TW307006B - - Google Patents

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經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ______B7_ _ 五、發明説明（1 ) 發明背景 ’ 發明領域 · 本發明的內容涉及曝光裝置，尤與在鑄模時作爲爲模 型的主記錄碟（d i s k raa s t e r )有關，該主記錄碟例如可 爲一光碟。 相關技術說明 傳統上，依據下列程序製造一作爲主記錄碟（即 stamper)，此主記錄碟在鏞模由塑膠材料製成的光碟時 作爲模型。 首先，在一玻璃基體表面上覆上一光阻（使用旋轉覆 層機）等而形成一光阻層。隨後，使用主記錄碟曝光裝置 曝光此光阻餍而將信號記錄在上面，且顯影而在玻璃基體 的表面上顯影而留下部份光阻層，而依據記錄信號留下凸 凹形圖樣。 其次，由電鍍等方式在具有凸凹形圖樣之表面上形成 導體薄膜層。而且，在一金屬層經由電塑形在導體薄膜層 上形成，由硏磨除去金屬餍上部份。 而且，一包含導電膜層厚度及金屬層的記錄碟鑄模元 件從主玻璃上剝離，而由壓鑄機等壓鑄成圚輪之預定形狀 0 依此方法，可提供一記錄碟鑄模其含有依據記錄信號 而一表面上形成的凸凹圖漾。 在上述的主程序中’當將玻璃基體覆上光阻形成光阻 本紙張尺度通用中國國家標率（CNS ) A4规格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部中央標隼局員工消费合作杜印裝 7GQ6 9〇7〇〇β A7 B7 五、發明説明（2 ) 層後，使用椭園儀等進行測試以決定所形成光阻層的厚度 是否適當（在下文中，此測試稱爲 '"層厚度測試〃)，則 應用光搜集器等厚度從主玻璃上反射光置的變動而決定而 主玻璃上是否由於刻痕，塵埃粒子而產生缺陷（下文中稱 爲 ' 缺陷測試# )，因此維持產品品質的一致性。 但是，產生主程序需要兩測試階段，即在曝光階段前 一層厚度測試階段及缺陷測試階段，這些測試階段因爲整 個製程的循環時間增加。而且，產生使用不同的測試裝置 分別導入層厚度測試階段及缺陷測試階段，必需有安裝空 間以適應這兩種裝置。 爲了解決此項問題，日本特評公開專利申請案案號5 —3 2 2 7 9 6 中提出一自含（self-contained)裝置， 其可同時導入一層厚度測試階段及缺陷測試階段。 但是，因爲所提出的裝置，同時導入一層厚度測試階 段及一缺陷測試階段，導致兩測試階段整合成一階段，且 只需要一安裝空間即可適應該裝置，該裝置仍然需要時間 用於導入層厚度測試階段，及缺陷測試，及一安裝空間用 於適應一裝置。因此裝置之循環時間，成本及安裝空間的 問題仍沒有解決。 而且，在線上型主系統中（其可在清潔道中自動清潔 傳送主玻璃），必需要有傳送系統及框架，以用於在各階 段中，所以增加循環時間，成本及系統的安裝空間。 發明概述 本紙張尺度適用中_國家標準（CNS ) A4规格（2丨0 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 經濟部十央標準局員工消费合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（3 ) 依據上述說明，可知本發明的目的係提供一種可以低 廉成本輕易執行主要程序的曝光裝置。 可提供一曝光裝置達成本發明的上述目的及其他目的 ，該裝置可用於再輻射第一雷射光，此第一雷射光依據將 記錄在光阻層的信號調變，該再輻射由在一預定組件之預 定表面上覆上一光阻而形成，因而在光阻層上形成所需要 的曝光圖樣。依據第一實施例，曝光裝置包含一種曝光裝 置，用於再輻射第一雷射光，此雷射光係依據預定組件之 預定表面上稷上的一光阻所形成的光阻層上記錄的信號所 調變，以在該光阻層上形成所需要的曝光圖樣，此曝光裝 置包含：以用於發射第二雷射光的光源，該雷射光的波長 可使其不爲該光阻層所感測：一光系統，用於將從該光源 所發射的第二雷射光向該光阻層導引；一光收斂機構，用 於使該第二雷射光收斂向該預定組件的預定表面：一聚焦 光系統，基於該預定組件預定表面上爲再輻射該第一雷射 光或第二雷射光產生的第一反射光或第二反射光，而偵測 該預定組件及該光收斂機構間相對距離中的誤差；驅動機 構，基於該聚焦光系統的輸出信號控制該光收斂機構的移 動，以該預定組件及該光收斂機構間固定的相對距離：一 光量控制機構，用於控制從該光源發射之第二雷射光的输 出光量，以維持固定量的該第二反射光：第一光測機 構，用於偵測從該光源發射之第二雷射光的光量以^及置 測機構，基於該第一光量偵測機構的輸出，置測該層 的厚度。 本紙張尺度適用中國國家標芈（CNS ) A4规格（210X 297公釐） (請先M請背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部中央樣隼局員工消費合作杜印製 A7 B7_ 五、發明説明（4 ) 而且，依據第二實施例，一種曝光裝置，用於再輻射 第一雷射光，此雷射光係依據預定組件之預定表面上覆上 的一光阻所形成的光阻層上記錄的信號所調變，以在該光 阻層上形成所需要的曝光圖樣，此曝光裝置包含：以用於 發射第二雷射光的光源，該雷射光的波長可使其不爲該光 阻層所感測：一光系統，用於將從該光源所發射的第二霤 射光向該光阻層導引：一光收斂機構，用於使該第二雷射 光收斂向該預定組件的預定表面；一聚焦光系統，基於該 預定組件預定表面上爲再輻射該第一霤射光或第二雷射光 產生的.第一反射光或第二反射光，而偵測該預定組件及該 光收斂機構間相對距離中的誤差：驅動機構，基於該聚焦 光系統的輸出信號控制該光收斂機構的移動，以該預定組 件及該光收斂機構間固定的相對距離：一光置控制機構， 用於控制從該光源發射之第二雷射光的输出光量，以維持 固定量的該第二反射光：一第二光量偵測機構，用於偵測 該第二反射光的光量；以及量測機構，基於該第二光置偵 測機構的輸出偵測在預定組件之預定表面上的缺陷。 在第一實施例中，依據將記錄之信號調變的第一雷射 光在光阻層上再輻射而在光阻層形成一曝光圖樣，且第二 雷射光，其波長可令其不爲光阻層所感測，且其焦距置於 一預定組件的預定表面上，依據可基於爲光源所發射之第 二光源的輸出光量中的變動，而量測光阻層的厚度’控制 該光阻層的輸出光量使得由在預定組伴的預定表面上再幅 射第二雷射光產生的第二K射光可維持固定量，因此可在 本紙張尺度適用中國國家標季（CNS ) Α4規格（210x297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·

*1T 五、發明説明（5 ) 曝光階段期間進行層厚度測試，所以可將曝光階段及層厚 度測試階段整合成—階段。 在第二實施例中，依據將記錄之信號調變的第一雷射 光可在光阻層上再輻射而在光阻層上形成曝光圖樣’且其 波長不爲光阻餍所感測的第二雷射光再輻射，而其焦距置 於一預定組件的預定表面上，使得基於爲光源發射之第二 雷射光光量的變動而偵測預定組件的預定表面，因此在預 定組件的預定表面上維持爲再輻射第二雷射光所產的第二 反射光之光量固定，所以在曝光階段期間可進行缺陷測試 ，因而可將曝光階段及缺陷測試階段整合成一階段。 由下文中的說明可更進一步了解本發明之特性，原理 及功能，閱讀時並請參考附圖。 圖式之簡單說明 在附圖中： 圖1之方塊圖示本發明實施例中曝光裝置的配置：且 圖2之方塊圖示缺陷層厚度量測單元之配置。 經濟部中央樣隼局員工消費合作杜印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施例之詳細說明 下文將說明本發明之實施例，並請參考附圖 (1 )狀態配置 現在請參考圖1 ，在此實施例中，本發明使用在光碟 主曝光裝置中，一般以參考數字丨表示。從測試用雷 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS > A4说格（210 X 297公釐） A7 B7 經濟部中央標隼局負工消費合作社印製 五 、發明説明 ( 6 ) 1 I 源 2 發 射 的 光 束 L A入射- -極化分光器： >適於發射單- 1 1 線 性 極 化 光 的 雷 射 光 源 2 包 含 — 可 見 光 半 導 體 雷 射 用 於 1 1 發 射 波 長 不 爲 光 阻 層 所 感 測 的 可 見 光 〇 應 用 如 此 架 構 的 霤 1 I 請 1 | 射 光 源 2 9 可 相 當 易 地 調 整 光 軸 及 光 束 L A之量C ) 先 閲 | 讀 I: 1 在 測 試 光 束 L A入射極化分光器3後 •其單線性極化 背 1 —1 成 份 爲 極 化 分 光 器 3 所 反 射 且 指 向 並 入 射 四 分 之 一 波 長 之 注 意 1 板 4 如 光 束 L A 1 而 與 單 線 性 極 化 光 組 成 正 交 ( 事 項 再 1 1 射 填 〇 r t h 〇g on a 1 ) 的 線 性 極 化 光 組 成 傳 輸 極 化 分 光 器 3 且 入 寫 本 裝 — 入 射 光 置 偵 測 單 元 5 如 同 光 束 L A 2 0 光 置 偵 測 單 元 5 頁 1 1 包 含 — 光 極 體 及 — 放 大 器 其 形 成 高 準 確 度 之 光 1; 偵 測 元 1 1 件 可 呈 現 高 S/ N 率 及 良 好 的 線 性 0 1 | 在 此 爲 極 化 分 光 器 3 所 反 射 的 光 量 及 傳 輸 極 化 分 光 訂 1 器 3 的 光 量 ( 即 光 束 L A 1 與 光 束 L A 2 之 光 置 比 ) 設 定 爲 — 1 1 1 具 有 高 準 確 偵 測 光 量 之 値 0 在 此 例 中 > — 雷 射 磁 頭 ( 圖 中 1 1 I 無 ) 可 繞 光 軸 相 對 於 極 化 分 光 器 3 轉 動 9 而 變 動 光 置 光 0 1 然 後 由 四 分 之 — 波 長 板 4 將 光 束 L A 1 轉 成 圓 形 極 化 光 % 1 束 L A3 此 圚 形 極 化 光 束 復 入 射 雙 色 鏡 6 0 1 1 曝 光 系 統 7 包 含 一 雷 射 光 源 ( 圖 中 fm1- m ) 用 於 發 射 適 1 I 當 的 光 量 此 光 可 爲 層 厚 度 所 感 測 及 一 調 變 器 ( 圖 中 frrr. m I I ) ， 用 於 調 樊 將 記 錄 之 ί言 號 0 從 曝 光 系 統 7 中 發 射 光 束 9 1 1 I 此 光 之 强 度 係 依 據 將 記 錄 之 號 加 以 調 梁 如 用 於 曝 光 之 1 光 束 L 且該光束7、射極it*分光器i ，極化分光器（ ϊ具 1 有 單 線 性 極 化 平 面 此 極 ί匕 分 光 器 8 之 定 位 可 使 得 曝 光 光 1 1 束 L β的全：部光量均傳輸過極化分光器 3 1 1 本紙浪尺度通用T國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

G A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印褽 五、發明説明（7 ) 一單線性極化光束LB1，在傳輸過極化分光器8後， 再由四分之一波長板9轉換成圓形極化光束LB2，且入射 雙色鏡6。 雙色鏡6結合圓形極化光束L A 3及園形極化光束L B 2 。由焦距L 1 0使得結合光束光束Lab收斂，且在置於轉 動檯11上的主玻璃12上再輻射，而其焦距置於主玻璃 12上，因此曝光光束組成曝光的主玻璃12之預定表面 上形成的層厚度（圖中無）。 圔形極化光束L A3入射焦距L 1 0，而其光軸微偏離 焦距L 1 0的光軸。 在入射玻璃基體1 2的光束Lab內，與主玻璃1 2之 反射因素同量的光爲主玻璃12所入射，且經由焦距 L 1 0入射雙色鏡6。雙色鏡6分開入射光成爲圚形極化 光束L A4及圓形極化光束L B3。 圓形極化光束L A 4入射四分之一波長板4 ，且轉換成 線性極化光L A 5，其極化平面與本來的單線性極化光L A i 正交。然後，線性極化光L A 5俥輸過極化分光器3且入射 半波長板1 3 ，在此極化平面轉動至適當的角度，而線性 極化光L A3入射一極化分光器1 4 ，成爲極化光LA6。 因此線性極化光L A 5入射極化分光器L 4 ，其極化平 面與極化分光器1 4間傾斜一角度，線性極化光L Α 5爲極 化分光器1 4分成線性極叱光組成L 7，此L Α 7傳輸過極 化分光器1 4 ，及分成另一線性極化光組成L a 8，其爲一 極化分光器1 4反射。傳輸過極化分光器1 4的線性極化 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經 濟 部 央 棣 準 局 貝 工 消 費 合 η 社 印 製 Α7 Β7 五 、發明説明 ( 8 ) 1 1 光 L A 7 入 射 光 束 位 置 偵 測 器 1 5 以 偵 測 焦 距 位 置 誤 差 ( 1 I 下 文 簡 稱 爲 位 置 偵 測 器 )* 而 爲 極 化 分 光 器 1 4 反 射 的 線 1 1 I 性 極 化 光 L A 8 入 射 — 反 射 光 量 偵 測 單 元 1 6 0 1 | 請 I 調 整 半 波 長 板 1 3 以 轉 動 線 性 極 化 光 L A 5 的 極 化 平 面 先 閱 讀 I 至 —- 適 當 的 角 度 使 得 線 性 極 化 光 L A 7 與 線 性 極 化 光 L A 8 背 1 的 光 量 比 ( 在 極 化 分 光 器 1 4 中 的 設 定 中 ) 可 使 其 値 容 許 注 意 I 事 1 位 置 偵 測 器 1 5 及 入 射 反 射 光 量 偵 測 單 元 1 6 可 極 準 確 地 項 再 填 偵 測 線 性 極 化 光 L A 7 及 L A 8 0 窝 本 装 I 包 含 位 置 感 測 偵 測 器 的 位 置 偵 測 器 1 5 並 未 加 以 分 開 頁 1 1 > 且 加 -* 對 應 線 性 極 化 光 L A 7 的 偵 測 光 量 之 電 壓 至 計 算 電 1 1 路 1 7 的 輸 入 端 — ft 電 壓 及 參 考 霉!1 壓 間 的 差 値 且 產 生 1 1 〇 差 値 信 號 S 1 此信號對應送至驅動電路 L 9的差値 訂 1 I 計 算 電 路 1 8 加 總 所 加 電 壓 及 參 考 電 壓 % + Jtt 9 且 俥 1 1 1 輸 —*- 加 總 信 號 S 2 至 光 量 控 制 電 路 2 0 作 爲 加 總 結 果 0 1 驅 動 電 路 1 9 經 由 — 基 於 差 ί直 信 號 S 1 的 焦 距 致 動 器 1 4 而 驅 動 焦 距 L 1 0 5 且 控 制 焦 距 L 1 0 使 得 主 玻 璃 1 2 1 1 再 輻 射 光 束 L A B 而 其 隹 / 1 · \ 距 置 於 其 上 ( 即 使 得 差 値 信 號 1 I S 1 變 動 爲 0 缚 ) Ο 1 1 光 量 控 制 電 路 2 0 基 於 加 總 信 號 S 2 控 制 來 白 雷 射 光 1 1 源 2 發 射 的 雷 射 光 L A的輸出量 >使溽加總信號S 2仍在 1 其 限 制 之 頻 率 響 應 內 的 固 定 値 而 與 主 玻 璃 1 2 上 的 反 射 1 因 素 frrr. 挑 關 ( 即 維 持 來 i 主 玻 璃 1 2 之 反 射 光 爲 固 定 量 ) 1 I 0 應 用 光 量 控 制 電 路 2 0 的 控 制 甚 至 在 主 玻 璃 1 2 的 入 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） 11 經濟部中央標準局員工消费合作杜印聚 A7 B7 五、發明説明（9 ) 射因素由於層厚度的變動厚度而颤動時，均可提供固定的 焦距增益，因此可極準確且極穩定地控制焦距位置。 包含高頻響應光量偵測元件（其具有高S/N比及良 好線性）的反射光置偵測單元1 6偵測線性極化光L A 8之 光量，且將光量轉換成電壓，此電壓傳輸至缺陷層厚度置 測單元2 2 ，作爲偵測信號3 3。在此，當收斂光束點或 線性極化光L A 3於刻痕上再輻射時，塵粒子等可能出現在 主玻璃1 2上，爲反射光量偵測單元1 6所偵測的反射光 量視粒子大小及形狀而跟著減少。 尤.其是，如果塵埃粒子及/或刻痕存在於主玻璃1 2 上，爲反射光置偵測單元1 6所偵測的光置產生突然的變 動，而且缺陷層厚度量測單元2 2厚度以陡落宽度顯示之 突然變動處之範圍的長度。 當入射光量偵測單元1 5偵測傳輸過極化分光器3的 光束LA22光量時，將此光量轉換成電壓，此電壓送至缺 陷層厚度置測單元2 2作爲偵測信號S 4。 爲主玻璃1 2所反射的光强度當光阻層厚度變動時亦 跟著變動，係由於架構該光阻層之薄膜的多千擾反射反致 。因爲控制雷射光源2的輸出光量以維固來自上述主玻璃 1 2之固定量反射光，由於光阻層之層厚度變動而導致入 射因素變動（即反射光量變動）即偵測如雷射光源2中輸 出光量的變動。因此缺陷層厚度量測單元2 2適於基於雷 射光源2之數據光量變動而量測層厚度。 圓形極化光束爲雙色鏡6所反射的L b 3轉換成單一線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0X 297公釐） (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本1) 裝· 訂 12 經濟部中央揉準局員工消費合作社印装 A7 B7 五、發明説明（10) 性極化光Lb4，其極化平面經由四分之一波長板9而與原 本之單一線性極化光L Bn正交。然後，大致上單一線性極 化光LB4的狀態光量爲極化分光器8反射，且入射一半鏡 分光器2 3，此極化分光器2 3將光束LB5分成入射反射 光置偵測元件2 4的光束 LB5及爲一焦距L25所收斂 且入射電荷耦合裝置（CCD)相機2 6的光束LB6。 如同爲半鏡型分光器2 3所反射之光量及傳输過該分 光器2 3之光量的比例（即光束Lbs之光量比），因爲 CCD相機2 6極小量的光，甚至光量比約爲1 〇 〇 : 1 或更小時，CCD相機2 6仍可提供足夠的光量。因此在 主玻璃12上曝光光束點之焦距狀態可經由來自CCD相 機2 6的輸出信號而從遠處觀察。 反射光量偵測元件2 4將入射光L b 5導至一對應入射 光L B5之光量的電子信號S 5。電子信'號S 5隨後至一解 調電路6 4 ，且爲此電路所解調。 (2 )缺陷層厚量測單元之配置 現在請參考圖2 ，其中對應圖1中的元件以相同的數 字表示，本發明的缺陷層厚度纛測單元2 2包含一層厚度 量測區2 7及一缺陷置測區2 8。 在厚度量測區2 7中，來自入射光量偵測單元5的偵 測信號輸入低通濾波器（L P F ) 2 9中。L P F 2 9 ， 3 0可尼阻頻率組成，如高於相關偵測信號S 3 ，S 4中 高於1 Ο Η Z的頻率，因此除去可能爲灰塵粒子及主玻璃 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) /\4现格（210X297公釐） 13 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 經 at 部 中 央 梂 準 % 員

X 消 费 合 作 社 印 製 五 --- •發明説明 ( 11) 1 1 1 2 上 刻 痕 所 產 生 的 高 頻 率 組 成 > 且 不 m 要 1: 測 層 厚 度 〇 1 I 通 過 L P F 2 9 > 3 0 的 偵 測 信 號 傳 輸 至 分 配 器 3 1 中 〇 1 1 | 轉 動 置 偵 測 單 元 3 2 包 含 一 編 碼 器 f 一 偵 測 元 件 9 及 請 1 1 1 — 偵 測 電 路 9 且 產 生 _ 脈 衝 串 信 號 予 時 計 信 號 時 計 產 生 器 先 閱 I 讀 I S 5 信 號 S 5 對 應 轉 動 檯 1 1 的 轉 速 0 例 如 9 應 用 解 析 背 夕 1 • 1 度 爲 2 0 0 0 的 編 碼 器 > 轉 動 置 偵 測 單 元 3 2 輸 出 注 意 (〆 | 事 1 2 0 0 0 個 脈 衝 作 爲 A 相 位 輸 出 ί 且 — 脈 衝 作 爲 轉 動 檯 項 再 填 1 1 每 次 轉 動 時 的 信 號 相 位 輸 出 0 寫 卜本 裝 | 包 含 計 數 器 及 邏 輯 電 路 的 時 計 產 生 器 3 3 產 生 — 時 計 頁 1 1 脈 衝 信 號 S 7 基 於 來 白 縳 動 置 偵 測 單 元 3 2 的 脈 衝 串 信 1 1 號 S 5 量 測 至 分 配 器 3 1 的 層 厚 度 ( A 相 位 及 信 號 相 位 脈 1 1 衝 串 ) 且 一 信 號 S 6 指 出 多 個 來 白 C P U 3 4 的 編 碼 器 訂 I 脈 衝 > 以 設 定 — 量 測 角 度 〇 例 如 > 當 在 光 阻 層 的 半 徑 上 > 1 1 1 以 1 6 m 及 4 5 0 的 間 隔 進 行 置 測 時 將 指 示 來 幽 1 1 C P U 之 2 5 0 ( D ) 的 信 號 6 6 供 應 時 計 產 生 器 3 3 9 1 1 且 當 1 0 0 0 個 信 號 相 位 脈 衝 已 計 數 後 計 數 A 相 位 信 號 r I 的 第 2 5 0 脈 衝 時 產 生 時 計 脈 衝 信 號 S 7 ( 當 每 次 轉 動 1 1 檯 轉 動 1 • 6 m而移動- -串線 (t h r e a d ) 時 3 1 1 | 分 配 器 3 1 基 於 時 間 脈 衝 信 號 S 7 由 類 比 域 中 L P F 1 1 2 9 的 輸 出 電 壓 分 配 L P F 3 0 的 輸 出 电 壓 ( 即 反 射 光 1: 1 1 / 入 射 光 量 ) > 且 轉 換 分 配 結 果 成 爲 數 位 形 式 此 數 位 形 • 1 · 1 式 用 於 產 生 二 位 元 數 據 S ，以參考- -層厚度轉換査閱 Ί 表 3 6 ， 其 具 有 對 應 數 據 傳 輸 機 3 5 的 輸 出 0 二 位 元 數 據 1 I 5 8 傳 輸 至 數 據 傳 輸 機 3 5 中 0 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨Ο X 297公釐） 14 A 7 B7 經濟部中央櫺準局男工消费合作社印裝 五、發明説明（12) 數據傳輸機3 5可包含一緩衝器，用於暫時儲存來自 分配器3 1的二位元數據5 8 ，且同步傳輸二位元數據 5 8 至 C P U 3 4 ° 包含一開關及一邏輯€路的數據設定單元3 7設定一 餍厚度中値，一層厚度變化容忍値，一陡落宽度，及一掉 落誤差（drop errQr)頻率，且將設定參數傳輸至 C P U 3 4 中。 從層厚度轉換査閱査3 6中，CPU3 4重取來自數 據傳輸機3 5且對應數據S 8的層厚度値，且比較重取餍 厚度値與層厚度中値，層厚度變化容忍値，及爲數據設定 單元3 7所設定的層厚度誤差頻率。比較結果經由CPU 3 4送至裝置控制單元3 8。該裝置控制單元3 8基於比 較結果執行控制，如停止裝置之操作等。 層厚度轉換査閱査3 6爲唯讀記憶體（ROM)加以 配置，且儲存多個數據，此數據相關於先前椭園儀等量測 的在預定主玻璃上之光阻層厚度與反射數據間的關係。 然後，基於數據S 8 ，C PU容許從層厚度轉換査閱 査3 6中重取一層厚度馗（層厚度數據），此數據對應來 自數據俥輸機3 5的數據S 8。 須知依據光阻層的特徵，當在某一角度組件中，幾毫 米的主玻璃半徑處，量測反射光量時，從層厚度轉換査閱 査3 6中爲CPU3 4所重取的層厚度數據可充份地供應 。因此，在本實施例中，每1 . 6 " m坎4 5。間隔進行 一次量測。 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本黃)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X 297公釐） 經濟部中央橾隼局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（13) 在偵測量測區2 8中，一包含窗口比較的陡落偵測器 3 9比較至LPF 3 0的輸入電壓及來自LPF 3 0的輸 出電壓，以± 1 0爲參考値，且產生一對應比較結果的陡 落偵測信號S 9至 T G 4 0。 尤須加以說明的是，作用在L P F 3 0上的输入信號 ，當灰塵粒子及/或刻痕存在主玻璃1 2上時，其具有高 頻率組成中的光量組成。來自LPF 3 0的光量信號又可 不含此高頻組成。陡落偵測器所比較這雨信號以输出陡落 偵測信號S 9。 包含邏輯電路的時計產生器4 0使用陡落偵測信號 S 9以供應陡落宽度偵測計算器4 1 —計數致動信號 S 1 0作爲時計信號。 包含晶體振盪器及全加器的數位/頻率轉換器4 2提 供由載波所形成的脈衝串信號S 1 1予陡落寬度偵測計數 器4 1 ，當輸入之線性速度二位元數據完全加總時產生該 載波。脈衝串信號S 1 1的頻率產生一線性速度。而且， 線性速度二位元數據可隨線性速度變動而變動，且可基於 轉動量偵測單元3 2的輸出全饋入機構（圖中無）的輸出 而產生。 在D / F轉換4 2中產生的脈衝視爲用於偵測陡落宽 度的最小解析度。例如，假設提供1 6位元全加器的時脈 頻率爲1 6MHZ ，且輸\D/F轉換器4 2的二位元數 據爲” 7 F F F ” （指示8 m / s的線性速度）。頻率 爲8MHZ的信號來自D/ F轉換器42輸出，且決定 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS〉A4規格（210X 297公釐） 16 A 7 B7 經濟部中央揉準局負工消費合作杜印製 五、發明説明（l4) 出最小解析度爲1 〃 m。因爲此信號具有一時脈部份的跳 動，最好在邏輯操作範園之內，時脈頻率可儘可能地高。 包含計數器電路的陡落宽度偵測計數器4 1 ，基於計 數致能信號s 1 〇計數脈衝串信號s 1 1中的脈衝數’且 供應二位元數據s 1 2予數據傳輸機4 3 °尤其是，陡落 寬度偵測計數器41在發生陡落期間計數指示最小解析度 的脈衝數，且產生一對應偵測陡落宽度的二位元數據 S 1 2予數據傳輸機4 3 ° 因此，指示線性速度的二位元數據轉換成對應線性速 度的輸入且產生最小解析脈衝，且當光置變動時，計數一 串最小解析脈衝，依此方式’可偵測陡落宽度。 包含邏輯電路的數據傳輸機4 3比較二位元數據 S 1 2之形式的陡落寬度可經由CPU 3 4從數據設定單 元則轉換的參考陡落，且提供CPU信號4 3 ，每當陡落 寬度或二位元數據S 1 2超過參考陡落寬度時，則信號S 1 3指出陡落出現。 CPU 3 4計數指示來自數據俥輸機4 3之陡落出現 的信號 S1 3，且比較計數値與爲數據設定單元3 7所 設定的陡落誤差容忍頻率。當計數値超過陡落誤差容忍頻 率時，CPU 3 4提供裝置控制單元3 8 —表示比較結果 的信號。 裝置控制單元3 8適於基於來自CPU 3 4的信號中 斷裝置的控制等。 (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. •π 本紙浪尺度適用中國國家標华（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） 17 A7 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 B7五、發明説明（15) (3 )實施例之操作及效應 在配置如上述的光碟主曝光裝置1中，依據將記錄之 信號優點，用於曝光的雷射光L B在光阻層上的再輻射以 曝光光阻層，因此依據將記錄在光阻層上的信號形成圖樣 。而且，用於缺陷層厚度測試的雷射光LA，其波長不爲 光阻層所感測者，於主玻璃1 2上再輻射，且焦距在主玻 璃1 2上。控制雷射光源入射的输出光量以維持來自主玻 璃12之固定量的反射光（由加總信號S 2表之）。然後 由入射光量偵測單元5反射光置偵測單元1 6偵測從由此 控制的雷射光源2所發射之電射光L A的光量及來自主玻 璃1 2的反射光量，其產生對應之偵測信號S3，S4予 缺陷層厚度量測單元2 2。 缺陷層厚度量測單元2 2基於來自入射光置偵測單元 5及反射光置偵測單元1 6的偵測信號S 4 ，S 3量測在 層厚度量測區2 7中的光阻層之厚度，且基於來自反射光 量偵測單元1 6的偵測信號S 3偵測在缺陷量測菡2 8中 之主玻璃1 2上的缺陷。 依此方式，在發射階段期間光碟主曝光裝置1可導入 一用於光阻層的層厚度測試及一用於主玻瑪的缺陷偵測測 試，使得該光源階段，層厚度測試階段及缺陷測試階段可 整合成單一階段，因此可大大地減少主程序的循環時間。 而且，因爲光碟主曝光裝置1不需要用於層厚度測試 及用於缺陷偵測的分開裝置，可大大地減少成本及用於裝 置，而爲層厚度測試及缺陷測試所需要的安裝空間。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂

L 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X 297公釐） 18 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 B7五、發明説明（16) 例如，因爲當將調變信號被記錄時，光碟主曝光裝置 1可偵測其中的問題，所以可準確地偵測記錄信號面，且 可估計受影響的程度，及記錄時，影響記錄信號之問題的 程度。 例如，在光碟主曝光裝置1中，因爲控制來自從霤射 光源2發射的雷射光La之輸出光量爲固定量，使得爲位 置偵測器1 5所產生的加總信號S 2仍維持固定’而與有 限頻率響應範圍內層厚度之反射因素無關，所以可量測層 厚度之反射因素，而不需要修改焦距增益，可在曝光階段 期間量測層厚度，而保證穩定的焦距操作。 而且光碟主曝光裝置1使用高頻響應光量偵測元件於 反射光量偵測單元1 6中，因此可提供穩定的焦距操作° 另外，甚至不薔要限制由位置偵測器1 5產生之加總信號 的頻率響應所加的限制，在曝光階段期間，仍可偵測到極 小的缺陷。 依據上述配置，依據將記錄的信號加以調變且從曝光 系統7上發射而用於曝光的雷射光L b在光阻層上再輻射 而在光阻層上形成曝光圖樣。同時，用於缺陷層厚度童測 測試的雷射光L A而不爲光阻層所感測者在主玻璃1 2上 再輻射。基於從雷射光源2發射之雷射光L a光量的變動 量測層厚度，控制輸出光量使得從主玻璃1 2之測試雷射 光LA之光量維持固定量。在主玻璃12上缺陷基於由主 玻璃1 2上再輻射的測試雷射光L λ產生的反射光L A b之 光量變動而偵測主玻璃1 2上的缺陷。因爲用於光阻層的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 19 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 _·_B7五、發明説明（17) 層厚度測試及用於主玻璃12的缺陷測試可在曝光階段期 間導入，所以曝光階段，層厚度測試階段，.及缺陷測試階 .-Φ： 段可整合成單一階段，因此可製造出成本低而可簡易地執 行主程序的光碟主曝光裝置。 (4 )其他實施例 上述實施例係說明向極化分光器3傳输的光束L A2指 向光置偵測單元5 ，且爲極化分光器3反射的光束乙^指 向四分之一波長板4的例子，本發明並不限於特定之型態 。另外，向極化分光器3傳輸之光束L A2可指向四分之一 波長板4 ，而爲極化分光器3所反射的光束LA1可指向光 置偵測單元5。 而且，上述實施例說明使用不可分割光偵測器作爲位 置偵測器1 5的例子，本發明並不限於此特定形式的位置 偵測器，也可以用於入射雙分光偵測器。 而且，上述實施例說明基於測試反射光量偵測單元 1 6所偵測之線性極化光L A 8董測主玻璃1 2上的缺陷， 但本發明並不限於此量測方法。另外，可基於從計算電路 1 8輸出的加總信號S 2量測主玻璃1 2上的缺陷。 在此例中，一般光源E位置偵測器1 5使其限制的输 入響應低於反射光量偵測單元1 6 ，使其不會過度感應對 灰塵粒子及主玻璃1 2上刻痕的動作，因此防止不穩定自 動焦距控制。所以最好反射光量偵測單元1 6包含反射光 置偵測元件，其具有高頻率響應’且與位置偵測器1 5無 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·

,1T 4 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4规格（210X 297公釐） 20 V 0G6 Α7 Β7 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印褽 五 、發明説明 ( 18) 1 I 關 9 因 此 可 穩 定 地 偵 測 小 缺 陷 0 1 1 而 且 ， 在 上 述 實 施 例 中 向 極 化 分 光 器 1 4 傳 输 的 線 1 1 性 極 化 光 L A 1 指 向 位 置 偵 測 器 1 5 9 而 爲 極 化 分 光 器 1 4 1 | 單 但 請 I I 反 射 的 線 性 極 化 光 L A 3 指 向 反 射 光 置 偵 測 元 1 6 0 是 先 κ 1 極 化 分 光 讀 | ： > 本 發 明 並 不 限 於 此 特 定 型 態 〇 另 外 ， 向 器 1 4 背 Ί 傳 輸 的 線 性 極 化 光 L A 7 可 指 向 反 射 光 置 偵 測 單 元 1 6 9 而 之 注 意 1 | 爲 位 置 偵 測 器 1 4 反 射 的 線 性 極 化 光 L A 8 可 指 向 位 置 偵 測 事 項 JL 1 *»Τ 填 器 1 5 0 本 裝 I 而 且 9 上 述 資 施 例 說 明 從 雷 射 光 源 2 發 射 的 光 量 爲 光 頁 1 1 量 偵 測 單 元 5 所 偵 測 但 是 本 發 明 並 不 限 於 使 用 光 置 偵 測 1 1 單 元 5 亦 可 使 用 具 有 內 建 光 量 偵 測 元 件 的 雷 射 光 源 9 使 1 I 得 從 L A 2 發 射 的 光 1: 可 爲 內 建 於 L A 2 之 光 置 偵 測 元 件 所 偵 訂 ! 測 0 1 1 I 而 且 9 在 上 述 實 施 例 中 9 從 曝 光 系 統 7 發 射 的 光 束 1 1 L Β傳輸過極化分光器ί 且在層厚度上再輻射 •且來自 1 主 玻 璃 1 2 的 圓 形 極 化 光 束 L 8 3 爲 極 (匕 分 光 器 8 光 阻 層 而 表 1 入 射 在 雙 色 鏡 1 2 上 > 但 是 本 發 明 並 不 受 此 特 定 配 置 所 限 1 1 制 0 另 外 9 對 應 極 化 分 光 器 8 之 曝 光 系 統 7 的 位 置 可 爲 極 1 1 化 分 光 器 2 3 之 發 射 系 統 C C D 2 6 反 射 光 量 偵 測 元 I 件 2 4 及 解 調 電 路 2 5 所 取 代 0 在 此 例 中 來 白 曝 光 系 統 1 1 7 的 光 束 L B的方向轉動 5 ) ) 使得光束L B 極 化 分 光 器 8 反 射 且 於 層 厚 度 上 再 輻 射 0 另 外 來 白 主 玻 璃 1 2 1 的 計 算 電 路 P L B 3 傳 輸 極 化 分 光 器 8 0 1 1 而 且 上 述 實 施 例 中 說 明 基 於 反 射 光 量 偵 測 單 元 1 6 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） % 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 _____B7 _五、發明説明（19) 的輸出量測主玻璃1 2上的缺陷，但本發明並不限於此置 測方式。另外，一爲解調電路2 5提供的解調信號可與對 應調變信號比較以偵測此主玻璃上的缺陷。 ..在此例中，因爲反射光量偵測元件2 4可大致上記錄 爲雙色鏡6反射之圓形極化光束L33之全部光量，以確保 足夠的S/N比，可爲解調電路2 5提供解調信號可與對 應調變信號比較以偵測在主玻璃1 2的上缺陷。也可以從 逮方觀察曝光光束點的焦距狀態，因而比較解調信號與對 應之Μ路信號以偵測主玻璃1 2上的缺陷。 而且，上述實施例上說明基於入射光ft偵測單元5在 缺陷層厚度置測單元2 2上量測光阻餍厚度，本發明並不 限於此種量測方式。另外可提供峰値保留偵測《路以偵測 且保留來自反射光量偵測元件2 4的輸出信號之峰値，使 得可基於峰値保留偵測器電路量測光阻層厚度。而且另外 ，可提供平均電路，用於平均反射光置偵測元件2 4的输 出信號，以偵測光阻層的反射因素，且基於平均電路的输 出量測光阻層的層厚度。在此例中，如果光阻層最後的層 厚度値與基於反射光量偵測單元1 6之輸出的缺陷餍厚度 量測單元2 2所提供之量測方式一起決定，可以更高的準 確度量測光阻層。 而且，上述實施例說明從雷射光源2發射之雷射光 L a於主玻璃1 2上再輻射以產生反射光（線性極化光L A 输出），其可信賴地進行主光碟1 2與焦距L 1 〇間的距 離誤差，但是，本發明並不限於此持定之配置。另外，此 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂 II > 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（20) 在主光碟1 2及焦距L 1 0間的距離誤差的偵測，可基於 在光阻層上從曝光系統7·發射之再輻射雷射光Lb產生的 反射光（線性極化光L A 8 )。 而且，上述實施例已說明使用層厚度轉換査閱表3 6 以儲存指示反射光量與層厚度間關係的顯示，但本發明並 不限於使用此査閱表，而是可基於霤射光波長，間隙宽度 ，及光阻»反射因素等之量測値計算層厚度。 另外，在上述實施例分別提供層厚度轉換査閱表3 6 ，本發明可加以更改，如果反射光量及層厚度間的關係可 適當地簡易方程式概算的話，本發明中可使用C PU計算 層厚度，而不必使用層厚度轉換査閱表。 而且，上述資施例中說明光碟主曝光裝置1 ，其中入 射光量偵測單元5偵測從霤射光源2發射之雷射光的输出 光童以量測光阻餍之層厚度，且反射光置偵測單元1 6偵 測於主玻璃1 2上來自霤射光源2發射之再輻射雷射光產 生的反射光置，此時焦距置於主玻璃1 2上。但是，本發 明並不限於上述的曝光裝置。另外，本發明的曝光裝置可 用於光阻層厚度測試或主玻璃1 2上缺陷測試。而且，反 射光量偵測元件2 4及解調電路2 5可從曝光裝置中移除 Ο 而且，上述實施例中說明從雷射光源2發射的雷射光 ，及從曝光經由發射的雷射光，爲雙色鏡6結合，且由焦 距L 1 0加以收斂，且然後於主玻璃1 2上再輻射，但是 本發明並不限於此特定之光系統。另外來自雷射光源2發 本紙伕尺度適用中國國家標隼（CNS)A4现格（2丨OX 297公釐）_ π _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本I) 裝- 訂 經濟部中央標窣局貝工消费合作社印製 A7 B7五、發明説明（21) 射的雷射光及從曝光系統7發射的雷射光可於主玻璃1 2 上分別再輻射，而不必加以結合。 例如，上述資施例中說明使用的雷射光源2以發射第 二雷射光，此雷射光的波長不爲光阻層所感測，另外，多 種其他光源，如He—Ne (Helium Neon氦氖）雷射等，可 作爲雷射光源2。且使用氦氖雷射作爲雷射光源2時，可 由外部調變器調整其輸出光量，該調變器如聲光調變器（ A0M)，電光調變器（E0M)等，及一光量調整器。 例如，上述實施例說明用於從導引從雷射光源2發射 之第二雷射光至一光阻層的光系統包含極化分光器3 ，四 分之一波長板4 ，雙色鏡6及焦距L1 0 ，本發明並不限 於此特定之光系統，而是可使用其他多種光系統，以導引 第二雷射光至光阻層。 而且，上述實施例已說明使用焦距L 1 0 ，作爲光收 斂裝S，以收斂第二雷射光至預定組件的預定表面，但是 本發明並不限於使用焦距L於此目的中。可使用多種光收 斂裝置收斂預定組件的預定表面上的第二雷射光。 另外，在上述實施例中，由雷射光源2 ，極化分光器 3 ，四分之一波長板4 ，雙色鏡6 ，焦距L1 0 ，半波長 板1 3 ，極化分光器1 4及光束位置偵測器1 5配置一聚 焦光系統，以基於預定組件之預定表面上由再輻射第一霤 射光及第二霤射光產生的對應第一反射光R第二反射光， 偵測一預定組件及光收斂裝匱間的對應距離。但是'本發明 並不限於此特定之配置，而是可使用多種聚焦光系統用於 I —7 1·1 n ^ n I 訂— i I 致 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙佚尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 24 SGT006 經濟部中央樣隼局貝工消费合作社印製 A7 _ B7_五、發明説明（22) 誤差偵測。 例如，上述實施例說明由計算電路1 7驅動電路1 9 ，及致動器12配置驅動機構以基於聚焦光系統的输出信 號控制光收斂裝置的移動，而維持預定組件及光收斂裝置 間的固定量相對距離，但是本發明並不限於使用此特定組 件於驅動機構中，而是可使用多種其他的控制機構作爲駆 動機構。 而且，上述實施例說明使用光束位置偵測器1 5 ，計 算m路1 8及光量控制電路2 0配置光量控制機構以控制 從光源輸出之第二雷射光的输出光量，因此維持第二反射 光之固定量。但是本發明並不限於此特定元件，而是可使 用多種其他的光量控制機構。 而且，上述實施例說明使用反射光量偵測單元5作爲 第一光量偵測機構，以偵測從光源發射之第二雷射光的光 量，但是，本發明並不限於此特定型態的偵測光量機構， 而是可使用多種其他的光置偵測機構作爲第一光置偵測機 構。 另外，上述資施例說明使用光量偵測單元1 6作爲第 二光量偵測機構以偵測第二反射光的光置，但是本發明並 不限於此特定型式的光量偵測機構，也可使用多種其他的 光量偵測機構作爲第二光量偵測機構。 而且，上述實施例中更進一步度用缺陷層厚度量測單 元2 2作爲量測光阻層之厚度的量測機構，或基於第一及 /或第二光量偵測機構的輸出信號的預定組件之預定表面 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X2517公釐） (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣率局®工消费合作社印製 A7 B7五、發明説明（23) 上偵測缺陷的量測機構，但是，本發明並不限於此特定量 測機構，而是可使用多種機構作爲Μ要的置測機構。 而且，上述實施例中說明使用反射光量偵測元件作爲 第三光置偵測機構以偵測第一反射的光量，但是，本發明 並不限於此特定元件，而是可使用多種光量偵測機構作爲 第三光量偵測機構。 而且，上述實施例中說明使用解調電路2 5作爲解調 機構，以基於第三光量偵測機構解調信號，但是，本發明 並不限於此解調霣路，而是可使用多種其他的解調機構作 爲元件.的解調機構。 而且，上述實施例中說明在本發明中，應用一測試， 以量測在主磁碟之預定表面上覆上光阻所形成光阻餍的厚 度，當光磁鑄模時將主磁碟作爲模型用，且應用一測試偵 測主玻璃上的缺陷，但是，本發明並不限於此項測試，而 是可加到曝光裝置中，裝置用於在晶園之預定表面上由覆 上一光阻形成的光阻層上形成所需要的電路圖樣。—般， 本發明可加到任何曝光裝置中以用於由再輻射第一雷射光 而在光阻層上形成所需要的曝光圖樣中，在預定組件之預 定表面由覆一層光阻形成的光阻層上，依據將記錄的信號 調變。 依據上述實施例，依據將記錄之信號調變的第一雷射 光，波長不爲光阻層所感測的第二雷射光再輻射，而其焦 距置於預定組件的預定表面上，使ί辱能基於爲光源所發射 之雷射光的輸出光量中的變動而量測光阻層的厚度’控制 本紙張尺度遴用中國國家標隼（CNS ) Α4现格（210 X 297公釐）_ _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝. 訂 iv A7B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（24) 輸出光量使能在預定組件的預定表面上維持由再輻射第二 雷射光產生之固定量的第二反射光，所以可在曝光階段期 間進行光阻層的層厚度測試，以致於可整合曝光階段及層 厚度測試階段成單一階段，且結果完成一曝光配置，其可 以較低的成本執行主程序。 而且，依據本發明，依據將記錄之信號調變的第一霤 射光於光阻層上再輻射，且在光阻層上形成一曝光圖樣， 且波長不爲光阻層所感測的第二雷射光再輻射，而其焦距 置於預定組件的預定表面上，使得可基於由雷射光源所發 射之第二霤射光的輸出光量之變動，而偵測預定組件的預 定表面，控制输出光量使得能在預定組件的預定表面上維 持由第二雷射光再輻射所產生的固定量之第二反射光，因 此可在曝光階段期間進行預定組件的缺陷測試，所以可將 曝光階段及偵測測試階段整合成單—階段，且建立一曝光 裝置，此裝置以較低的成本簡單地執行一主要程序。 雖然文中已應較佳實施例說明本發明，但嫺熟本技術 者需了解可對上述實施例加以更改及變更，而不偏離本發 明的精神及觀點。 ——-------燊-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公廑）— 27 -

Claims (1)

1. 307006 ABCD 經濟部中央櫟隼局員工消費"作社印裝 六、申請專利範圍 1 種曝光裝置，用於再輻射第一雷射光，此雷射 光係依據預定組件之預定表面上覆上的一光阻所形成的光 阻餍上記錄的信號所調變，以在該光阻層上形成所需要的 曝光圖樣，此曝光裝置包含： 以用於發射第二雷射光的光源，該雷射光的波長可使 其不爲該光阻層所感測： 一光系統，用於將從該光源所發射的第二雷射光向該 光阻層導引： 一光收斂機構，用於使該第二雷射光收斂向該預定組 件的預.定表面： 一聚焦光系統，基於該預定組件預定表面上爲再輻射 該第一雷射光或第二雷射光產生的第一反射光或第二反射 光，而偵測該預定組件及該光收斂機構間相對距離中的誤 差： 驅動機構，基於該聚焦光系統的輸出信號控制該光收 斂機構的移動，以該預定組件及該光收斂機構間固定的相 對距離： 一光量控制機構，用於控制從該光源發射之第二雷射 光的輸出光量，以維持固定量的該第二反射光： 第一光量偵測機構，用於偵測從該光源發射之第二霤 射光的光量：以及 ^ 量測機構，基於該第一光量偵測機構的輸出，量測該 層的厚度。 2 ·如申請專利範圍第1項之曝光裝s，更包含： 夂紙张义度i4用中阈國家標搫（CNS ) Λ4规格（2丨G X 297公康）-28 ' I.— ---^ _ 裝 ί (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本页) 訂 經濟部中央標隼局員工消#合作杜印聚 A8 B8 C8 ___D8六、申請專利範圍 第二光量偵測機構，用於偵測該第二反射光的光量， 基於該第二光量偵測機構的输出，該量測機構偵測該預定 組件之預定表面上的缺陷。 3 ·如申請專利範圍第1項之曝光裝置，更包含： 第三光量偵測機構，用於偵測該第一反射光的光置： 以及 解調機構用於解調從該第三光置偵測機構中输出的输 出信號， 其中基於該解調機構的輸出，該量測機構湞測該預定 組件之.預定表面上的缺陷。 4 .如申請專利範圍第1項之曝光裝置，更包含： 第三光量偵測機構，用於偵測該第一反射光的光置； 以及 峰値保留偵測機構，用於偵測且保留一輸出侰號的峰 値，該输出信號從該第三光量偵測機構輸出， 其中該量測機構基於該峰値保留偵測機構的輸出置測 該光阻層的厚度。 5 .如申請專利範圍第1項之曝光裝®，更包含： 第三光置偵測機構，用於偵測該第三反射光的光置： 以及 平均機構，用於平均從該第三光置偵測機構所输出的 输出信號， 其中該量測機構基於該平均機構的輸出信號量測該光 阻層的厚度。 本紙悵尺度遑用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公缝）-29 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局WC工消费合作杜印裝 六、申請專利範圍 6 .如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中： 該光收斂機構使該第一雷射光在該光阻層上收敛，且 使的該第二雷射光在該預定組件的預定表面上收斂。 7. —種曝光裝置，用於再輻射第一雷射光，此雷 射光係依據預定組件之預定表面上覆上的一光阻所形成的 光阻層上記錄的信號所調變，以在該光阻層上形成所需要 的曝光圖樣，此曝光裝置包含： 以用於發射第二雷射光的光源，該霤射光的波長可使 其不爲該光阻層所感測： —光系統，用於將從該光源所發射的第二雷射光向該 光阻層導引： 一光收斂機構，用於使該第二雪射光收斂向該預定組 件的預定表面： 一聚焦光系統，基於該預定組件預定表面上爲再輻射 該第一雷射光或第二雷射光產生的第一反射光或第二反射 光，而偵測該預定組件及該光收斂機構間相對距離中的誤 差： 驅動機構，基於該聚焦光系統的輸出信號控制該光收 斂機構的移動，以該預定組件及該光收斂機構間固定的相 對距離： 一光量控制機構，用於控制從該光源發射之第二雷射 光的輸出光i，以維持固定量的該第二反射光； 一第二光童偵測機構，用於偵測該第二反射光的光量 :以及 (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 本紙張尸、度適用中阀國家標华（CNS ) Λ4現格（210X2W公釐）-30 - 經濟部肀央梂準局員工消资令作社印聚 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 量測機構，基於該第二光量偵測機構的输出偵測在預 定組件之預定表面上的缺陷。 8 ·如申請專利範圍第7項之曝光裝置，更包含： 第三光置偵測機構，用於偵測該第一反射光的光置： 以及 解調機構用於解調從該/第三光置偵測機構中输出的输 出信號， 其中基於該解調機構的输出，該置測機構偵測該預定 組件之預定表面上的缺陷。 9·.如申請專利範圍第7項之曝光裝置，更包含： 第三光量偵測機構，用於偵測該第一反射光的光置： 以及 峰値保留偵測機構，用於偵測且保留一输出信號的峰 値，該输出信號從該第三光置偵測機構輸出， 其中該置測機構基於該峰値保留偵測機構的输出量測 該光阻層的厚度， 其中基於該峰値保留偵測機構的輸出，該量測機構偵 測該預定組件之預定表面上的缺陷。 1 0 .如申請專利範圍第7項之曝光裝置，更包含： 第三光置偵測機構，用於偵測該第三反射光的光量； 以及 平均機構，用於平均從該第三光量偵測機構所输出的 輸出信號， 其中基於該平均機構的输出，該量測機構偵測該預定 --—l· JL-----------訂------ {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸张义度適用中國國家標準（CNS ) Λ4現格（21()x2W公釐）-31 - A8 B8 C8 D8 七、申請專利範圍 組件之預定表面上的缺陷。 1 1 .如申請專利範園第7項之曝光裝置，其中： 且 ， 斂。 收斂 上收 層上 阻面 光表 該定 在預 光的 射件 y3 一匚 j 耆 勒 1 定 第預 該該 使在 構光 機射 斂雷 收二 光第 該該 的 使 --—hj.----.裝------訂 (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消f合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（2丨0X 297公釐）-32 -