KR970029777A - 강유전체불휘발성 기억장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (5)
- 서로 반절(返折) 비트선구조를 가지고 열상(列狀)으로 교호로 인접배선된 제1의 비트선 및 제2의 비트선과, 상기 반절비트선구조에 대응하여 행상(行狀)으로 배선된 제1의 워드선 및 제2의 워드선과, 1개의 강유전체 커패시터와 1개의 선택트랜지스터로 구성되고, 상기 제1의 비트선과 제1의 워드선이 교차하는 격자위치에 배치된 제1의 메모리셀과, 1개의 강유전체커패시터와 1개의 선택트랜지스터로 구성되고, 상기 제2의 비트선과 제2의 워드선이 교차하는 격자위치에 배치된 제2의 메모리셀과, 상기 제1의 비트선마다 대응하여 배설된 제1의 센스앰프와, 상기 제2의 비트선마다 대응하여 배설된 제2의 센스앰프와를 가지고, 상기 제1의 메모리셀이 선택되어 데이터의 독출이 행해지는 경우에는, 상기 제2의 비트선이 일정한 실드전압으로 설정된 상태에서, 상기 제1의 메모리셀의 데이터내용이 상기 제1의 비트선에 독출되고, 상기 제1의 센스앰프에서 상기 제1의 비트선전위와 비교기준전위와의 비교결과에 의하여 데이터의 판정이 행해지고, 상기 제2의 메모리셀이 선택되어 데이터의 독출이 행해지는 경우에는, 상기 제1의 비트선이 일정한 실드전압으로 설정된 상태에서, 상기 제2의 메모리셀의 데이터내용이 상기 제2의 비트선에 독출되고, 상기 제2의 센스앰프에서 상기 제2의 비트선전위와 비교기준전위와의 비교결과에 의하여 데이터의 판정이 행해지는 강유전체기억장치.
- 청구항 제1항에 있어서, 상기 제1항의 메모리셀이 선택되어 데이터독출이 행해지는 경우에는, 상기 제2의 센스앰프가 비활성화되고, 상기 제2항의 메모리셀이 선택되어 데이터독출이 행해지는 경우에는, 상기 제1의 센스앰프가 비활성화되는 강유전체기억장치.
- 서로 반절비트선구조를 가지고 열상으로 교호로 인접배선된 제1a의 비트선 및 제2a의 비트선과, 상기 반절비트선구조에 대응하여 행상으로 배선된 제1a의 워드선 및 제2a의 워드선과, 1개의 강유전체커패시터와 1개의 선택트랜지스터로 구성되고, 상기 제1a의 비트선과 제1a의 워드선이 교차하는 격자위치에 배치된 제1a의 메모리셀과, 1개의 강유전체커패시터와 1개의 선택트랜지스터로 구성되고, 상기 제2a의 비트선과 제2a의 워드선이 교차하는 격자위치에 배치된 제2a의 메모리셀과, 상기 제1a의 비트선마다 배설된 제1a의 비교셀과, 상기 제2a의 메모리셀과, 상기 제1a의 비트선마다 배설된 제1a의 비교셀과, 상기 제2a의 비트선마다 배설된 제2a의 비교셀과를 구비한 제1의 메모리어레이와, 서로 반절비트선구조를 가지고 열상으로 교호로 인접배선된 제1b의 비트선 및 제2b의 비트선과, 상기 반절비트선구조에 대응하여 행상으로 배선된 제1b의 워드선 및 제2b의 워드선과, 1개의 강유전체커패시터와 1개의 선택트랜지스터로 구성되고, 상기 제1b의 비트선과 제1b의 워드선이 교차하는 격자위치에 배치된 제1b의 메모리셀과, 1개의 강유전체커패시터와 1개의 선택트랜지스터로 구성되고, 상기 제2b의 비트선과 제2b의 워드선이 교차하는 격자위치에 배치된 제2b의 메모리셀과, 상기 제1b의 비트선마다 배설된 제1b의 비교셀과, 상기 제2b의 비트선마다 배설된 제2b의 비교셀과를 구비한 제2의 메모리어레이와, 서로 쌍을 이루는 상기 제1의 메모리어레이와 상기 제2의 메모리어레이의 사이에 배치되고, 상기 제1a의 비트선전위와 제1b의 비트선전위와의 비교독출을 행하는 제1의 센스앰프와, 상기 제2a의 비트선전위와 제2b의 비트선진위와의 비교독출을 행하는 제2의 센스앰프와를 가지는 강유전체기억장치.
- 청구항 제3항에 있어서, 상기 제1a의 메모리셀이 선택되어 데이터의 독출이 행해지는 경우에는, 상기 제2a의 비트선 및 제2b의 비트선이 일정한 실드전압으로 설정된 상태에서, 상기 제1a의 메모리셀의 데이터내용이 상기 제1a의 비트선에, 상기 제1b의 비교셀의 데이터가 상기 제1b의 비트선에 독출되고, 상기 제1의 센스앰프에서 상기 제1a의 비트선전위와 제1b의 비트선전위의 비교의 결과, 독출데이터가 판정되고, 상기 제2a의 메모리셀이 선택되어 데이터의 독출이 행해지는 경우에는, 상기 제1a의 비트선 및 제1b의 비트선이 일정한 실드전압으로 설정된 상태에서, 상기 제2a의 메모리셀의 데이터내용이 상기 제2a의 비트선에, 상기 제2b의 비교셀의 데이터가 상기 제2b의 비트선에 독출되고, 상기 제2의 센스앰프에서 상기 제2a의 비트선전위와 제2b의 비트선전위의 비교의 결과, 독출데이터가 판정되고, 상기 제1b의 메모리셀이 선택되어 데이터의 독출이 행해지는 경우에는, 상기 제2a의 비트선 및 제2b의 비트선이 일정한 실드전압으로 설정된 상태에서, 상기 제1b의 메모리셀의 데이터내용이 상기 제1b의 비트선에, 상기 제1a의 비교셀의 데이터가 상기 제1a의 비트선에 독출되고, 상기 제1의 센스앰프에서 상기 제1a의 비트선전위와 제1b의 비트선전위의 비교의 결과, 독출데이터가 판정되고, 상기 제2b의 메모리셀이 선택되어 데이터의 독출이 행해지는 경우에는, 상기 제1a의 비트선 및 제1b의 비트선이 일정한 실드전압으로 설정된 상태에서, 상기 제2b의 메모리셀의 데이터내용이 상기 제2b의 비트선에, 상기 제2a의 비교셀의 데이터가 상기 제2a의 비트선에 독출되고, 상기 제2의 센스앰프에서 상기 제2a의 비트선전위와 제2b의 비트선전위의 비교의 결과, 독출데이터가 판정되는 강유전체기억장치.
- 청구항 제3항에 있어서, 상기 제1a의 메모리셀 또는 제1b의 메모리셀이 선택되어 데이터의 독출이 행해지는 경우에는, 상기 제2의 센스앰프가 비활성화되고, 상기 제2a의 메모리셀 또는 제2b의 메모리셀이 선택되어 데이터의 독출이 행해지는 경우에는, 상기 제2의 센스앰프가 비활성화되고, 상기 제2a의 메모리셀 또는 제2b의 메모리셀이 선택되어 데이터의 독출이 행해지는 경우에는, 상기 제1의 센스앰프가 비활성화되는 강유전체기억장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (12)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP7309828A JPH09128818A (ja) | 1995-11-02 | 1995-11-02 | 露光装置 |
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| JP95-302415 | 1995-11-21 | ||
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| JP7306217A JPH09147577A (ja) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 強誘電体記憶装置 |
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| JP32989495A JP4150084B2 (ja) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | ディスク記録媒体 |
| JP95-329462 | 1995-11-27 | ||
| JP32946295A JP3541535B2 (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | 記録装置、記録再生装置 |
| JP03023196A JP3397280B2 (ja) | 1995-11-21 | 1996-02-19 | 記録媒体記録再生装置および記録媒体記録再生方法 |
| JP96-30231 | 1996-02-19 |
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| KR1019960056608A KR970029777A (ko) | 1995-11-02 | 1996-11-22 | 강유전체불휘발성 기억장치 |
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1996
- 1996-11-22 KR KR1019960056608A patent/KR970029777A/ko not_active Application Discontinuation
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Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20040819 Patent event code: PE09021S01D |
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