JPS60144939A - 露光用マスク - Google Patents
露光用マスクInfo
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- JPS60144939A JPS60144939A JP59001089A JP108984A JPS60144939A JP S60144939 A JPS60144939 A JP S60144939A JP 59001089 A JP59001089 A JP 59001089A JP 108984 A JP108984 A JP 108984A JP S60144939 A JPS60144939 A JP S60144939A
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Links
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 9
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- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
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- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は半導体装置の製造におけるフォトエツチング工
程に使用される露光用マスクに関するものである。
程に使用される露光用マスクに関するものである。
（従来技術とその問題点）
従来の露光用マスクには、素子パターンと位置合せ用パ
ターンが存在するが、この位置合せパターンは、従来、
素子パターンと同じく、照射光を透過する所謂″明部″
と照射光を透過しない所謂″暗部″とから構成されてお
り、露光・現像後のレジスト股上に素子パターンのみな
らず、位置合せ用パターンをも形成してしまう。
ターンが存在するが、この位置合せパターンは、従来、
素子パターンと同じく、照射光を透過する所謂″明部″
と照射光を透過しない所謂″暗部″とから構成されてお
り、露光・現像後のレジスト股上に素子パターンのみな
らず、位置合せ用パターンをも形成してしまう。
以下図によって説明を行う。
第１図２は従来の露光用マスクの一部の断面図を示すも
ので、■はマスク基板、２は″明部″パターン、３は素
子用″暗部パターン″、４は位置合せ用″暗部パターン
″である。例えば第２図のように半導体基板５の上にネ
ガ形レジスト膜６を形成し、これに第１図の従来型露光
用マスクを用いて、露光、現像工程を行うと、第３図に
示すように″明部パターン２、素子用″暗部″パターン
８に対応したパターン領域７．８が形成されるが、同時
に位置合せ用″暗部″パターン１０に対応したパターン
領域９も形成される。このように従来の露光用マスクで
は位置合せ用″暗部″パターンが素子用″暗部″ツクタ
ーンと同一の材質である為、フォトレジスト上に素子パ
ターンだけでなく、位置合せ用パターンに対応したパタ
ーン領域をも形成していた。
ので、■はマスク基板、２は″明部″パターン、３は素
子用″暗部パターン″、４は位置合せ用″暗部パターン
″である。例えば第２図のように半導体基板５の上にネ
ガ形レジスト膜６を形成し、これに第１図の従来型露光
用マスクを用いて、露光、現像工程を行うと、第３図に
示すように″明部パターン２、素子用″暗部″パターン
８に対応したパターン領域７．８が形成されるが、同時
に位置合せ用″暗部″パターン１０に対応したパターン
領域９も形成される。このように従来の露光用マスクで
は位置合せ用″暗部″パターンが素子用″暗部″ツクタ
ーンと同一の材質である為、フォトレジスト上に素子パ
ターンだけでなく、位置合せ用パターンに対応したパタ
ーン領域をも形成していた。
従って、位置合せパターンに対応したウェハー上のパタ
ーン領域には余分なパターン領域が形成される為、素子
の形成ができず、半導体装置の製造工程において、不利
益となる場合があった。
ーン領域には余分なパターン領域が形成される為、素子
の形成ができず、半導体装置の製造工程において、不利
益となる場合があった。
（発明の構成）
本発明は同一のマスク基板上に″明部″ツクターン、″
暗部″パターンの他に可視光に対して、一定の反射率を
有し、フォトエツチング工程に使用される紫外光に対し
て透明であるような材料で形成された位置合せパターン
を作成することによって位置合せパターンによって位置
合せが可能でありながら、露光後のレジスト膜上に位置
合せ用ツクターンに対応したパターン領域を形成しない
ような露光用マスクを提供し、上記の従来型露光マスク
の欠点を解決するものである。
暗部″パターンの他に可視光に対して、一定の反射率を
有し、フォトエツチング工程に使用される紫外光に対し
て透明であるような材料で形成された位置合せパターン
を作成することによって位置合せパターンによって位置
合せが可能でありながら、露光後のレジスト膜上に位置
合せ用ツクターンに対応したパターン領域を形成しない
ような露光用マスクを提供し、上記の従来型露光マスク
の欠点を解決するものである。
以下本発明の詳細を図面を用いて説明する。
第４図は、本発明の露光用マスク要部の断面図であり、
マスク基板１に″明部″パターン２、″暗部″パターン
３、および可視光に対して一定の反射率を有し、フォト
エツチング工程に使用される紫外光に対して透明である
ような材料で形成された位置合せパターン１０（以下位
置合せパターン１０または１０’と記す）を構成したも
のである。
マスク基板１に″明部″パターン２、″暗部″パターン
３、および可視光に対して一定の反射率を有し、フォト
エツチング工程に使用される紫外光に対して透明である
ような材料で形成された位置合せパターン１０（以下位
置合せパターン１０または１０’と記す）を構成したも
のである。
該マスクを用いてフォトレジスト膜に対して、従来の露
光用マスクに対するものと同一の露光処理を施すと、″
明部″パターン２に対応したフォトレジスト膜は、十分
な露光量の照射を受け、″暗部″パターン３に対応した
フォトレジスト膜はほとんど照射を受けない。一方、位
置合せパターン１０はマスク合せ時には、可視光をある
程度反射する為、目視できるが、露光時には紫外光に対
して透明であるため、位置合せパターンｌＯに対応した
フォトレジスト膜は十分な露光量の照射をうけることに
なる。
光用マスクに対するものと同一の露光処理を施すと、″
明部″パターン２に対応したフォトレジスト膜は、十分
な露光量の照射を受け、″暗部″パターン３に対応した
フォトレジスト膜はほとんど照射を受けない。一方、位
置合せパターン１０はマスク合せ時には、可視光をある
程度反射する為、目視できるが、露光時には紫外光に対
して透明であるため、位置合せパターンｌＯに対応した
フォトレジスト膜は十分な露光量の照射をうけることに
なる。
即ち、第２図のように、半導体基板５の上に形成したネ
ガレジスト膜に対し１．第４・図に示した露光用マスク
を用いて露光処理を施し、次いで現像処理を施すと、第
５図に示す如＜″明部″パターン２、及び″暗部″パタ
ーン８に対応してそれぞれ７及び８のようなパターン領
域が形成されるが、位置合せパターン１０に対応したパ
ターン領域は形成されない。
ガレジスト膜に対し１．第４・図に示した露光用マスク
を用いて露光処理を施し、次いで現像処理を施すと、第
５図に示す如＜″明部″パターン２、及び″暗部″パタ
ーン８に対応してそれぞれ７及び８のようなパターン領
域が形成されるが、位置合せパターン１０に対応したパ
ターン領域は形成されない。
本発明の露光用マスクは例えば次のようにして製作する
ことができる。第６図のマスク基板１の表面上にクロム
層または酸化鉄屑などによる通常のパターンの″明部″
２′及び″暗部″３′を形成し、その後膜厚ｑｏｏ’ｈ
程度の５ｉｓＮ＋膜をプラズマＣＶＤ法により形成する
。この上うにして形成した５ｉｓＮ４膜の屈折率は通常
１．８程度であるから、例えば可視光の５０００λ付近
の光が、この薄膜を通り、マスク基板へ透過する際の反
射率は、通常のマスク基板の屈折率を約１．５ とし、
多重反射を考慮した場合、１３％程度となる。この時、
露光に用いら庇る８５００〜４ｏｏｏＸ付近の紫外光の
透過率は９θ％程度となるから、この薄膜は可視光に対
して一定の反射率を有し、フォトエツチング工程で使用
される紫外光に対してはほとんど透明となり、本発明で
必要とされる特性を満している。
ことができる。第６図のマスク基板１の表面上にクロム
層または酸化鉄屑などによる通常のパターンの″明部″
２′及び″暗部″３′を形成し、その後膜厚ｑｏｏ’ｈ
程度の５ｉｓＮ＋膜をプラズマＣＶＤ法により形成する
。この上うにして形成した５ｉｓＮ４膜の屈折率は通常
１．８程度であるから、例えば可視光の５０００λ付近
の光が、この薄膜を通り、マスク基板へ透過する際の反
射率は、通常のマスク基板の屈折率を約１．５ とし、
多重反射を考慮した場合、１３％程度となる。この時、
露光に用いら庇る８５００〜４ｏｏｏＸ付近の紫外光の
透過率は９θ％程度となるから、この薄膜は可視光に対
して一定の反射率を有し、フォトエツチング工程で使用
される紫外光に対してはほとんど透明となり、本発明で
必要とされる特性を満している。
この薄膜に対してエツチングにより位置合せノ々ターン
１０′を形成し、第４図に相当するような露光マスクを
製作することができる。
１０′を形成し、第４図に相当するような露光マスクを
製作することができる。
（発明の効果）
このような露光用マスクにおいては、すでに形成した素
子パターンのうち、次のフォトエツチング工程において
、その上にパターンを形成しないような素子パターンに
なら、どれに対しても、それに合せて位置合せパターン
を形成することができ露光用マスクバクーン設計の自由
度が広がる。
子パターンのうち、次のフォトエツチング工程において
、その上にパターンを形成しないような素子パターンに
なら、どれに対しても、それに合せて位置合せパターン
を形成することができ露光用マスクバクーン設計の自由
度が広がる。
また、ウェハー上に素子の形成ができないような特別な
位置合せパターン領域を形成しないため歩留の向上が見
込めるなど半導体装置の製造工程において極めて大なる
効果を奏するものである。
位置合せパターン領域を形成しないため歩留の向上が見
込めるなど半導体装置の製造工程において極めて大なる
効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の露光用マスクの断面図、第２図第３図は
従来の露光用マスクの使用例を説明する為の断面図、第
４図は本発明の露光用マスクの断面図、第５図は本発明
の露光用マスクの使用例を説明する為の断面図、第６図
は本発明の露光用マスクの製作例を示すための断面図で
ある。 ｌ・・・マスク基板、２．２’・・・ ″明部″パター
ン、８．３′−・・素子用″暗部″パターン、４・・・
従来の露光用マスクの位置合せ用″暗部″パターン、５
・・・半導体基板、６・・・ネガ型フォトレジスト膜、
７・・・ ″明部″パターンに対応したレジストパター
ン領域、８・・・素子用″暗部″パターンに対応したレ
ジストパターン領域、９・・・位置合せ用″暗部″パタ
ーンに対応したレジストパターン領域、１０．１０’・
・・可視光に対し、一定の反射率を有し、フォトエツチ
ング工程に使用される紫外光に対して透明であるような
材料で形成された位置合せパターン。
従来の露光用マスクの使用例を説明する為の断面図、第
４図は本発明の露光用マスクの断面図、第５図は本発明
の露光用マスクの使用例を説明する為の断面図、第６図
は本発明の露光用マスクの製作例を示すための断面図で
ある。 ｌ・・・マスク基板、２．２’・・・ ″明部″パター
ン、８．３′−・・素子用″暗部″パターン、４・・・
従来の露光用マスクの位置合せ用″暗部″パターン、５
・・・半導体基板、６・・・ネガ型フォトレジスト膜、
７・・・ ″明部″パターンに対応したレジストパター
ン領域、８・・・素子用″暗部″パターンに対応したレ
ジストパターン領域、９・・・位置合せ用″暗部″パタ
ーンに対応したレジストパターン領域、１０．１０’・
・・可視光に対し、一定の反射率を有し、フォトエツチ
ング工程に使用される紫外光に対して透明であるような
材料で形成された位置合せパターン。
Claims (1)
- （１）可視光に対して一定の反射率を有し、フォトエツ
チング工程に使用される紫外光に対して透明であるよう
な材料で形成された位置合せパターンを有することを特
徴とする露光用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59001089A JPS60144939A (ja) | 1984-01-07 | 1984-01-07 | 露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59001089A JPS60144939A (ja) | 1984-01-07 | 1984-01-07 | 露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60144939A true JPS60144939A (ja) | 1985-07-31 |
Family
ID=11491770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59001089A Pending JPS60144939A (ja) | 1984-01-07 | 1984-01-07 | 露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60144939A (ja) |
-
1984
- 1984-01-07 JP JP59001089A patent/JPS60144939A/ja active Pending
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