JPS63121054A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
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- JPS63121054A JPS63121054A JP61268204A JP26820486A JPS63121054A JP S63121054 A JPS63121054 A JP S63121054A JP 61268204 A JP61268204 A JP 61268204A JP 26820486 A JP26820486 A JP 26820486A JP S63121054 A JPS63121054 A JP S63121054A
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- JP
- Japan
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- pattern
- photomask
- patterns
- dielectric multilayer
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- Pending
Links
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- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract description 6
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフォトマスクに関する。
従来この種のフォトマスクはパターン材料にクロム（Ｃ
ｒ）などの金属を用いていた。
ｒ）などの金属を用いていた。
上述した従来のフォトマスクは、パターン材料にクロム
（Ｃｒ）などの金属を用いており、このため、パターン
は通常、転写に用いられる光の波長（近紫外〜可視）の
全域で光を遮へいする。このため、１枚のフォトマスク
は、この範囲内のどの波長を用いて露光しても、１種類
のパターンしか得られないという欠点がある。
（Ｃｒ）などの金属を用いており、このため、パターン
は通常、転写に用いられる光の波長（近紫外〜可視）の
全域で光を遮へいする。このため、１枚のフォトマスク
は、この範囲内のどの波長を用いて露光しても、１種類
のパターンしか得られないという欠点がある。
本発明のフォトマスクは、転写用パターンの少なくとも
一部分が波長選択透過性を有している。
一部分が波長選択透過性を有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の構成図である。フォトマス
ク基板１１上のパターン面１２内には波長選択透過性の
ないパターン１３と波長選択透過性を有するパターン１
４とそれと異なる波長選択透過性を有するパターン１５
が形成されている。
ク基板１１上のパターン面１２内には波長選択透過性の
ないパターン１３と波長選択透過性を有するパターン１
４とそれと異なる波長選択透過性を有するパターン１５
が形成されている。
第２図は本発明の一実施例のパターン面の部分拡大図で
ある。クロム、アルミニウムのような金属膜によるパタ
ーン２１と、誘電体多層膜によるパターン２２と、これ
と異なる誘電体多層膜によるパターン２３とからなる。
ある。クロム、アルミニウムのような金属膜によるパタ
ーン２１と、誘電体多層膜によるパターン２２と、これ
と異なる誘電体多層膜によるパターン２３とからなる。
第３図は上記誘電体多層膜の光透過特性を示す特性図で
ある。透過特性Ａ３１は誘電体多層膜によるパターン２
２の光透過特性であり、透過特性Ｂ３２は誘電体多層膜
によるパターン２３の光透過特性である。
ある。透過特性Ａ３１は誘電体多層膜によるパターン２
２の光透過特性であり、透過特性Ｂ３２は誘電体多層膜
によるパターン２３の光透過特性である。
一方クロム、アルミのような金属膜によるパターン２２
はλｌ〜λ３全域の露光波長においてはほぼ一様に光を
遮へいする。
はλｌ〜λ３全域の露光波長においてはほぼ一様に光を
遮へいする。
したがって、λ３の波長で露光すると金属膜によるパタ
ーン２１のみが光を遮へいし、λ２の波長で露光すると
金属膜によるパターン２１と誘電体多層膜によるパター
ン２２が光を遮へいし、λ１の波長で露光すると金属膜
によるパターン２１と誘電体多層膜によるパターン２２
と誘電体多層膜によるパターン２３すべてが光を遮へい
する。すなわち、露光波長を変えることによ＃）３ｍの
パターンが得られる。
ーン２１のみが光を遮へいし、λ２の波長で露光すると
金属膜によるパターン２１と誘電体多層膜によるパター
ン２２が光を遮へいし、λ１の波長で露光すると金属膜
によるパターン２１と誘電体多層膜によるパターン２２
と誘電体多層膜によるパターン２３すべてが光を遮へい
する。すなわち、露光波長を変えることによ＃）３ｍの
パターンが得られる。
本実施例のフォトマスクをＩＣの配線用マスクとして用
いることにより、ＩＣ内の抵抗素子等の選択が３通り可
能になり、複数品種に１枚のフォトマスクで対応するこ
とが可能となった。
いることにより、ＩＣ内の抵抗素子等の選択が３通り可
能になり、複数品種に１枚のフォトマスクで対応するこ
とが可能となった。
なお本実施例で用いた誘電体多層膜は高屈折率層（Ｈ）
にＺｒ０２（ｎ＝２．２）、低屈折率層（Ｌ ）Ｋ Ｓ
１Ｏｚ（ｎ＝１．４５）を用いたものであり、膜構成
はフォトｚｒｏ、膜、Ｌは光学膜厚がｄの５ｉｎ２膜を
示す。誘電体多層膜によるパターン２２はｄ＝ｌＱＱｎ
ｍの膜、即ち遮断波長３５０〜４６０１ｍ誘電体多層膜
によるパターン２３はｄ＝８（５ｍｍの膜即ち遮断波長
３５０〜４ Ｑ Ｑ ｎｍをそれぞれ使用した。このと
き露光波長はλｔ＝３６５ｎｍ、λｚ＝４３６ｎｍ、λ
ｇ＝５５９ｎｍとした。
にＺｒ０２（ｎ＝２．２）、低屈折率層（Ｌ ）Ｋ Ｓ
１Ｏｚ（ｎ＝１．４５）を用いたものであり、膜構成
はフォトｚｒｏ、膜、Ｌは光学膜厚がｄの５ｉｎ２膜を
示す。誘電体多層膜によるパターン２２はｄ＝ｌＱＱｎ
ｍの膜、即ち遮断波長３５０〜４６０１ｍ誘電体多層膜
によるパターン２３はｄ＝８（５ｍｍの膜即ち遮断波長
３５０〜４ Ｑ Ｑ ｎｍをそれぞれ使用した。このと
き露光波長はλｔ＝３６５ｎｍ、λｚ＝４３６ｎｍ、λ
ｇ＝５５９ｎｍとした。
第４図は本発明の実施例２のパターン面の部分拡大図で
ある。金属膜によるパターン４１と誘電体多”！ ｆｆ
ｉによるパターン４２とこれと異なる誘電体多層ｒＮ４
３とからなる。Ｆｉｆ１体多層膜多層膜）くターン４２
は第３図における透過特性Ａ３１を有し、誘電体多層膜
によるパターン４３は透過特性Ｂ３２を有する。λ３．
λ鵞、λｌと波長を変えることにより、光を遮へいする
部分の大きさが変化する。本実施例のフォトマスクを用
いるとと忙よね大きさの異なるパターンに１枚のフォト
マスクで対応できる。
ある。金属膜によるパターン４１と誘電体多”！ ｆｆ
ｉによるパターン４２とこれと異なる誘電体多層ｒＮ４
３とからなる。Ｆｉｆ１体多層膜多層膜）くターン４２
は第３図における透過特性Ａ３１を有し、誘電体多層膜
によるパターン４３は透過特性Ｂ３２を有する。λ３．
λ鵞、λｌと波長を変えることにより、光を遮へいする
部分の大きさが変化する。本実施例のフォトマスクを用
いるとと忙よね大きさの異なるパターンに１枚のフォト
マスクで対応できる。
これにより、ＩＣにおけるコンタクト層とｋｌ配線層の
ように一方が他方を包含するような場合に複数の層の露
光を１枚のフォトマスクで行なえるよう（Ｃなった。
ように一方が他方を包含するような場合に複数の層の露
光を１枚のフォトマスクで行なえるよう（Ｃなった。
以上説明したように本発明は、フォトマスクのパターン
の一部が波長選択透過性を有することにより、露光波長
を選択することによって１枚のフォトマスクで異なるパ
ターンを転写することができ、複数品種・複数露光工程
に１枚のフォトマスクで対応できる効果があり、フォト
マスクの数が大幅に減少するという効果がある。
の一部が波長選択透過性を有することにより、露光波長
を選択することによって１枚のフォトマスクで異なるパ
ターンを転写することができ、複数品種・複数露光工程
に１枚のフォトマスクで対応できる効果があり、フォト
マスクの数が大幅に減少するという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の構成を示す構成図、第２図
は本発明の一実施例のパターン面の部分拡大図、第３図
は本発明の実施例に用いた誘電体多層膜の光透過特性を
示す特性図、第４図は本発明の第２の実施例のパターン
面の部分拡大図である。 １１・・・・・・フォトマスク基板、１２・・・・・・
パターン面、１３・・・・・・パターン（波長選択透過
性なし）、】４・・・・・・パターン（波長選択透過性
布）、１５・・・・・・パターン（波長選択透過性布）
、２１・・・・・・金属膜によるパターン、２２・・・
・・・誘電体多層膜によるパターン、２３・・・・・・
誘電体多層膜忙よるパターン、３１・・・・・・透過特
性Ａ１３２・・・・・・透過特性Ｂ、４１・・・・・・
金）＄１によるパターン、４２・・・・・・誘電体多層
膜によるパターン、４３・・・・・・訪電体多１弗膜に
よるパターン。 茅 ２ 図 茅 ｊＷＪ
は本発明の一実施例のパターン面の部分拡大図、第３図
は本発明の実施例に用いた誘電体多層膜の光透過特性を
示す特性図、第４図は本発明の第２の実施例のパターン
面の部分拡大図である。 １１・・・・・・フォトマスク基板、１２・・・・・・
パターン面、１３・・・・・・パターン（波長選択透過
性なし）、】４・・・・・・パターン（波長選択透過性
布）、１５・・・・・・パターン（波長選択透過性布）
、２１・・・・・・金属膜によるパターン、２２・・・
・・・誘電体多層膜によるパターン、２３・・・・・・
誘電体多層膜忙よるパターン、３１・・・・・・透過特
性Ａ１３２・・・・・・透過特性Ｂ、４１・・・・・・
金）＄１によるパターン、４２・・・・・・誘電体多層
膜によるパターン、４３・・・・・・訪電体多１弗膜に
よるパターン。 茅 ２ 図 茅 ｊＷＪ
Claims (1)
- 光によるパターン転写のためのフォトマスクにおいて、
該フォトマスク上のパターンの少なくとも一部分が、近
紫外〜可視の波長範囲内において波長選択透過性を有す
ることを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61268204A JPS63121054A (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61268204A JPS63121054A (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63121054A true JPS63121054A (ja) | 1988-05-25 |
Family
ID=17455365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61268204A Pending JPS63121054A (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63121054A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006317737A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 露光用マスク |
| JP2009080381A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Sanyo Electric Co Ltd | フォトマスク、及び電子装置の製造方法 |
| WO2010146965A1 (ja) * | 2009-06-20 | 2010-12-23 | シャープ株式会社 | 露光用マスク、フォトリソグラフィ法、基板の製造方法、表示パネルの製造方法 |
| JP2011028174A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調マスクおよび階調マスクの製造方法 |
| JP2012194554A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-10-11 | Hoya Corp | フォトマスク、パターン転写方法、及びペリクル |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4915961A (ja) * | 1972-04-11 | 1974-02-12 | ||
| JPS62123465A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-04 | Sharp Corp | フオトマスクの製造方法 |
-
1986
- 1986-11-10 JP JP61268204A patent/JPS63121054A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4915961A (ja) * | 1972-04-11 | 1974-02-12 | ||
| JPS62123465A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-04 | Sharp Corp | フオトマスクの製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006317737A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 露光用マスク |
| JP2009080381A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Sanyo Electric Co Ltd | フォトマスク、及び電子装置の製造方法 |
| WO2010146965A1 (ja) * | 2009-06-20 | 2010-12-23 | シャープ株式会社 | 露光用マスク、フォトリソグラフィ法、基板の製造方法、表示パネルの製造方法 |
| JP2011028174A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調マスクおよび階調マスクの製造方法 |
| JP2012194554A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-10-11 | Hoya Corp | フォトマスク、パターン転写方法、及びペリクル |
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