JPH07161077A - 光ディスクの案内溝及びピット作製方法 - Google Patents
光ディスクの案内溝及びピット作製方法Info
- Publication number
- JPH07161077A JPH07161077A JP30693693A JP30693693A JPH07161077A JP H07161077 A JPH07161077 A JP H07161077A JP 30693693 A JP30693693 A JP 30693693A JP 30693693 A JP30693693 A JP 30693693A JP H07161077 A JPH07161077 A JP H07161077A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- photoresist film
- exposed
- intermediate layer
- sensitivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は案内溝及びピットの深さを容易に制御
することができ、溝ノイズを低減可能な光ディスクの案
内溝及びピット作製方法を提供することを目的とする。 【構成】平坦な基板２上に露光放射線に対して第１の感
度を有する所定厚さの第１フォトレジスト膜４を形成
し、該第１フォトレジスト膜４上に露光放射線に対して
透過性を有し且つ現像液に溶解しない所定厚さの中間層
６を形成し、該中間層６上に露光放射線に対して前記第
１の感度よりも感度のよい第２の感度を有する所定厚さ
の第２フォトレジスト膜８を形成し、案内溝１０を形成
すべき部分を第１のパワーで露光し、ピット１２を形成
すべき部分を第１のパワーよりも大きい第２のパワーで
露光し、前記第２フォトレジスト膜８を現像して案内溝
１０及びピット１２部分の第２フォトレジスト膜８を除
去し、露光した部分の中間層６をエッチングにより除去
し、次いで露光した部分の第１フォトレジスト膜４を現
像してピット１２部分の第１フォトレジスト膜４を除去
するように構成する。
することができ、溝ノイズを低減可能な光ディスクの案
内溝及びピット作製方法を提供することを目的とする。 【構成】平坦な基板２上に露光放射線に対して第１の感
度を有する所定厚さの第１フォトレジスト膜４を形成
し、該第１フォトレジスト膜４上に露光放射線に対して
透過性を有し且つ現像液に溶解しない所定厚さの中間層
６を形成し、該中間層６上に露光放射線に対して前記第
１の感度よりも感度のよい第２の感度を有する所定厚さ
の第２フォトレジスト膜８を形成し、案内溝１０を形成
すべき部分を第１のパワーで露光し、ピット１２を形成
すべき部分を第１のパワーよりも大きい第２のパワーで
露光し、前記第２フォトレジスト膜８を現像して案内溝
１０及びピット１２部分の第２フォトレジスト膜８を除
去し、露光した部分の中間層６をエッチングにより除去
し、次いで露光した部分の第１フォトレジスト膜４を現
像してピット１２部分の第１フォトレジスト膜４を除去
するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ディスクの案内溝及び
ピット作製方法に関する。尚、本明細書で使用する光デ
ィスクという用語は光磁気ディスクを含むものとする。
ピット作製方法に関する。尚、本明細書で使用する光デ
ィスクという用語は光磁気ディスクを含むものとする。
【０００２】近年、コンピュータの扱う情報量の飛躍的
増大に伴い大容量のメモリが要求され、その要求に応え
るものとして光ディスクが使用されている。光ディスク
に情報を記録／再生するためには光ヘッドの精度の高い
位置決めが必要である。
増大に伴い大容量のメモリが要求され、その要求に応え
るものとして光ディスクが使用されている。光ディスク
に情報を記録／再生するためには光ヘッドの精度の高い
位置決めが必要である。
【０００３】このため、光ディスクに案内溝及びＩＤ信
号用のピットを作製し、この案内溝とＩＤ信号用のピッ
トを利用して光ヘッドの位置決めを行っている。
号用のピットを作製し、この案内溝とＩＤ信号用のピッ
トを利用して光ヘッドの位置決めを行っている。
【０００４】
【従来の技術】光ディスクの案内溝は情報の記録及び読
み取りに使用するレーザ光の波長のλ／８の深さで形成
され、アドレス等に使用するＩＤ信号用のピットはλ／
４の深さで形成される。従来、これらの案内溝及びピッ
トの深さは、フォトレジストの露光量を変えることによ
り決定していた。
み取りに使用するレーザ光の波長のλ／８の深さで形成
され、アドレス等に使用するＩＤ信号用のピットはλ／
４の深さで形成される。従来、これらの案内溝及びピッ
トの深さは、フォトレジストの露光量を変えることによ
り決定していた。
【０００５】また、ガラス基板上に形成するフォトレジ
ストを２層とし、その感度を変えて溝及びピットの深さ
をコントロールする方法が提案されている（特開昭５９
−１８０８３９、特開昭６０−２０９９４８、特開昭６
１−１５３８５０、特開昭５８−１５５５５０、特開平
２−２９９５５）。
ストを２層とし、その感度を変えて溝及びピットの深さ
をコントロールする方法が提案されている（特開昭５９
−１８０８３９、特開昭６０−２０９９４８、特開昭６
１−１５３８５０、特開昭５８−１５５５５０、特開平
２−２９９５５）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの公開
公報に記載された従来技術では、２層目のフォトレジス
トを塗布するときに１層目のフォトレジストが溶けてし
まうか、又は１層目のフォトレジストが２層目のフォト
レジストと表面で反応するという問題があった。
公報に記載された従来技術では、２層目のフォトレジス
トを塗布するときに１層目のフォトレジストが溶けてし
まうか、又は１層目のフォトレジストが２層目のフォト
レジストと表面で反応するという問題があった。
【０００７】これにより１層目のフォトレジストの表面
粗さが増大し、グルーブノイズ（溝ノイズ）が大きくな
るという問題を生じていた。本発明はこのような点に鑑
みてなされたものであり、その目的とするところは、案
内溝及びピットの深さを容易に制御することができ、溝
ノイズを低減可能な光ディスクの案内溝及びピット作製
方法を提供することである。
粗さが増大し、グルーブノイズ（溝ノイズ）が大きくな
るという問題を生じていた。本発明はこのような点に鑑
みてなされたものであり、その目的とするところは、案
内溝及びピットの深さを容易に制御することができ、溝
ノイズを低減可能な光ディスクの案内溝及びピット作製
方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した課題
を解決するために、平坦な基板上に露光放射線に対して
第１の感度を有する所定厚さの第１フォトレジスト膜を
形成し、該第１フォトレジスト膜上に露光放射線に対し
て透過性を有し且つ現像液に溶解しない所定厚さの中間
層を形成し、該中間層上に露光放射線に対して前記第１
の感度よりも感度のよい第２の感度を有する所定厚さの
第２フォトレジスト膜を形成し、案内溝を形成すべき部
分を第１のパワーで露光し、ピットを形成すべき部分を
第１のパワーよりも大きい第２のパワーで露光し、前記
第２フォトレジスト膜を現像して案内溝及びピット部分
の第２フォトレジスト膜を除去し、露光した部分の中間
層をエッチングにより除去し、次いで露光した部分の第
１フォトレジスト膜を現像してピット部分の第１フォト
レジスト膜を除去する、ステップから構成されることを
特徴とする光ディスクの案内溝及びピット作製方法を提
供する。
を解決するために、平坦な基板上に露光放射線に対して
第１の感度を有する所定厚さの第１フォトレジスト膜を
形成し、該第１フォトレジスト膜上に露光放射線に対し
て透過性を有し且つ現像液に溶解しない所定厚さの中間
層を形成し、該中間層上に露光放射線に対して前記第１
の感度よりも感度のよい第２の感度を有する所定厚さの
第２フォトレジスト膜を形成し、案内溝を形成すべき部
分を第１のパワーで露光し、ピットを形成すべき部分を
第１のパワーよりも大きい第２のパワーで露光し、前記
第２フォトレジスト膜を現像して案内溝及びピット部分
の第２フォトレジスト膜を除去し、露光した部分の中間
層をエッチングにより除去し、次いで露光した部分の第
１フォトレジスト膜を現像してピット部分の第１フォト
レジスト膜を除去する、ステップから構成されることを
特徴とする光ディスクの案内溝及びピット作製方法を提
供する。
【０００９】第２フォトレジストの膜厚と中間層の厚さ
の和が案内溝の深さとなるように第２フォトレジストの
膜厚と中間層の膜厚を設定し、第１及び第２フォトレジ
ストの膜厚と中間層の膜厚の和がピットの深さとなるよ
うに第１フォトレジストの膜厚を設定する。
の和が案内溝の深さとなるように第２フォトレジストの
膜厚と中間層の膜厚を設定し、第１及び第２フォトレジ
ストの膜厚と中間層の膜厚の和がピットの深さとなるよ
うに第１フォトレジストの膜厚を設定する。
【００１０】中間層はアルカリに溶解せずに酸性のエッ
チング液で溶解する物質から形成する。この構成に代え
て、中間層をアルカリに溶解せずに水に溶解する物質か
ら形成するようにしてもよい。
チング液で溶解する物質から形成する。この構成に代え
て、中間層をアルカリに溶解せずに水に溶解する物質か
ら形成するようにしてもよい。
【００１１】
【作用】弱い第１のパワーで露光すると、第２フォトレ
ジストのみ露光される。強い第２のパワーで露光する
と、第１及び第２フォトレジストとも露光される。
ジストのみ露光される。強い第２のパワーで露光する
と、第１及び第２フォトレジストとも露光される。
【００１２】よって、現像及びエッチングすることによ
り、第１のパワーで露光した部分に案内溝が形成され、
第２のパワーで露光した部分にピットが形成される。中
間層を介在させることで、第１フォトレジストの表面粗
さを粗くすることなく、第２フォトレジストを形成する
ことができ、グルーブノイズの低減が可能である。ま
た、露光パワーのマージンを上げることができる。
り、第１のパワーで露光した部分に案内溝が形成され、
第２のパワーで露光した部分にピットが形成される。中
間層を介在させることで、第１フォトレジストの表面粗
さを粗くすることなく、第２フォトレジストを形成する
ことができ、グルーブノイズの低減が可能である。ま
た、露光パワーのマージンを上げることができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。図１を参照すると、積層状態の断面図が示
されている。ガラス基板２上に露光感度の悪い第１フォ
トレジストをスピンコートして、約９０℃で所定時間プ
リベイクをして第１フォトレジスト膜４を形成する。
に説明する。図１を参照すると、積層状態の断面図が示
されている。ガラス基板２上に露光感度の悪い第１フォ
トレジストをスピンコートして、約９０℃で所定時間プ
リベイクをして第１フォトレジスト膜４を形成する。
【００１４】第１フォトレジスト膜４上に露光放射線に
対して透過性を有し且つ現像液に溶解しない所定厚さの
中間層６を真空蒸着、スパッタ等により形成する。さら
に、中間層６上に露光感度のよい第２フォトレジストを
スピンコートし、約９０℃で所定時間プリベイクをして
第２フォトレジスト膜８を形成する。
対して透過性を有し且つ現像液に溶解しない所定厚さの
中間層６を真空蒸着、スパッタ等により形成する。さら
に、中間層６上に露光感度のよい第２フォトレジストを
スピンコートし、約９０℃で所定時間プリベイクをして
第２フォトレジスト膜８を形成する。
【００１５】中間層６の膜厚と第２フォトレジスト膜８
の膜厚の合計が案内溝の深さとなるように設定し、第１
及び第２フォトレジスト膜４，８と中間層６の膜厚の合
計がピットの深さとなるように第１フォトレジスト膜４
の厚さを設定する。
の膜厚の合計が案内溝の深さとなるように設定し、第１
及び第２フォトレジスト膜４，８と中間層６の膜厚の合
計がピットの深さとなるように第１フォトレジスト膜４
の厚さを設定する。
【００１６】中間層６は第１フォトレジスト膜４と第２
フォトレジスト膜８が混合することを防止するもので、
露光放射線に対して透過性を有する必要がある。また、
中間層６はフォトレジスト及びその溶剤に溶解すること
なく、フォトレジストを侵さずにエッチング、水洗等に
より除去できなければならない。
フォトレジスト膜８が混合することを防止するもので、
露光放射線に対して透過性を有する必要がある。また、
中間層６はフォトレジスト及びその溶剤に溶解すること
なく、フォトレジストを侵さずにエッチング、水洗等に
より除去できなければならない。
【００１７】中間層６としては、Ｙｂ，Ｙ，Ｉｎ，Ｅ
ｒ，Ｃｄ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｓｍ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｃｅ，Ｔ
ｍ，Ｆｅ，Ｔｂ，Ｎｉ，Ｎｄ，Ｖ，Ｂｉ，Ｐｒ，Ｈｏ，
Ｍｇ，Ｍｎ，Ｅｕ，Ｌａ，Ｌｕからなる群から選択され
た物質又はこれらの混合物を採用可能であり、この場合
には塩酸でエッチングすることにより除去できる。
ｒ，Ｃｄ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｓｍ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｃｅ，Ｔ
ｍ，Ｆｅ，Ｔｂ，Ｎｉ，Ｎｄ，Ｖ，Ｂｉ，Ｐｒ，Ｈｏ，
Ｍｇ，Ｍｎ，Ｅｕ，Ｌａ，Ｌｕからなる群から選択され
た物質又はこれらの混合物を採用可能であり、この場合
には塩酸でエッチングすることにより除去できる。
【００１８】中間層６としてはＯｓ，Ａｓも採用可能で
あり、この場合には塩酸に過酸化水素水を混合した液で
エッチングすればよい。また、中間層６としてＳｂ，Ａ
ｇ，Ｓｅ，Ｔｌ，Ｔｃ，Ｔｅ，Ｐｂ，Ｒｅからなる群か
ら選択された物質又はこれらの混合物を採用可能であ
り、この場合には硝酸でエッチングすることにより除去
できる。
あり、この場合には塩酸に過酸化水素水を混合した液で
エッチングすればよい。また、中間層６としてＳｂ，Ａ
ｇ，Ｓｅ，Ｔｌ，Ｔｃ，Ｔｅ，Ｐｂ，Ｒｅからなる群か
ら選択された物質又はこれらの混合物を採用可能であ
り、この場合には硝酸でエッチングすることにより除去
できる。
【００１９】また、中間層６としてポリビニルアルコー
ル，Ｙｂ，Ｙ，Ｅｒ，Ｓｍ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｃｅ，Ｔｍ，
Ｔｂ，Ｎｄ，Ｖ，Ｂｉ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｍｎ，Ｅｕ，Ｌ
ａ，Ｌｕからなる群から選択された物質又はこれらの混
合物を使用した場合には、水洗することにより除去でき
る。
ル，Ｙｂ，Ｙ，Ｅｒ，Ｓｍ，Ｄｙ，Ｓｃ，Ｃｅ，Ｔｍ，
Ｔｂ，Ｎｄ，Ｖ，Ｂｉ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｍｎ，Ｅｕ，Ｌ
ａ，Ｌｕからなる群から選択された物質又はこれらの混
合物を使用した場合には、水洗することにより除去でき
る。
【００２０】第２フォトレジスト膜８を第１のパワーで
露光すると、案内溝を形成すべき部分の第２フォトレジ
スト膜８がその底面まで露光され、現像及びエッチング
することにより図２（Ａ）に示すような案内溝１０を形
成できる。案内溝１０の深さは情報の記録及び再生に使
用されるレーザ光の波長λの１／８の深さが望ましい。
露光すると、案内溝を形成すべき部分の第２フォトレジ
スト膜８がその底面まで露光され、現像及びエッチング
することにより図２（Ａ）に示すような案内溝１０を形
成できる。案内溝１０の深さは情報の記録及び再生に使
用されるレーザ光の波長λの１／８の深さが望ましい。
【００２１】また、第１のパワーよりも大きな第２のパ
ワーで露光すると、第２フォトレジスト膜８及び中間層
６を通してピットを形成すべき部分の第１フォトレジス
ト膜４がその底面まで露光され、現像することにより図
２（Ｂ）に示すピット１２が形成される。
ワーで露光すると、第２フォトレジスト膜８及び中間層
６を通してピットを形成すべき部分の第１フォトレジス
ト膜４がその底面まで露光され、現像することにより図
２（Ｂ）に示すピット１２が形成される。
【００２２】ピット１２の深さは情報の記録及び再生に
使用するレーザ光の波長λの１／４が望ましい。図３は
露光パワーに対する溝深さの関係を示すグラフである。
図３（Ａ）はフォトレジスト膜が一様な感度の従来の作
製方法における露光パワーに対する溝深さの関係を示し
ており、図３（Ｂ）はフォトレジスト膜に感度差を設
け、さらにその間に中間層を介在させた本発明方法にお
ける露光パワーに対する溝深さの関係を示している。
使用するレーザ光の波長λの１／４が望ましい。図３は
露光パワーに対する溝深さの関係を示すグラフである。
図３（Ａ）はフォトレジスト膜が一様な感度の従来の作
製方法における露光パワーに対する溝深さの関係を示し
ており、図３（Ｂ）はフォトレジスト膜に感度差を設
け、さらにその間に中間層を介在させた本発明方法にお
ける露光パワーに対する溝深さの関係を示している。
【００２３】図３（Ｂ）のグラフにおける中間の略フラ
ット部分Ｆは、フォトレジストの感度差か中間層の透過
率から生じるものである。このように本発明では、溝の
深さに対する露光パワーのマージンを上げることができ
る。
ット部分Ｆは、フォトレジストの感度差か中間層の透過
率から生じるものである。このように本発明では、溝の
深さに対する露光パワーのマージンを上げることができ
る。
【００２４】また、中間層６を薄い金属のような光をあ
る程度吸収する物質から形成すると、第１フォトレジス
ト膜４の感度が等価的に低くなるので、第２フォトレジ
スト膜８と同一感度のフォトレジストを第１フォトレジ
スト膜４として使用することができる。
る程度吸収する物質から形成すると、第１フォトレジス
ト膜４の感度が等価的に低くなるので、第２フォトレジ
スト膜８と同一感度のフォトレジストを第１フォトレジ
スト膜４として使用することができる。
【００２５】このように中間層６の材料と厚さを適当に
決めると、第１フォトレジスト材料を第２フォトレジス
ト材料で代用することができる。以下、本発明の具体的
実施例について詳細に説明する。 ＜実施例１＞精度よく研磨したガラス基板に露光感度の
悪いフォトレジスト（シュプレー社のマイクロポジット
Ｓ１４００の感光剤の成分を半分にしたフォトレジス
ト）をスピンコートで８５ｎｍコートし、９０℃で約１
５分間プリベイクした。
決めると、第１フォトレジスト材料を第２フォトレジス
ト材料で代用することができる。以下、本発明の具体的
実施例について詳細に説明する。 ＜実施例１＞精度よく研磨したガラス基板に露光感度の
悪いフォトレジスト（シュプレー社のマイクロポジット
Ｓ１４００の感光剤の成分を半分にしたフォトレジス
ト）をスピンコートで８５ｎｍコートし、９０℃で約１
５分間プリベイクした。
【００２６】その上にＳｎＯ2 を３重量％含むＩｎ2 Ｏ
3 を真空蒸着で５ｎｍ付着させ、中間層とした。中間層
上にさらに、露光感度のよいフォトレジスト（シュプレ
ー社のマイクロポジットＳ１４００）をスピンコートで
８０ｎｍコートし、９０℃で約１５分間プリベイクし
た。
3 を真空蒸着で５ｎｍ付着させ、中間層とした。中間層
上にさらに、露光感度のよいフォトレジスト（シュプレ
ー社のマイクロポジットＳ１４００）をスピンコートで
８０ｎｍコートし、９０℃で約１５分間プリベイクし
た。
【００２７】このように積層したフォトレジストをＡｒ
レーザを光源とする露光機にかけた。案内溝を形成する
ところは露光パワー２ｍＷで露光し、ピットを形成する
ところは露光パワー５ｍＷで露光した。
レーザを光源とする露光機にかけた。案内溝を形成する
ところは露光パワー２ｍＷで露光し、ピットを形成する
ところは露光パワー５ｍＷで露光した。
【００２８】その後まず、上層の感度のよいフォトレジ
ストを現像するため、現像液でスピン現像を行い、露光
された部分のフォトレジストを除去した。次に、露出さ
れた領域の中間層を薄い塩酸でエッチングした。
ストを現像するため、現像液でスピン現像を行い、露光
された部分のフォトレジストを除去した。次に、露出さ
れた領域の中間層を薄い塩酸でエッチングした。
【００２９】さらに、下層の感度の悪いフォトレジスト
を現像するため現像液でスピン現像を行い、ピットを形
成した。その後１２０℃で約３０分間ポストベイクを行
った。
を現像するため現像液でスピン現像を行い、ピットを形
成した。その後１２０℃で約３０分間ポストベイクを行
った。
【００３０】このようにして形成した案内溝は底の部分
の粗さが滑らかで、その断面形状がきれいなＵ形状とな
っており、グルーブノイズを低減することができた。 ＜実施例２＞精度よく研磨したガラス基板にブリーチン
グを起こさないフォトレジスト（シュプレー社のマイク
ロポジット１１１Ｓ−１９）をスピンコートで８５ｎｍ
コートし、９０℃で約１５分間プリベイクした。
の粗さが滑らかで、その断面形状がきれいなＵ形状とな
っており、グルーブノイズを低減することができた。 ＜実施例２＞精度よく研磨したガラス基板にブリーチン
グを起こさないフォトレジスト（シュプレー社のマイク
ロポジット１１１Ｓ−１９）をスピンコートで８５ｎｍ
コートし、９０℃で約１５分間プリベイクした。
【００３１】ここでブリーチングとは、露光前のフォト
レジストの透過率に比べ露光後の透過率が上がる現象を
いう。プリベイクしたフォトレジスト上にＳｎＯ2 を３
重量％含むＩｎ2 Ｏ3 を真空蒸着で５ｎｍ付着させて中
間層とした。
レジストの透過率に比べ露光後の透過率が上がる現象を
いう。プリベイクしたフォトレジスト上にＳｎＯ2 を３
重量％含むＩｎ2 Ｏ3 を真空蒸着で５ｎｍ付着させて中
間層とした。
【００３２】その上にさらに、ブリーチングを起こすフ
ォトレジスト（シュプレー社のメガポジットＳＰＲ２）
をスピンコートで８０ｎｍコートし、９０℃で約１５分
間プリベイクした。
ォトレジスト（シュプレー社のメガポジットＳＰＲ２）
をスピンコートで８０ｎｍコートし、９０℃で約１５分
間プリベイクした。
【００３３】このようにして形成した積層フォトレジス
トをＡｒレーザを光源とする露光機にかけた。案内溝を
形成するところは露光パワー２ｍＷで露光し、ピットを
形成するところは露光パワー５ｍＷで露光した。
トをＡｒレーザを光源とする露光機にかけた。案内溝を
形成するところは露光パワー２ｍＷで露光し、ピットを
形成するところは露光パワー５ｍＷで露光した。
【００３４】その後まず、ブリーチングを起こすフォト
レジストを現像するため現像液でスピン現像を行い、露
光部分のフォトレジストを除去した。次に、露出した領
域の中間層を薄い塩酸でエッチングした。
レジストを現像するため現像液でスピン現像を行い、露
光部分のフォトレジストを除去した。次に、露出した領
域の中間層を薄い塩酸でエッチングした。
【００３５】さらに、ブリーチングを起こさないフォト
レジストを現像するため現像液でスピン現像を行い、ピ
ットを形成した。その後１２０℃で約３０分間ポストベ
イクを行った。
レジストを現像するため現像液でスピン現像を行い、ピ
ットを形成した。その後１２０℃で約３０分間ポストベ
イクを行った。
【００３６】このようにして形成した案内溝もその断面
が実施例１と同様にきれいなＵ形状をしており、グルー
ブノイズを低減することができた。 ＜実施例３＞精度よく研磨したガラス基板に露光感度の
悪いフォトレジスト（シュプレー社のマイクロポジット
Ｓ１４００の感光剤の成分を半分にしたフォトレジス
ト）をスピンコートで８５ｎｍコートし、９０℃で約１
５分間プリベイクした。
が実施例１と同様にきれいなＵ形状をしており、グルー
ブノイズを低減することができた。 ＜実施例３＞精度よく研磨したガラス基板に露光感度の
悪いフォトレジスト（シュプレー社のマイクロポジット
Ｓ１４００の感光剤の成分を半分にしたフォトレジス
ト）をスピンコートで８５ｎｍコートし、９０℃で約１
５分間プリベイクした。
【００３７】その上にポリビニルアルコールを真空蒸着
で５ｎｍ付着させて中間層とした。その上にさらに、露
光感度のよいフォトレジスト（シュプレー社のマイクロ
ポジットＳ１４００）をスピンコートで８０ｎｍコート
し、９０℃で約１５分間プリベイクした。
で５ｎｍ付着させて中間層とした。その上にさらに、露
光感度のよいフォトレジスト（シュプレー社のマイクロ
ポジットＳ１４００）をスピンコートで８０ｎｍコート
し、９０℃で約１５分間プリベイクした。
【００３８】このようにして形成した積層フォトレジス
トをＡｒレーザを光源とする露光機にかけた。案内溝を
形成するところは露光パワー２ｍＷで露光し、ピットを
形成するところは露光パワー５ｍＷで露光した。
トをＡｒレーザを光源とする露光機にかけた。案内溝を
形成するところは露光パワー２ｍＷで露光し、ピットを
形成するところは露光パワー５ｍＷで露光した。
【００３９】その後まず、上層の感度のよいフォトレジ
ストを現像するため現像液でスピン現像を行い、露光部
分のフォトレジストを除去した。次に、露出された中間
層を水洗して除去した。
ストを現像するため現像液でスピン現像を行い、露光部
分のフォトレジストを除去した。次に、露出された中間
層を水洗して除去した。
【００４０】さらに、下層の感度の悪いフォトレジスト
を現像するため現像液でスピン現像を行い、ピットを形
成した。その後１２０℃で約３０分間ポストベイクを行
った。
を現像するため現像液でスピン現像を行い、ピットを形
成した。その後１２０℃で約３０分間ポストベイクを行
った。
【００４１】このようにして形成した案内溝も第１実施
例と同様にその断面がきれいなＵ形状をしており、グル
ーブノイズを低減することができた。 ＜実施例４＞精度よく研磨したガラス基板にブリーチン
グを起こさないフォトレジスト（シュプレー社のマイク
ロポジット１１１Ｓ−１９）をスピンコートで８５ｎｍ
コートし、９０℃で約１５分間プリベイクした。
例と同様にその断面がきれいなＵ形状をしており、グル
ーブノイズを低減することができた。 ＜実施例４＞精度よく研磨したガラス基板にブリーチン
グを起こさないフォトレジスト（シュプレー社のマイク
ロポジット１１１Ｓ−１９）をスピンコートで８５ｎｍ
コートし、９０℃で約１５分間プリベイクした。
【００４２】その上にポリビニルアルコールをスパッタ
で５ｎｍ付着させ、中間層とした。その上にさらに、ブ
リーチングを起こすフォトレジスト（シュプレー社のメ
ガポジットＳＰＲ２）をスピンコートで８０ｎｍコート
し、９０℃で約１５分間プリベイクした。
で５ｎｍ付着させ、中間層とした。その上にさらに、ブ
リーチングを起こすフォトレジスト（シュプレー社のメ
ガポジットＳＰＲ２）をスピンコートで８０ｎｍコート
し、９０℃で約１５分間プリベイクした。
【００４３】このようにして形成した積層フォトレジス
トをＡｒレーザを光源とする露光機にかけた。案内溝を
形成するところは露光パワー２ｍＷで露光し、ピットを
形成するところは露光パワー５ｍＷで露光した。
トをＡｒレーザを光源とする露光機にかけた。案内溝を
形成するところは露光パワー２ｍＷで露光し、ピットを
形成するところは露光パワー５ｍＷで露光した。
【００４４】その後まず、ブリーチングを起こすフォト
レジストを現像するため現像液でスピン現像を行い、露
光された部分のフォトレジストを除去した。次に、露出
した中間層を水洗により除去した。
レジストを現像するため現像液でスピン現像を行い、露
光された部分のフォトレジストを除去した。次に、露出
した中間層を水洗により除去した。
【００４５】さらに、ブリーチングを起こさないフォト
レジストを現像するため現像液でスピン現像を行い、ピ
ットを形成した。その後１２０℃で約３０分間ポストベ
イクを行った。
レジストを現像するため現像液でスピン現像を行い、ピ
ットを形成した。その後１２０℃で約３０分間ポストベ
イクを行った。
【００４６】このようにして形成した案内溝も実施例１
と同様にその断面がきれいなＵ形状をしており、グルー
ブノイズを低減することができた。 ＜実施例５＞精度よく研磨したガラス基板に露光感度の
悪いフォトレジスト（シュプレー社のマイクロポジット
Ｓ１４００の感光剤の成分を２割にしたフォトレジス
ト）をスピンコートで８５ｎｍコートし、９０℃で約１
５分間プリベイクした。その上にＳｎＯ2 を３重量％含
むＩｎ2 Ｏ3 を真空蒸着で５ｎｍ付着させ、中間層とし
た。
と同様にその断面がきれいなＵ形状をしており、グルー
ブノイズを低減することができた。 ＜実施例５＞精度よく研磨したガラス基板に露光感度の
悪いフォトレジスト（シュプレー社のマイクロポジット
Ｓ１４００の感光剤の成分を２割にしたフォトレジス
ト）をスピンコートで８５ｎｍコートし、９０℃で約１
５分間プリベイクした。その上にＳｎＯ2 を３重量％含
むＩｎ2 Ｏ3 を真空蒸着で５ｎｍ付着させ、中間層とし
た。
【００４７】中間層上に露光感度のよいフォトレジスト
（シュプレー社のマイクロポジットＳ１４００の感光剤
の成分を半分にしたフォトレジスト）をスピンコートで
８０ｎｍコートし、９０℃で約１５分間プリベイクし
た。
（シュプレー社のマイクロポジットＳ１４００の感光剤
の成分を半分にしたフォトレジスト）をスピンコートで
８０ｎｍコートし、９０℃で約１５分間プリベイクし
た。
【００４８】その上にＳｎＯ2 を３重量％含むＩｎ2 Ｏ
3 を真空蒸着で５ｎｍ付着させ中間層とした。その上に
さらに、露光感度のさらによいフォトレジスト（シュプ
レー社のマイクロポジットＳ１４００）をスピンコート
で８０ｎｍコートし、９０℃で約１５分間プリベイクし
た。
3 を真空蒸着で５ｎｍ付着させ中間層とした。その上に
さらに、露光感度のさらによいフォトレジスト（シュプ
レー社のマイクロポジットＳ１４００）をスピンコート
で８０ｎｍコートし、９０℃で約１５分間プリベイクし
た。
【００４９】このようにして形成した積層フォトレジス
トをＡｒレーザを光源とする露光機にかけた。案内溝を
形成するところは露光パワー２ｍＷで露光し、ランド部
分にピットを形成するところは露光パワー４ｍＷで露光
し、溝部分にピットを形成するところは露光パワー６ｍ
Ｗで露光した。
トをＡｒレーザを光源とする露光機にかけた。案内溝を
形成するところは露光パワー２ｍＷで露光し、ランド部
分にピットを形成するところは露光パワー４ｍＷで露光
し、溝部分にピットを形成するところは露光パワー６ｍ
Ｗで露光した。
【００５０】その後まず、上層の感度の最もよいフォト
レジストを現像するため現像液でスピン現像を行い、次
に、露出された中間層を薄い塩酸でエッチングした。さ
らに、その下の２番目に感度のよいフォトレジストを現
像するため現像液でスピン現像を行い、次いで露出した
中間層を薄い塩酸でエッチングした。
レジストを現像するため現像液でスピン現像を行い、次
に、露出された中間層を薄い塩酸でエッチングした。さ
らに、その下の２番目に感度のよいフォトレジストを現
像するため現像液でスピン現像を行い、次いで露出した
中間層を薄い塩酸でエッチングした。
【００５１】最後に、下層の感度の悪いフォトレジスト
を現像するため現像液でスピン現像を行った。その後、
１２０℃で約３０分間ポストベイクを行った。このよう
にして形成した光ディスクの一部分の断面斜視図を図４
に示す。ガラス基板２２上にフォトレジストと中間層の
積層体２４が形成されている。本実施例によると、溝の
底の部分の粗さが滑らかな案内溝２６を形成できると共
に、ランド２８のＩＤ信号用ピット３０に加えて、案内
溝２６部分にもＩＤ信号用のピット３２を形成すること
ができる。
を現像するため現像液でスピン現像を行った。その後、
１２０℃で約３０分間ポストベイクを行った。このよう
にして形成した光ディスクの一部分の断面斜視図を図４
に示す。ガラス基板２２上にフォトレジストと中間層の
積層体２４が形成されている。本実施例によると、溝の
底の部分の粗さが滑らかな案内溝２６を形成できると共
に、ランド２８のＩＤ信号用ピット３０に加えて、案内
溝２６部分にもＩＤ信号用のピット３２を形成すること
ができる。
【００５２】
【発明の効果】本発明方法によれば、溝及びピットの深
さを容易に調整でき、且つ底の部分の粗さが滑らかな案
内溝を形成できるので、光ディスクのグルーブノイズを
低減できるという効果がある。また、サーボを安定にか
けやすいＵ形状の案内溝を形成することができる。
さを容易に調整でき、且つ底の部分の粗さが滑らかな案
内溝を形成できるので、光ディスクのグルーブノイズを
低減できるという効果がある。また、サーボを安定にか
けやすいＵ形状の案内溝を形成することができる。
【図１】本発明方法によるフォトレジストの積層状態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】現像後の状態を示す断面図であり、（Ａ）が案
内溝を、（Ｂ）がピットをそれぞれ示している。
内溝を、（Ｂ）がピットをそれぞれ示している。
【図３】露光パワーに対する溝深さの関係を示すグラフ
であり、（Ａ）が従来例を、（Ｂ）が本発明をそれぞれ
示している。
であり、（Ａ）が従来例を、（Ｂ）が本発明をそれぞれ
示している。
【図４】ランド及び溝部分にピットを形成した光ディス
クの断面斜視図である。
クの断面斜視図である。
２，２２ ガラス基板 ４ 第１フォトレジスト膜 ６ 中間層 ８ 第２フォトレジスト膜 １０，２６ 案内溝 １２，３０，３２ ピット ２８ ランド
Claims (4)
- 【請求項１】 平坦な基板(2) 上に露光放射線に対して
第１の感度を有する所定厚さの第１フォトレジスト膜
(4) を形成し、 該第１フォトレジスト膜(4) 上に露光放射線に対して透
過性を有し且つ現像液に溶解しない所定厚さの中間層
(6) を形成し、 該中間層(6) 上に露光放射線に対して前記第１の感度よ
りも感度のよい第２の感度を有する所定厚さの第２フォ
トレジスト膜(8) を形成し、 案内溝(10)を形成すべき部分を第１のパワーで露光し、 ピット(12)を形成すべき部分を第１のパワーよりも大き
い第２のパワーで露光し、 前記第２フォトレジスト膜(8) を現像して案内溝(10)部
分の第２フォトレジスト膜(8) を除去し、 露光した部分の中間層(6) を除去し、 次いで露光した部分の第１フォトレジスト膜(4) を現像
してピット(12)部分の第１フォトレジスト膜(4) を除去
する、 ステップから構成されることを特徴とする光ディスクの
案内溝及びピット作製方法。 - 【請求項２】 前記中間層(6) はアルカリに溶解せずに
酸又は水に溶解することを特徴とする請求項１記載の光
ディスクの案内溝及びピット作製方法。 - 【請求項３】 第１の感度を有する第１フォトレジスト
膜(4) に代えて該第１フォトレジスト膜(4) をブリーチ
ングを起こさないフォトレジストから形成し、 第２の感度を有する第２フォトレジスト膜(8) に代えて
該第２フォトレジスト膜(8) をブリーチングを起こすフ
ォトレジストから形成したことを特徴とする請求項１記
載の光ディスクの案内溝及びピット作製方法。 - 【請求項４】 平坦な基板(2) 上に露光放射線に対して
第１の感度を有する第１フォトレジスト膜(4) を形成
し、 該第１フォトレジスト膜(4) 上に露光放射線に対して透
過性を有し且つ現像液に溶解しない所定厚さの第１中間
層(6) を形成し、 該第１中間層(6) 上に露光放射線に対して前記第１の感
度よりも感度のよい第２の感度を有する所定厚さの第２
フォトレジスト膜(8) を形成し、 該第２フォトレジスト膜(8) 上に露光放射線に対して透
過性を有し且つ現像液に溶解しない所定厚さの第２中間
層を形成し、 該第２中間層上に露光放射線に対して前記第２の感度よ
りも感度のよい第３の感度を有する所定厚さの第３フォ
トレジスト膜を形成し、 案内溝(26)を形成すべき部分を第１のパワーで露光し、 ランド部分(28)にピット(30)を形成すべき部分を第１の
パワーよりも大きい第２のパワーで露光し、 案内溝部分(26)にピット(32)を形成すべき部分を第２の
パワーよりも大きい第３のパワーで露光し、 前記第３フォトレジスト膜を現像して案内溝(26)及びピ
ット部分(30,32) の第３フォトレジスト膜を除去し、 露出した部分の第２中間層を除去し、 露出した部分の第２フォトレジスト膜(8) を現像してピ
ット部分(30,32) の第２フォトレジスト膜(8) を除去
し、 露出した部分の第１中間層(6) を除去し、 次いで露出した部分の第１フォトレジスト膜(4) を現像
して案内溝(26)のピット部分(32)の第１フォトレジスト
膜(4) を除去する、 ステップから構成されることを特徴とする光ディスクの
案内溝及びピット作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30693693A JPH07161077A (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 光ディスクの案内溝及びピット作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30693693A JPH07161077A (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 光ディスクの案内溝及びピット作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161077A true JPH07161077A (ja) | 1995-06-23 |
Family
ID=17963066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30693693A Pending JPH07161077A (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 光ディスクの案内溝及びピット作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07161077A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5978327A (en) * | 1996-08-30 | 1999-11-02 | Fujitsu Limited | Optical recording medium for land-and-groove recording system |
| US6510129B1 (en) | 1999-09-29 | 2003-01-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical recording medium, manufacturing method of optical recording medium master disk, and cutting device used therefor |
-
1993
- 1993-12-08 JP JP30693693A patent/JPH07161077A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5978327A (en) * | 1996-08-30 | 1999-11-02 | Fujitsu Limited | Optical recording medium for land-and-groove recording system |
| US6510129B1 (en) | 1999-09-29 | 2003-01-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical recording medium, manufacturing method of optical recording medium master disk, and cutting device used therefor |
| US6762989B2 (en) | 1999-09-29 | 2004-07-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical disk having groove address pits and land address pits of equal depths |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5246531A (en) | Method of fabricating glass substrate for disk | |
| JPH09326136A (ja) | 光記録媒体及びその製造方法 | |
| US4837130A (en) | Optical disk manufacturing method | |
| US7914711B2 (en) | Use of mother stamper for optical disk molding | |
| JPH07161077A (ja) | 光ディスクの案内溝及びピット作製方法 | |
| US5286583A (en) | Method of manufacturing a photomask for an optical memory | |
| JP2788245B2 (ja) | 光ディスク、光ディスク用基板及びその製造方法 | |
| JPH11120626A (ja) | 光ディスク作製用マスタディスクの製造方法 | |
| JP3548413B2 (ja) | 光ディスクのフォトレジスト原盤の製造方法 | |
| JP3230313B2 (ja) | 反応性イオンエッチングによるパターニング加工物の製造方法 | |
| JPS60195751A (ja) | 光メモリ素子の製造方法 | |
| US20090201793A1 (en) | Master substrate and method of manufacturing a high-density relief structure | |
| JPH03290842A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2665281B2 (ja) | 光メモリ素子の製造方法 | |
| JP2005071488A (ja) | 光情報記録媒体の原盤製造方法、パターン形成方法、原盤、スタンパ、光情報記録媒体およびレジスト | |
| JP3129419B2 (ja) | 光ディスク用ガラスマスタの製造方法及び光ディスク用ガラスマスタ | |
| JP2957213B2 (ja) | 光ディスク製造方法 | |
| JP3479413B2 (ja) | 光ディスク原盤の製造方法、光ディスク原盤、光ディスク用スタンパ及び光ディスク用スタンパの製造方法 | |
| JP2737664B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH07334869A (ja) | 情報の記録用部材 | |
| JPH09297940A (ja) | スタンパの製造方法 | |
| JPH05109120A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0348581B2 (ja) | ||
| US20030113671A1 (en) | Manufacturing method for optical disc master | |
| JPH05101438A (ja) | 情報記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031028 |