JP2003139921A - 光拡散性基板およびその製造方法 - Google Patents
光拡散性基板およびその製造方法Info
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- JP2003139921A JP2003139921A JP2001334991A JP2001334991A JP2003139921A JP 2003139921 A JP2003139921 A JP 2003139921A JP 2001334991 A JP2001334991 A JP 2001334991A JP 2001334991 A JP2001334991 A JP 2001334991A JP 2003139921 A JP2003139921 A JP 2003139921A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 最小表示画素サイズが異なる機種を作製する
場合においても拡散性能を落とすことのない光拡散性基
板を提供する。 【解決手段】 液晶表示パネル用の透明基板上に感光性
樹脂を塗布し、露光マスクを介して上記感光性樹脂を露
光した後、現像して微細な凹凸からなる拡散パターンを
有する拡散層を形成する拡散性基板の製造方法におい
て、上記露光マスクのマスクパターンは、ビーム描画機
で所定サイズの基本パターンＢＰを繰り返し描画して作
製され、隣接する上記基本パターン間の境界部分に１〜
５μｍ幅の空間ＢＬを設ける。
場合においても拡散性能を落とすことのない光拡散性基
板を提供する。 【解決手段】 液晶表示パネル用の透明基板上に感光性
樹脂を塗布し、露光マスクを介して上記感光性樹脂を露
光した後、現像して微細な凹凸からなる拡散パターンを
有する拡散層を形成する拡散性基板の製造方法におい
て、上記露光マスクのマスクパターンは、ビーム描画機
で所定サイズの基本パターンＢＰを繰り返し描画して作
製され、隣接する上記基本パターン間の境界部分に１〜
５μｍ幅の空間ＢＬを設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射型もしくは半
透過型液晶表示パネルに用いられる内面反射用の光拡散
性基板およびその製造方法に関するものである。
透過型液晶表示パネルに用いられる内面反射用の光拡散
性基板およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】反射型もしくは半透過型の液晶表示パネ
ルには、通常、そのパネル内面に拡散層が設けられてい
るが、その拡散層を形成するにあたっては、多くの場
合、一方の透明基板上に感光性樹脂を一様に塗布し、そ
の上に露光マスクを配置して、フレネル回折およびコリ
メーションアングルによる露光光のエネルギー分布を利
用した露光機（例えば、プロキシミティーギャップ型一
括露光機）にて露光した後、現像して微細な凹凸からな
る拡散パターンを有する拡散層を形成するようにしてい
る。
ルには、通常、そのパネル内面に拡散層が設けられてい
るが、その拡散層を形成するにあたっては、多くの場
合、一方の透明基板上に感光性樹脂を一様に塗布し、そ
の上に露光マスクを配置して、フレネル回折およびコリ
メーションアングルによる露光光のエネルギー分布を利
用した露光機（例えば、プロキシミティーギャップ型一
括露光機）にて露光した後、現像して微細な凹凸からな
る拡散パターンを有する拡散層を形成するようにしてい
る。
【０００３】この種のフォトリソ方式に用いられる露光
マスクのマスクパターンには、きわめて高い描画精度が
要求されるため、その描画機には、エレクトロンビーム
描画機やレーザービーム描画機が用いられている。
マスクのマスクパターンには、きわめて高い描画精度が
要求されるため、その描画機には、エレクトロンビーム
描画機やレーザービーム描画機が用いられている。
【０００４】例えば、エレクトロンビーム描画機にてマ
スクパターンを形成するには、ガラス基板上に例えばク
ロム皮膜を形成したブランクスにフォトレジストを塗布
し、エレクトロンビームを例えば横方向（Ｘ軸方向）に
所定の範囲（これを描画フレーム幅と言う。）にわたっ
て走査して１行分描画した後、エレクトロンビームを縦
方向（Ｙ軸方向）に１行ずらせて描画する。
スクパターンを形成するには、ガラス基板上に例えばク
ロム皮膜を形成したブランクスにフォトレジストを塗布
し、エレクトロンビームを例えば横方向（Ｘ軸方向）に
所定の範囲（これを描画フレーム幅と言う。）にわたっ
て走査して１行分描画した後、エレクトロンビームを縦
方向（Ｙ軸方向）に１行ずらせて描画する。
【０００５】これを描画枠内の所定行数分繰り返し、そ
れが終了すると、エレクトロンビームを隣接する次の描
画枠に移動し、同様な描画を実行する。このように、エ
レクトロンビーム描画機には、ラスタースキャン方式に
代表される周期構造が採用されているが、これはデータ
処理能力上、一度に描画可能な描画枠が制限されている
からである。
れが終了すると、エレクトロンビームを隣接する次の描
画枠に移動し、同様な描画を実行する。このように、エ
レクトロンビーム描画機には、ラスタースキャン方式に
代表される周期構造が採用されているが、これはデータ
処理能力上、一度に描画可能な描画枠が制限されている
からである。
【０００６】レーザービーム描画機においても、基本的
にはエレクトロンビーム描画機と同様で、一つの描画枠
を基本サイズとして、これを繰り返すことにより、マス
クパターンが形成される。
にはエレクトロンビーム描画機と同様で、一つの描画枠
を基本サイズとして、これを繰り返すことにより、マス
クパターンが形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、モアレのな
い良好な反射特性を得るには、拡散層は、表示の最小単
位である１画素に対応する大きさを１ブロックとして、
その拡散パターンを設計することが好ましいとされてい
る。ここで、１画素とはＲ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタで
言えば、その各々が１画素を構成する。
い良好な反射特性を得るには、拡散層は、表示の最小単
位である１画素に対応する大きさを１ブロックとして、
その拡散パターンを設計することが好ましいとされてい
る。ここで、１画素とはＲ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタで
言えば、その各々が１画素を構成する。
【０００８】そのため、露光マスクの基本パターンサイ
ズも、表示の最小単位である１画素サイズと約数もしく
は倍数的な関係として設計されるが、従来においては、
最小表示画素サイズが異なるたびに、それに合わせて露
光マスクの基本パターンを最初から設計し直さなくては
ならず、これには多大な労力と時間を要する。
ズも、表示の最小単位である１画素サイズと約数もしく
は倍数的な関係として設計されるが、従来においては、
最小表示画素サイズが異なるたびに、それに合わせて露
光マスクの基本パターンを最初から設計し直さなくては
ならず、これには多大な労力と時間を要する。
【０００９】この問題を解決するため、予め大きな元パ
ターンを作成しておき、所定の画素サイズに対応する基
本パターンを切り取って、当該基本パターンを周期的に
並べるということも検討されている。しかし、この方法
では、図９に示すように、隣接する基本パターンＢＰ、
ＢＰ間の境界部分のパターンＰ２、Ｐ２同士がつながっ
て一つの大きなパターンＬＰが発生することがある。そ
の結果、所定の拡散性能が出にくくなることがあった。
ターンを作成しておき、所定の画素サイズに対応する基
本パターンを切り取って、当該基本パターンを周期的に
並べるということも検討されている。しかし、この方法
では、図９に示すように、隣接する基本パターンＢＰ、
ＢＰ間の境界部分のパターンＰ２、Ｐ２同士がつながっ
て一つの大きなパターンＬＰが発生することがある。そ
の結果、所定の拡散性能が出にくくなることがあった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、最小表
示画素サイズが異なる機種に応じて、拡散層形成用露光
マスクのマスクパターンを容易に作製することができ、
さらに、拡散性能を落とすことのない光拡散性基板を提
供することができる。
示画素サイズが異なる機種に応じて、拡散層形成用露光
マスクのマスクパターンを容易に作製することができ、
さらに、拡散性能を落とすことのない光拡散性基板を提
供することができる。
【００１１】そのため、光拡散性基板に係る本発明は、
液晶表示パネル用の透明基板上に微細な凹凸からなる拡
散パターンを有する拡散層が形成された光拡散性基板に
おいて、上記拡散層には所定サイズの光散乱単位が周期
的に配設され、上記光散乱単位間の境界部分に拡散パタ
ーンが形成されない非拡散パターン帯を設けたことを特
徴としている。
液晶表示パネル用の透明基板上に微細な凹凸からなる拡
散パターンを有する拡散層が形成された光拡散性基板に
おいて、上記拡散層には所定サイズの光散乱単位が周期
的に配設され、上記光散乱単位間の境界部分に拡散パタ
ーンが形成されない非拡散パターン帯を設けたことを特
徴としている。
【００１２】この構成によれば、光散乱単位間に非拡散
パターン帯が設けられているので、拡散パターンが必要
以上に大きくなることはなく、所定の拡散性能を得るこ
とができる。また、上記非拡散パターン帯の幅は１〜５
μｍとすることが好ましい。
パターン帯が設けられているので、拡散パターンが必要
以上に大きくなることはなく、所定の拡散性能を得るこ
とができる。また、上記非拡散パターン帯の幅は１〜５
μｍとすることが好ましい。
【００１３】さらに、好ましい態様によれば、微細な凹
凸からなる拡散パターンが簡便に、規則正しく得られる
ように、上記拡散層は特定の露光マスクを用いて露光さ
れた感光性樹脂からなるものとする。
凸からなる拡散パターンが簡便に、規則正しく得られる
ように、上記拡散層は特定の露光マスクを用いて露光さ
れた感光性樹脂からなるものとする。
【００１４】また、光拡散性基板の製造方法に係る発明
は、液晶表示パネル用の透明基板上に感光性樹脂を塗布
し、露光マスクを介して上記感光性樹脂を露光した後、
現像して微細な凹凸からなる拡散パターンを有する拡散
層を形成する拡散性基板の製造方法において、上記露光
マスクのマスクパターンは、所定サイズの基本パターン
を繰り返し配列して作製され、隣接する上記基本パター
ン間の境界部分に１〜５μｍ幅の空間が設けられている
ことを特徴としている。
は、液晶表示パネル用の透明基板上に感光性樹脂を塗布
し、露光マスクを介して上記感光性樹脂を露光した後、
現像して微細な凹凸からなる拡散パターンを有する拡散
層を形成する拡散性基板の製造方法において、上記露光
マスクのマスクパターンは、所定サイズの基本パターン
を繰り返し配列して作製され、隣接する上記基本パター
ン間の境界部分に１〜５μｍ幅の空間が設けられている
ことを特徴としている。
【００１５】この構成によれば、所定の拡散性能を有す
る光拡散性基板を容易に作成することができる。また、
本発明の好ましい態様によれば、モアレ発生のない光拡
散性基板が得られるように、上記基本パターンを上記液
晶表示パネルの最小表示画素に対応するように形成す
る。さらに、マスクパターンの精度を向上させるため
に、上記露光マスクのマスクパターンをビーム描画機で
描画して形成する。
る光拡散性基板を容易に作成することができる。また、
本発明の好ましい態様によれば、モアレ発生のない光拡
散性基板が得られるように、上記基本パターンを上記液
晶表示パネルの最小表示画素に対応するように形成す
る。さらに、マスクパターンの精度を向上させるため
に、上記露光マスクのマスクパターンをビーム描画機で
描画して形成する。
【００１６】
【発明の実施の形態】まず、図２の模式図により、露光
マスクのマスクパターン作製用の描画機１０の構成を概
略的に説明する。
マスクのマスクパターン作製用の描画機１０の構成を概
略的に説明する。
【００１７】この描画機１０は、露光マスク２０となる
ブランクス２１にビームを照射するビーム照射ヘッド１
１と、同ビーム照射ヘッド１１を制御する描画制御手段
としてのＣＰＵ１２と、描画データ（アパーチャ作成デ
ータ）が出力されるメモリ１３と、操作部１４とを備え
ている。この実施形態において、描画機１０はエレクト
ロンビーム描画機、レーザービーム描画機のいずれであ
ってもよい。
ブランクス２１にビームを照射するビーム照射ヘッド１
１と、同ビーム照射ヘッド１１を制御する描画制御手段
としてのＣＰＵ１２と、描画データ（アパーチャ作成デ
ータ）が出力されるメモリ１３と、操作部１４とを備え
ている。この実施形態において、描画機１０はエレクト
ロンビーム描画機、レーザービーム描画機のいずれであ
ってもよい。
【００１８】ブランクス２１は、ガラス基板２２上に例
えばクロム皮膜２３を形成したものからなり、クロム皮
膜２３上にはフォトレジスト２４が塗布されている。操
作部１４により、形成すべき露光マスクの基本パターン
サイズなどの初期条件が設定されると、ＣＰＵ１２はメ
モリ１３から描画データを読み出し、ビーム照射ヘッド
１１からビームを照射させ、例えばラスタスキャン方式
にて所定のアパーチャ図形を描画する。
えばクロム皮膜２３を形成したものからなり、クロム皮
膜２３上にはフォトレジスト２４が塗布されている。操
作部１４により、形成すべき露光マスクの基本パターン
サイズなどの初期条件が設定されると、ＣＰＵ１２はメ
モリ１３から描画データを読み出し、ビーム照射ヘッド
１１からビームを照射させ、例えばラスタスキャン方式
にて所定のアパーチャ図形を描画する。
【００１９】この描画後、ビーム照射により可溶とされ
たフォトレジスト２４を現像して除去し、露出されたク
ロム皮膜２２をエッチングにて除去することにより、図
３に示すように、多数のアパーチャ（光透過部）２５を
有する露光マスク２０が得られる。
たフォトレジスト２４を現像して除去し、露出されたク
ロム皮膜２２をエッチングにて除去することにより、図
３に示すように、多数のアパーチャ（光透過部）２５を
有する露光マスク２０が得られる。
【００２０】次に、図４を参照して、液晶表示パネル１
の最小表示画素サイズと、露光マスク２０の基本パター
ンサイズとの関係について説明する。図４（ａ）に示す
ように、液晶表示パネル１に例えばカラーフィルタのカ
ラー要素であるＲ，Ｇ，Ｂが形成されているとすると、
その一つ一つが最小表示画素１ａである。
の最小表示画素サイズと、露光マスク２０の基本パター
ンサイズとの関係について説明する。図４（ａ）に示す
ように、液晶表示パネル１に例えばカラーフィルタのカ
ラー要素であるＲ，Ｇ，Ｂが形成されているとすると、
その一つ一つが最小表示画素１ａである。
【００２１】図４（ｂ）に示すように、露光マスク２０
のマスクパターンは、上記のラスタスキャン方式などに
て繰り返し形成された基本パターンＢＰの集合体よりな
る。もちろん、このマスクパターンは露光マスクの全面
に形成する必要はなく、パネル形成領域に相当する位置
に形成されていればよい。
のマスクパターンは、上記のラスタスキャン方式などに
て繰り返し形成された基本パターンＢＰの集合体よりな
る。もちろん、このマスクパターンは露光マスクの全面
に形成する必要はなく、パネル形成領域に相当する位置
に形成されていればよい。
【００２２】また、図１に示すように、隣接する基本パ
ターンＢＰ、ＢＰ間の境界部分には１〜５μｍの空間が
設けられる。なお、この空間とは拡散パターンが形成さ
れない領域であり、光拡散性基板を作成する際に、感光
性樹脂を用いる場合、その感光性樹脂がポジ型かネガ型
かで、遮光帯とするか光透過帯とするか適宜選択でき
る。例えば、図１に示す横長の八角形パターンＰ２が遮
光パターンの場合は空間帯ＢＬを光透過帯とし、横長の
八角形パターンＰ２が開口パターンの場合は空間帯ＢＬ
を遮光帯とする。
ターンＢＰ、ＢＰ間の境界部分には１〜５μｍの空間が
設けられる。なお、この空間とは拡散パターンが形成さ
れない領域であり、光拡散性基板を作成する際に、感光
性樹脂を用いる場合、その感光性樹脂がポジ型かネガ型
かで、遮光帯とするか光透過帯とするか適宜選択でき
る。例えば、図１に示す横長の八角形パターンＰ２が遮
光パターンの場合は空間帯ＢＬを光透過帯とし、横長の
八角形パターンＰ２が開口パターンの場合は空間帯ＢＬ
を遮光帯とする。
【００２３】また、モアレのない良好な反射特性を得る
には、基本パターンサイズは最小表示画素サイズの約数
もしくは倍数的な関係にあることが好ましい。すなわ
ち、図４（ａ）と図４（ｂ）を重ねたとして、一つの最
小表示画素１ａ内に整数個の基本パターンＢＰが含まれ
るか、もしくは一つの基本パターンＢＰ内に整数個の最
小表示画素１ａが含まれることが好ましい。この実施形
態において、基本パターンＢＰと最小表示画素１ａは同
一サイズで、ともに横（Ｘ軸方向）８５μｍ×縦（Ｙ軸
方向）２５５μｍサイズとされている。
には、基本パターンサイズは最小表示画素サイズの約数
もしくは倍数的な関係にあることが好ましい。すなわ
ち、図４（ａ）と図４（ｂ）を重ねたとして、一つの最
小表示画素１ａ内に整数個の基本パターンＢＰが含まれ
るか、もしくは一つの基本パターンＢＰ内に整数個の最
小表示画素１ａが含まれることが好ましい。この実施形
態において、基本パターンＢＰと最小表示画素１ａは同
一サイズで、ともに横（Ｘ軸方向）８５μｍ×縦（Ｙ軸
方向）２５５μｍサイズとされている。
【００２４】本実施形態において、露光マスク２０のマ
スクパターンは、各サイズの基本パターンＢＰに対応で
きる元パターンデータが用いられ、その元パターンデー
タの模式図を図５（ａ）に示す。
スクパターンは、各サイズの基本パターンＢＰに対応で
きる元パターンデータが用いられ、その元パターンデー
タの模式図を図５（ａ）に示す。
【００２５】元パターンデータＯＰは、現行機種で存在
する最小表示画素サイズ（もしくは将来開発されるであ
ろう機種での最小表示画素サイズ）中の最大サイズより
も大きなサイズとして作成される。
する最小表示画素サイズ（もしくは将来開発されるであ
ろう機種での最小表示画素サイズ）中の最大サイズより
も大きなサイズとして作成される。
【００２６】この実施形態において、元パターンデータ
ＯＰは横１７５μｍ×縦５２５μｍの大きさとして作成
される。そして、図５（ｂ）に示すように、この元パタ
ーンデータＯＰから、例えば横８５μｍ×縦２５５μｍ
の基本パターンＢＰのデータを切り取り、周期的に配列
する。
ＯＰは横１７５μｍ×縦５２５μｍの大きさとして作成
される。そして、図５（ｂ）に示すように、この元パタ
ーンデータＯＰから、例えば横８５μｍ×縦２５５μｍ
の基本パターンＢＰのデータを切り取り、周期的に配列
する。
【００２７】また、元パターンデータＯＰには、視野方
向を異にしても均一な拡散特性が得られるように、図示
しない内面拡散層に異なる拡散特性を付与するための複
数種類のアパーチャ作成データが含まれている。
向を異にしても均一な拡散特性が得られるように、図示
しない内面拡散層に異なる拡散特性を付与するための複
数種類のアパーチャ作成データが含まれている。
【００２８】この実施形態において、アパーチャ作成デ
ータは２種類であって、その一つは図６（ａ）に示すよ
うに、横短軸８μｍ×縦長軸１６μｍとする縦長の八角
形パターンＰ１で、もう一つは図６（ｂ）に示すよう
に、横長軸１６μｍ×縦短軸８μｍとする横長の八角形
パターンＰ２である。
ータは２種類であって、その一つは図６（ａ）に示すよ
うに、横短軸８μｍ×縦長軸１６μｍとする縦長の八角
形パターンＰ１で、もう一つは図６（ｂ）に示すよう
に、横長軸１６μｍ×縦短軸８μｍとする横長の八角形
パターンＰ２である。
【００２９】この実施形態によると、図５（ａ）に示す
ように、元パターンデータＯＰの原点を（０，０）とし
て、同図上下方向にそって１：２に仮想的に分割され、
原点（０，０）より上の第１領域Ｍ１に縦長の八角形パ
ターンＰ１が配列されており、原点（０，０）より下側
の第２領域に横長の八角形パターンＰ２が配列されてい
る。
ように、元パターンデータＯＰの原点を（０，０）とし
て、同図上下方向にそって１：２に仮想的に分割され、
原点（０，０）より上の第１領域Ｍ１に縦長の八角形パ
ターンＰ１が配列されており、原点（０，０）より下側
の第２領域に横長の八角形パターンＰ２が配列されてい
る。
【００３０】図５（ａ）の元パターンデータＯＰから、
図５（ｂ）の基本パターンＢＰを切り取る場合、基本パ
ターンＢＰ内で、縦長の八角形パターンＰ１が占める部
分と、横長の八角形パターンＰ２が占める部分との比率
を任意に選択することができ、この実施形態では、その
比率を１：２としている。
図５（ｂ）の基本パターンＢＰを切り取る場合、基本パ
ターンＢＰ内で、縦長の八角形パターンＰ１が占める部
分と、横長の八角形パターンＰ２が占める部分との比率
を任意に選択することができ、この実施形態では、その
比率を１：２としている。
【００３１】また、透明基板上に感光性樹脂を一様に塗
布し、その上に前記露光マスク２０を配置し、プロキシ
ミティー型一括露光機にて露光した後、アルカリ溶液の
現像液で現像し、微細な凹凸からなる拡散パターンを有
する拡散層を形成して光拡散性基板を作成する。
布し、その上に前記露光マスク２０を配置し、プロキシ
ミティー型一括露光機にて露光した後、アルカリ溶液の
現像液で現像し、微細な凹凸からなる拡散パターンを有
する拡散層を形成して光拡散性基板を作成する。
【００３２】また、本実施形態で用いた感光性樹脂はポ
ジ型であり、光照射部分が、その光エネルギーの強度に
応じて、現像液に可溶となり、所定の形状、例えば緩や
か傾斜面を有するお椀形の凹部を形成することができ
る。なお、露光マスク２０に形成された基本パターンＢ
Ｐと基本パターンＢＰの境界部分には、拡散パターンが
形成できないように、光を遮る遮光帯が１〜５μｍの幅
で形成されている。また、感光性樹脂がネガ型の場合、
この境界部分を光透過帯とする。
ジ型であり、光照射部分が、その光エネルギーの強度に
応じて、現像液に可溶となり、所定の形状、例えば緩や
か傾斜面を有するお椀形の凹部を形成することができ
る。なお、露光マスク２０に形成された基本パターンＢ
Ｐと基本パターンＢＰの境界部分には、拡散パターンが
形成できないように、光を遮る遮光帯が１〜５μｍの幅
で形成されている。また、感光性樹脂がネガ型の場合、
この境界部分を光透過帯とする。
【００３３】光拡散性基板の拡散層には、露光マスク２
０に形成された基本パターンＢＰに相当する光散乱単位
が周期的に形成されており、この光散乱単位間の境界部
分には１〜５μｍの拡散パターンが形成されていない非
拡散パターン帯が配設されている。
０に形成された基本パターンＢＰに相当する光散乱単位
が周期的に形成されており、この光散乱単位間の境界部
分には１〜５μｍの拡散パターンが形成されていない非
拡散パターン帯が配設されている。
【００３４】
【実施例】図５（ａ）に示す横１７５μｍ×縦５２５μ
ｍの元パターンデータＯＰから、図５（ｂ）に示す横８
５μｍ×縦２５５μｍの基本パターンＢＰを横方向（８
５μｍ方向）に３６０個、縦方向（２５５μｍ方向）に
１６０個並べて露光マスクＡ、Ｂを作製した。
ｍの元パターンデータＯＰから、図５（ｂ）に示す横８
５μｍ×縦２５５μｍの基本パターンＢＰを横方向（８
５μｍ方向）に３６０個、縦方向（２５５μｍ方向）に
１６０個並べて露光マスクＡ、Ｂを作製した。
【００３５】露光マスクパターンＡには基本パターンＢ
Ｐ、ＢＰ間に３μｍ幅の空間帯ＢＬを設け（実施例）、
露光マスクパターンＢは空間帯なし（比較例）とした。
なお、露光マスクパターンＡ、Ｂともに、縦長の八角形
パターンＰ１が占める部分と、横長の八角形パターンＰ
２が占める部分の比率は１：２で、長八角形パターンの
部分はクロムを開口するように開口パターンとした。そ
して、この露光マスクパターンＡ、Ｂを用い、次のよう
にして拡散層付き光拡散性基板を作製した。
Ｐ、ＢＰ間に３μｍ幅の空間帯ＢＬを設け（実施例）、
露光マスクパターンＢは空間帯なし（比較例）とした。
なお、露光マスクパターンＡ、Ｂともに、縦長の八角形
パターンＰ１が占める部分と、横長の八角形パターンＰ
２が占める部分の比率は１：２で、長八角形パターンの
部分はクロムを開口するように開口パターンとした。そ
して、この露光マスクパターンＡ、Ｂを用い、次のよう
にして拡散層付き光拡散性基板を作製した。
【００３６】厚さ０．５μｍのガラス基板に拡散層用の
感光性樹脂として、ＪＳＲ社製ポジ型アクリル系レジス
トＰＣ−４１１Ｂを３．０μｍ厚に塗布し、９０℃、２
分間プリベイクした。
感光性樹脂として、ＪＳＲ社製ポジ型アクリル系レジス
トＰＣ−４１１Ｂを３．０μｍ厚に塗布し、９０℃、２
分間プリベイクした。
【００３７】次に、露光マスクパターンＡ、Ｂを用いて
露光した。露光機は日立ＤＥＣＯ社製のプロキシミティ
ギャップ型一括露光機ＬＥ−４０５０で、プロキシミテ
ィギャップ２３０μｍ、露光量６０ｍｊとした。露光
後、アルカリ性の現像液で約６０秒現像してから、２４
０℃で１時間焼成した。
露光した。露光機は日立ＤＥＣＯ社製のプロキシミティ
ギャップ型一括露光機ＬＥ−４０５０で、プロキシミテ
ィギャップ２３０μｍ、露光量６０ｍｊとした。露光
後、アルカリ性の現像液で約６０秒現像してから、２４
０℃で１時間焼成した。
【００３８】この拡散層上に、透過率が１％以下となる
ようにアルミニウムをスパッタで９０ｎｍ厚に成膜し、
その上に保護膜としてＳｉＯ２を２０ｎｍ厚に成膜し
て、光拡散性基板を得た。
ようにアルミニウムをスパッタで９０ｎｍ厚に成膜し、
その上に保護膜としてＳｉＯ２を２０ｎｍ厚に成膜し
て、光拡散性基板を得た。
【００３９】そして、この光拡散性基板に光学オイルを
塗布してから、厚さ０．５ｍｍのガラス基板でカバーし
て反射特性を測定した。測定方法は、図７に示すよう
に、光源からの光を光拡散性基板に対して−３０°の方
向から照射し、ディテクタを０〜６０°まで移動させて
反射率（％）を測定した。参照基板には、ＢａＳＯ４の
白色標準板を使用した。
塗布してから、厚さ０．５ｍｍのガラス基板でカバーし
て反射特性を測定した。測定方法は、図７に示すよう
に、光源からの光を光拡散性基板に対して−３０°の方
向から照射し、ディテクタを０〜６０°まで移動させて
反射率（％）を測定した。参照基板には、ＢａＳＯ４の
白色標準板を使用した。
【００４０】表１に、露光マスクパターンＡによる光拡
散性基板と、露光マスクパターンＢによる光拡散性基板
の各反射特性を示し、また、図８にそのグラフを示す。
散性基板と、露光マスクパターンＢによる光拡散性基板
の各反射特性を示し、また、図８にそのグラフを示す。
【００４１】
【表１】
【００４２】これによれば、境界部分に空間帯を有する
露光マスクパターンＡの方が、境界部分に空間帯のない
露光マスクパターンＢによるものよりも、全体的に反射
特性がなめらかであることが分かる。また、グレア角よ
り±１０°以上の広角側では、露光マスクパターンＡ、
即ち、光散乱単位間の境界部分に拡散パターンのない非
拡散パターン帯を設けた光拡散性基板の方が、非拡散パ
ターン帯を設けない光拡散性基板よりも１．３倍以上の
反射率が得られた。
露光マスクパターンＡの方が、境界部分に空間帯のない
露光マスクパターンＢによるものよりも、全体的に反射
特性がなめらかであることが分かる。また、グレア角よ
り±１０°以上の広角側では、露光マスクパターンＡ、
即ち、光散乱単位間の境界部分に拡散パターンのない非
拡散パターン帯を設けた光拡散性基板の方が、非拡散パ
ターン帯を設けない光拡散性基板よりも１．３倍以上の
反射率が得られた。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光拡散性
基板によれば、光散乱単位間に非拡散パターン帯が設け
られているので、拡散パターンが必要以上に大きくなる
ことはなく、所定の拡散性能を得ることができる。ま
た、上記非拡散パターン帯の幅を１〜５μｍとすること
で、さらに優れた拡散性能を有することができる。
基板によれば、光散乱単位間に非拡散パターン帯が設け
られているので、拡散パターンが必要以上に大きくなる
ことはなく、所定の拡散性能を得ることができる。ま
た、上記非拡散パターン帯の幅を１〜５μｍとすること
で、さらに優れた拡散性能を有することができる。
【００４４】また、本発明の光拡散性基板の製造方法に
よれば、所定の拡散性能を有する光拡散性基板を容易に
作成することができる。また、上記基本パターンを上記
液晶表示パネルの最小表示画素に対応するように形成す
ることで、モアレ発生のない光拡散性基板が容易に作製
することができる。また、露光マスクのマスクパターン
は元パターンデータから基本パターンデータを切り取っ
て、その基本パターンを周期的に繰り返すことで形成し
ているので、配設最小表示画素サイズが異なる機種でも
簡単に光拡散性基板を作製することができる。
よれば、所定の拡散性能を有する光拡散性基板を容易に
作成することができる。また、上記基本パターンを上記
液晶表示パネルの最小表示画素に対応するように形成す
ることで、モアレ発生のない光拡散性基板が容易に作製
することができる。また、露光マスクのマスクパターン
は元パターンデータから基本パターンデータを切り取っ
て、その基本パターンを周期的に繰り返すことで形成し
ているので、配設最小表示画素サイズが異なる機種でも
簡単に光拡散性基板を作製することができる。
【図１】本発明で用いる露光マスクの基本パターン間の
境界部分を示す拡大図。
境界部分を示す拡大図。
【図２】本発明で用いるマスクパターン作製用の描画機
を示す模式図。
を示す模式図。
【図３】上記描画機により作製された露光マスクを模式
的に示す断面図。
的に示す断面図。
【図４】液晶表示パネルの最小表示画素サイズと露光マ
スクの基本パターンサイズとの関係を示す説明図。
スクの基本パターンサイズとの関係を示す説明図。
【図５】元パターンデータと、元パターンデータから切
り取られた基本パターンとを示す模式図。
り取られた基本パターンとを示す模式図。
【図６】上記元パターンデータに含まれるパターン形状
を示す図。
を示す図。
【図７】実施例での反射率測定法の説明図。
【図８】実施例で作製した光拡散性基板の反射特性を示
すグラフ。
すグラフ。
【図９】従来の露光マスクの基本パターン間の境界部分
を示す拡大図。
を示す拡大図。
１ 液晶表示パネル
１ａ 最小表示画素
１０ 露光機
１１ ビーム照射ヘッド
１２ ＣＰＵ
１３ メモリ
１４ 操作部
２０ 露光マスク
ＢＰ 基本パターン
ＢＬ 空間帯
ＯＰ 元パターンデータ
フロントページの続き
(72)発明者 高崎 一郎
神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地
旭硝子株式会社内
Ｆターム(参考） 2H042 BA04 BA15 BA20
2H091 FA31X FA31Z FC10 GA01
LA12 LA16 LA18 LA19
2H095 BA01 BB10 BC05 BC09
2H097 AA20 JA02 LA12
Claims (6)
- 【請求項１】 液晶表示パネル用の透明基板上に微細な
凹凸からなる拡散パターンを有する拡散層が形成された
光拡散性基板において、上記拡散層には所定サイズの光
散乱単位が周期的に配設され、隣接する上記光散乱単位
間の境界部分に拡散パターンが形成されない非拡散パタ
ーン帯を設けたことを特徴とする光拡散性基板。 - 【請求項２】 上記非拡散パターン帯の幅が１〜５μｍ
である請求項１に記載の光拡散性基板。 - 【請求項３】 上記拡散層が特定の露光マスクを用いて
露光された感光性樹脂からなる請求項１または２に記載
の光拡散性基板。 - 【請求項４】 液晶表示パネル用の透明基板上に感光性
樹脂を塗布し、露光マスクを介して上記感光性樹脂を露
光した後、現像して微細な凹凸からなる拡散パターンを
有する拡散層を形成する拡散性基板の製造方法におい
て、上記露光マスクのマスクパターンは、所定サイズの
基本パターンを繰り返し配列して作製され、隣接する上
記基本パターン間の境界部分に１〜５μｍ幅の空間が設
けられていることを特徴とする光拡散性基板の製造方
法。 - 【請求項５】 上記基本パターンは、上記液晶表示パネ
ルの最小表示画素に対応するように形成する請求項４に
記載の光拡散性基板の製造方法。 - 【請求項６】 上記露光マスクのマスクパターンは、ビ
ーム描画機で描画して作製される請求項４または５に記
載の光拡散性基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001334991A JP2003139921A (ja) | 2001-10-31 | 2001-10-31 | 光拡散性基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001334991A JP2003139921A (ja) | 2001-10-31 | 2001-10-31 | 光拡散性基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003139921A true JP2003139921A (ja) | 2003-05-14 |
Family
ID=19150037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001334991A Withdrawn JP2003139921A (ja) | 2001-10-31 | 2001-10-31 | 光拡散性基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003139921A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005024601A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Toppan Printing Co Ltd | 光散乱要素を有する光学シート |
| JP2010286512A (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 防眩フィルムの製造方法、防眩フィルムおよび金型の製造方法 |
| KR101232042B1 (ko) * | 2003-11-06 | 2013-02-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크, 그 마스크를 사용하여 형성한 표시장치 |
-
2001
- 2001-10-31 JP JP2001334991A patent/JP2003139921A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005024601A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Toppan Printing Co Ltd | 光散乱要素を有する光学シート |
| JP4501369B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2010-07-14 | 凸版印刷株式会社 | 光散乱要素を有する光学シート |
| KR101232042B1 (ko) * | 2003-11-06 | 2013-02-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크, 그 마스크를 사용하여 형성한 표시장치 |
| JP2010286512A (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 防眩フィルムの製造方法、防眩フィルムおよび金型の製造方法 |
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