JP2534226B2 - 光メモリ素子用フオトマスク - Google Patents
光メモリ素子用フオトマスクInfo
- Publication number
- JP2534226B2 JP2534226B2 JP60207864A JP20786485A JP2534226B2 JP 2534226 B2 JP2534226 B2 JP 2534226B2 JP 60207864 A JP60207864 A JP 60207864A JP 20786485 A JP20786485 A JP 20786485A JP 2534226 B2 JP2534226 B2 JP 2534226B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- optical memory
- resist film
- glass substrate
- memory device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〈技術分野〉 本発明は光により情報の記録、再生、消去の少なくと
も１つの動作を行う光メモリ素子に関するものであり、
更に詳細には、光メモリ素子の基板にガイドトラック或
いはトラック番地等のパターンを転写する際に使用する
フォトマスクに関するものである。
も１つの動作を行う光メモリ素子に関するものであり、
更に詳細には、光メモリ素子の基板にガイドトラック或
いはトラック番地等のパターンを転写する際に使用する
フォトマスクに関するものである。
〈発明の技術的背景とその問題点〉 近年、光メモリ素子は高密度・大容量のメモリ素子と
して年々その必要性が高まっている。この光メモリ素子
はその使用形態により、再生専用メモリ、追加記録可能
メモリ及び書き換え可能メモリの３種に分けることがで
きる。
して年々その必要性が高まっている。この光メモリ素子
はその使用形態により、再生専用メモリ、追加記録可能
メモリ及び書き換え可能メモリの３種に分けることがで
きる。
このうち、追加記録可能メモリ及び書き換え可能メモ
リとして使用する光メモリ素子は、情報の記録、再生を
行う光ビームを光メモリ素子の所定の位置に案内するた
めに、通常光メモリ素子の基板にガイドトラックを備え
ている。また、このガイドトラックが何番目のトラック
かを識別するために、ガイドトラックの一部にトラック
番地に示す情報が書き込まれていることが多い。
リとして使用する光メモリ素子は、情報の記録、再生を
行う光ビームを光メモリ素子の所定の位置に案内するた
めに、通常光メモリ素子の基板にガイドトラックを備え
ている。また、このガイドトラックが何番目のトラック
かを識別するために、ガイドトラックの一部にトラック
番地に示す情報が書き込まれていることが多い。
このガイドトラックを光メモリ素子の基板に形成する
ための製法の１つに特願昭59−51977（特開昭60−19575
1）に示す方法がある。これを第２図を用いて略説す
る。まず第２図（ａ）に示すように、ガラス基板１にス
ピンナー等で塗布したレジスト膜２を形成し、次に同図
（ｂ）のごとく、あらかじめガイドトラックやガイド番
地を形成したフォトマスク３を用い、該フォトマスク３
を介してガラス基板１に紫外線４を照射して、フォトマ
スク３のガイドトラックやトラック番地（図中５で示し
た）のパターンをレジスト膜２に転写し、次に同図
（ｃ）のごとくレジスト膜２を現像した後、同図（ｄ）
のごとくCF4やCHF3ガス中でのリアクティブイオンエッ
チングでガラス基板１にガイドトラックやトラック番地
を刻み、最後に同図（ｄ）の工程で残ったレジスト膜２
を除去し、同図（ｅ）のごとく基板１を形成する。
ための製法の１つに特願昭59−51977（特開昭60−19575
1）に示す方法がある。これを第２図を用いて略説す
る。まず第２図（ａ）に示すように、ガラス基板１にス
ピンナー等で塗布したレジスト膜２を形成し、次に同図
（ｂ）のごとく、あらかじめガイドトラックやガイド番
地を形成したフォトマスク３を用い、該フォトマスク３
を介してガラス基板１に紫外線４を照射して、フォトマ
スク３のガイドトラックやトラック番地（図中５で示し
た）のパターンをレジスト膜２に転写し、次に同図
（ｃ）のごとくレジスト膜２を現像した後、同図（ｄ）
のごとくCF4やCHF3ガス中でのリアクティブイオンエッ
チングでガラス基板１にガイドトラックやトラック番地
を刻み、最後に同図（ｄ）の工程で残ったレジスト膜２
を除去し、同図（ｅ）のごとく基板１を形成する。
この従来方法において技術的に困難なのは、同図
（ｂ）のガイドトラックやトラック番地のパターンの転
写工程である。すなわち、フォトマスク３とレジスト膜
２とは密着していることが望ましいが、従来では第３図
のごとく、レジスト塗布時にレジスト膜２がガラス基板
１の端面で一部盛り上がる現象６があり、そのためレジ
スト膜２とフォトマスク３とが密着不良になることが多
かった。この密着不良部分の幅は１〜2mm程度である。
同図のフォトマスク３ではガイドトラック等のパターン
は省略している。
（ｂ）のガイドトラックやトラック番地のパターンの転
写工程である。すなわち、フォトマスク３とレジスト膜
２とは密着していることが望ましいが、従来では第３図
のごとく、レジスト塗布時にレジスト膜２がガラス基板
１の端面で一部盛り上がる現象６があり、そのためレジ
スト膜２とフォトマスク３とが密着不良になることが多
かった。この密着不良部分の幅は１〜2mm程度である。
同図のフォトマスク３ではガイドトラック等のパターン
は省略している。
〈目的〉 本発明は上記従来の欠点を解消するもので、ガラス基
板端面のレジスト膜の盛り上がりによりレジスト膜とフ
ォトマスクとの密着不良を防ぐことができると共に、単
純で作製が容易な構造を有するフォトマスクを提供する
ことを目的とする。
板端面のレジスト膜の盛り上がりによりレジスト膜とフ
ォトマスクとの密着不良を防ぐことができると共に、単
純で作製が容易な構造を有するフォトマスクを提供する
ことを目的とする。
〈実施例〉 以下本発明にかかる光メモリ素子用のフォトマスクの
実施例を図面を用いて詳細に説明する。
実施例を図面を用いて詳細に説明する。
図１は、本発明に係る光メモリ素子用フォトマスクの
実施例の一部拡大断面図である。本発明の光メモリ素子
用フォトマスク７は同図に示すごとく、ガラス基板１上
のレジスト膜２に圧接される第１の厚みの中央部と、第
１の厚みよりも薄く、ガラス基板１上のレジスト膜２に
接しない第２の厚みの周辺部とを有し、断面が凸形状を
なしている。そして、このフォトマスク７の第２の厚み
を有する周辺部でレジスト膜２の盛り上がり部６を吸収
することで、密着不良を防ぐものである。
実施例の一部拡大断面図である。本発明の光メモリ素子
用フォトマスク７は同図に示すごとく、ガラス基板１上
のレジスト膜２に圧接される第１の厚みの中央部と、第
１の厚みよりも薄く、ガラス基板１上のレジスト膜２に
接しない第２の厚みの周辺部とを有し、断面が凸形状を
なしている。そして、このフォトマスク７の第２の厚み
を有する周辺部でレジスト膜２の盛り上がり部６を吸収
することで、密着不良を防ぐものである。
〈効果〉 以上のように本発明に係る光メモリ素子用フォトマス
クは、光メモリ素子のガラス基板上にレジスト膜に圧接
される第１の厚みの中央部と、該中央部より薄くかつ前
記ガラス基板上のレジスト膜に接しない第２の厚みの周
辺部とを有し、断面が凸形状をなす構造を有するので、
第１の厚みの中央部が光メモリ素子のガラス基板のガラ
ストラックあるいはトラック番地等のパターンが形成さ
れるべき部分に密接しているときでも、第２の厚みの周
辺部はレジスト膜の盛り上がり部分に当たることがな
く、光メモリ素子上のレジスト面との密着性がよいの
で、密着露光によって光メモリ素子のためのガラス基板
を製作することができ、信頼性の高い光メモリ素子の量
産性を確保することができる。またフォトマスクをレジ
スト面を密着させる場合、全面を一度に密着させるので
はなく、中央部から徐々に周辺部に向かって密着させて
いくので、本願発明のように周辺部が薄く変形しやすい
構造であれば、さらに光メモリ素子上のフォトマスクと
レジスト面との密着性がよくなる。しかも本発明のフォ
トマスクは、ガイドトラックあるいはトラック番地等の
パターンが形成されている第１の厚みの中央部の大きさ
さえ確保すれば、周辺部は均一に薄く作れば良いだけの
単純な構造であるので、作製が極めて容易であるという
特有の効果を奏する。
クは、光メモリ素子のガラス基板上にレジスト膜に圧接
される第１の厚みの中央部と、該中央部より薄くかつ前
記ガラス基板上のレジスト膜に接しない第２の厚みの周
辺部とを有し、断面が凸形状をなす構造を有するので、
第１の厚みの中央部が光メモリ素子のガラス基板のガラ
ストラックあるいはトラック番地等のパターンが形成さ
れるべき部分に密接しているときでも、第２の厚みの周
辺部はレジスト膜の盛り上がり部分に当たることがな
く、光メモリ素子上のレジスト面との密着性がよいの
で、密着露光によって光メモリ素子のためのガラス基板
を製作することができ、信頼性の高い光メモリ素子の量
産性を確保することができる。またフォトマスクをレジ
スト面を密着させる場合、全面を一度に密着させるので
はなく、中央部から徐々に周辺部に向かって密着させて
いくので、本願発明のように周辺部が薄く変形しやすい
構造であれば、さらに光メモリ素子上のフォトマスクと
レジスト面との密着性がよくなる。しかも本発明のフォ
トマスクは、ガイドトラックあるいはトラック番地等の
パターンが形成されている第１の厚みの中央部の大きさ
さえ確保すれば、周辺部は均一に薄く作れば良いだけの
単純な構造であるので、作製が極めて容易であるという
特有の効果を奏する。
第１図は本発明に係る光メモリ素子用フォトマスクの実
施例の一部拡大断面図、第２図は従来のガイドトラック
形式手順の説明図、第３図は従来のフォトマスクの一部
拡大断面図を示す。 図中、1:ガラス基板、2:レジスト膜 3:フォトマスク、4:紫外線 5:パターン、6:レジスト膜の盛り上がり部 7:フォトマスク
施例の一部拡大断面図、第２図は従来のガイドトラック
形式手順の説明図、第３図は従来のフォトマスクの一部
拡大断面図を示す。 図中、1:ガラス基板、2:レジスト膜 3:フォトマスク、4:紫外線 5:パターン、6:レジスト膜の盛り上がり部 7:フォトマスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 明 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シヤー プ株式会社内 (72)発明者 乾 哲也 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シヤー プ株式会社内 (72)発明者 出口 敏久 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シヤー プ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−102235（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−210547（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−32250（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】光メモリ素子のガラス基板に塗布されたレ
ジスト膜に対して、ガイドトラックあるいはトラック番
地等のパターンを密着露光によって転写するためのフォ
トマスクであって、 光メモリ素子の前記ガラス基板上のレジスト膜に圧接さ
れる第１の厚み中央部と、該中央部より薄くかつ前記ガ
ラス基板上のレジスト膜に接しない第２の厚みの周辺部
とを有し、断面が凸形状をなすことを特徴とする光メモ
リ素子用フォトマスク。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60207864A JP2534226B2 (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | 光メモリ素子用フオトマスク |
| EP90203177A EP0434114B1 (en) | 1985-08-30 | 1986-08-29 | Optical memory element and manufacturing method thereof |
| DE3689593T DE3689593T2 (de) | 1985-08-30 | 1986-08-29 | Element für optische Speicherung und Verfahren zu dessen Herstellung. |
| DE8686306711T DE3682985D1 (de) | 1985-08-30 | 1986-08-29 | Verfahren zur herstellung eines optischen verzeichniselementes. |
| EP19860306711 EP0214824B1 (en) | 1985-08-30 | 1986-08-29 | Manufacturing method for an optical memory element |
| US07/229,753 US4925776A (en) | 1985-08-30 | 1988-08-08 | Optical memory element and manufacturing method thereof |
| US08/074,272 US5470694A (en) | 1985-08-30 | 1993-06-10 | Optical memory element and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60207864A JP2534226B2 (ja) | 1985-09-19 | 1985-09-19 | 光メモリ素子用フオトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6266442A JPS6266442A (ja) | 1987-03-25 |
| JP2534226B2 true JP2534226B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=16546806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60207864A Expired - Fee Related JP2534226B2 (ja) | 1985-08-30 | 1985-09-19 | 光メモリ素子用フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2534226B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5532250A (en) * | 1978-08-25 | 1980-03-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Duplicating method for fine pattern |
| JPS59102235A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ホトマスク |
| JPS59210547A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-29 | Sharp Corp | 光メモリ素子の製造方法 |
-
1985
- 1985-09-19 JP JP60207864A patent/JP2534226B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6266442A (ja) | 1987-03-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |