JPS59135468A - 露光用マスク - Google Patents

露光用マスク

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JPS59135468A
JPS59135468A JP58009584A JP958483A JPS59135468A JP S59135468 A JPS59135468 A JP S59135468A JP 58009584 A JP58009584 A JP 58009584A JP 958483 A JP958483 A JP 958483A JP S59135468 A JPS59135468 A JP S59135468A
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JP
Japan
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photosensitive material
mask
pattern
metal film
film
Prior art date
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JP58009584A
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English (en)
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JPS6258501B2 (ja
Inventor
Hikari Kimura
光 木村
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS59135468A publication Critical patent/JPS59135468A/ja
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体ＩＣまたは薄膜ＩＣ等で使用する感光制
料の露光用マスクの構成に関する。
従来、この種の露光用マスクの構成ば、屈折率の少ない
ガラス表面にクロム（Ｃｒ）または酸化鉄（Ｆｅｄ）な
どの金属膜または金属の酸化膜が、すべてのパターンに
同一厚さで形成場れている。したがって、上記露光用マ
スクで露光する場合には、同一厚さの金属膜での光量し
ゃ断率は一定であるため、パターン領域内で部分的に感
光材料の感光度を髪えることは不可能である。そこで、
パターン領域内で部分的に金属膜の厚さヲ父えることで
光量しゃ断率を変化爆せれば、感光材料の感光度′ｌｆ
：部分的に変えることは可能となる。このような露光用
マスクを用いればパターンの側面あるいはグイアホール
（Ｖｉａ　）（ｏｌｅ　）の側面などにテーパが形成で
き段差による断線不良が解消式れ得る。
本発明は透明なガラス表面に、予め定められた領域には
厚い金属膜が形成され、前記領域以外の予め定められた
領域には薄い金属膜が形成場れるような金ｈ１膜の厚い
部分と薄い部分とが同一マスク内に混在してパターン化
されていること全特徴とする。次に本発明の露光用マス
クの一実施例を図面全参照して詳細に説明する。第１図
と第３図は本発明の露光用マスクの一例が水石れており
、第２図と第４図はそれぞれ第１図、第３図の露光用マ
スクを使用した場合の感光材料の断面図分水す。
第１図を参照すると、紫外線などの透過率がよいガラス
板１の片面にクロム（Ｃｒ）　、酸化鉄（Ｆｅｄ）など
の金属膜あるいは金属酸化膜が形成されている。ここで
領域２と領域３とは形成された金属膜厚の異なる部分が
区別されている。すなわち、領域２は薄く、領域３は厚
くなっている。さて、このマスクに紫外線をガラス表面
と垂直に照射式せると領域３の厚い金ハ膜（５００人〜
２ｏ　ＯＯＡ）はほとんど紫外線をしゃ断してしまう。
しかし、領域２の比較的薄い金属膜（５０Ａ〜１００人
）ではある程度のしゃ断はあるが、一部は下方に透過す
る。この透過率は、金属膜の種類、厚さおよび紫外線の
波長２強度などでコントロールすることができる。
第２図は第１図の露光用マスクを使用した場合の実際の
感光材料の断面図を示す。第２図を参照すると、アルミ
ナセラミック基板４０表面のネガタイプの感光材料のう
ち領域３では紫外線はほとんどしゃ断されているため光
硬化されない。また、領域２では紫外線の一部が透過す
るため不完全な光硬化状態にある。よって次工程の現像
後には光硬化されてない部分の感光拐料は完全に除去さ
れ（領域７）不完全な光硬化した感光制料は不完全に除
去される（領域６）。したがって、第２図の断面図に示
す様な形状にパターン化される。この実施例では形状が
２段になり、パターンの段差が１／２に減っているため
、急激な１段の場合より段差による断線不良が起こりに
くくなる。第３図および第４図には３段の場合の一例が
示しである。
この場合の感光材料はポジタイプである。
本発明には、露光用マスク表面にパターン化された金属
膜厚′ｆ！ｃ郡分的に亥え、透過する光量を変化させる
ことで感光材料の感ブＣ度がコントロールできパターン
エツジをなだらかにすることにより、段差による断線不
良が解消でれるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図から第４図は露光用マスクおよび感光材料の断面
図を示す。図において、１・・・・・・透明ガラス、２
・・・・・・薄い金属膜、３・・・・・・厚い金属膜、
４・・・セラミック晶板、５・・・・・・感光材料（ネ
ガタイプ）、６・・・・・・不完全光硬化部分、７・・
・・・・完全しやＷ［部分、８・・・・・・透明ガラス
、９・・・・・・金属膜、１０・・・・・・セラミック
基板、１１・・・・・・感光材料（ポジタイプ）。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋　　′　〜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 光学的に透明なガラス表面の予め定められた領域には厚
    い金属膜が形成場れ、前記ガラス表面の前記領域以外の
    予め定められた領域には薄い金属膜が形成場れているよ
    うな金属膜の厚い領域と薄い領域とが混在してパターン
    化されていること全特徴とする露光用マスク。
JP58009584A 1983-01-24 1983-01-24 露光用マスク Granted JPS59135468A (ja)

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JPS59135468A true JPS59135468A (ja) 1984-08-03
JPS6258501B2 JPS6258501B2 (ja) 1987-12-07

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JPS6258501B2 (ja) 1987-12-07

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