわち反射光量検出部１６で得られる光量
は、ガラス原盤１２上にゴミや傷があつた場合、急峻な
光量変化として現れ、膜厚欠陥測定部２２はこの光量変
化が見られる範囲をドロツプアウト（ＤＯ）幅としてこ
の長さを測定する。
【００２５】入射光量検出部５は、ビームスプリツタ３
を透過した光ビームＬA2の光量を検出し、この光量を電
圧に変換して検出信号Ｓ４として膜厚欠陥測定部２２に
送出する。ここでガラス原盤１２での反射光強度はレジ
スト層薄膜の多重干渉反射によりレジスト層の膜厚によ
つて変化し、上述のようにガラス原盤１２からの反射光
の光量が一定になるようにレーザ光源２の出力光量が制
御されているので、レジスト層の膜厚の変化による反射
率変化（すなわち反射光の光量変化）をレーザ光源２の
出力光量の変化として検出することができ、従つて膜厚
欠陥測定部２２はレーザ光源２の出力光量の変化に基づ
いて膜厚を測定するようになされている。
を透過した光ビームＬA2の光量を検出し、この光量を電
圧に変換して検出信号Ｓ４として膜厚欠陥測定部２２に
送出する。ここでガラス原盤１２での反射光強度はレジ
スト層薄膜の多重干渉反射によりレジスト層の膜厚によ
つて変化し、上述のようにガラス原盤１２からの反射光
の光量が一定になるようにレーザ光源２の出力光量が制
御されているので、レジスト層の膜厚の変化による反射
率変化（すなわち反射光の光量変化）をレーザ光源２の
出力光量の変化として検出することができ、従つて膜厚
欠陥測定部２２はレーザ光源２の出力光量の変化に基づ
いて膜厚を測定するようになされている。
【００２６】ダイクロイツクミラー６で反射された円偏
光光ＬB3は、１／４波長板９で元の単一直線偏光ビーム
ＬB1と直交する偏光面を有する単一直線偏光ビームＬB4
に変換された後、そのほぼ全光量が偏光ビームスプリツ
タ８で反射してハーフミラー型ビームスプリツタ２３に
入射してフオトデイテクタでなる反射光量検出素子２４
に入射する光ＬB5と、対物レンズ２５を介して集光され
てＣＣＤ（Charge Coupled Device ）カメラ２６に入射
する光ＬB6とに分離される。
光光ＬB3は、１／４波長板９で元の単一直線偏光ビーム
ＬB1と直交する偏光面を有する単一直線偏光ビームＬB4
に変換された後、そのほぼ全光量が偏光ビームスプリツ
タ８で反射してハーフミラー型ビームスプリツタ２３に
入射してフオトデイテクタでなる反射光量検出素子２４
に入射する光ＬB5と、対物レンズ２５を介して集光され
てＣＣＤ（Charge Coupled Device ）カメラ２６に入射
する光ＬB6とに分離される。
【００２７】ここでハーフミラー型ビームスプリツタ２
３での透過と反射の光量比（すなわち光ＬB5と光ＬB6と
の光量比）は、ＣＣＤカメラ２６が非常に微弱な光量に
対しても感度をもつため、 100対１以下程度の光量比に
対しても十分な光量となり、従つてＣＣＤカメラ２６か
らの出力信号によつてガラス原盤１２上の露光ビームス
ポツトの合焦点状態をフアーフイールドで観察すること
ができる。反射光量検出素子２４は入射した光ＬB5をそ
の光量に応じた電気信号Ｓ５に変換して復調回路２５に
送出し、復調回路２５は電気信号Ｓ５を復調する。
３での透過と反射の光量比（すなわち光ＬB5と光ＬB6と
の光量比）は、ＣＣＤカメラ２６が非常に微弱な光量に
対しても感度をもつため、 100対１以下程度の光量比に
対しても十分な光量となり、従つてＣＣＤカメラ２６か
らの出力信号によつてガラス原盤１２上の露光ビームス
ポツトの合焦点状態をフアーフイールドで観察すること
ができる。反射光量検出素子２４は入射した光ＬB5をそ
の光量に応じた電気信号Ｓ５に変換して復調回路２５に
送出し、復調回路２５は電気信号Ｓ５を復調する。
【００２８】（２）膜厚欠陥測定部の構成 図１との対応部分に同一符号を付して示す図２におい
て、２２は全体として実施例による膜厚欠陥測定部を示
し、膜厚欠陥測定部２２は膜厚測定部２７及び欠陥測定
部２８によつて構成されている。膜厚測定部２７におい
て、入射光光量検出部５から送出される検出信号Ｓ４は
ローパスフイルタ（ＬＰＦ）２９に入力され、反射光量
検出部１６から送出される検出信号Ｓ３はローパスフイ
ルタ（ＬＰＦ）３０に入力される。ＬＰＦ２９及び３０
はそれぞれ検出信号Ｓ４及びＳ３の例えば10〔Hz〕以上
の成分を減衰することにより、ガラス原盤１２上のゴミ
や傷に起因し、膜厚測定に不要な高周波成分を除去して
デバイダ３１に送出する。
て、２２は全体として実施例による膜厚欠陥測定部を示
し、膜厚欠陥測定部２２は膜厚測定部２７及び欠陥測定
部２８によつて構成されている。膜厚測定部２７におい
て、入射光光量検出部５から送出される検出信号Ｓ４は
ローパスフイルタ（ＬＰＦ）２９に入力され、反射光量
検出部１６から送出される検出信号Ｓ３はローパスフイ
ルタ（ＬＰＦ）３０に入力される。ＬＰＦ２９及び３０
はそれぞれ検出信号Ｓ４及びＳ３の例えば10〔Hz〕以上
の成分を減衰することにより、ガラス原盤１２上のゴミ
や傷に起因し、膜厚測定に不要な高周波成分を除去して
デバイダ３１に送出する。
【００２９】回転量検出部３２はエンコーダ、検出素子
及び検出回路によつて構成されており、ターンテーブル
１１の回転数に応じたパルス列信号Ｓ５をタイミングジ
エネレータ３３に送出する。例えば分解能2000のエンコ
ーダを用いた場合には、１回転でＡ相出力として2000パ
ルス、Ｚ相出力として１パルスを出力する。
及び検出回路によつて構成されており、ターンテーブル
１１の回転数に応じたパルス列信号Ｓ５をタイミングジ
エネレータ３３に送出する。例えば分解能2000のエンコ
ーダを用いた場合には、１回転でＡ相出力として2000パ
ルス、Ｚ相出力として１パルスを出力する。
【００３０】タイミングジエネレータ３３はカウンタ及
びロジツク回路によつて構成されており、回転量検出部
３２から送出されるパルス列信号Ｓ５（Ａ、Ｚ相のパル
ス列）と、ＣＰＵ３４から送出される測定角度設定用の
エンコーダパルス数信号Ｓ６とに基づいて膜厚測定用の
タイミングパルス信号Ｓ７をデバイダ３１に送出する。
例えばレジスト層の半径 1.6〔mm〕毎及び角度45°毎
に測定を行う場合、ＣＰＵ３４から 250（Ｄ）が入力さ
れ、Ｚ相信号1000パルス（ターンテーブル１回転でスレ
ツド 1.6〔μｍ〕送る場合）をカウントした後に、Ａ相
信号 250パルスをカウントした時点でタイミングパルス
信号Ｓ７を発生する。
びロジツク回路によつて構成されており、回転量検出部
３２から送出されるパルス列信号Ｓ５（Ａ、Ｚ相のパル
ス列）と、ＣＰＵ３４から送出される測定角度設定用の
エンコーダパルス数信号Ｓ６とに基づいて膜厚測定用の
タイミングパルス信号Ｓ７をデバイダ３１に送出する。
例えばレジスト層の半径 1.6〔mm〕毎及び角度45°毎
に測定を行う場合、ＣＰＵ３４から 250（Ｄ）が入力さ
れ、Ｚ相信号1000パルス（ターンテーブル１回転でスレ
ツド 1.6〔μｍ〕送る場合）をカウントした後に、Ａ相
信号 250パルスをカウントした時点でタイミングパルス
信号Ｓ７を発生する。
【００３１】デバイダ３１はタイミングパルス信号Ｓ７
に基づいて、例えばＬＰＦ３０の出力電圧をＬＰＦ２９
の出力電圧でアナログ除算（すなわち反射光の光量／入
射光の光量）してデイジタル値に変換し、データ送信部
３５の出力に応じた膜厚データを有する膜厚変換用ルツ
クアツプテーブル３６を参照するためのバイナリデータ
Ｓ８を作成し、これをデータ送信部３５に送出する。
に基づいて、例えばＬＰＦ３０の出力電圧をＬＰＦ２９
の出力電圧でアナログ除算（すなわち反射光の光量／入
射光の光量）してデイジタル値に変換し、データ送信部
３５の出力に応じた膜厚データを有する膜厚変換用ルツ
クアツプテーブル３６を参照するためのバイナリデータ
Ｓ８を作成し、これをデータ送信部３５に送出する。
【００３２】データ送信部３５はバツフアであり、デバ
イダ３１から送出されるバイナリデータＳ８をラツチし
てＣＰＵ３４とタイミングをとつてＣＰＵ３４に送出す
る。データ設定部３７はスイツチ及びロジツク回路によ
つて構成されており、膜厚中央値、膜厚変動幅許容値、
膜厚エラー回数、ドロツプアウト幅、ドロツプエラー検
出回数を設定し、ＣＰＵ３４に転送するようになされて
いる。ＣＰＵ３４はデータ送信部３５から送出されるデ
ータＳ８に応じた膜厚値を膜厚変換用ルツクアツプテー
ブル３６より求め、求めた膜厚値と、データ設定部３７
で設定された膜厚中央値、膜厚変動幅許容値及び膜厚エ
ラー回数とを比較処理し、測定結果をＣＰＵ３４を介し
て装置制御部３８に送出する。装置制御部３８はこの測
定結果に基づいて装置を停止させる等の制御を行う。
イダ３１から送出されるバイナリデータＳ８をラツチし
てＣＰＵ３４とタイミングをとつてＣＰＵ３４に送出す
る。データ設定部３７はスイツチ及びロジツク回路によ
つて構成されており、膜厚中央値、膜厚変動幅許容値、
膜厚エラー回数、ドロツプアウト幅、ドロツプエラー検
出回数を設定し、ＣＰＵ３４に転送するようになされて
いる。ＣＰＵ３４はデータ送信部３５から送出されるデ
ータＳ８に応じた膜厚値を膜厚変換用ルツクアツプテー
ブル３６より求め、求めた膜厚値と、データ設定部３７
で設定された膜厚中央値、膜厚変動幅許容値及び膜厚エ
ラー回数とを比較処理し、測定結果をＣＰＵ３４を介し
て装置制御部３８に送出する。装置制御部３８はこの測
定結果に基づいて装置を停止させる等の制御を行う。
【００３３】ここで膜厚変換用ルツクアツプテーブル３
６はＲＯＭ（Read Only Memory）で構成されており、所
定のガラス原盤について予めエリプソメータ等で膜厚を
測定して反射光の光量と膜厚との関係についての複数の
データを格納している。従つてＣＰＵ３４はデータ送信
部３５から送出されたデータＳ８に基づいて、当該デー
タＳ８に対応する膜厚値（膜厚データ）を膜厚変換用ル
ツクアツプテーブル３６より求めることができるように
なされている。またＣＰＵ３４による膜厚変換用ルツク
アツプテーブル３６からの膜厚データの取り込みは、レ
ジスト層の特性上、半径数ミリ毎に角度成分をもたせて
測定すれば十分であるので、この実施例においては上述
のように 1.6〔mm〕＋45°毎に測定を行つている。
６はＲＯＭ（Read Only Memory）で構成されており、所
定のガラス原盤について予めエリプソメータ等で膜厚を
測定して反射光の光量と膜厚との関係についての複数の
データを格納している。従つてＣＰＵ３４はデータ送信
部３５から送出されたデータＳ８に基づいて、当該デー
タＳ８に対応する膜厚値（膜厚データ）を膜厚変換用ル
ツクアツプテーブル３６より求めることができるように
なされている。またＣＰＵ３４による膜厚変換用ルツク
アツプテーブル３６からの膜厚データの取り込みは、レ
ジスト層の特性上、半径数ミリ毎に角度成分をもたせて
測定すれば十分であるので、この実施例においては上述
のように 1.6〔mm〕＋45°毎に測定を行つている。
【００３４】欠陥測定部２８において、ウインドウコン
パレータで構成されたドロツプアウト検出器３９は、Ｌ
ＰＦ３０からの出力電圧の±10〔％〕を基準値として、
ＬＰＦ３０への入力電圧と比較し、比較結果に応じたド
ロツプアウト検出信号Ｓ９をタイミングジエネレータ４
０に送出する。すなわちＬＰＦ３０に印加される入力電
圧は、ガラス原盤１２上にゴミや傷が存在した場合、高
周波領域での光量成分をもつているのに対して、ＬＰＦ
３０からの出力電圧はこの高周波成分が除去されたもの
であり、ドロツプアウト検出器３９はこの２つの信号を
比較して、ドロツプアウト検出信号Ｓ９を出力するよう
になされている。
パレータで構成されたドロツプアウト検出器３９は、Ｌ
ＰＦ３０からの出力電圧の±10〔％〕を基準値として、
ＬＰＦ３０への入力電圧と比較し、比較結果に応じたド
ロツプアウト検出信号Ｓ９をタイミングジエネレータ４
０に送出する。すなわちＬＰＦ３０に印加される入力電
圧は、ガラス原盤１２上にゴミや傷が存在した場合、高
周波領域での光量成分をもつているのに対して、ＬＰＦ
３０からの出力電圧はこの高周波成分が除去されたもの
であり、ドロツプアウト検出器３９はこの２つの信号を
比較して、ドロツプアウト検出信号Ｓ９を出力するよう
になされている。
【００３５】タイミングジエネレータ４０はロジツク回
路で構成されており、ドロツプアウト検出信号Ｓ９のエ
ツジを利用してタイミング信号としてのカウントイネー
ブル信号Ｓ１０をドロツプアウト幅検出カウンタ４１に
送出する。デイジタル／周波数（Ｄ／Ｆ）変換部４２は
水晶発振部及びフルアダーによつて構成されており、入
力される線速バイナリ値を全加算したときのキヤリのパ
ルス列信号Ｓ１１をドロツプアウト幅検出回路４１に送
出する。このパルス列の周波数は線速度に応じた周波数
である。また線速バイナリ値は、線速度に応じて変化す
るデータであり、回転量検出部３２の出力と送り機構
（図示せず）の出力とに基づいて得ることができる。
路で構成されており、ドロツプアウト検出信号Ｓ９のエ
ツジを利用してタイミング信号としてのカウントイネー
ブル信号Ｓ１０をドロツプアウト幅検出カウンタ４１に
送出する。デイジタル／周波数（Ｄ／Ｆ）変換部４２は
水晶発振部及びフルアダーによつて構成されており、入
力される線速バイナリ値を全加算したときのキヤリのパ
ルス列信号Ｓ１１をドロツプアウト幅検出回路４１に送
出する。このパルス列の周波数は線速度に応じた周波数
である。また線速バイナリ値は、線速度に応じて変化す
るデータであり、回転量検出部３２の出力と送り機構
（図示せず）の出力とに基づいて得ることができる。
【００３６】ここで、作成した１パルスがドロツプアウ
ト幅検出の最小分解能となり、例えば16ビツト全加算器
のクロツクを16〔ＭHz〕とし、バイナリ値を７ＦＦＦ
（線速度８ｍ／Ｓ）とすると、８〔ＭHz〕の周波数が出
力され、最小分解能は１〔μｍ〕となる。この信号は、
１クロツク分のジツタをもつためにクロツク周波数はロ
ジツク動作範囲内で高い方がよい。
ト幅検出の最小分解能となり、例えば16ビツト全加算器
のクロツクを16〔ＭHz〕とし、バイナリ値を７ＦＦＦ
（線速度８ｍ／Ｓ）とすると、８〔ＭHz〕の周波数が出
力され、最小分解能は１〔μｍ〕となる。この信号は、
１クロツク分のジツタをもつためにクロツク周波数はロ
ジツク動作範囲内で高い方がよい。
【００３７】ドロツプアウト幅検出カウンタ４１はカウ
ンタ回路で構成されており、カウントイネーブル信号Ｓ
１０に基づいてパルス列信号Ｓ１１をカウントし、バイ
ナリ値Ｓ１２をデータ送信部４３に送出する。すなわち
ドロツプアウト幅検出カウンタ４１は、ドロツプアウト
発生中に最小分解能パルスをカウントし、求められたド
ロツプアウト幅に応じたバイナリ値Ｓ１２をデータ送信
部４３に送出する。従つて線速度バイナリ値を線速度に
応じた周波数に変換して最小分解能パルスを作りこのパ
ルス列を光量変化のある間、カウントすることによりド
ロツプアウト幅を検出することができる。
ンタ回路で構成されており、カウントイネーブル信号Ｓ
１０に基づいてパルス列信号Ｓ１１をカウントし、バイ
ナリ値Ｓ１２をデータ送信部４３に送出する。すなわち
ドロツプアウト幅検出カウンタ４１は、ドロツプアウト
発生中に最小分解能パルスをカウントし、求められたド
ロツプアウト幅に応じたバイナリ値Ｓ１２をデータ送信
部４３に送出する。従つて線速度バイナリ値を線速度に
応じた周波数に変換して最小分解能パルスを作りこのパ
ルス列を光量変化のある間、カウントすることによりド
ロツプアウト幅を検出することができる。
【００３８】データ送信部４３はロジツク回路で構成さ
れており、バイナリ値Ｓ１２としてのドロツプアウト幅
と、ＣＰＵ３４を介してデータ設定部３７から転送され
る基準ドロツプアウト幅とを比較し、ドロツプアウト幅
が基準ドロツプアウト幅を越える場合にはその都度ドロ
ツプアウト有り信号Ｓ１３をＣＰＵ３４に送出するよう
になされている。ＣＰＵ３４はデータ送信部４３から送
出されるドロツプアウト有り信号Ｓ１３をカウントし、
データ設定部３７で設定されたドロツプアウトエラー許
容回数と比較し、この許容回数を上回る場合にこの比較
結果に応じた信号を装置制御部３８に送出する。装置制
御部３８はＣＰＵ３４から送出される信号に基づいて装
置の制御の中断等を行うようになされている。
れており、バイナリ値Ｓ１２としてのドロツプアウト幅
と、ＣＰＵ３４を介してデータ設定部３７から転送され
る基準ドロツプアウト幅とを比較し、ドロツプアウト幅
が基準ドロツプアウト幅を越える場合にはその都度ドロ
ツプアウト有り信号Ｓ１３をＣＰＵ３４に送出するよう
になされている。ＣＰＵ３４はデータ送信部４３から送
出されるドロツプアウト有り信号Ｓ１３をカウントし、
データ設定部３７で設定されたドロツプアウトエラー許
容回数と比較し、この許容回数を上回る場合にこの比較
結果に応じた信号を装置制御部３８に送出する。装置制
御部３８はＣＰＵ３４から送出される信号に基づいて装
置の制御の中断等を行うようになされている。
【００３９】（３）実施例の動作及び効果 以上の構成において、この光デイスク原盤露光装置１で
は、記録信号に応じて変調された露光用のレーザ光ＬB
をレジスト層に照射して記録信号に応じたパターンでレ
ジスト層を露光すると共に、レジスト層が感光しない波
長を有する膜厚欠陥検査用のレーザ光ＬA をガラス原盤
１２上に焦点を合わせて照射し、ガラス原盤１２からの
反射光の光量（和信号Ｓ２）が一定となるようにレーザ
光源２の出力光量を制御した状態でのレーザ光ＬA2の光
量及びガラス原盤１２からの反射光の光量をそれぞれ入
射光量検出部５及び反射光量検出部１６で検出し、検出
信号Ｓ４及びＳ３を膜厚欠陥測定部２２に送出する。膜
厚欠陥測定部２２は、膜厚測定部２７において入射光量
検出部５及び反射光量検出部１６からの検出信号Ｓ４及
びＳ３に基づいてレジスト層の膜厚を測定し、欠陥測定
部２８において反射光量検出部１６からの検出信号Ｓ３
に基づいてガラス原盤１２の欠陥を検出する。
は、記録信号に応じて変調された露光用のレーザ光ＬB
をレジスト層に照射して記録信号に応じたパターンでレ
ジスト層を露光すると共に、レジスト層が感光しない波
長を有する膜厚欠陥検査用のレーザ光ＬA をガラス原盤
１２上に焦点を合わせて照射し、ガラス原盤１２からの
反射光の光量（和信号Ｓ２）が一定となるようにレーザ
光源２の出力光量を制御した状態でのレーザ光ＬA2の光
量及びガラス原盤１２からの反射光の光量をそれぞれ入
射光量検出部５及び反射光量検出部１６で検出し、検出
信号Ｓ４及びＳ３を膜厚欠陥測定部２２に送出する。膜
厚欠陥測定部２２は、膜厚測定部２７において入射光量
検出部５及び反射光量検出部１６からの検出信号Ｓ４及
びＳ３に基づいてレジスト層の膜厚を測定し、欠陥測定
部２８において反射光量検出部１６からの検出信号Ｓ３
に基づいてガラス原盤１２の欠陥を検出する。
【００４０】従つてこの光デイスク原盤露光装置１で
は、レジスト層の膜厚検査及びガラス原盤の欠陥検査を
露光工程中に行うことができるので、露光工程、膜厚検
査工程及び欠陥検査工程を一本化し得、かくしてマスタ
リング工程のサイクルタイムを大幅に低減することがで
きる。またこの光デイスク原盤露光装置１では、膜厚検
査及び欠陥検査のための装置を別個に設ける必要がない
ので、膜厚検査及び欠陥検査に必要な装置のコスト及び
装置の設置スペースを大幅に低減し得る。さらにこの光
デイスク原盤露光装置１では、変調信号の記録中に異常
を検出することができるので、記録信号のどの位置にど
の程度の影響を記録信号に与えたかや、記録信号の再生
時にどの程度の影響を受けるかを精度良く検出すること
ができる。
は、レジスト層の膜厚検査及びガラス原盤の欠陥検査を
露光工程中に行うことができるので、露光工程、膜厚検
査工程及び欠陥検査工程を一本化し得、かくしてマスタ
リング工程のサイクルタイムを大幅に低減することがで
きる。またこの光デイスク原盤露光装置１では、膜厚検
査及び欠陥検査のための装置を別個に設ける必要がない
ので、膜厚検査及び欠陥検査に必要な装置のコスト及び
装置の設置スペースを大幅に低減し得る。さらにこの光
デイスク原盤露光装置１では、変調信号の記録中に異常
を検出することができるので、記録信号のどの位置にど
の程度の影響を記録信号に与えたかや、記録信号の再生
時にどの程度の影響を受けるかを精度良く検出すること
ができる。
【００４１】さらにこの光デイスク原盤露光装置１で
は、ポジシヨンデイテクタ１５の和信号Ｓ２がその制限
された周波数応答の範囲内でレジスト層の反射率にかか
わらず一定となるようにレーザ光源２のレーザ光ＬA の
出力光量を一定に制御したことにより、フオーカスゲイ
ンを変化させることなくレジスト層の反射率の変化を測
定できるので、安定したフオーカス動作を確保しながら
レジスト層の膜厚を露光工程中に測定することができ
る。さらにこの光デイクス原盤露光装置１では、反射光
量検出部１６に高周波数応答の光量検出素子を用いたこ
とにより、安定してフオーカス動作を行うことができる
と共に、ポジシヨンデイテクタ１５の和信号Ｓ２の周波
数応答に制限されることなく露光工程中に非常に小さい
欠陥まで検出し得る。
は、ポジシヨンデイテクタ１５の和信号Ｓ２がその制限
された周波数応答の範囲内でレジスト層の反射率にかか
わらず一定となるようにレーザ光源２のレーザ光ＬA の
出力光量を一定に制御したことにより、フオーカスゲイ
ンを変化させることなくレジスト層の反射率の変化を測
定できるので、安定したフオーカス動作を確保しながら
レジスト層の膜厚を露光工程中に測定することができ
る。さらにこの光デイクス原盤露光装置１では、反射光
量検出部１６に高周波数応答の光量検出素子を用いたこ
とにより、安定してフオーカス動作を行うことができる
と共に、ポジシヨンデイテクタ１５の和信号Ｓ２の周波
数応答に制限されることなく露光工程中に非常に小さい
欠陥まで検出し得る。
【００４２】以上の構成によれば、記録信号に応じて変
調され、露光光学系７から射出された露光用のレーザ光
ＬB をレジスト層上に照射してレジスト層に露光パター
ンを形成すると共に、レジスト層が感光しない膜厚欠陥
検査用レーザ光ＬA をガラス原盤１２上に照射し、検査
用レーザ光ＬA をガラス原盤１２上に照射して得られる
反射光の光量が一定となるようにレーザ光源２の出力光
量を制御した状態でのレーザ光ＬA の出力光量の変化に
基づいてレジスト層の膜厚を測定し、検査用レーザ光Ｌ
A をガラス原盤１２上に照射して得られる反射光ＬA8の
光量変化に基づいてガラス原盤１２上の欠陥を検出する
ようにしたことにより、レジスト層の膜厚検査及びガラ
ス原盤１２の欠陥検査を露光工程中に行うことができる
ので、露光工程、膜厚検査工程及び欠陥検査工程を一本
化し得、かくしてマスタリング工程を簡易かつ低コスト
で行うことのできる光デイスク原盤露光装置を実現する
ことができる。
調され、露光光学系７から射出された露光用のレーザ光
ＬB をレジスト層上に照射してレジスト層に露光パター
ンを形成すると共に、レジスト層が感光しない膜厚欠陥
検査用レーザ光ＬA をガラス原盤１２上に照射し、検査
用レーザ光ＬA をガラス原盤１２上に照射して得られる
反射光の光量が一定となるようにレーザ光源２の出力光
量を制御した状態でのレーザ光ＬA の出力光量の変化に
基づいてレジスト層の膜厚を測定し、検査用レーザ光Ｌ
A をガラス原盤１２上に照射して得られる反射光ＬA8の
光量変化に基づいてガラス原盤１２上の欠陥を検出する
ようにしたことにより、レジスト層の膜厚検査及びガラ
ス原盤１２の欠陥検査を露光工程中に行うことができる
ので、露光工程、膜厚検査工程及び欠陥検査工程を一本
化し得、かくしてマスタリング工程を簡易かつ低コスト
で行うことのできる光デイスク原盤露光装置を実現する
ことができる。
【００４３】（４）他の実施例 なお上述の実施例においては、偏光ビームスプリツタ３
で透過させた光ビームＬA2を光量検出部５に入射させ、
偏光ビームスプリツタ３で反射させた光ビームＬA1を１
／４波長板４に入射させるようにした場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、偏光ビームスプリツタ３
で透過させた光ビームＬA2を１／４波長板４に入射さ
せ、偏光ビームスプリツタ３で反射させた光ビームＬA1
を光量検出部５に入射させるようにしてもよい。また上
述の実施例においては、ポジシヨンデイテクタ１５とし
て無分割フオトデイテクタを用いた場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、２分割フオトデイテクタ等
を用いてもよい。
で透過させた光ビームＬA2を光量検出部５に入射させ、
偏光ビームスプリツタ３で反射させた光ビームＬA1を１
／４波長板４に入射させるようにした場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、偏光ビームスプリツタ３
で透過させた光ビームＬA2を１／４波長板４に入射さ
せ、偏光ビームスプリツタ３で反射させた光ビームＬA1
を光量検出部５に入射させるようにしてもよい。また上
述の実施例においては、ポジシヨンデイテクタ１５とし
て無分割フオトデイテクタを用いた場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、２分割フオトデイテクタ等
を用いてもよい。
【００４４】さらに上述の実施例においては、反射光量
検出部１６で検出した直線偏光光ＬA8の光量に基づいて
ガラス原盤１２上の欠陥を測定した場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、演算回路１８より出力され
る和信号Ｓ２に基づいてガラス原盤１２上の欠陥を測定
するようにしてもよい。ここでポジシヨンデイテクタ１
５は、反射光量検出部１６より周波数応答が低く、また
ガラス原盤１２上のゴミや傷に過敏に反応して自動焦点
制御が不安定にならないように周波数応答を制限してい
ることが一般的であるので、より小さい欠陥を安定して
検出するために高周波数応答の反射光量検出素子でなる
反射光量検出部１６を独立して設けるほうがよい。
検出部１６で検出した直線偏光光ＬA8の光量に基づいて
ガラス原盤１２上の欠陥を測定した場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、演算回路１８より出力され
る和信号Ｓ２に基づいてガラス原盤１２上の欠陥を測定
するようにしてもよい。ここでポジシヨンデイテクタ１
５は、反射光量検出部１６より周波数応答が低く、また
ガラス原盤１２上のゴミや傷に過敏に反応して自動焦点
制御が不安定にならないように周波数応答を制限してい
ることが一般的であるので、より小さい欠陥を安定して
検出するために高周波数応答の反射光量検出素子でなる
反射光量検出部１６を独立して設けるほうがよい。
【００４５】さらに上述の実施例においては、偏光ビー
ムスプリツタ１４で透過させた直線偏光光ＬA7をポジシ
ヨンデイテクタ１５に入射させ、偏光ビームスプリツタ
１４で反射させた直線偏光光ＬA8を反射光量検出部１６
に入射させた場合について述べたが、本発明はこれに限
らず、偏光ビームスプリツタ１４で透過させた直線偏光
光ＬA7を反射光量検出部１６に入射させ、偏光ビームス
プリタツ１４で反射した直線偏光光ＬA8をポジシヨンデ
イテクタ１５に入射させるような構成にしてもよい。さ
らに上述の実施例においては、レーザ光源２の光量を光
量検出部５で検出した場合について述べたが、本発明は
これに限らず、内部に光量検出素子を有するレーザ光源
２を用いて、当該レーザ光源２の光量検出素子でレーザ
光源２の光量を検出するようにしてもよい。
ムスプリツタ１４で透過させた直線偏光光ＬA7をポジシ
ヨンデイテクタ１５に入射させ、偏光ビームスプリツタ
１４で反射させた直線偏光光ＬA8を反射光量検出部１６
に入射させた場合について述べたが、本発明はこれに限
らず、偏光ビームスプリツタ１４で透過させた直線偏光
光ＬA7を反射光量検出部１６に入射させ、偏光ビームス
プリタツ１４で反射した直線偏光光ＬA8をポジシヨンデ
イテクタ１５に入射させるような構成にしてもよい。さ
らに上述の実施例においては、レーザ光源２の光量を光
量検出部５で検出した場合について述べたが、本発明は
これに限らず、内部に光量検出素子を有するレーザ光源
２を用いて、当該レーザ光源２の光量検出素子でレーザ
光源２の光量を検出するようにしてもよい。
【００４６】さらに上述の実施例においては、露光光学
系７から射出された光ビームＬB を偏光ビームスプリツ
タ８で透過させてレジスト層上に照射させ、ガラス原盤
１２からの円偏光光ＬB3を偏光ビームスプリツタ８で反
射させてダイクロイツクミラー２３に入射させた場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、露光光学系７
と、ビームスプリツタ２３、対物レンズ２５、ＣＣＤ２
６、反射光量検出素子２４及び復調回路２５とを入れ替
え、露光光学系７からの光ビームＬB の偏光方向を90°
回転させて当該光ビームＬB を偏光ビームスプリツタ８
で反射させてレジスト層上に照射させ、ガラス原盤１２
からの円偏光光ＬB3を偏光ビームスプリツタ８で透過さ
せるようにしてもよい。
系７から射出された光ビームＬB を偏光ビームスプリツ
タ８で透過させてレジスト層上に照射させ、ガラス原盤
１２からの円偏光光ＬB3を偏光ビームスプリツタ８で反
射させてダイクロイツクミラー２３に入射させた場合に
ついて述べたが、本発明はこれに限らず、露光光学系７
と、ビームスプリツタ２３、対物レンズ２５、ＣＣＤ２
６、反射光量検出素子２４及び復調回路２５とを入れ替
え、露光光学系７からの光ビームＬB の偏光方向を90°
回転させて当該光ビームＬB を偏光ビームスプリツタ８
で反射させてレジスト層上に照射させ、ガラス原盤１２
からの円偏光光ＬB3を偏光ビームスプリツタ８で透過さ
せるようにしてもよい。
【００４７】さらに上述の実施例においては、反射光量
検出部１６の出力に基づいてガラス原盤１２上の欠陥を
測定する場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、復調回路２５で復調された復調信号と変調信号とを
比較することによりガラス原盤１２の欠陥を検出するよ
うにしてもよい。この場合、反射光量検出素子２４には
ダイクロイツクミラー６で反射した円偏光光ＬB3のほぼ
全光量を受光し得るので十分なＳ／Ｎ比を得ることがで
きるので、復調回路２５で復調された復調信号と変調信
号とを比較することによりガラス原盤１２上の欠陥を検
出することができる。また露光ビームスポツトの合焦点
状態をフアーフイールドで観察しながら復調信号と変調
信号とを比較してガラス原盤１２上の欠陥を測定し得
る。
検出部１６の出力に基づいてガラス原盤１２上の欠陥を
測定する場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、復調回路２５で復調された復調信号と変調信号とを
比較することによりガラス原盤１２の欠陥を検出するよ
うにしてもよい。この場合、反射光量検出素子２４には
ダイクロイツクミラー６で反射した円偏光光ＬB3のほぼ
全光量を受光し得るので十分なＳ／Ｎ比を得ることがで
きるので、復調回路２５で復調された復調信号と変調信
号とを比較することによりガラス原盤１２上の欠陥を検
出することができる。また露光ビームスポツトの合焦点
状態をフアーフイールドで観察しながら復調信号と変調
信号とを比較してガラス原盤１２上の欠陥を測定し得
る。
【００４８】さらに上述の実施例においては、入射光量
検出部５の出力に基づいて膜厚欠陥測定部２２において
レジスト層の膜厚を測定した場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、反射光量検出素子２４からの出力
信号のピークホールドを検出するピークホールド検出回
路を設け、当該ピークホールド検出回路の出力に基づい
てレジスト層の膜厚を測定してもよく、また反射光量検
出素子２４の出力信号を平均化することによりレジスト
層の反射率を検出する平均化回路を設け、当該平均化回
路の出力に基づいてレジスト層の膜厚を測定するように
してもよい。この場合、反射光量検出部１６の出力に基
づいて膜厚欠陥測定部２２で得た測定結果と合わせて最
終的なレジスト層の膜厚値を決定することにより、一段
と精度良くレジスト層の膜厚を測定することができる。
検出部５の出力に基づいて膜厚欠陥測定部２２において
レジスト層の膜厚を測定した場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、反射光量検出素子２４からの出力
信号のピークホールドを検出するピークホールド検出回
路を設け、当該ピークホールド検出回路の出力に基づい
てレジスト層の膜厚を測定してもよく、また反射光量検
出素子２４の出力信号を平均化することによりレジスト
層の反射率を検出する平均化回路を設け、当該平均化回
路の出力に基づいてレジスト層の膜厚を測定するように
してもよい。この場合、反射光量検出部１６の出力に基
づいて膜厚欠陥測定部２２で得た測定結果と合わせて最
終的なレジスト層の膜厚値を決定することにより、一段
と精度良くレジスト層の膜厚を測定することができる。
【００４９】さらに上述の実施例においては、レーザ光
源２から射出されるレーザ光ＬA をガラス原盤１２上に
照射して得られる反射光（直線偏光光ＬA7）に基づいて
デイスク原盤１２及び対物レンズ１０間の相対距離の誤
差を検出する場合について述べたが、本発明はこれに限
らず、露光光学系７から射出されるレーザ光ＬB をレジ
スト層上に照射して得られる反射光（直線偏光光ＬA8）
に基づいてデイスク原盤１２及び対物レンズ１０間の相
対距離の誤差を検出するようにしてもよい。
源２から射出されるレーザ光ＬA をガラス原盤１２上に
照射して得られる反射光（直線偏光光ＬA7）に基づいて
デイスク原盤１２及び対物レンズ１０間の相対距離の誤
差を検出する場合について述べたが、本発明はこれに限
らず、露光光学系７から射出されるレーザ光ＬB をレジ
スト層上に照射して得られる反射光（直線偏光光ＬA8）
に基づいてデイスク原盤１２及び対物レンズ１０間の相
対距離の誤差を検出するようにしてもよい。
【００５０】さらに上述の実施例においては、膜厚変換
用ルツクアツプテーブル３６に反射光の光量と膜厚との
関係を示すデータを格納した場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、この他にレーザ波長、光路、レジ
スト反射率等を基に膜圧測定の計算を行うようにしても
よい。さらに上述の実施例においては、膜厚変換用ルツ
クアツプテーブル３６を別個に設けた場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、反射光の光量と膜厚との
関係を簡単な式で近似できる場合には、膜厚変換用ルツ
クアツプテーブル３６に代えて、ＣＰＵ３４で当該式を
用いて膜厚値を算出するようにしてもよい。
用ルツクアツプテーブル３６に反射光の光量と膜厚との
関係を示すデータを格納した場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、この他にレーザ波長、光路、レジ
スト反射率等を基に膜圧測定の計算を行うようにしても
よい。さらに上述の実施例においては、膜厚変換用ルツ
クアツプテーブル３６を別個に設けた場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、反射光の光量と膜厚との
関係を簡単な式で近似できる場合には、膜厚変換用ルツ
クアツプテーブル３６に代えて、ＣＰＵ３４で当該式を
用いて膜厚値を算出するようにしてもよい。
【００５１】さらに上述の実施例においては、露光装置
としてレーザ光源２から射出されるレーザ光の出力光量
を入射光量検出部５で検出してレジスト層の膜厚を測定
すると共に、レーザ光源２から射出されるレーザ光をガ
ラス原盤１２上に焦点を合わせて照射して得られる反射
光の光量を反射光量検出部１６で検出してガラス原盤１
２上の欠陥を検出するようになされた光デイクス原盤露
光装置１について述べたが、本発明はこれに限らず、露
光装置として膜厚測定又は欠陥測定のいずれか一方につ
いてだけ検査し得るようにしてもよく、また反射光量検
出素子２４及び復調回路２５がなくてもよい。
としてレーザ光源２から射出されるレーザ光の出力光量
を入射光量検出部５で検出してレジスト層の膜厚を測定
すると共に、レーザ光源２から射出されるレーザ光をガ
ラス原盤１２上に焦点を合わせて照射して得られる反射
光の光量を反射光量検出部１６で検出してガラス原盤１
２上の欠陥を検出するようになされた光デイクス原盤露
光装置１について述べたが、本発明はこれに限らず、露
光装置として膜厚測定又は欠陥測定のいずれか一方につ
いてだけ検査し得るようにしてもよく、また反射光量検
出素子２４及び復調回路２５がなくてもよい。
【００５２】さらに上述の実施例においては、レーザ光
源２から照射されるレーザ光及び露光光学系７から照射
されるレーザ光をダイクロイツクミラー６で合成した
後、対物レンズ１０で集光させてガラス原盤１２上に照
射させた場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、レーザ光源２から照射されるレーザ光と、露光光学
系７から照射されるレーザ光とを合成せずに別々にガラ
ス原盤１２上に照射させるように構成してもよい。
源２から照射されるレーザ光及び露光光学系７から照射
されるレーザ光をダイクロイツクミラー６で合成した
後、対物レンズ１０で集光させてガラス原盤１２上に照
射させた場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、レーザ光源２から照射されるレーザ光と、露光光学
系７から照射されるレーザ光とを合成せずに別々にガラ
ス原盤１２上に照射させるように構成してもよい。
【００５３】さらに上述の実施例においては、レジスト
層が感光しない波長を有する第２のレーザ光を射出する
光源としてレーザ光源２を用いた場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、光源としてＨｅ−Ｎｅ（ヘ
リウム−ネオン）レーザ等、この他種々の光源を用いて
もよい。光源としてＨｅ−Ｎｅレーザを用いた場合、音
響光学変調器（ＡＯＭ）及び電気光学変調器（ＥＯＭ）
等の外部変調器及び光量調整器を通して出力光量を調整
する。さらに上述の実施例においては、光源から射出さ
れた第２のレーザ光をレジスト層に導く光学系を、偏光
ビームスプリツタ３、１／４波長板４ダイクロイツクミ
ラー６及び対物レンズ１０により構成した場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、第２のレーザ光をレ
ジスト層に導く光学系としてこの他種々の光学系を適用
し得る。
層が感光しない波長を有する第２のレーザ光を射出する
光源としてレーザ光源２を用いた場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、光源としてＨｅ−Ｎｅ（ヘ
リウム−ネオン）レーザ等、この他種々の光源を用いて
もよい。光源としてＨｅ−Ｎｅレーザを用いた場合、音
響光学変調器（ＡＯＭ）及び電気光学変調器（ＥＯＭ）
等の外部変調器及び光量調整器を通して出力光量を調整
する。さらに上述の実施例においては、光源から射出さ
れた第２のレーザ光をレジスト層に導く光学系を、偏光
ビームスプリツタ３、１／４波長板４ダイクロイツクミ
ラー６及び対物レンズ１０により構成した場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、第２のレーザ光をレ
ジスト層に導く光学系としてこの他種々の光学系を適用
し得る。
【００５４】さらに上述の実施例においては、第２のレ
ーザ光を所定部材の所定面に集光させる集光手段として
対物レンズ１０を用いた場合について述べたが、本発明
はこれに限らず、第２のレーザ光を所定部材の所定面に
集光させる集光手段としてこの他種々の集光手段を適用
し得る。さらに上述の実施例においては、第１のレーザ
光又は第２のレーザ光を所定部材の所定面に照射して得
られる第１の反射光又は第２の反射光に基づいて所定部
材及び集光手段間の相対距離の誤差を検出する焦点用光
学系を、レーザ光源２、偏光ビームスプリツタ３、１／
４波長板４、ダイクロイツクミラー６、対物レンズ１
０、１／２波長板１３、偏光ビームスプリツタ１４及び
光ビームポジシヨンデイテクタ１５により構成した場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、焦点用光学
手段としてこの他種々の焦点用光学手段を適用し得る。
ーザ光を所定部材の所定面に集光させる集光手段として
対物レンズ１０を用いた場合について述べたが、本発明
はこれに限らず、第２のレーザ光を所定部材の所定面に
集光させる集光手段としてこの他種々の集光手段を適用
し得る。さらに上述の実施例においては、第１のレーザ
光又は第２のレーザ光を所定部材の所定面に照射して得
られる第１の反射光又は第２の反射光に基づいて所定部
材及び集光手段間の相対距離の誤差を検出する焦点用光
学系を、レーザ光源２、偏光ビームスプリツタ３、１／
４波長板４、ダイクロイツクミラー６、対物レンズ１
０、１／２波長板１３、偏光ビームスプリツタ１４及び
光ビームポジシヨンデイテクタ１５により構成した場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、焦点用光学
手段としてこの他種々の焦点用光学手段を適用し得る。
【００５５】さらに上述の実施例においては、焦点用光
学手段の出力に基づいて集光手段を駆動制御することに
より所定部材及び集光手段間の相対距離を一定に保持す
る駆動手段を、演算回路１７、駆動回路１９及びアクチ
ユエータ２１により構成した場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、駆動手段としてこの他種々の制御
手段を適用し得る。さらに上述の実施例においては、第
２の反射光の光量が一定となるように光源から射出され
る第２のレーザ光の出力光量を制御する光量制御手段
を、光ビームポジシヨンデイテクタ１５、演算回路１８
及び光量制御回路２０により構成した場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、光量制御手段としてこの
他種々の光量制御手段を適用し得る。
学手段の出力に基づいて集光手段を駆動制御することに
より所定部材及び集光手段間の相対距離を一定に保持す
る駆動手段を、演算回路１７、駆動回路１９及びアクチ
ユエータ２１により構成した場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、駆動手段としてこの他種々の制御
手段を適用し得る。さらに上述の実施例においては、第
２の反射光の光量が一定となるように光源から射出され
る第２のレーザ光の出力光量を制御する光量制御手段
を、光ビームポジシヨンデイテクタ１５、演算回路１８
及び光量制御回路２０により構成した場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、光量制御手段としてこの
他種々の光量制御手段を適用し得る。
【００５６】さらに上述の実施例においては、光源から
射出される第２のレーザ光の光量を検出する第１の光量
検出手段として入射光量検出部５を用いた場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、第１の光量検出手段
としてこの光種々の光量検出手段を適用し得る。さらに
上述の実施例においては、第２の反射光の光量を検出す
る第２の光量検出手段として反射光量検出部１６を用い
た場合について述べたが、本発明はこれに限らず、第２
の光量検出手段としてこの光種々の光量検出手段を適用
し得る。
射出される第２のレーザ光の光量を検出する第１の光量
検出手段として入射光量検出部５を用いた場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、第１の光量検出手段
としてこの光種々の光量検出手段を適用し得る。さらに
上述の実施例においては、第２の反射光の光量を検出す
る第２の光量検出手段として反射光量検出部１６を用い
た場合について述べたが、本発明はこれに限らず、第２
の光量検出手段としてこの光種々の光量検出手段を適用
し得る。
【００５７】さらに上述の実施例においては、第１及び
又は第２の光量検出手段の出力に基づいてレジスト層の
膜厚及び又は所定部材の所定面の欠陥を検出する測定手
段として膜厚欠陥測定部２２を用いた場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、測定手段としてこの他種
々の測定手段を適用し得る。さらに上述の実施例におい
ては、第１の反射光の光量を検出する第３の光量検出手
段として反射光量検出素子２４を用いた場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、第３の光量検出手段と
してこの他種々の光量検出手段を適用し得る。
又は第２の光量検出手段の出力に基づいてレジスト層の
膜厚及び又は所定部材の所定面の欠陥を検出する測定手
段として膜厚欠陥測定部２２を用いた場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、測定手段としてこの他種
々の測定手段を適用し得る。さらに上述の実施例におい
ては、第１の反射光の光量を検出する第３の光量検出手
段として反射光量検出素子２４を用いた場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、第３の光量検出手段と
してこの他種々の光量検出手段を適用し得る。
【００５８】さらに上述の実施例においては、第３の光
量検出手段の出力に基づいて記録信号を復調する復調手
段として復調回路２５を用いた場合について述べたが、
本発明はこれに限らず、復調手段としてこの他種々の復
調手段を適用し得る。さらに上述の実施例においては、
光デイスク成形時に金型として用いるデイスク原盤の所
定面上にフオトレジストを塗布することにより形成され
たレジスト層の膜厚測定及びガラス原盤１２の欠陥検査
に本発明を適用した場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、ウエハの所定面上にフオトレジストを塗布
することにより形成されたレジスト層に所望の回路パタ
ーンを形成する際に用いる露光装置等、要は所定部材の
所定面にフオトレジストを塗布することにより形成され
たレジスト層に記録信号に応じて変調された第１のレー
ザ光を照射することにより、レジスト層に所望の露光パ
ターンを形成する露光装置に適用し得る。
量検出手段の出力に基づいて記録信号を復調する復調手
段として復調回路２５を用いた場合について述べたが、
本発明はこれに限らず、復調手段としてこの他種々の復
調手段を適用し得る。さらに上述の実施例においては、
光デイスク成形時に金型として用いるデイスク原盤の所
定面上にフオトレジストを塗布することにより形成され
たレジスト層の膜厚測定及びガラス原盤１２の欠陥検査
に本発明を適用した場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、ウエハの所定面上にフオトレジストを塗布
することにより形成されたレジスト層に所望の回路パタ
ーンを形成する際に用いる露光装置等、要は所定部材の
所定面にフオトレジストを塗布することにより形成され
たレジスト層に記録信号に応じて変調された第１のレー
ザ光を照射することにより、レジスト層に所望の露光パ
ターンを形成する露光装置に適用し得る。
【００５９】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、記録信号
に応じて変調された第１のレーザ光をレジスト層に照射
してレジスト層に露光パターンを形成すると共に、当該
レジスト層が感光しない波長を有する第２のレーザ光を
所定部材の所定面に焦点を合わせて照射し、第２のレー
ザ光を所定部材の所定面に照射して得られる第２の反射
光の光量が一定となるように光源の出力光量を制御した
状態での第２のレーザ光の出力光量の変化に基づいてレ
ジスト層の膜厚を測定するようにしたことにより、レジ
スト層の膜厚検査を露光工程中に行うことができるの
で、露光工程及び膜厚検査工程を一本化し得、かくして
マスタリング工程を簡易かつ低コストで行うことのでき
る露光装置を実現することができる。
に応じて変調された第１のレーザ光をレジスト層に照射
してレジスト層に露光パターンを形成すると共に、当該
レジスト層が感光しない波長を有する第２のレーザ光を
所定部材の所定面に焦点を合わせて照射し、第２のレー
ザ光を所定部材の所定面に照射して得られる第２の反射
光の光量が一定となるように光源の出力光量を制御した
状態での第２のレーザ光の出力光量の変化に基づいてレ
ジスト層の膜厚を測定するようにしたことにより、レジ
スト層の膜厚検査を露光工程中に行うことができるの
で、露光工程及び膜厚検査工程を一本化し得、かくして
マスタリング工程を簡易かつ低コストで行うことのでき
る露光装置を実現することができる。
【００６０】また本発明によれば、記録信号に応じて変
調された第１のレーザ光をレジスト層に照射してレジス
ト層に露光パターンを形成すると共に、当該レジスト層
が感光しない波長を有する第２のレーザ光を所定部材の
所定面に焦点を合わせて照射し、第２のレーザ光を所定
部材の所定面に照射して得られる第２の反射光の光量が
一定となるように光源の出力光量を制御した状態での第
２の反射光の光量変化に基づいて所定部材の所定面の欠
陥を検出するようにしたことにより、所定部材の欠陥検
査を露光工程中に行うことができるので、露光工程及び
欠陥検査工程を一本化し得、かくしてマスタリング工程
を簡易かつ低コストで行うことのできる露光装置を実現
することができる。
調された第１のレーザ光をレジスト層に照射してレジス
ト層に露光パターンを形成すると共に、当該レジスト層
が感光しない波長を有する第２のレーザ光を所定部材の
所定面に焦点を合わせて照射し、第２のレーザ光を所定
部材の所定面に照射して得られる第２の反射光の光量が
一定となるように光源の出力光量を制御した状態での第
２の反射光の光量変化に基づいて所定部材の所定面の欠
陥を検出するようにしたことにより、所定部材の欠陥検
査を露光工程中に行うことができるので、露光工程及び
欠陥検査工程を一本化し得、かくしてマスタリング工程
を簡易かつ低コストで行うことのできる露光装置を実現
することができる。
【図１】本発明の実施例による露光装置の構成を示すブ
ロツク図である。
ロツク図である。
【図２】膜厚欠陥測定部の構成を示すブロツク図であ
る。
る。
１……光デイスク原盤露光装置、２……レーザ光源、
３、８、１３、２３……偏光ビームスプリツタ、４、９
……１／４波長板、５……入射光量検出部、６……ダイ
クロイツクミラー、７……露光光学系、１０……対物レ
ンズ、１１……ターンテーブル、１２……ガラス原盤、
１３……１／２波長板、１５……焦点位置誤差検出用光
ビームポジシヨンデイテクタ、１６……反射光量検出
部、１７、１８……演算回路、１９……駆動回路、２０
……光量制御部、２１……アクチユエータ、２２……膜
厚欠陥測定部、２４……反射光量検出素子、２５……復
調回路、２６……ＣＣＤカメラ、２７……膜厚測定部、
２８……欠陥測定部、２９、３０……ＬＰＦ、３１……
デバイダ、３２……回転量検出部、３３、４０……タイ
ミングジエネレータ、３４……ＣＰＵ、３５、４３……
データ送信部、３６……膜厚変換用ルツクアツプテーブ
ル、３７……データ設定部、３８……装置制御部、３９
……ドロツプアウト検出器、４１……ドロツプアウト幅
検出カウンタ、４２……Ｄ／Ｆ変換部。
３、８、１３、２３……偏光ビームスプリツタ、４、９
……１／４波長板、５……入射光量検出部、６……ダイ
クロイツクミラー、７……露光光学系、１０……対物レ
ンズ、１１……ターンテーブル、１２……ガラス原盤、
１３……１／２波長板、１５……焦点位置誤差検出用光
ビームポジシヨンデイテクタ、１６……反射光量検出
部、１７、１８……演算回路、１９……駆動回路、２０
……光量制御部、２１……アクチユエータ、２２……膜
厚欠陥測定部、２４……反射光量検出素子、２５……復
調回路、２６……ＣＣＤカメラ、２７……膜厚測定部、
２８……欠陥測定部、２９、３０……ＬＰＦ、３１……
デバイダ、３２……回転量検出部、３３、４０……タイ
ミングジエネレータ、３４……ＣＰＵ、３５、４３……
データ送信部、３６……膜厚変換用ルツクアツプテーブ
ル、３７……データ設定部、３８……装置制御部、３９
……ドロツプアウト検出器、４１……ドロツプアウト幅
検出カウンタ、４２……Ｄ／Ｆ変換部。
Claims (11)
- 【請求項１】所定部材の所定面にフオトレジストを塗布
することにより形成されたレジスト層に記録信号に応じ
て変調された第１のレーザ光を照射することにより、上
記レジスト層に所望の露光パターンを形成する露光装置
において、 上記レジスト層が感光しない波長を有する第２のレーザ
光を射出する光源と、 上記光源から射出された上記第２のレーザ光を上記レジ
スト層に導く光学系と、 上記第２のレーザ光を上記所定部材の所定面に集光させ
る集光手段と、 上記第１のレーザ光又は第２のレーザ光を上記所定部材
の所定面に照射して得られる第１の反射光又は第２の反
射光に基づいて上記所定部材及び上記集光手段間の相対
距離の誤差を検出する焦点用光学系と、 上記焦点用光学系の出力に基づいて上記集光手段を駆動
制御することにより上記所定部材及び上記集光手段間の
相対距離を一定に保持する駆動手段と、 上記第２の反射光の光量が一定となるように上記光源か
ら射出される上記第２のレーザ光の出力光量を制御する
光量制御手段と、 上記光源から射出される上記第２のレーザ光の光量を検
出する第１の光量検出手段と、 上記第１の光量検出手段の出力に基づいて上記レジスト
層の膜厚を測定する測定手段とを具えることを特徴とす
る露光装置。 - 【請求項２】上記第２の反射光の光量を検出する第２の
光量検出手段を具え、上記測定手段は、上記第２の光量
検出手段の出力に基づいて上記所定部材の所定面の欠陥
を検出することを特徴とする請求項１に記載の露光装
置。 - 【請求項３】上記第１の反射光の光量を検出する第３の
光量検出手段と、 上記第３の光量検出手段から出力される出力信号を復調
する復調手段とを具え、上記測定手段は、上記復調手段
の出力に基づいて上記所定部材の所定面の欠陥を検出す
ることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光
装置。 - 【請求項４】上記第１の反射光の光量を検出する第３の
光量検出手段と、 上記第３の光量検出手段から出力される出力信号のピー
クホールドを検出するピークホールド検出手段とを具
え、上記測定手段は、上記ピークホールド検出手段の出
力に基づいて上記レジスト層の膜厚を測定することを特
徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光装置。 - 【請求項５】上記第１の反射光の光量を検出する第３の
光量検出手段と、 上記第３の光量検出手段から出力される出力信号を平均
化する平均化手段とを具え、上記測定手段は、上記平均
化手段の出力に基づいて上記レジスト層の膜厚を測定す
ることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光
装置。 - 【請求項６】上記集光手段は、 上記第１のレーザ光を上記レジスト層上に集光させると
共に、上記第２のレーザ光を上記所定部材の所定面に集
光させることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載
の露光装置。 - 【請求項７】所定部材の所定面にフオトレジストを塗布
することにより形成されたレジスト層に記録信号に応じ
て変調された第１のレーザ光を照射することにより、上
記レジスト層に所望の露光パターンを形成する露光装置
において、 上記レジスト層が感光しない波長を有する第２のレーザ
光を射出する光源と、 上記光源から射出された上記第２のレーザ光を上記レジ
スト層に導く光学系と、 上記第２のレーザ光を上記所定部材の所定面に集光させ
る集光手段と、 上記第１のレーザ光又は第２のレーザ光を上記所定部材
の所定面に照射して得られる第１の反射光又は第２の反
射光に基づいて上記所定部材及び上記集光手段間の相対
距離の誤差を検出する焦点用光学系と、 上記焦点用光学系の出力に基づいて上記集光手段を駆動
制御することにより上記所定部材及び上記集光手段間の
相対距離を一定に保持する駆動手段と、 上記第２の反射光の光量が一定となるように上記光源か
ら射出される上記第２のレーザ光の出力光量を制御する
光量制御手段と、 上記第２の反射光の光量を検出する第２の光量検出手段
と、 上記第２の光量検出手段の出力に基づいて上記所定部材
の所定面の欠陥を検出する測定手段とを具えることを特
徴とする露光装置。 - 【請求項８】上記第１の反射光の光量を検出する第３の
光量検出手段と、 上記第３の光量検出手段から出力される出力信号を復調
する復調手段とを具え、上記測定手段は、上記復調手段
の出力に基づいて上記所定部材の所定面の欠陥を検出す
ることを特徴とする請求項７に記載の露光装置。 - 【請求項９】上記第１の反射光の光量を検出する第３の
光量検出手段と、 上記第３の光量検出手段から出力される出力信号のピー
クホールドを検出するピークホールド検出手段とを具
え、上記測定手段は、上記ピークホールド検出手段の出
力に基づいて上記レジスト層の膜厚を測定することを特
徴とする請求項７に記載の露光装置。 - 【請求項１０】上記第１の反射光の光量を検出する第３
の光量検出手段と、 上記第３の光量検出手段から出力される出力信号を平均
化する平均化手段とを具え、上記測定手段は、上記平均
化手段の出力に基づいて上記レジスト層の膜厚を測定す
ることを特徴とする請求項７に記載の露光装置。 - 【請求項１１】上記集光手段は、 上記第１のレーザ光を上記レジスト層上に集光させると
共に、上記第２のレーザ光を上記所定部材の所定面に集
光させることを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7309828A JPH09128818A (ja) | 1995-11-02 | 1995-11-02 | 露光装置 |
| US08/739,541 US5726756A (en) | 1995-11-02 | 1996-10-30 | Exposure apparatus with thickness and defect detection |
| KR1019960051059A KR970029417A (ko) | 1995-11-02 | 1996-10-31 | 노광장치 |
| DE69623096T DE69623096D1 (de) | 1995-11-02 | 1996-11-01 | Belichtungsapparat und -verfahren |
| EP96307935A EP0772189B1 (en) | 1995-11-02 | 1996-11-01 | Exposure apparatus and method |
| CN96121619A CN1089472C (zh) | 1995-11-02 | 1996-11-02 | 曝光装置 |
| TW085113427A TW307006B (ja) | 1995-11-02 | 1996-11-04 | |
| KR1019960055721A KR100464764B1 (ko) | 1995-11-02 | 1996-11-20 | 기록매체기록재생장치및기록매체기록재생방법 |
| KR1019960056608A KR970029777A (ko) | 1995-11-02 | 1996-11-22 | 강유전체불휘발성 기억장치 |
| KR1019960056734A KR100484396B1 (ko) | 1995-11-02 | 1996-11-22 | 디스크기록방법,디스크재생장치및디스크형기록매체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7309828A JPH09128818A (ja) | 1995-11-02 | 1995-11-02 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09128818A true JPH09128818A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17997760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7309828A Pending JPH09128818A (ja) | 1995-11-02 | 1995-11-02 | 露光装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5726756A (ja) |
| EP (1) | EP0772189B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09128818A (ja) |
| KR (1) | KR970029417A (ja) |
| CN (1) | CN1089472C (ja) |
| DE (1) | DE69623096D1 (ja) |
| TW (1) | TW307006B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100294648B1 (ko) * | 1998-06-26 | 2001-08-07 | 박종섭 | 노광장치의 초점 조절 방법 |
| JP2007220239A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Sony Corp | 光ディスク装置及びその制御方法 |
| JP2020146407A (ja) * | 2019-03-15 | 2020-09-17 | ソニー・オリンパスメディカルソリューションズ株式会社 | 光源装置、医療用観察システム、照明方法およびプログラム |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19739794C2 (de) * | 1997-09-10 | 1999-11-18 | Steag Hama Tech Ag | Verfahren zur Regelung eines Beschichtungsvorgangs |
| SE519397C2 (sv) | 1998-12-16 | 2003-02-25 | Micronic Laser Systems Ab | System och metod för mikrolitografiskt ritande av högprecisionsmönster |
| JP3544892B2 (ja) * | 1999-05-12 | 2004-07-21 | 株式会社東京精密 | 外観検査方法及び装置 |
| US6683695B1 (en) | 1999-07-21 | 2004-01-27 | Electronic Design To Market, Inc. | Method and apparatus for detecting properties of reflective transparent surface coatings on a sheet of transparent material |
| JP2001343434A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Ando Electric Co Ltd | 半導体試験装置 |
| WO2002079760A2 (en) * | 2001-03-30 | 2002-10-10 | Therma-Wave, Inc. | Polarimetric scatterometer for critical dimension measurements of periodic structures |
| CN100417973C (zh) * | 2001-09-13 | 2008-09-10 | 陈振华 | 一种将数码影像曝光在感光材料上的方法及装置 |
| US6882413B2 (en) * | 2002-02-04 | 2005-04-19 | Therma-Wave, Inc. | Rotating head ellipsometer |
| ATE487218T1 (de) * | 2002-10-10 | 2010-11-15 | Sony Corp | Verfahren zur herstellung eines originals für optische datenträgerbenutzung und verfahren zur herstellung eines optischen datenträgers |
| US7551537B2 (en) * | 2002-10-15 | 2009-06-23 | Sony Corporation | Method and apparatus for making master optical disk |
| CN100440349C (zh) | 2002-11-20 | 2008-12-03 | 索尼株式会社 | 制作用于制造光盘的母盘的方法和制造光盘的方法 |
| KR101047255B1 (ko) * | 2003-01-09 | 2011-07-06 | 소니 주식회사 | 광 디스크 제조용 원반의 제작 방법 및 광 디스크의 제조방법 |
| JP4379056B2 (ja) * | 2003-08-12 | 2009-12-09 | 富士ゼロックス株式会社 | 三次元画像撮像装置および方法 |
| JP4574185B2 (ja) * | 2004-02-17 | 2010-11-04 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び閃光装置の制御方法 |
| JP4440688B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-03-24 | Ｈｏｙａ株式会社 | レーザ描画装置、レーザ描画方法及びフォトマスクの製造方法 |
| US7417749B1 (en) | 2004-09-01 | 2008-08-26 | Electric Design To Market, Inc. | Method and apparatus for protecting an optical transmission measurement when sensing transparent materials |
| US20060054843A1 (en) * | 2004-09-13 | 2006-03-16 | Electronic Design To Market, Inc. | Method and apparatus of improving optical reflection images of a laser on a changing surface location |
| US8472020B2 (en) * | 2005-02-15 | 2013-06-25 | Cinram Group, Inc. | Process for enhancing dye polymer recording yields by pre-scanning coated substrate for defects |
| ATE418143T1 (de) | 2005-04-19 | 2009-01-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Vorrichtung zur strahlungslenkung auf eine schicht, gerät mit einer derartigen vorrichtung und verfahren unter verwendung eines derartigen geräts |
| US7652760B1 (en) | 2006-04-05 | 2010-01-26 | Electronic Design To Market, Inc. | System for detecting coatings on transparent or semi-transparent materials |
| US7583368B1 (en) | 2006-04-05 | 2009-09-01 | Electronic Design To Market, Inc. | Method of enhancing measurement of stress in glass |
| US9784625B2 (en) * | 2010-11-30 | 2017-10-10 | Bloom Energy Corporation | Flaw detection method and apparatus for fuel cell components |
| US9690210B2 (en) * | 2011-08-18 | 2017-06-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5851514A (ja) * | 1981-09-22 | 1983-03-26 | Toshiba Corp | ウエハ露光方法及びその装置 |
| JPS6367549A (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-26 | Pioneer Electronic Corp | 光ディスク用レジスト原盤の欠陥検査及び膜厚測定装置 |
| JPH03154239A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-02 | Pioneer Electron Corp | 光ディスクカッティング装置 |
| JPH05322796A (ja) * | 1992-05-25 | 1993-12-07 | Sony Corp | 塗膜の検査装置 |
-
1995
- 1995-11-02 JP JP7309828A patent/JPH09128818A/ja active Pending
-
1996
- 1996-10-30 US US08/739,541 patent/US5726756A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-10-31 KR KR1019960051059A patent/KR970029417A/ko not_active Application Discontinuation
- 1996-11-01 DE DE69623096T patent/DE69623096D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-01 EP EP96307935A patent/EP0772189B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-02 CN CN96121619A patent/CN1089472C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-04 TW TW085113427A patent/TW307006B/zh active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100294648B1 (ko) * | 1998-06-26 | 2001-08-07 | 박종섭 | 노광장치의 초점 조절 방법 |
| JP2007220239A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Sony Corp | 光ディスク装置及びその制御方法 |
| JP2020146407A (ja) * | 2019-03-15 | 2020-09-17 | ソニー・オリンパスメディカルソリューションズ株式会社 | 光源装置、医療用観察システム、照明方法およびプログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0772189A2 (en) | 1997-05-07 |
| DE69623096D1 (de) | 2002-09-26 |
| CN1156876A (zh) | 1997-08-13 |
| KR970029417A (ko) | 1997-06-26 |
| CN1089472C (zh) | 2002-08-21 |
| US5726756A (en) | 1998-03-10 |
| EP0772189B1 (en) | 2002-08-21 |
| EP0772189A3 (en) | 1998-02-25 |
| TW307006B (ja) | 1997-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09128818A (ja) | 露光装置 | |
| EP0087174B1 (en) | Control system for an optical data recording apparatus | |
| US4865445A (en) | Apparatus for detecting faults on the surface of a resist master disc and measuring the thickness of the resist coating layer | |
| SE444872B (sv) | Uppteckningsberarkropp och uppteckningsberare for optiskt inskrivningsbar och avlesningsbar information och med ett optiskt detekterbart servospar samt apparater for informationsinskrivning i uppteckningsberarkroppen oc | |
| EP0005316A1 (en) | Optical apparatus and process for recording information and record carrier formed by this apparatus; optical apparatus for retrieving the recorded information | |
| JP2002133730A (ja) | 光軸調整装置及びそれを具備する露光装置並びに光軸調整方法及びそれを具備する露光方法 | |
| JP2786270B2 (ja) | 干渉式傾きもしくは高さ検出装置並びに縮小投影式露光装置及びその方法 | |
| JP3038232B2 (ja) | 光学式ディスクの欠陥長計測方法及びその装置 | |
| JPS605440A (ja) | 光デイスク検査装置 | |
| JPS60107749A (ja) | 光ディスク検査装置 | |
| JPH11296922A (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
| JPH0217929B2 (ja) | ||
| JPS60256922A (ja) | 情報記録媒体記録装置 | |
| JP2657868B2 (ja) | ヘッド浮上量測定における干渉波較正方法 | |
| JPS6365343A (ja) | 感光性材料の光学特性測定装置 | |
| JPH05182896A (ja) | 物体位置検出装置 | |
| SU1658207A1 (ru) | Устройство дл контрол дисков оптических накопителей информации | |
| JP3339061B2 (ja) | 位相差検出装置 | |
| JP2970020B2 (ja) | コーティング薄膜の形成方法 | |
| JPS63103938A (ja) | 光ピツクアツプ装置 | |
| JPH0773490A (ja) | 焦点制御装置及び焦点制御装置の安定化方法 | |
| JPH01297532A (ja) | 光ディスクの反射率測定方法 | |
| JPH0575263B2 (ja) | ||
| JPS61161429A (ja) | レ−ザ波長測定装置 | |
| JPH1011811A (ja) | ディスク媒体の製造方法及び製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040409 |