KR970029777A - 강유전체불휘발성 기억장치 - Google Patents
강유전체불휘발성 기억장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970029777A KR970029777A KR1019960056608A KR19960056608A KR970029777A KR 970029777 A KR970029777 A KR 970029777A KR 1019960056608 A KR1019960056608 A KR 1019960056608A KR 19960056608 A KR19960056608 A KR 19960056608A KR 970029777 A KR970029777 A KR 970029777A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- bit line
- memory cell
- bit
- data
- read
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
Abstract
강유전체(强誘電體) 재료를 유전체막에 사용한 커패시터와 선택트랜지스터로 구성한 메모리셀을, 이른바 반절(返折) 비트선구조를 이루도록 행렬상에 배치하고, 짝수열의 비트선과 홀수열의 비트선의 한쪽에 정보를 독출할 때에, 다른 쪽을 고정전위로 바이어스하여 인접비트선으로부터의 용량커플링에 의한 노이즈를 실드함으로써, 큰 동작마진을 확보한 강유전체불휘발성 기억장치.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 관한 강유전체기억장치의 제1의 실시형태를 나타낸 메모리 어레이를 나타낸 도면.
Claims (5)
- 서로 반절(返折) 비트선구조를 가지고 열상(列狀)으로 교호로 인접배선된 제1의 비트선 및 제2의 비트선과, 상기 반절비트선구조에 대응하여 행상(行狀)으로 배선된 제1의 워드선 및 제2의 워드선과, 1개의 강유전체 커패시터와 1개의 선택트랜지스터로 구성되고, 상기 제1의 비트선과 제1의 워드선이 교차하는 격자위치에 배치된 제1의 메모리셀과, 1개의 강유전체커패시터와 1개의 선택트랜지스터로 구성되고, 상기 제2의 비트선과 제2의 워드선이 교차하는 격자위치에 배치된 제2의 메모리셀과, 상기 제1의 비트선마다 대응하여 배설된 제1의 센스앰프와, 상기 제2의 비트선마다 대응하여 배설된 제2의 센스앰프와를 가지고, 상기 제1의 메모리셀이 선택되어 데이터의 독출이 행해지는 경우에는, 상기 제2의 비트선이 일정한 실드전압으로 설정된 상태에서, 상기 제1의 메모리셀의 데이터내용이 상기 제1의 비트선에 독출되고, 상기 제1의 센스앰프에서 상기 제1의 비트선전위와 비교기준전위와의 비교결과에 의하여 데이터의 판정이 행해지고, 상기 제2의 메모리셀이 선택되어 데이터의 독출이 행해지는 경우에는, 상기 제1의 비트선이 일정한 실드전압으로 설정된 상태에서, 상기 제2의 메모리셀의 데이터내용이 상기 제2의 비트선에 독출되고, 상기 제2의 센스앰프에서 상기 제2의 비트선전위와 비교기준전위와의 비교결과에 의하여 데이터의 판정이 행해지는 강유전체기억장치.
- 청구항 제1항에 있어서, 상기 제1항의 메모리셀이 선택되어 데이터독출이 행해지는 경우에는, 상기 제2의 센스앰프가 비활성화되고, 상기 제2항의 메모리셀이 선택되어 데이터독출이 행해지는 경우에는, 상기 제1의 센스앰프가 비활성화되는 강유전체기억장치.
- 서로 반절비트선구조를 가지고 열상으로 교호로 인접배선된 제1a의 비트선 및 제2a의 비트선과, 상기 반절비트선구조에 대응하여 행상으로 배선된 제1a의 워드선 및 제2a의 워드선과, 1개의 강유전체커패시터와 1개의 선택트랜지스터로 구성되고, 상기 제1a의 비트선과 제1a의 워드선이 교차하는 격자위치에 배치된 제1a의 메모리셀과, 1개의 강유전체커패시터와 1개의 선택트랜지스터로 구성되고, 상기 제2a의 비트선과 제2a의 워드선이 교차하는 격자위치에 배치된 제2a의 메모리셀과, 상기 제1a의 비트선마다 배설된 제1a의 비교셀과, 상기 제2a의 메모리셀과, 상기 제1a의 비트선마다 배설된 제1a의 비교셀과, 상기 제2a의 비트선마다 배설된 제2a의 비교셀과를 구비한 제1의 메모리어레이와, 서로 반절비트선구조를 가지고 열상으로 교호로 인접배선된 제1b의 비트선 및 제2b의 비트선과, 상기 반절비트선구조에 대응하여 행상으로 배선된 제1b의 워드선 및 제2b의 워드선과, 1개의 강유전체커패시터와 1개의 선택트랜지스터로 구성되고, 상기 제1b의 비트선과 제1b의 워드선이 교차하는 격자위치에 배치된 제1b의 메모리셀과, 1개의 강유전체커패시터와 1개의 선택트랜지스터로 구성되고, 상기 제2b의 비트선과 제2b의 워드선이 교차하는 격자위치에 배치된 제2b의 메모리셀과, 상기 제1b의 비트선마다 배설된 제1b의 비교셀과, 상기 제2b의 비트선마다 배설된 제2b의 비교셀과를 구비한 제2의 메모리어레이와, 서로 쌍을 이루는 상기 제1의 메모리어레이와 상기 제2의 메모리어레이의 사이에 배치되고, 상기 제1a의 비트선전위와 제1b의 비트선전위와의 비교독출을 행하는 제1의 센스앰프와, 상기 제2a의 비트선전위와 제2b의 비트선진위와의 비교독출을 행하는 제2의 센스앰프와를 가지는 강유전체기억장치.
- 청구항 제3항에 있어서, 상기 제1a의 메모리셀이 선택되어 데이터의 독출이 행해지는 경우에는, 상기 제2a의 비트선 및 제2b의 비트선이 일정한 실드전압으로 설정된 상태에서, 상기 제1a의 메모리셀의 데이터내용이 상기 제1a의 비트선에, 상기 제1b의 비교셀의 데이터가 상기 제1b의 비트선에 독출되고, 상기 제1의 센스앰프에서 상기 제1a의 비트선전위와 제1b의 비트선전위의 비교의 결과, 독출데이터가 판정되고, 상기 제2a의 메모리셀이 선택되어 데이터의 독출이 행해지는 경우에는, 상기 제1a의 비트선 및 제1b의 비트선이 일정한 실드전압으로 설정된 상태에서, 상기 제2a의 메모리셀의 데이터내용이 상기 제2a의 비트선에, 상기 제2b의 비교셀의 데이터가 상기 제2b의 비트선에 독출되고, 상기 제2의 센스앰프에서 상기 제2a의 비트선전위와 제2b의 비트선전위의 비교의 결과, 독출데이터가 판정되고, 상기 제1b의 메모리셀이 선택되어 데이터의 독출이 행해지는 경우에는, 상기 제2a의 비트선 및 제2b의 비트선이 일정한 실드전압으로 설정된 상태에서, 상기 제1b의 메모리셀의 데이터내용이 상기 제1b의 비트선에, 상기 제1a의 비교셀의 데이터가 상기 제1a의 비트선에 독출되고, 상기 제1의 센스앰프에서 상기 제1a의 비트선전위와 제1b의 비트선전위의 비교의 결과, 독출데이터가 판정되고, 상기 제2b의 메모리셀이 선택되어 데이터의 독출이 행해지는 경우에는, 상기 제1a의 비트선 및 제1b의 비트선이 일정한 실드전압으로 설정된 상태에서, 상기 제2b의 메모리셀의 데이터내용이 상기 제2b의 비트선에, 상기 제2a의 비교셀의 데이터가 상기 제2a의 비트선에 독출되고, 상기 제2의 센스앰프에서 상기 제2a의 비트선전위와 제2b의 비트선전위의 비교의 결과, 독출데이터가 판정되는 강유전체기억장치.
- 청구항 제3항에 있어서, 상기 제1a의 메모리셀 또는 제1b의 메모리셀이 선택되어 데이터의 독출이 행해지는 경우에는, 상기 제2의 센스앰프가 비활성화되고, 상기 제2a의 메모리셀 또는 제2b의 메모리셀이 선택되어 데이터의 독출이 행해지는 경우에는, 상기 제2의 센스앰프가 비활성화되고, 상기 제2a의 메모리셀 또는 제2b의 메모리셀이 선택되어 데이터의 독출이 행해지는 경우에는, 상기 제1의 센스앰프가 비활성화되는 강유전체기억장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (12)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP95-309828 | 1995-11-02 | ||
| JP7309828A JPH09128818A (ja) | 1995-11-02 | 1995-11-02 | 露光装置 |
| JP95-302415 | 1995-11-21 | ||
| JP30241595 | 1995-11-21 | ||
| JP95-329894 | 1995-11-24 | ||
| JP7306217A JPH09147577A (ja) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 強誘電体記憶装置 |
| JP32989495A JP4150084B2 (ja) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | ディスク記録媒体 |
| JP95-306217 | 1995-11-24 | ||
| JP32946295A JP3541535B2 (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | 記録装置、記録再生装置 |
| JP95-329462 | 1995-11-27 | ||
| JP96-30231 | 1996-02-19 | ||
| JP03023196A JP3397280B2 (ja) | 1995-11-21 | 1996-02-19 | 記録媒体記録再生装置および記録媒体記録再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970029777A true KR970029777A (ko) | 1997-06-26 |
Family
ID=66320479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960056608A KR970029777A (ko) | 1995-11-02 | 1996-11-22 | 강유전체불휘발성 기억장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970029777A (ko) |
-
1996
- 1996-11-22 KR KR1019960056608A patent/KR970029777A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5383159A (en) | Semiconductor memory device of alternately-activated open bit-line architecture | |
| KR920010822B1 (ko) | 반도체메모리장치 | |
| CN1329915C (zh) | 非易失性存储器中的导引门和位线分隔 | |
| KR100186300B1 (ko) | 계층적 워드라인 구조를 갖는 반도체 메모리 소자 | |
| KR0153773B1 (ko) | 다이나믹형 반도체메모리장치 | |
| KR100463602B1 (ko) | 불휘발성 강유전체 메모리의 배선 | |
| KR860003608A (ko) | 직렬데이타 입력회로 및 직렬데이타 출력회로를 갖춘 반도체 메모리 장치 | |
| CN1093978C (zh) | 半导体存储装置 | |
| KR970023381A (ko) | 강유전체기억장치 | |
| KR960008833A (ko) | 반도체 기억 장치 | |
| JP4769012B2 (ja) | 不揮発性強誘電体メモリ装置 | |
| KR950027845A (ko) | 반도체 메모리장치 | |
| GB2239558A (en) | Semiconductor memory device | |
| JPS5826830B2 (ja) | 集積回路メモリ・アレイ | |
| KR970003204A (ko) | 강유전체 기억장치 | |
| JP2002203390A (ja) | 複数のバンクを有するデータメモリ | |
| KR850007158A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
| US20070086231A1 (en) | Nonvolatile ferroelectric memory device | |
| KR950020732A (ko) | 다이나믹 반도체 기억장치 | |
| US6947344B2 (en) | Memory device and method of reading data from a memory cell | |
| CN100468566C (zh) | 铁电存储器件 | |
| KR970029777A (ko) | 강유전체불휘발성 기억장치 | |
| JPH0775118B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
| KR850001614A (ko) | Eeprom형 메모리 시스템 | |
| KR860002156A (ko) | 반도체 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |