JPS6258501B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6258501B2
JPS6258501B2 JP958483A JP958483A JPS6258501B2 JP S6258501 B2 JPS6258501 B2 JP S6258501B2 JP 958483 A JP958483 A JP 958483A JP 958483 A JP958483 A JP 958483A JP S6258501 B2 JPS6258501 B2 JP S6258501B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal film
region
photosensitive material
ultraviolet rays
exposure mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP958483A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS59135468A (ja
Inventor
Hikari Kimura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP58009584A priority Critical patent/JPS59135468A/ja
Publication of JPS59135468A publication Critical patent/JPS59135468A/ja
Publication of JPS6258501B2 publication Critical patent/JPS6258501B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体ICまたは薄膜IC等で使用する
感光材料の露光用マスクの構成に関する。
従来、この種の露光用マスクの構成は、屈折率
の少ないガラス表面にクロム（Cr）または酸化
鉄（FeO）などの金属膜または金属の酸化膜が、
すべてのパターンに同一厚さで形成されている。
したがつて、上記露光用マスクで露光する場合に
は、同一厚さの金属膜での光量しや断率は一定で
あるため、パターン領域内で部分的に感光材料の
感光度を変えることは不可能である。そこで、パ
ターン領域内で部分的に金属膜の厚さを変えるこ
とで光量しや断率を変化させれば、感光材料の感
光度を部分的に変えることは可能となる。このよ
うな露光用マスクを用いればパターンの側面ある
いはヴイアホール（Via Hole）の側面などにテ
ーパが形成でき段差による断線不良が解消され得
る。本発明は透明なガラス表面に、予め定められ
た領域には厚い金属膜が形成され、前記領域以外
の予め定められた領域には薄い金属膜が形成され
るような金属膜の厚い部分と薄い部分とが同一マ
スク内に混在してパターン化されていることを特
徴とする。次に本発明の露光用マスクの一実施例
を図面を参照して詳細に説明する。第１図と第３
図は本発明の露光用マスクの一例が示されてお
り、第２図と第４図はそれぞれ第１図、第３図の
露光用マスクを使用した場合の感光材料の断面図
を示す。第１図を参照すると、紫外線などの透過
率がよいガラス板１の片面にクロム（Cr），酸化
鉄（feO）などの金属膜あるいは金属酸化膜が形
成されている。ここで領域２と領域３とは形成さ
れた金属膜厚の異なる部分が区別されている。す
なわち、領域２は薄く、領域３は厚くなつてい
る。さて、このマクに紫外線をガラス表面と垂直
に照射させると領域３の厚い金属膜（500Å〜
2000Å）はほとんど紫外線をしや断してしまう。
しかし、領域２の比較的薄い金属膜（50Å〜100
Å）ではある程度のしや断はあるが、一部は下方
に透過する。この透過率は、金属膜の種類、厚さ
および紫外線の波長、強度などでコントロールす
ることができる。第２図は第１図の露光用マスク
を使用した場合の実際の感光材料の断面図を示
す。第２図を参照すると、アルミナセラミツク基
板４の表面のネガタイプの感光材料のうち領域３
では紫外線はほとんどしや断されているため光硬
化されない。また、領域２では紫外線の一部が透
過するため不完全な光硬化状態にある。よつて次
工程の現像後には光硬化されてない部分の感光材
料は完全に除去され（領域７）不完全な光硬化し
た感光材料は不完全に除去される（領域６）。し
たがつて、第２図の断面図に示す様な形状にパタ
ーン化される。この実施例では形状が２段にな
り、パターンの段差が1/2に減つているため、急
激な１段の場合より段差による断線不良が起こり
にくくなる。第３図および第４図には３段の場合
の一例が示してある。この場合の感光材料はポジ
タイプである。
本発明には、露光用マスク表面にパターン化さ
れた金属膜厚を部分的に変え、透過する光量を変
化させることで感光材料の感光度がコントロール
できパターンエツジをなだらかにすることによ
り、段差による断線不良が解消されるという効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第１図から第４図は露光用マスクおよび感光材
料の断面図を示す。 図において、１……透明ガラス、２……薄い億
属膜、３……厚い金属膜、４……セラミツク基
板、５……感光材料（ネガタイプ）、６……不完
全光硬化部分、７……完全しや断部分、８……透
明ガラス、９……金属膜、１０……セラミツク基
板、１１……感光材料（ポジタイプ）。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 光学的に透明なガラス表面の予め定められた
    第１の領域には紫外線を透過させないような厚い
    金属膜が形成され、前記ガラス表面の前記第１の
    領域以外の予め定められた第２の領域には前記紫
    外線の一部を透過させるような薄い金属膜が形成
    されているような金属膜の厚い領域と薄い領域と
    が混在してパターン化されていることを特徴とす
    る露光用マスク。
JP58009584A 1983-01-24 1983-01-24 露光用マスク Granted JPS59135468A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58009584A JPS59135468A (ja) 1983-01-24 1983-01-24 露光用マスク

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58009584A JPS59135468A (ja) 1983-01-24 1983-01-24 露光用マスク

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59135468A JPS59135468A (ja) 1984-08-03
JPS6258501B2 true JPS6258501B2 (ja) 1987-12-07

Family

ID=11724360

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58009584A Granted JPS59135468A (ja) 1983-01-24 1983-01-24 露光用マスク

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59135468A (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60135949A (ja) * 1983-12-23 1985-07-19 Matsushita Electric Works Ltd 光成形体の製造方法
US4865952A (en) * 1986-09-20 1989-09-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of forming a T-shaped control electrode through an X-ray mask
JPH08314113A (ja) * 1995-05-17 1996-11-29 Fujitsu Ltd マスク及びこれを使用して形成されるプリント基板
CN103345118A (zh) 2013-07-05 2013-10-09 深圳市华星光电技术有限公司 光罩、玻璃基板及其制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS533069A (en) * 1976-06-29 1978-01-12 Nec Corp Photoetching mask
JPS55161240A (en) * 1979-06-04 1980-12-15 Dainippon Printing Co Ltd Photomask
JPS5764739A (en) * 1980-10-09 1982-04-20 Dainippon Printing Co Ltd Photomask substrate and photomask
JPS5745650B2 (ja) * 1979-03-30 1982-09-29

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5745650U (ja) * 1980-08-29 1982-03-13

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS533069A (en) * 1976-06-29 1978-01-12 Nec Corp Photoetching mask
JPS5745650B2 (ja) * 1979-03-30 1982-09-29
JPS55161240A (en) * 1979-06-04 1980-12-15 Dainippon Printing Co Ltd Photomask
JPS5764739A (en) * 1980-10-09 1982-04-20 Dainippon Printing Co Ltd Photomask substrate and photomask

Also Published As

Publication number Publication date
JPS59135468A (ja) 1984-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI363247B (ja)
US20050053844A1 (en) Gray scale all-glass photomasks
JPH06348032A (ja) レジストパターンの形成方法
JPH0690505B2 (ja) ホトマスク
KR880008058A (ko) 투과율 변조형 포토 마스크 제조방법 및 이를 이용한 회절격자 제조방법
JP2564337B2 (ja) マスク及びパターン転写方法並びに半導体集積回路の製造方法
JPH10186632A (ja) ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク
JPS6258501B2 (ja)
US6261725B1 (en) Phase angle modulation of PSM by chemical treatment method
US5798203A (en) Method of making a negative photoresist image
JPS6136748A (ja) 露光用マスク
JPH02207252A (ja) パターン形成用フォトマスク
JP4325192B2 (ja) ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク
JPS59155839A (ja) パタ−ン転写用マスク
JP3273986B2 (ja) 光露光用マスク板及びその製造方法
JPS60128448A (ja) フオトマスク
JPH04247456A (ja) 露光用マスク
JPS6336659B2 (ja)
JP2791757B2 (ja) 半導体マスク及びその製造方法
JPS60144939A (ja) 露光用マスク
JPS63289817A (ja) パタ−ンの形成方法
KR910006525Y1 (ko) 패턴 형성용 마스크
JPH03191348A (ja) 縮小投影露光用レティクル
KR20030083234A (ko) 웨이브 가이드형 교번 위상 반전 마스크 및 그 제조방법
JPS59200241A (ja) コンタクトプリンタ