JPS58173Y2 - カラ−フオトマスク - Google Patents
カラ−フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS58173Y2 JPS58173Y2 JP1978067305U JP6730578U JPS58173Y2 JP S58173 Y2 JPS58173 Y2 JP S58173Y2 JP 1978067305 U JP1978067305 U JP 1978067305U JP 6730578 U JP6730578 U JP 6730578U JP S58173 Y2 JPS58173 Y2 JP S58173Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boron phosphide
- mask
- compound film
- phosphide compound
- transparent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体等の製造に使われる写真食刻工程（フォ
トエツチングプロセス）に用いるフォトマスクに関する
ものであり、さらに具体的には外部からの力に対して耐
久性が優れかつ可視光に対して透明であり紫外光に対し
ては不透明なパターンを有するマスクに関する。
トエツチングプロセス）に用いるフォトマスクに関する
ものであり、さらに具体的には外部からの力に対して耐
久性が優れかつ可視光に対して透明であり紫外光に対し
ては不透明なパターンを有するマスクに関する。
従来、半導体素子製造に用いられてきたエマルジョンマ
スクやクロムマスクは紫外線に不透明な部分（以下パタ
ーンと呼ぶ）は可視光に対しても不透明であったため、
マスクアライメント工程が難しかった。
スクやクロムマスクは紫外線に不透明な部分（以下パタ
ーンと呼ぶ）は可視光に対しても不透明であったため、
マスクアライメント工程が難しかった。
この難点に対してシースルーマスクと称するマスクが発
明された。
明された。
このマスクは可視光に対しては透明ではあるが紫外光に
は不透明な物質をパターン部に被着することによって上
記難点を克服している。
は不透明な物質をパターン部に被着することによって上
記難点を克服している。
しかし製造方法が複雑であったため高価となり十分実用
に供されていない。
に供されていない。
本考案の目的は上記の欠点を克服したシースルーマスク
を提供することである。
を提供することである。
本考案によれば一般式ＢＰ又はＢ１３Ｐ２で表わされる
リン化ホウ素化合物膜を透明基体上に被着しこの被膜を
エツチングしてパターン化することにより上記目的を達
することができることを見出したものである。
リン化ホウ素化合物膜を透明基体上に被着しこの被膜を
エツチングしてパターン化することにより上記目的を達
することができることを見出したものである。
次に本考案のフォトマスクの製造方法の一例を図面で説
明する。
明する。
第１図Ａ−Ｇは本考案のマスクを製造するための１つの
方法を図示したものである。
方法を図示したものである。
図面Ａにおいて紫外線及び可視光線に透明な基板１の表
面にマスク材料の膜２が被着される。
面にマスク材料の膜２が被着される。
この場合例えば基板は可視光及び紫外光に対して透明な
高融点ガラス、石英、サファイア等が使われる。
高融点ガラス、石英、サファイア等が使われる。
マスク材料はリン化ホウ素化合物膜を１〜５μｍの厚さ
に設ける。
に設ける。
この厚さの範囲においては後述のごとく可視光に対して
は透明であるが紫外光に対しては不透明となる。
は透明であるが紫外光に対しては不透明となる。
リン化ホウ素化合物膜の代表的な作製方法は特開昭４９
−５３７６７号、特開昭４９−５３７６８号等で公知の
如く水素で希釈されたホスフィンＰ Ｈ，とジボランＢ
２ Ｈｅを温度８００〜１３００℃で熱分解して形成
する方法が用いられる。
−５３７６７号、特開昭４９−５３７６８号等で公知の
如く水素で希釈されたホスフィンＰ Ｈ，とジボランＢ
２ Ｈｅを温度８００〜１３００℃で熱分解して形成
する方法が用いられる。
この様にして作製された例えば２μｍの膜厚のリン化ホ
ウ素化合物被膜は第２図に示す分光透過率の如く、紫外
線領域の光に対しては不透明でありかつ可視光線には透
明な特質を有する。
ウ素化合物被膜は第２図に示す分光透過率の如く、紫外
線領域の光に対しては不透明でありかつ可視光線には透
明な特質を有する。
またこのようにして作製したリン化ホウ素化合物膜は、
ヴイツカース硬度が４０００〜５０００ｋｇ／ｍｍ２で
あり非常に硬く外力に対して容易に傷がつかない。
ヴイツカース硬度が４０００〜５０００ｋｇ／ｍｍ２で
あり非常に硬く外力に対して容易に傷がつかない。
次に図面Ｂにおいてリン化ホウ素膜上に金属３を被着す
る。
る。
金属３は例えばアルミニウムであり、真空蒸着法で被着
する。
する。
次に図面Ｃにおいて、金属３上にフォトレジスト、例え
ば、ＫＰＲをスピナー等で塗布し、乾燥した後、図面り
のマスタマスク５を通して、紫外光線を用いて密着焼付
を行い現像処理を行うと図面Ｅに示すフォトレジストパ
ターン４′が得られる。
ば、ＫＰＲをスピナー等で塗布し、乾燥した後、図面り
のマスタマスク５を通して、紫外光線を用いて密着焼付
を行い現像処理を行うと図面Ｅに示すフォトレジストパ
ターン４′が得られる。
フォトレジストパターン４′をマスクとして、アルミニ
ウム３のエツチングを行った後４′を除去すると、図Ｆ
におけるアルミニウムパターン３′が得られる。
ウム３のエツチングを行った後４′を除去すると、図Ｆ
におけるアルミニウムパターン３′が得られる。
これをＣＦ４＋０２雰囲気中でプラズマエツチングする
ことにより、アルミニウムの存在しない部分のリン化ホ
ウ素化合物膜２をエツチングし、その後アルミニウムを
エツチングして除去すると、図面Ｇに示すように、リン
化ホウ素化合物膜のパターン２′が透明基体１上にでき
あがりフォトマスク６が完成する。
ことにより、アルミニウムの存在しない部分のリン化ホ
ウ素化合物膜２をエツチングし、その後アルミニウムを
エツチングして除去すると、図面Ｇに示すように、リン
化ホウ素化合物膜のパターン２′が透明基体１上にでき
あがりフォトマスク６が完成する。
上記の実施例ではリン化ホウ素化合物膜のエツチングに
プラズマエツチングを用いたが、リン化ホウ素化合物膜
の下に逆パターンの金属例えばクロムを形威しその上に
リン化ホウ素化合物膜を被着した後、クロムをエツチン
グすることにより、クロムパターン上のリン化ホウ素化
合物膜を除去するといういわゆるリフトオフの方法も可
能である。
プラズマエツチングを用いたが、リン化ホウ素化合物膜
の下に逆パターンの金属例えばクロムを形威しその上に
リン化ホウ素化合物膜を被着した後、クロムをエツチン
グすることにより、クロムパターン上のリン化ホウ素化
合物膜を除去するといういわゆるリフトオフの方法も可
能である。
この場合は、アルミニウム被着工程は不要である。
以上のようにして作成したフォトマスクはパターン部が
可視光に対して透明であるので、マスクアライメントが
し易くかつリン化ホウ素化合物膜という硬い材料を使用
しているため、傷がつきに＜＜、半永久的に繰り返し使
用できる。
可視光に対して透明であるので、マスクアライメントが
し易くかつリン化ホウ素化合物膜という硬い材料を使用
しているため、傷がつきに＜＜、半永久的に繰り返し使
用できる。
また、リン化ホウ素化合物膜の作製方法は、上記の如く
、簡単であるため、コストダウンに寄与し、安価なシー
スルーマスクが提供できる。
、簡単であるため、コストダウンに寄与し、安価なシー
スルーマスクが提供できる。
第１図Ａ−Ｇはフォトマスクを形成する方法を示した断
面図である。 １・・・・・・透明基体、２・・・・・・マスク材料、
３・・・・・・金属、４・・・・・・フォトレジスト、
５・・・・・・マスタマスク。 第２図はリン化ホウ素化合物膜の波長に対する分光透過
率を示す。
面図である。 １・・・・・・透明基体、２・・・・・・マスク材料、
３・・・・・・金属、４・・・・・・フォトレジスト、
５・・・・・・マスタマスク。 第２図はリン化ホウ素化合物膜の波長に対する分光透過
率を示す。
Claims (1)
- 可視光及び紫外光に対して透明な基体上にリン化ホウ素
化合物膜を被着し、このリン化ホウ素化合物膜をパター
ン化したカラーフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978067305U JPS58173Y2 (ja) | 1978-05-19 | 1978-05-19 | カラ−フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978067305U JPS58173Y2 (ja) | 1978-05-19 | 1978-05-19 | カラ−フオトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54169467U JPS54169467U (ja) | 1979-11-30 |
| JPS58173Y2 true JPS58173Y2 (ja) | 1983-01-05 |
Family
ID=28974127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1978067305U Expired JPS58173Y2 (ja) | 1978-05-19 | 1978-05-19 | カラ−フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58173Y2 (ja) |
-
1978
- 1978-05-19 JP JP1978067305U patent/JPS58173Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54169467U (ja) | 1979-11-30 |
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