JPH0659432A - 露光用マスク及びこれを使用した露光方法 - Google Patents
露光用マスク及びこれを使用した露光方法Info
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- JPH0659432A JPH0659432A JP20990592A JP20990592A JPH0659432A JP H0659432 A JPH0659432 A JP H0659432A JP 20990592 A JP20990592 A JP 20990592A JP 20990592 A JP20990592 A JP 20990592A JP H0659432 A JPH0659432 A JP H0659432A
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- mask
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- light shielding
- transparent material
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】エッジ透過型位相シフトマスクの製造工程にお
ける透明材料と遮光材料のパターン形成の均一性を向上
させ、かつ、露光で形成される微細線幅の制御性を向上
させる。 【構成】エッジ透過型位相シフトマスクの位相シフト部
（遮光材料部１００、透明材料部２００、透明基板部３
００）の外側に、透明材料３あるいは遮光材料２よりな
るダミーパターンを配置する。又、この露光マスクを用
いて光強度分布を解像光強度以上にすることによって遮
光材料部１００位置の微細な線幅のみを解像するための
多重露光を行う。
ける透明材料と遮光材料のパターン形成の均一性を向上
させ、かつ、露光で形成される微細線幅の制御性を向上
させる。 【構成】エッジ透過型位相シフトマスクの位相シフト部
（遮光材料部１００、透明材料部２００、透明基板部３
００）の外側に、透明材料３あるいは遮光材料２よりな
るダミーパターンを配置する。又、この露光マスクを用
いて光強度分布を解像光強度以上にすることによって遮
光材料部１００位置の微細な線幅のみを解像するための
多重露光を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、投影露光法により微細
線幅レジストパターンを形成する際、露光用マスクによ
り露光光に位相差を持たせ微細線幅パターンを形成する
露光用マスク及びこれを使用した露光方法に関する。
線幅レジストパターンを形成する際、露光用マスクによ
り露光光に位相差を持たせ微細線幅パターンを形成する
露光用マスク及びこれを使用した露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、フォトリソグラフィ技術による微
細線幅レジスタパターンの投影露光技術において、露光
光の透過光の位相差に注目した露光方法が開発されてお
り、そのひとつに、位相シフトマスク法がある。
細線幅レジスタパターンの投影露光技術において、露光
光の透過光の位相差に注目した露光方法が開発されてお
り、そのひとつに、位相シフトマスク法がある。
【０００３】位相シフトマスク法は、隣接する部分の露
光光の透過光が逆位相になるように、露光用マスク上に
透明材料を配置し、透過光の干渉により光強度のコント
ラストを向上させる方法であり、当初、レベンソン型と
呼ばれる周期的なパターンに対して開発が進められた
が、近年、孤立パターンについても各種の位相シフトマ
スク法が開発されている。この中に、エッジ透過型と呼
ばれる位相シフトマスク法がある。
光光の透過光が逆位相になるように、露光用マスク上に
透明材料を配置し、透過光の干渉により光強度のコント
ラストを向上させる方法であり、当初、レベンソン型と
呼ばれる周期的なパターンに対して開発が進められた
が、近年、孤立パターンについても各種の位相シフトマ
スク法が開発されている。この中に、エッジ透過型と呼
ばれる位相シフトマスク法がある。
【０００４】エッジ透過型位相シフトマスク法の露光用
マスクは、図７（ａ）に示すように、透明基板１上に透
明材料３がパターニングされて配置された構造を持つ。
ここで、透明材料部２００と透明基板部３００との位相
差が逆位相になるように、透明材料３の膜厚を設定す
る。透明材料部２００のエッジ位置では、透明材料部２
００よりの透過光の回折光と透明基板部３００よりの透
過光の回折光とが干渉して、通常露光法では得られない
微細な線幅を持つ光強度のコントラストが発生する。
一般に、投影露光法の限界解像度は、レイリーの式と呼
ばれる次式で表される。
マスクは、図７（ａ）に示すように、透明基板１上に透
明材料３がパターニングされて配置された構造を持つ。
ここで、透明材料部２００と透明基板部３００との位相
差が逆位相になるように、透明材料３の膜厚を設定す
る。透明材料部２００のエッジ位置では、透明材料部２
００よりの透過光の回折光と透明基板部３００よりの透
過光の回折光とが干渉して、通常露光法では得られない
微細な線幅を持つ光強度のコントラストが発生する。
一般に、投影露光法の限界解像度は、レイリーの式と呼
ばれる次式で表される。
【０００５】λ／（ＮＡ×Ｍ） （１） ここでλは露光光の波長、ＮＡは投影レンズの開口数、
Ｍは投影倍率である。又、実用的な限界解像度は、レジ
スト等の性能を考慮して、これをＫとして（Ｋ値、プロ
セスファクターと呼ばれる）次式で表される。
Ｍは投影倍率である。又、実用的な限界解像度は、レジ
スト等の性能を考慮して、これをＫとして（Ｋ値、プロ
セスファクターと呼ばれる）次式で表される。
【０００６】Ｋ×λ／（ＮＡ×Ｍ） （２） 上述した位相シフトマスク法の効果は、（２）式のＫに
含まれることが多く、（１）式は、通常露光法での光学
的な解像限界を示すために用いられることが多い。
含まれることが多く、（１）式は、通常露光法での光学
的な解像限界を示すために用いられることが多い。
【０００７】又、エッジ透過型においては、透明材料部
よりの透過光の回折光と透明基板部よりの透過光の回折
光との干渉の効果が光学的に安定であることから、
（１）式を、透明材料部と透明基板部の最小線幅の値と
することがある。
よりの透過光の回折光と透明基板部よりの透過光の回折
光との干渉の効果が光学的に安定であることから、
（１）式を、透明材料部と透明基板部の最小線幅の値と
することがある。
【０００８】上述したエッジ透過型においては、透明材
料部のエッジにおける回折を利用しているため、露光用
マスクの透明材料部のエッジの形状が解像度に大きく影
響し問題になる場合がある。このため、図８の断面図に
示すように透明材料部２００のエッジの下に遮光材料２
を配置して、エッジ形状の影響をなくす方法が提案され
ている。
料部のエッジにおける回折を利用しているため、露光用
マスクの透明材料部のエッジの形状が解像度に大きく影
響し問題になる場合がある。このため、図８の断面図に
示すように透明材料部２００のエッジの下に遮光材料２
を配置して、エッジ形状の影響をなくす方法が提案され
ている。
【０００９】又、位相シフトマスク法では、透明材料を
配置することにより、所望しないパターンが解像するこ
とが問題になっている。この対策のひとつとして、エッ
ジ透過型において、多重露光を行うことがある。
配置することにより、所望しないパターンが解像するこ
とが問題になっている。この対策のひとつとして、エッ
ジ透過型において、多重露光を行うことがある。
【００１０】図７に、この多重露光方法の露光用マスク
の位置関係と光強度分布を示してある。
の位置関係と光強度分布を示してある。
【００１１】エッジ透過型位相シフトマスクの露光によ
り、図７（ｃ）に示すような光強度分布が生じる。ここ
で、透明材料部２００の所望のエッジ位置以外に、解像
光強度以下の光強度分布が発生している。透明材料３を
有するエッジ透過型位相シフトマスク（図７（ａ））位
置に対して、遮光材料２を有する多重露光の通常マスク
（図７（ｂ））が、透明材料部２００の所望のエッジ位
置の微細な線幅の光強度分布を遮光する幅と位置を持つ
ように目合わせ露光を行うことにより、図７（ｃ）に示
すように、所望しないパターンの合成光強度分布を解像
光強度以上にできるため、透明材料部２００の所望のエ
ッジ位置の微細な線幅のみ解像できる。
り、図７（ｃ）に示すような光強度分布が生じる。ここ
で、透明材料部２００の所望のエッジ位置以外に、解像
光強度以下の光強度分布が発生している。透明材料３を
有するエッジ透過型位相シフトマスク（図７（ａ））位
置に対して、遮光材料２を有する多重露光の通常マスク
（図７（ｂ））が、透明材料部２００の所望のエッジ位
置の微細な線幅の光強度分布を遮光する幅と位置を持つ
ように目合わせ露光を行うことにより、図７（ｃ）に示
すように、所望しないパターンの合成光強度分布を解像
光強度以上にできるため、透明材料部２００の所望のエ
ッジ位置の微細な線幅のみ解像できる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】一般に、位相シフトマ
スク法の露光用マスクの製造では、透明材料を配置する
ために、通常露光法の露光用マスクにはない透明材料の
成膜および微細加工ドライエッチング技術の確立が必要
になる。又、解像パターンの微細化に伴い、遮光材料の
加工のためのドライエッチング技術の確立が必要にな
る。
スク法の露光用マスクの製造では、透明材料を配置する
ために、通常露光法の露光用マスクにはない透明材料の
成膜および微細加工ドライエッチング技術の確立が必要
になる。又、解像パターンの微細化に伴い、遮光材料の
加工のためのドライエッチング技術の確立が必要にな
る。
【００１３】更に、エッジ透過型の露光用マスクの製造
においては、おもに孤立パターンを形成するので、パタ
ーンの粗密によるマスク内の不均一性が生じやすい。
においては、おもに孤立パターンを形成するので、パタ
ーンの粗密によるマスク内の不均一性が生じやすい。
【００１４】例えば、図７（ａ）にしめす構造の露光用
マスクでは、透明材料の微細加工ドライエッチング工程
での、粗密による透明材料部のパターンのエッチングの
深さ（すなわち、透過光の位相差）およびサイドエッチ
（透明材料部のエッジの形状、すなわち、解像線幅）の
マスク内の不均一性が生じやすい。
マスクでは、透明材料の微細加工ドライエッチング工程
での、粗密による透明材料部のパターンのエッチングの
深さ（すなわち、透過光の位相差）およびサイドエッチ
（透明材料部のエッジの形状、すなわち、解像線幅）の
マスク内の不均一性が生じやすい。
【００１５】又、図８に示したような、遮光材料を用い
たエッジ透過型の露光用マスクにおいては、透明材料の
微細加工ドライエッチング工程でのサイドエッチ（透明
材料部のエッジの形状、すなわち、解像線幅）の影響は
なくなるものの、パターンの粗密による透明材料部のエ
ッチングの深さ（すなわち、透過光の位相差）のマスク
内の不均一性の問題は改善できない。更に、この構造に
おいては、パターンの粗密による遮光材料加工のドライ
エッチング工程での遮光部の微細線幅、および、透明材
料の成膜工程での遮光部近く透明材料部の透明材料の膜
厚（すなわち、透過光の位相差）のマスク内の不均一性
の問題が新たに生じる。
たエッジ透過型の露光用マスクにおいては、透明材料の
微細加工ドライエッチング工程でのサイドエッチ（透明
材料部のエッジの形状、すなわち、解像線幅）の影響は
なくなるものの、パターンの粗密による透明材料部のエ
ッチングの深さ（すなわち、透過光の位相差）のマスク
内の不均一性の問題は改善できない。更に、この構造に
おいては、パターンの粗密による遮光材料加工のドライ
エッチング工程での遮光部の微細線幅、および、透明材
料の成膜工程での遮光部近く透明材料部の透明材料の膜
厚（すなわち、透過光の位相差）のマスク内の不均一性
の問題が新たに生じる。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の所望のパターン
の位置に遮光材料を配置したエッジ透過型位相シフト法
に用いる露光用マスクは、所望のパターンの透明材料部
と透明基板部以外に透明材料あるいは遮光材料よりなる
ダミーパターンを有しており、かつ、所望のパターンの
位置の透明材料部と透明基板部の線幅が、λ／（ＮＡ×
Ｍ）以上（但し、λは露光光の波長、ＮＡは投影レンズ
の開口数、Ｍは投影倍率）であり、かつ上記マスクの目
合わせ露光における目合わせ精度と次工程の多重露光に
おける目合わせ精度との和の２倍以上としている。
の位置に遮光材料を配置したエッジ透過型位相シフト法
に用いる露光用マスクは、所望のパターンの透明材料部
と透明基板部以外に透明材料あるいは遮光材料よりなる
ダミーパターンを有しており、かつ、所望のパターンの
位置の透明材料部と透明基板部の線幅が、λ／（ＮＡ×
Ｍ）以上（但し、λは露光光の波長、ＮＡは投影レンズ
の開口数、Ｍは投影倍率）であり、かつ上記マスクの目
合わせ露光における目合わせ精度と次工程の多重露光に
おける目合わせ精度との和の２倍以上としている。
【００１７】又、本発明の露光用マスクを用いた露光方
法は、少なくとも１回は前記露光用マスクを用いた投影
露光が含まれる多重露光工程を有する。
法は、少なくとも１回は前記露光用マスクを用いた投影
露光が含まれる多重露光工程を有する。
【００１８】
【実施例】次に本発明の第１の実施例について図面を参
照して説明する。図１（ａ），（ｂ），（ｃ）および図
２（ａ），（ｂ），（ｃ）は本発明の第１実施例の露光
用マスクの製造方法を工程順に示す断面図であり、図３
は本発明の露光用マスクによるレジストパターン形成工
程をしめすブロック図、図４（ａ），（ｂ），（ｃ），
（ｄ）は実施例１の露光用マスクと多重露光用マスクと
の相関を示す関係図である。
照して説明する。図１（ａ），（ｂ），（ｃ）および図
２（ａ），（ｂ），（ｃ）は本発明の第１実施例の露光
用マスクの製造方法を工程順に示す断面図であり、図３
は本発明の露光用マスクによるレジストパターン形成工
程をしめすブロック図、図４（ａ），（ｂ），（ｃ），
（ｄ）は実施例１の露光用マスクと多重露光用マスクと
の相関を示す関係図である。
【００１９】本実施例では、解像する微細パターンが遮
光材料部１００のみである場合を説明する。
光材料部１００のみである場合を説明する。
【００２０】本実施例における露光用マスクの製造方法
は、先ず、図１、図２に示すように、透明基板１上に遮
光材料２を成膜し、第１のレジスト４をリソグラフィ技
術でパターニングして形成する（図１（ａ））。次に、
第１のレジスト４をマスクにドライエッチング技術で遮
光材料２をパターニングし（図１（ｂ））、第１のレジ
スト４を剥離して透明材料３成膜する（図１（ｃ））。
更に、第２のレジスト５をリソグラフィ技術でパターニ
ングして形成し、第２のレジスト５をマスクにドライエ
ッチング技術で透明材料３をパターニングし（図２
（ａ））、第２のレジスト５を剥離する（図２（ｂ），
（ｃ））。
は、先ず、図１、図２に示すように、透明基板１上に遮
光材料２を成膜し、第１のレジスト４をリソグラフィ技
術でパターニングして形成する（図１（ａ））。次に、
第１のレジスト４をマスクにドライエッチング技術で遮
光材料２をパターニングし（図１（ｂ））、第１のレジ
スト４を剥離して透明材料３成膜する（図１（ｃ））。
更に、第２のレジスト５をリソグラフィ技術でパターニ
ングして形成し、第２のレジスト５をマスクにドライエ
ッチング技術で透明材料３をパターニングし（図２
（ａ））、第２のレジスト５を剥離する（図２（ｂ），
（ｃ））。
【００２１】次に、本実施例における露光用マスクを用
いたレジストパターン形成工程は、図３のブロック図に
示すように、先ず、半導体基板上にレジスト膜を形成し
（レジスト塗布）、本実施例における露光用マスクを用
いた目合わせ露光を行い（第１の露光）、更に、通常マ
スクによる目合わせ露光を行い（第２の露光）、露光後
ベークを行った後、現像を行う。以上の工程において、
第１の露光工程と第２の露光工程とが多重露光工程にな
る。
いたレジストパターン形成工程は、図３のブロック図に
示すように、先ず、半導体基板上にレジスト膜を形成し
（レジスト塗布）、本実施例における露光用マスクを用
いた目合わせ露光を行い（第１の露光）、更に、通常マ
スクによる目合わせ露光を行い（第２の露光）、露光後
ベークを行った後、現像を行う。以上の工程において、
第１の露光工程と第２の露光工程とが多重露光工程にな
る。
【００２２】ここで、図２（ｃ）に示すように必要とす
る解像微細パターンは遮光材料部１００のみであり、透
明材料部２００、透明基板部３００の各幅Ｌ２００、Ｌ
３００がλ／（ＮＡ×Ｍ）（但し、λは露光光６の波
長、ＮＡは投影レンズの開口数、Ｍは投影倍率）程度以
上であれば、従来例と同様なエッジ透過型の位相シフト
マスクとなり、遮光材料部１００、透明材料部２００、
透明基板部３００により、遮光材料部１００位置に微細
な線幅の光強度分布が得られる。又、これ以外の遮光材
料部（１２１、１２２、１２３・・・、及び、１７１、
１７２・・・）、透明基板部（３０１、３０２、３０３
・・・、及び、３５１、３５２、３５３・・・）は、光
学的に遮光材料部１００位置の微細な線幅の光強度分布
に寄与しないダミーパターンとなる。
る解像微細パターンは遮光材料部１００のみであり、透
明材料部２００、透明基板部３００の各幅Ｌ２００、Ｌ
３００がλ／（ＮＡ×Ｍ）（但し、λは露光光６の波
長、ＮＡは投影レンズの開口数、Ｍは投影倍率）程度以
上であれば、従来例と同様なエッジ透過型の位相シフト
マスクとなり、遮光材料部１００、透明材料部２００、
透明基板部３００により、遮光材料部１００位置に微細
な線幅の光強度分布が得られる。又、これ以外の遮光材
料部（１２１、１２２、１２３・・・、及び、１７１、
１７２・・・）、透明基板部（３０１、３０２、３０３
・・・、及び、３５１、３５２、３５３・・・）は、光
学的に遮光材料部１００位置の微細な線幅の光強度分布
に寄与しないダミーパターンとなる。
【００２３】本発明の露光用マスクのダミーパターン
は、第一に、遮光材料部にダミーパターンを持つことに
より、解像する微細線幅パターンの遮光材料部１００の
幅Ｌ１００の寸法制御性を向上させることができる。す
なわち、図１（ｂ），（ｃ）において、遮光材料部１０
０位置の遮光材料２のエッチングは、特定のパターンに
おいておこなえるため、遮光材料２のサイドエッチング
のエッチングのパターン依存性が一定になるためであ
る。
は、第一に、遮光材料部にダミーパターンを持つことに
より、解像する微細線幅パターンの遮光材料部１００の
幅Ｌ１００の寸法制御性を向上させることができる。す
なわち、図１（ｂ），（ｃ）において、遮光材料部１０
０位置の遮光材料２のエッチングは、特定のパターンに
おいておこなえるため、遮光材料２のサイドエッチング
のエッチングのパターン依存性が一定になるためであ
る。
【００２４】第二に、透明基板部にダミーパターンを持
つことにより、上記と同様に、図２（ａ）において、透
明基板部３００の深さ方向のエッチング量の制御性を向
上させることができ、透明材料部２００と透明基板部３
００との透過光の位相差の制御性が向上できる。
つことにより、上記と同様に、図２（ａ）において、透
明基板部３００の深さ方向のエッチング量の制御性を向
上させることができ、透明材料部２００と透明基板部３
００との透過光の位相差の制御性が向上できる。
【００２５】第三に、遮光材料部にダミーパターンを持
つことにより、透明材料部２００の透過光の位相の均一
性が向上できる。これは、図１（ｃ）に示すように、透
明材料３の膜厚が透明材料部２００と遮光材料部１００
境界で変化しているが、ダミーパターンによりパターン
依存性が一定になり、マスク面内においてのこの部分の
透明材料３の膜厚の均一性が向上するためである。
つことにより、透明材料部２００の透過光の位相の均一
性が向上できる。これは、図１（ｃ）に示すように、透
明材料３の膜厚が透明材料部２００と遮光材料部１００
境界で変化しているが、ダミーパターンによりパターン
依存性が一定になり、マスク面内においてのこの部分の
透明材料３の膜厚の均一性が向上するためである。
【００２６】実際には、第１の露光により、図４（ｄ）
に示すような光強度分布が生じるが、第１の露光の本実
施例における露光用マスク（図４（ａ））位置に対し
て、第２の露光の通常マスク（図４（ｂ））が、遮光材
料部４００位置に微細な線幅の光強度分布を遮光する幅
と位置を持つように、第２の露光を行うことにより、図
４（ｄ）に示すように、ダミーパターンによる光強度分
布を解像光強度以上にできるため、遮光材料部１００位
置の微細な線幅のみ解像できる。
に示すような光強度分布が生じるが、第１の露光の本実
施例における露光用マスク（図４（ａ））位置に対し
て、第２の露光の通常マスク（図４（ｂ））が、遮光材
料部４００位置に微細な線幅の光強度分布を遮光する幅
と位置を持つように、第２の露光を行うことにより、図
４（ｄ）に示すように、ダミーパターンによる光強度分
布を解像光強度以上にできるため、遮光材料部１００位
置の微細な線幅のみ解像できる。
【００２７】従って、図４（ｃ）に示すように、第１の
露光の目合わせ精度をａ、第２の露光の目合わせ精度ｂ
として、透明材料部２００、透明基板部３００の各幅Ｌ
２００、Ｌ３００は、通常マスクの遮光材料部４００の
幅Ｌ４００が最小の｛Ｌ１００＋２×（ａ＋ｂ）｝とし
て、各々２×（ａ＋ｂ）以上になる。例としてｉ線スッ
テパーリソグラフィを考えると、ＮＡ＝０．５０、Ｍ＝
１／５、λ＝３６５ｎｍ、ａ＝ｂ＝０．１５μｍ／Ｍ
（マスク上）、Ｌ１００＝０．２μｍ／Ｍ（マスク上）
として、Ｌ１００＝１μｍ、２×（ａ＋ｂ）＝Ｌ２００
＝Ｌ３００＝３μｍとなり、λ／（ＮＡ×Ｍ）＝３．６
５μｍであるので、この場合、二重露光による条件と、
透過エッジ型の位相シフト法で解像度を維持する条件は
同程度になるのでダミーパターン間隔の設定には注意が
必要である。
露光の目合わせ精度をａ、第２の露光の目合わせ精度ｂ
として、透明材料部２００、透明基板部３００の各幅Ｌ
２００、Ｌ３００は、通常マスクの遮光材料部４００の
幅Ｌ４００が最小の｛Ｌ１００＋２×（ａ＋ｂ）｝とし
て、各々２×（ａ＋ｂ）以上になる。例としてｉ線スッ
テパーリソグラフィを考えると、ＮＡ＝０．５０、Ｍ＝
１／５、λ＝３６５ｎｍ、ａ＝ｂ＝０．１５μｍ／Ｍ
（マスク上）、Ｌ１００＝０．２μｍ／Ｍ（マスク上）
として、Ｌ１００＝１μｍ、２×（ａ＋ｂ）＝Ｌ２００
＝Ｌ３００＝３μｍとなり、λ／（ＮＡ×Ｍ）＝３．６
５μｍであるので、この場合、二重露光による条件と、
透過エッジ型の位相シフト法で解像度を維持する条件は
同程度になるのでダミーパターン間隔の設定には注意が
必要である。
【００２８】次に本発明の第２の実施例の露光法につい
て図５（ａ），（ｂ），（ｃ）の関係図を参照して説明
する。
て図５（ａ），（ｂ），（ｃ）の関係図を参照して説明
する。
【００２９】第２の実施例においては、ダミーパターン
は遮光材料２になく、遮光材料２上の透明材料３にあ
る。
は遮光材料２になく、遮光材料２上の透明材料３にあ
る。
【００３０】本実施例においては、ダミーパターンが透
明材料３にあるため、透明基板部３００のエッチングの
均一性は、第１の実施例と同様に向上できる。かつ、ダ
ミーパターン領域に遮光材料２があるため、第１の露光
では透明材料部２００、透明基板部３００だけを露光光
６が通過するので、ダミーパターン領域は第２の露光で
パターニングでき、第１の実施例よりパターンの集積度
を高くできるという利点がある。しかし、遮光材料部に
ダミーパターンがないため、遮光材料部１００の線幅Ｌ
１００及び透明材料部２００の膜厚の均一性は制約を受
ける。
明材料３にあるため、透明基板部３００のエッチングの
均一性は、第１の実施例と同様に向上できる。かつ、ダ
ミーパターン領域に遮光材料２があるため、第１の露光
では透明材料部２００、透明基板部３００だけを露光光
６が通過するので、ダミーパターン領域は第２の露光で
パターニングでき、第１の実施例よりパターンの集積度
を高くできるという利点がある。しかし、遮光材料部に
ダミーパターンがないため、遮光材料部１００の線幅Ｌ
１００及び透明材料部２００の膜厚の均一性は制約を受
ける。
【００３１】次に本発明の第３の実施例の露光用マスク
の製法について図６（ａ），（ｂ）を参照して説明す
る。
の製法について図６（ａ），（ｂ）を参照して説明す
る。
【００３２】第３の実施においては、第１の実施例のマ
スク製造工程後（図２（ｂ））に、第３のレジスト７を
リソグラフィ技術でパターニングして形成する（図６
（ａ））。次に、第２の遮光材料８をレジストリフトオ
フ法によりパターニングして形成する。（図６
（ｂ））。ここで、第２の遮光材料８は、第２の実施例
のダミーパターン領域にパターニングする。
スク製造工程後（図２（ｂ））に、第３のレジスト７を
リソグラフィ技術でパターニングして形成する（図６
（ａ））。次に、第２の遮光材料８をレジストリフトオ
フ法によりパターニングして形成する。（図６
（ｂ））。ここで、第２の遮光材料８は、第２の実施例
のダミーパターン領域にパターニングする。
【００３３】このため。本実施例においては、第１の実
施例と同様なダミーパターンによる均一性の向上が行
え、かつ、ダミーパターン領域のパターニングも可能に
なる。
施例と同様なダミーパターンによる均一性の向上が行
え、かつ、ダミーパターン領域のパターニングも可能に
なる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、多重露光
を前提にエッジ透過型位相シフトマスクにダミーパター
ンを配置したので、エッジ透過型位相シフトマスクの製
造における透明材料と遮光材料のパターン形成の均一性
を高めることにより、エッジ透過型位相シフトマスク法
による露光で形成される微細線幅の制御性を向上でき
る。
を前提にエッジ透過型位相シフトマスクにダミーパター
ンを配置したので、エッジ透過型位相シフトマスクの製
造における透明材料と遮光材料のパターン形成の均一性
を高めることにより、エッジ透過型位相シフトマスク法
による露光で形成される微細線幅の制御性を向上でき
る。
【図１】本発明の第１の実施例における露光用マスクの
製造方法を示す図で、同図（ａ），（ｂ），（ｃ）はそ
れぞれ工程順を示す断面図である。
製造方法を示す図で、同図（ａ），（ｂ），（ｃ）はそ
れぞれ工程順を示す断面図である。
【図２】図１に続く工程を示す図で、同図（ａ），
（ｂ）は工程順を示す断面図、同図（ｃ）はマスク各部
の詳細説明図である。
（ｂ）は工程順を示す断面図、同図（ｃ）はマスク各部
の詳細説明図である。
【図３】本発明の第１の実施例の露光工程のブロック図
である。
である。
【図４】本発明の第１の実施例の露光方法を説明する関
係図で、同図（ａ）は本実施例の露光用マスクの断面
図、同図（ｂ）は多重露光に用いるマスクの断面図、同
図（ｃ）は位置関係図、同図（ｄ）は光強度分布図であ
る。
係図で、同図（ａ）は本実施例の露光用マスクの断面
図、同図（ｂ）は多重露光に用いるマスクの断面図、同
図（ｃ）は位置関係図、同図（ｄ）は光強度分布図であ
る。
【図５】本発明の第２の実施例の露光方法を説明する関
係図で、同図（ａ）は本実施例の露光用マスクの断面
図、同図（ｂ）は多重露光に用いるマスクの断面図、同
図（ｃ）は光強度分布図である。
係図で、同図（ａ）は本実施例の露光用マスクの断面
図、同図（ｂ）は多重露光に用いるマスクの断面図、同
図（ｃ）は光強度分布図である。
【図６】本発明の第３の実施例における露光用マスクの
製造方法を示す図で、同図（ａ）、（ｂ）は図２（ｂ）
に続く工程順を示す断面図である。
製造方法を示す図で、同図（ａ）、（ｂ）は図２（ｂ）
に続く工程順を示す断面図である。
【図７】従来の技術による露光方法を説明する関係図
で、同図（ａ）はエッジ透過型位相シフトマスクの断面
図、同図（ｂ）は多重露光用マスクを示す断面図、同図
（ｃ）は光強度分布図である。
で、同図（ａ）はエッジ透過型位相シフトマスクの断面
図、同図（ｂ）は多重露光用マスクを示す断面図、同図
（ｃ）は光強度分布図である。
【図８】従来技術による改善されたエッジ透過型位相シ
フトマスクの構造を示す断面図である。
フトマスクの構造を示す断面図である。
１ 透明基板 ２ 遮光材料 ３ 透明材料 ４ 第１のレジスト ５ 第２のレジスト ６ 露光光 ７ 第３のレジスト ８ 第２の遮光材料 １００番代，４００ 遮光材料部 ２００番代 透明材料部 ３００番代 透明基板部
Claims (2)
- 【請求項１】 透明基板上に遮光材料と透明材料とを有
し、所望のパターンの位置に遮光材料を配置したエッジ
透過型位相シフト法に用いる露光用マスクにおいて、所
望のパターン以外に、透明材料あるいは遮光材料よりな
るダミーパターンを有し、かつ、所望のパターンの位置
の透明材料部と透明基板部の線幅が、λ／（ＮＡ×Ｍ）
以上（λは露光光の波長、ＮＡは投影レンズの開口数、
Ｍは投影倍率）であり、かつ、上記マスクの目合わせ露
光における目合わせ精度と次工程の多重露光における目
合わせ精度との和の２倍以上であることを特徴とする露
光用マスク。 - 【請求項２】 少なくとも１回は前記露光用マスクを用
いた投影露光が含まれる多重露光を行うことを特徴とす
る露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20990592A JPH0659432A (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 露光用マスク及びこれを使用した露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20990592A JPH0659432A (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 露光用マスク及びこれを使用した露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0659432A true JPH0659432A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16580598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20990592A Pending JPH0659432A (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 露光用マスク及びこれを使用した露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0659432A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6841801B2 (en) | 2001-04-17 | 2005-01-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Mask for correcting optical proximity effect |
| KR100758052B1 (ko) * | 1995-02-28 | 2008-01-09 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 위상시프트포토마스크및위상시프트포토마스크드라이에칭방법 |
-
1992
- 1992-08-06 JP JP20990592A patent/JPH0659432A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100758052B1 (ko) * | 1995-02-28 | 2008-01-09 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 위상시프트포토마스크및위상시프트포토마스크드라이에칭방법 |
| US6841801B2 (en) | 2001-04-17 | 2005-01-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Mask for correcting optical proximity effect |
| KR100498441B1 (ko) * | 2001-04-17 | 2005-07-01 | 삼성전자주식회사 | 광근접 효과의 보정을 위한 마스크와 그 제조 방법 |
| US7378196B2 (en) | 2001-04-17 | 2008-05-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing mask for correcting optical proximity effect |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980916 |