JPS5893052A - ホトマスク - Google Patents
ホトマスクInfo
- Publication number
- JPS5893052A JPS5893052A JP56192128A JP19212881A JPS5893052A JP S5893052 A JPS5893052 A JP S5893052A JP 56192128 A JP56192128 A JP 56192128A JP 19212881 A JP19212881 A JP 19212881A JP S5893052 A JPS5893052 A JP S5893052A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- quartz glass
- impurities
- far ultraviolet
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/76—Patterning of masks by imaging
- G03F1/78—Patterning of masks by imaging by charged particle beam [CPB], e.g. electron beam patterning of masks
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体用ホトマスクに関する。特に、遠紫外ホ
トリソグラフィにおけるホトマスクにおいて有効である
。
トリソグラフィにおけるホトマスクにおいて有効である
。
従来遠紫外ホトマスクは良質の石英ガラス基板に膜厚５
００１以上のクロム膜を付着させ、フォトエツチングに
よりパターンを形成して構成されるのが通例であった。
００１以上のクロム膜を付着させ、フォトエツチングに
よりパターンを形成して構成されるのが通例であった。
しかるに厚いクロム膜をエツチングしてホトマスクパタ
ーンを構成する場合は湿式法ではアンダカットが大きく
、乾式法ではプラズマやスパッタによる損傷のため基板
が遠紫外に対し不透明になるという欠点があり、サブミ
クロン半導体製造に要求される精密性を十分満足するも
のではなかった。
ーンを構成する場合は湿式法ではアンダカットが大きく
、乾式法ではプラズマやスパッタによる損傷のため基板
が遠紫外に対し不透明になるという欠点があり、サブミ
クロン半導体製造に要求される精密性を十分満足するも
のではなかった。
本発明はかかる従来技術の欠点をなくするために、石英
ガラス基板には不純物が注入されてなることを特徴とし
ている。本発明の目的とするところはサブミクロン半導
体部品製造に要求される超精密性を十分満足する画像性
能を備えた遠紫外線用ホトマスクを提供することにある
。
ガラス基板には不純物が注入されてなることを特徴とし
ている。本発明の目的とするところはサブミクロン半導
体部品製造に要求される超精密性を十分満足する画像性
能を備えた遠紫外線用ホトマスクを提供することにある
。
以下実施例を用いて詳細に説明する。
第１図は従来のホトマスク製造工程であり、第３図〜第
８図は従来ホトマスクの製造工程断面図である。第３図
〜第８−図について説明する。
８図は従来ホトマスクの製造工程断面図である。第３図
〜第８−図について説明する。
石英ガラス基板１上にクロム被膜２を真空蒸着やスパッ
タリングで形成する（第４図）。ホトレジスト３を塗布
したクロムブランク板（第５図）を露光、現像して画像
パターンをつくる（第６図）。レジストのパターンが局
蔀的保護をしてエツチングによりクロムがパターニング
される（第７図）。レジストをはく離することにより従
来の遠紫外ホトマスクができる（第８図）。第７図にお
いてエツチング工程があるため、湿式法を用いた時クロ
ムのアンダカットが生じ充分な精度が得られない、一方
、乾式を用いた時、プラズマエツチングならばアンダカ
ットによる精度の低減および透明なるべき石英ガラス領
域に損傷を与え紫外線に対し不透明になる。スパッタエ
ツチングを用いた時アンダカットハないが、透明領域に
多大な損傷を与え不透明になる。従来のホトマスクには
以上のような欠点があった。 １ 第２９図は本発明の実施例でホ）−ｒスフ製造工程を示
すものである。第９図〜第１３図は本発明ホトマスクの
製造工程断面図である。第９図〜第１３図について説明
する。石英ガラス基板１上にホトレジスト３を塗布する
（第１０図）。次に露光・現像して画像パターンを形成
する（第１１図）。
タリングで形成する（第４図）。ホトレジスト３を塗布
したクロムブランク板（第５図）を露光、現像して画像
パターンをつくる（第６図）。レジストのパターンが局
蔀的保護をしてエツチングによりクロムがパターニング
される（第７図）。レジストをはく離することにより従
来の遠紫外ホトマスクができる（第８図）。第７図にお
いてエツチング工程があるため、湿式法を用いた時クロ
ムのアンダカットが生じ充分な精度が得られない、一方
、乾式を用いた時、プラズマエツチングならばアンダカ
ットによる精度の低減および透明なるべき石英ガラス領
域に損傷を与え紫外線に対し不透明になる。スパッタエ
ツチングを用いた時アンダカットハないが、透明領域に
多大な損傷を与え不透明になる。従来のホトマスクには
以上のような欠点があった。 １ 第２９図は本発明の実施例でホ）−ｒスフ製造工程を示
すものである。第９図〜第１３図は本発明ホトマスクの
製造工程断面図である。第９図〜第１３図について説明
する。石英ガラス基板１上にホトレジスト３を塗布する
（第１０図）。次に露光・現像して画像パターンを形成
する（第１１図）。
レジストのパターンを局部的保護膜としイオン加速器に
より不純物４を石英ガラス基板に注入する（第１２図）
。この時注入する不純物はなんでも良い。不純物が注入
された領域は遠紫外線に対して不透明になる。レジスト
をはく離することにより本発明による遠紫外線ホトマス
クができる（第１３図）。
より不純物４を石英ガラス基板に注入する（第１２図）
。この時注入する不純物はなんでも良い。不純物が注入
された領域は遠紫外線に対して不透明になる。レジスト
をはく離することにより本発明による遠紫外線ホトマス
クができる（第１３図）。
本発明によればホトマスクの精度は不純物注入の横波が
りだけで決まり、高精度のパターニングが可能になる。
りだけで決まり、高精度のパターニングが可能になる。
また石英ガラス基板の透明領域はレジストで保護され損
傷がなく遠紫外のシースルー性が良い。
傷がなく遠紫外のシースルー性が良い。
第１図・・・・・・従来のホトマスク製造工程第２図・
・・・・・本発明によるホトマスクの製造工程第３〜第
８図・・・・・・従来ホトアスクの製造工程断面図。 第９図〜第１３図・−・・・本発明によるホトマスクの
製造工程断面図 １・・・・・・石英ガラス基板 ２・・・・・・クロム被膜 ３・・・・・・ホトレジスト ４・・・・・・不純物 以上 第１図 第２図 ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ 口Ｏ］Ｔ口 第３図 第９図 第１０図 第１１図
・・・・・本発明によるホトマスクの製造工程第３〜第
８図・・・・・・従来ホトアスクの製造工程断面図。 第９図〜第１３図・−・・・本発明によるホトマスクの
製造工程断面図 １・・・・・・石英ガラス基板 ２・・・・・・クロム被膜 ３・・・・・・ホトレジスト ４・・・・・・不純物 以上 第１図 第２図 ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ ↓ 口Ｏ］Ｔ口 第３図 第９図 第１０図 第１１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 石英ガラス基板には部分的に不純物が注入さ
れて成ることを特徴とするホトマスク。 （怠） 石英ガラス基板には直接イオンビーム描画に
よりパターンが形成されてなることを特徴とする特１？
Ｖ−■求の範囲第−項記職のホトマスク。 （３）石英ガラス基板にはレジストパターン形成後イオ
ン加速器による不純物の注入により基板にパターンが形
成されてなることを特徴とする特許請求の範囲第一項記
載のホトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192128A JPS5893052A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | ホトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192128A JPS5893052A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | ホトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5893052A true JPS5893052A (ja) | 1983-06-02 |
Family
ID=16286135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56192128A Pending JPS5893052A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | ホトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5893052A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60502120A (ja) * | 1983-03-01 | 1985-12-05 | エスタ−ライヒッシェス フォルシュングスツェントルム ザイベルスドルフ ゲ−・エム・ベ−・ハ− | 光学的に構成されたフィルタおよびその製造方法 |
| JPH0296159A (ja) * | 1988-10-03 | 1990-04-06 | Sanyo Electric Co Ltd | フォトリソグラフィ用マスクの製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5136873A (ja) * | 1974-09-19 | 1976-03-27 | Nippon Electric Co | |
| JPS5545019A (en) * | 1978-09-25 | 1980-03-29 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Production of photo mask |
| JPS55150225A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Hitachi Ltd | Method of correcting white spot fault of photomask |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP56192128A patent/JPS5893052A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5136873A (ja) * | 1974-09-19 | 1976-03-27 | Nippon Electric Co | |
| JPS5545019A (en) * | 1978-09-25 | 1980-03-29 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Production of photo mask |
| JPS55150225A (en) * | 1979-05-11 | 1980-11-22 | Hitachi Ltd | Method of correcting white spot fault of photomask |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60502120A (ja) * | 1983-03-01 | 1985-12-05 | エスタ−ライヒッシェス フォルシュングスツェントルム ザイベルスドルフ ゲ−・エム・ベ−・ハ− | 光学的に構成されたフィルタおよびその製造方法 |
| AT382040B (de) * | 1983-03-01 | 1986-12-29 | Guenther Stangl | Verfahren zur herstellung von optisch strukturierten filtern fuer elektromagnetische strahlung und optisch strukturierter filter |
| US4686162A (en) * | 1983-03-01 | 1987-08-11 | Osterreichisches Forschungszentrum Seibersdorf Ges, Mbh | Optically structured filter and process for its production |
| JPH0296159A (ja) * | 1988-10-03 | 1990-04-06 | Sanyo Electric Co Ltd | フォトリソグラフィ用マスクの製造方法 |
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