JPS59200241A - コンタクトプリンタ - Google Patents

コンタクトプリンタ

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Publication number
JPS59200241A
JPS59200241A JP58075417A JP7541783A JPS59200241A JP S59200241 A JPS59200241 A JP S59200241A JP 58075417 A JP58075417 A JP 58075417A JP 7541783 A JP7541783 A JP 7541783A JP S59200241 A JPS59200241 A JP S59200241A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light source
exposure
mask
light
dry plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58075417A
Other languages
English (en)
Inventor
Iwao Mori
森 「巌」
Keiji Hosoda
啓次 細田
Osamu Suzuki
修 鈴木
Tsutomu Tsukane
津金 勉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoya Corp
Original Assignee
Hoya Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoya Corp filed Critical Hoya Corp
Priority to JP58075417A priority Critical patent/JPS59200241A/ja
Publication of JPS59200241A publication Critical patent/JPS59200241A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Holders For Sensitive Materials And Originals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本光明は、半導体製造工゛稈に用いられるコピーマスク
を製造づるときに使用されるコンタクトプリンタに関丈
るものである。
従来、コピーマスクは、第1図に示す構造のコンタクト
プリンタが用いられ、密@露光により製造されていた。
第1図において、1は紫外線発光ランプ、2は放物面鏡
、3は反則ミラー、4はマスターマスク、5はフォトレ
ジストを塗布したエマルジョンマスクプレー1〜、クロ
ムマスクブランクス等の生乾板、6は光源部、7は露光
部、8は境面である。生乾板5は、紫外線発光ランプ1
より発した紫外光により露光され、その後現像、エツチ
ング、レジスト剥離を経て、コピーマスクとなる。マス
ターマスク4、生乾板5は、各々マスターマスクボルダ
−(図示せず。〉、生乾板ホルダー〈図示せず。)にセ
ットされている。従来のコンタクトプリンタは、紫外線
発光ランプ1、放物面鏡2及び反射ミラー3を有する光
源部6と、マスターマスク4及び生乾板5を有する露光
部7が、前記紫外光を通過させる隙孔を有する境面8を
介して接触又は結合している。
しかしながら、第1図に示す従来のコンタクトプリンタ
を用いてコピーマスク製造の為の露光作業を行うと、光
源部6内で紫外線梵光ランプ1により発生した熱が、境
面8を介して光源部6と露光部7が接触又は結合してい
るため、前記熱が露光部7に伝導し、露光部7内の雰囲
気の温度を上昇せしめ、マスターマスク4及び生乾板5
の>m IU安定化に対して著しく態影響を及ばず。こ
れにJ:り作成された]ビーマスクのトータルピッチ精
度が劣化し、所望のトータルピッチ精度が得られない。
らなみに、ンーダライムガラスを用いた5インチのコピ
ーマスクの設計寸法10cmのトータルピッチは、温度
が1℃変化することにより約1μ変化する。その結果製
造歩留の低下となる。さらに、従来の構造のコンタクト
プリンタでは、露光部7の温度安定化を計るために、特
に露光部7側に冷却装置を設ける等の複雑な装置を必要
とする欠点もあった。
本発明の目的は、密希露光法にJ、リコピーマスクを製
造する工程において、光源部内の紫外線発光ランプ等の
光源により発生する熱が、マスターマスク、生乾板を右
づる露光部に伝導することを防止し、トータルピッチ精
度の劣化防止、製造歩留の低−ト防Jl−等に寄与する
コンタクトブリンクを提供することである。
以下1本発明の一実施例を第2図により詳細に説明する
。1は紫外線発光ランプ、2は放物面鏡、3は反射ミラ
ー、4はマスターマスク、5は生乾板、9は紫外線発光
ランプ°1、放物面鏡2、反射ミラー3を有し、後記す
る露光部11側に向いている面に、後記する光源部側透
光面10を右づる光源部、10は紫外線発光ランプ1よ
り発した紫外光を、後記する露光部11に出用覆るため
の光源部側透光面(例えば石英ガラス。)、11はマス
ターマスク4、生乾板(例えばフォトレジストを塗布し
た5インチのクロムマスクブランクス。)5を有し、前
記光源部9側に向いている而に、後記づる露光部側透光
面12を有する露光部、12は光源部側透光面10を出
射した前記紫外光を、露光部11に入用させるための露
光部側透光面(例えば石英カラス。)である。光源部つ
と露光部11とは距離(約100Illで分1111f
設置し、露光部11は光源部側透光面10より出用した
前記紫外光を、露光部側透光面12により入射しうる位
置に設置する。
次に、本発明による動作を前記−実fI色例に基づぎ説
明する。先ず、紫外線発光ランプ1より発した紫外光は
、放物面鏡により反射ミラー3に出用    ・する。
次に、前記紫外光は反則ミν一により紫外光透過率の高
い石英ガラスで作成された光源部側透光面10に達し、
前記光源部側透光面10を出用し1=前記紫外光は、光
源部側透光面10より約10cm稈度離れている露光部
11に設けられた露光部側透光面(石英ガラス)12よ
り露光部11に入射づる。次に、マスターマスクホルダ
ー(図示せず。)にセラ1〜されたマスターマスク4の
背面より前記紫外光を照射し、生乾板ホルダー(図示せ
ず。)にセットされたマスターマスク4に密着している
生乾板(フォトレジストを塗布した5インチのクロムマ
スクブランクス)5を露光する。その後、露光された生
乾板5を現像、エツチング、レジスト剥離を経て、前記
生乾板はコピーマスクとなる。前記の一実施例によって
作成された5インチのコピーマスクの1−一タルピンチ
精度は0.1μであり、従来のコンタクトプリンタて作
成した5インチのコピーマスクの1−一タルピッチ精度
3μと比較して、数段トータルピッチ精度は向上した。
本発明は以上の一実施例に限定されず、光源部は、露光
に使用される光#t(前記一実施例ては紫外線発光ラン
プ。)を少なくとも有していればよく、露光部も、マス
ターマスク及び生乾板を少なくとも有していればよい。
例えば、前記の一実施例で反射ミラーは、光源部に設置
っていたが、露光部に設(プてもよい。次に、光源部側
透光面及び露光部側透光面は、前記一実施例では石英ガ
ラスを用いたが、何らこれに限定されることなく露光に
使用される光の透過率が高い材質であればよく、又はイ
ンテグレータであってもよい。また、前記一実施例では
、光源部側透光面又は露光部側透光面を各々有した光源
部、露光部であるが、何らこれに限定されることなく第
3図に示すように、光源部9又は露光部11に各々、紫
外光か出用りる隙孔13又は前記紫外光か入射する隙孔
14を有していてもよい。次に、光源部と露光部を分離
設置+F! ’lる距離は、露光に使用される光源より
の発熱量、所望されるコピーマスクのトータルピッチ精
度により決定すればよい。
次に、第4図に示ずJ:うに、光源部9の光源部側透光
面10を挾む側面の延長上に露光部11を設置してbよ
い。さらに、本発明により使用されるマスターマスクは
、ザブマスターマスクに対しては、マスターマスクであ
るが、ワークコピーマスクに対してはサブマスターマス
クが本発明により使用されるマスターマスクどなる。ま
た、本発明により1 ylされるコピーマスクは、マス
ターマスクが本発明にJ:り使用されるマスターマスク
のときはサブマスターマスクとなり、サブマスターマス
クが、本発明ににり使用されるマスターマスクのときは
ワークコピーマスクが本発明により製造されるコピーマ
スクとなる。
以上のJこうに、本発明によれば、コンタクトプリンタ
を用いて密着露光を行うとき、紫外線発光ランプ等の光
源より発生した熱を、マスターマスク、生乾板を含めた
露光部に伝導づ゛ることを防止し、コピーマスクのトー
タルピッチ精度の向上、コピーマスクの製造歩留の向上
に効果があった。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のコンタク1〜プリンタの一例を示す図、
第2図、第3図、第4図は本発明の一例を示す図。 1・・・紫外線発光ランプ、2・・・故、物面鏡、3・
・・反則ミラー、4・・・マスターマスク、5・・・生
乾板、6,9・・・光源部、7.11・・・露光部、8
・・・境面、10・・・光源部側透光面、12・・・露
光部測道光面、13.14・・・隙孔

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 少なくとも光源を有する光凱部と少なくともマ
    スターマスク及び生乾板を有する露光部を分離設置し、
    前記光源部及び前記露光部の一側面に、前記生乾板を露
    光させるための光を通過させる箇所を設(Jていること
    を特徴とするコンタクトプリンタ。
JP58075417A 1983-04-28 1983-04-28 コンタクトプリンタ Pending JPS59200241A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58075417A JPS59200241A (ja) 1983-04-28 1983-04-28 コンタクトプリンタ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58075417A JPS59200241A (ja) 1983-04-28 1983-04-28 コンタクトプリンタ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59200241A true JPS59200241A (ja) 1984-11-13

Family

ID=13575580

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58075417A Pending JPS59200241A (ja) 1983-04-28 1983-04-28 コンタクトプリンタ

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JP (1) JPS59200241A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61185333A (ja) * 1985-02-12 1986-08-19 Ulvac Corp 光助勢表面化学反応装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4958770A (ja) * 1972-10-04 1974-06-07
JPS50766A (ja) * 1973-05-02 1975-01-07
JPS5543844A (en) * 1978-09-25 1980-03-27 Hitachi Ltd Method and apparatus for photoresist sensitizing process

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4958770A (ja) * 1972-10-04 1974-06-07
JPS50766A (ja) * 1973-05-02 1975-01-07
JPS5543844A (en) * 1978-09-25 1980-03-27 Hitachi Ltd Method and apparatus for photoresist sensitizing process

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61185333A (ja) * 1985-02-12 1986-08-19 Ulvac Corp 光助勢表面化学反応装置

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