JPS6273440A - 光メモリ素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は光学的に情報を記録再生する光メモリ素子に関
する。

〈従来技術〉 近年、光メモリ装置は高密度で大容量のメモリ装置とし
て注目されている。この光メモリが高密度及び大容量と
なる理由は、情報の記録単位であるビットが光のビーム
径だけで決まるため、そのビット形状を１μｍ程度の大
きさにすることができるためである。しかしこの事は光
メモリ装置に多くの制限を加える事になる。即ちある定
まった場所に情報を記録したり、あるいはある定まった
場所に記録された情報を再生したりするためには光ビー
ムを極めて正確に位置決めしなければならないのである
。一般に再生専用の光メモリでは記録したビットに予め
番地情報を入れておく事ができるので記録情報を再生し
ながら光ビームの位置決めをすることができるが、追加
記録メモリあるいは書き換え可能なメモリにおいては情
報記録時に番地情報まで一諸に記録する事は極めて困難
である。従って追加記録メモリあるいは書き換え可能な
メモリではメモリ基板に予め何等かのガイド信号及びガ
イド番地を入れておくという方法が採られている。例え
ば第５図に従来の追加記録メモリあるいは書き換え可能
なメモリのメモリ基板の一部斜視図を示すが同図に示す
如く基板に凹凸の溝を形成しておき、この溝に添って情
報を記録あるいは再生する方法が一般的である。上記凹
凸の溝は図示されていないが円周方向に断続した形状を
有し、これが溝の番地を示すビット情報を与えるのであ
る。この凹凸の溝の形成方法はすでに何種類か提案され
ており、大きく分けて次の３種類がある。

即ち、 （ｉ）　　アクリル樹脂又はポリカーボネイト樹脂を用
い、射出成形によって上記溝を作成する方法。

この成形によりガイドトラック及びガイド番地を予め形
成したＮｉスタンパ−の形状を写し取る。

（（ｉ）　　アクリル樹脂を上記ガイドトラック及びガ
イド番地を予め形成したＮｉスタンパ−に流し込み温度
をかけて固まらせるキャスティング法。

（Ｉｉｉ）　　アクリル樹脂基板やガラス基板等の基板
と上記ガイドトラック及びガイド番地を予め形成したＮ
ｉスタンパ−との間に紫外線硬化形の樹脂を流し込み、
上記基板ごしに紫外線を照射し、その樹脂を硬化させ、
その後で上記Ｎｉスタンパ−を取りはずす所１２Ｐ法で
ある。

しかし、これらの方法はいずれも樹脂を用いるのでその
樹脂を通して酸素あるいは水分等が記録媒体に達する危
険性がある。この為記録媒体の品質が劣化するという欠
点を有する。この欠点に対処する為に本発明者等は既に
ガラス基板上に７オトレジスト材を塗布し、該７オトレ
ジスト材に対して光学マスクを介して紫外線光を照射し
てガイドパターン（ガイドトラック及びガイド番地）を
記録し、その後エツチングによってガイドパターン状に
溝を形成する方法を提案している（特開昭５９−２１０
５４７　　）。

〈目　的〉 本発明は上述したガラス基板の形状に改良を施こすこと
によって、上記溝の形状の精度を向上せしめることを目
的とするものである。

〈実施例〉 以下、本発明に係る光メモリ素子の実施例を図面を用い
て詳細に説明する。

第１図は本発明に係る光メモリ素子の基板の製法を工程
順に示す説明図である。

次に同図に従い本発明に係る光メモリ素子の基板の製法
を工程順に説明する。

工程（１）・・酸素、水分等の通過に対して信頼性の高
い（酸素、水分等を通過させない）光メモリ素子用のガ
ラス基板を洗浄し、そのガラス基板ｌの上に７オトレジ
スト膜２を塗布する（第１図（ａ））。このフォトレジ
スト膜２の膜厚は１００ｎｍ−５１００ｎ程度が好まし
い。

工程（１１）上記フォトレジスト膵２を塗布したガラス
基板１−、、ｔ−にガイドトラック及びガイド情報をパ
ターン化したマスク板３を密着せしめ、該マスク板３ご
しに紫外線Ａを照射しマスク板３のマスクパターンを上
記７オトレジスト膜２に転写する（第１図（ｂ））。こ
こで光メモリ素子は円板状であるので上記マスク板３も
円板状であることが望ましい。

工程（１１１）・上記マスクパターンを書き込んだ７オ
トレジスト膜２を現像工程に通すことで上記フォトレジ
スト膜２に溝を形成する（、第１図（Ｃ）　）　、、 工程６Ｖ）・・・上記溝を形成したフォトレジスト膜２
の被覆状態において、ウェットエツチング若しくはＣＦ
４．ＣＨＦ３等のエツチングガス中でのスパッタリング
（リアクティブイオンエツチング）等のドライエツチン
グを行ない、ガラス基板１に溝４を形成する（第１図（
ｄ））。

工程（Ｖ）・・・上記レジスト膜２をアセトン等の溶媒
。

０２中でのスパッタリング等により除去する。この結果
ガラス基板１に溝４が残る（第１図（ｅ））。

以上の工程によってガイドトラック及びガイド番地の情
報を示す溝を有するガラス基板１が完成する。この工程
によれば予めガイドトラック及びガイド情報をパターン
化したマスク板３を作成しておき、該マスク板３をフォ
トレジスト膜２が塗布されたガラス基板ｌ上に順次密着
せしめてマスク板３のパターンを転写して行けばよいの
でガイドパターンの記録時間を極めて短縮化できるもの
である。

次にガラスディスク基板の形状について断面図を用いて
説明する。

第２図（ａ）はガラスディスク基板１の平面図であし、
第２図（ｂ）は該ガラスディスク基板１の直径での断面
図を示している。同図において５は該ガラスディスク基
板１の外周エツジの面取り部分を示している。

第３図は上記面取り部分５の拡大断面図を示しており、
同図（ａ）は従来のガラスディスク基板エツジの而取り
部分の断面図であり、同図（ｂ）　、　（ｃ）は本発明
に係るガラスディスク基板上・ンジ形状の例を示す断面
図であり、ガイド溝の形成されていない部分７において
、ガラスディスク基板面８よりも深く研磨されている。

次に第４　ＩＮ（ａ）　、　（ｂ）　、　（ｃ）はそれ
ぞれ第３図（ａ）　、　（ｂ）。

（Ｃ）に示すエツジ形状を有するガラスディスク基板に
スピンコード法でレジストを塗布した時の状態を示す断
面図である。ガラスディスク基板エツジでは表面張力の
ためレジストのもり上り１０が発生する。

ここで同図（ａ）に示す従来のガラスディスク基板形状
の場合レジスト膜２のもり上り１０はレジスト塗布平面
１１より上に突出してしまい、上記光メモリ素子の製造
工程（１１）においてマスク板３はレジスト膜２に対し
て同図１１′の状態にて位置し、マスク板３とレジスト
膜２とが十分に密着しない部分が広く発生する。一方、
同図（ｂ）　、　（ｃ）の場合、レジストのもつ上り１
０はレジスト塗布平面１１益 よりも下方あり、マスク板３はレジスト塗布平面Ｉ＋に
位置し、ガイド溝が形成されている部分６においてマス
ク板３とレジスト膜２は十分な密着が得られる。

〈効　果〉 以上の本発明によれば光メモリ素子の案内溝を全面に渡
って良好な形状に形成でき、再生信号の雑音を低減化す
ることが出来るものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る光メモリ素子の実施例を製造する
為の工程を示す説明図、第２図（ａ）はガラス基板の平
面図、第２図（ｂ）はその側断面図、第３図はその一部
拡大側断面図、第４図はガラス基板にレジスト膜を塗布
した状態での拡大側断面図、第５図は溝形成後のガラス
基板の斜視図を示す。 図中、１；ガラス基板　　２：フォトレジスト膜３：マ
スク板　　　４：溝 ５ニガラス基板エツジの面取り部分 ６６ガイド溝が形成されている部分 ７：ガイド溝が形成されていない部分 ８ニガラス基板平面 ９ニガラス基板エツジの研磨部分 １０ニレジスト膜のちり上り １１ニレジスト膜平面 １１′：マスク板が位置する面 代理人　弁理士　福　士　愛　彦（他２名）第　ｌ　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、基板にレジスト材を塗布した時に基板端部に発生す
   るレジスト材のもり上がり高さが、基板の溝形成面より
   低くなるように基板端部に研磨による傾斜部が形成され
   てなることを特徴とする光メモリ素子。