JPH03269432A - 光学マスクの製造方法 - Google Patents
光学マスクの製造方法Info
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- JPH03269432A JPH03269432A JP2068031A JP6803190A JPH03269432A JP H03269432 A JPH03269432 A JP H03269432A JP 2068031 A JP2068031 A JP 2068031A JP 6803190 A JP6803190 A JP 6803190A JP H03269432 A JPH03269432 A JP H03269432A
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- mask
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
単一露光波長を光源として行なう光学マスクの製造方法
に係り、特に、解像度を向上するため、位相を１８０°
反転させる位相シフトマスクパターンの製造方法に関し
、 位置ずれを低減した高精度の位相シフトマスク（光学マ
スク）の製造方法を提供することを目的とし、 （イ）位相シフトすべき領域に開口を有する金属マスク
膜を、光透過性基板上に設ける工程、（ロ）前記金属マ
スク膜及び光透過性基板上全面にシフター材を被着する
工程、〈ハ）前記シフター材の非シフター領域のみを除
去する工程、（二〉シフター領域の前記シフター材をマ
スクとして前記金属マスク膜を除去する工程、を含むこ
とを構成とする。
に係り、特に、解像度を向上するため、位相を１８０°
反転させる位相シフトマスクパターンの製造方法に関し
、 位置ずれを低減した高精度の位相シフトマスク（光学マ
スク）の製造方法を提供することを目的とし、 （イ）位相シフトすべき領域に開口を有する金属マスク
膜を、光透過性基板上に設ける工程、（ロ）前記金属マ
スク膜及び光透過性基板上全面にシフター材を被着する
工程、〈ハ）前記シフター材の非シフター領域のみを除
去する工程、（二〉シフター領域の前記シフター材をマ
スクとして前記金属マスク膜を除去する工程、を含むこ
とを構成とする。
本発明は、単一露光波長を光源として行なう光学マスク
の製造方法に係り、特に、解像度を向上するため、位相
を１８０°反転させる位相シフトマスクパターンの製造
方法に関するものである。近年、コンピューターの高速
化に伴なって集積回路の高速化及び高集積化が要求され
ている。それらは回路の微細化にかかっており、それを
実現するには、ステッパー等を用いたリソグラフィー技
術の開発にかかっている。本発明は、リソグラフィー技
術の分野において単一露光波長を光源とする露光装置に
用いられる光学マスクに関するものである。
の製造方法に係り、特に、解像度を向上するため、位相
を１８０°反転させる位相シフトマスクパターンの製造
方法に関するものである。近年、コンピューターの高速
化に伴なって集積回路の高速化及び高集積化が要求され
ている。それらは回路の微細化にかかっており、それを
実現するには、ステッパー等を用いたリソグラフィー技
術の開発にかかっている。本発明は、リソグラフィー技
術の分野において単一露光波長を光源とする露光装置に
用いられる光学マスクに関するものである。
光学マスクは、一般的に石英の基板にＣｒを部分的に配
置したものが用いられている。単一露光波長を用いた露
光装置に用いる光学マスクにおいて近年、高解像度を目
的として位相シフトを用いた光学マスク（位相シフトマ
スク）が提唱された。
置したものが用いられている。単一露光波長を用いた露
光装置に用いる光学マスクにおいて近年、高解像度を目
的として位相シフトを用いた光学マスク（位相シフトマ
スク）が提唱された。
第２図（ａ）〜（ｄ）に従来の位相シフトマスクの製造
工程を示す。
工程を示す。
従来の工程はまず第２図（ａ）に示されたように石英基
板１上にＣｒ膜２を配置したマスク１０を用意し、その
全面にＥＢレジストを塗布後パターニングしＥＢレジス
トパターン３を形成する（第２図（ｂ）。この時、シフ
ターを形成する箇所にレジストを除去したパターンとす
る。次にＳｌＯ□を全面に蒸着しく第２図（Ｃ）〉、リ
フトオフを行なってシフタ一部と非シフタ一部を選択的
に形成する。ここに５ｉ０２を用いた理由は基板と同じ
材質にして基板とシフターとの界面での反射を起こさな
いようにするためである。
板１上にＣｒ膜２を配置したマスク１０を用意し、その
全面にＥＢレジストを塗布後パターニングしＥＢレジス
トパターン３を形成する（第２図（ｂ）。この時、シフ
ターを形成する箇所にレジストを除去したパターンとす
る。次にＳｌＯ□を全面に蒸着しく第２図（Ｃ）〉、リ
フトオフを行なってシフタ一部と非シフタ一部を選択的
に形成する。ここに５ｉ０２を用いた理由は基板と同じ
材質にして基板とシフターとの界面での反射を起こさな
いようにするためである。
上記従来の方法は、シフターを形成する部分にはＣｒ膜
２がなく、その部分にＥＢのパターンを位置合わせする
必要がある。従ってＥＢ膜パターン位置ずれが生じた場
合、シフター材とＣｒ膜パターンがずれることになる（
第３図）ため、本来の位相シフトとしての効果が低減し
てしまい解像度の向上も低下する。また、従来の方法で
はりフトオフの工程を行なっているため８１０□等のシ
フター材は、蒸着等の工程で形成しなければならない。
２がなく、その部分にＥＢのパターンを位置合わせする
必要がある。従ってＥＢ膜パターン位置ずれが生じた場
合、シフター材とＣｒ膜パターンがずれることになる（
第３図）ため、本来の位相シフトとしての効果が低減し
てしまい解像度の向上も低下する。また、従来の方法で
はりフトオフの工程を行なっているため８１０□等のシ
フター材は、蒸着等の工程で形成しなければならない。
本発明は位置ずれを低減した高精度の位相シフトマスク
（光学マスク〉の製造方法を提供することを目的とする
。
（光学マスク〉の製造方法を提供することを目的とする
。
上記課題は本発明によれば（イ）位相シフトすべき領域
に開口を有する金属マスク膜を、光＝透過性基板上に設
ける工程、 （ロ）前記金属マスク膜及び光透過性基板上全面にシフ
ター材を被着する工程、 （ハ〉前記シフター材の非シフター領域のみを除去する
工程、 に）シフター領域の前記シフター材をマスクとして前記
金属マスク膜を除去する工程、を含むことを特徴とする
光学マスクの製造方法によって解決される。
に開口を有する金属マスク膜を、光＝透過性基板上に設
ける工程、 （ロ）前記金属マスク膜及び光透過性基板上全面にシフ
ター材を被着する工程、 （ハ〉前記シフター材の非シフター領域のみを除去する
工程、 に）シフター領域の前記シフター材をマスクとして前記
金属マスク膜を除去する工程、を含むことを特徴とする
光学マスクの製造方法によって解決される。
本発明では光透過性基板として石英基板が好ましく用い
られまた金属マスクとしてはクロム（Ｃｒ）マスクが有
効である。またシフター材としては５ｉｎ２等が好まし
く用いられ、その被着方法としては蒸着、スパッタリン
グ、ＣＶＤ法が利用できる。
られまた金属マスクとしてはクロム（Ｃｒ）マスクが有
効である。またシフター材としては５ｉｎ２等が好まし
く用いられ、その被着方法としては蒸着、スパッタリン
グ、ＣＶＤ法が利用できる。
本発明では、ＥＢ膜パターン位置ずれによるシフタ一部
とシフター材とのずれは、発生せず、また、シフター材
の膜の形成方法は蒸着法だけでなくＣＶＤなどの方法も
適用可能であり、その理由からシフター材に関してもＳ
ｌＯ□以外の材質も適用できる。
とシフター材とのずれは、発生せず、また、シフター材
の膜の形成方法は蒸着法だけでなくＣＶＤなどの方法も
適用可能であり、その理由からシフター材に関してもＳ
ｌＯ□以外の材質も適用できる。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施−例を示す工程
断面図である。
断面図である。
まず第１図（ａ）に示すように光透過性の石英基板１上
に蒸着により形成された約３００Ａの厚さのＣｒ膜２幅
約２−の開ロアを形成する、該開ロアは位相シフトすべ
き領域となる。
に蒸着により形成された約３００Ａの厚さのＣｒ膜２幅
約２−の開ロアを形成する、該開ロアは位相シフトすべ
き領域となる。
次に第１図（ｂ）に示す様に全面に蒸着法又はＣＶＤ法
により４７５０〜４８００人の厚さにＳｉｎ、層を被着
懲戒する。
により４７５０〜４８００人の厚さにＳｉｎ、層を被着
懲戒する。
次に第１図（Ｃ）に示す様に全面にＥＢレジスト３ （
電子線レジスト例えば（ＣＭＲ））をスピンコードによ
り塗布し、シフタ一部上のＥＢレジスト３を残すように
ＥＢレジストをパターニングする。第１図（Ｃ）におい
てＬ２ 、Ｌ３の長さをそれぞれ２．２５ρ、１．０
μとした。
電子線レジスト例えば（ＣＭＲ））をスピンコードによ
り塗布し、シフタ一部上のＥＢレジスト３を残すように
ＥＢレジストをパターニングする。第１図（Ｃ）におい
てＬ２ 、Ｌ３の長さをそれぞれ２．２５ρ、１．０
μとした。
次に第１図（ｄ）に示すようにＥＢレジストをマスクと
してフッ酸系ガス、例えばＣＨＦ、、 ＣＦ４． ＮＦ
等を用い、リアクティブイオンエッチを行ってクロムと
ＳｉＱ、の選択エツチングを行いＳｉ［１２層４の一部
を除去する。次にそのシフター材（Ｓ１０２）をマスク
として希硫酸液を用いてＣｒ膜２をエツチング除去する
。
してフッ酸系ガス、例えばＣＨＦ、、 ＣＦ４． ＮＦ
等を用い、リアクティブイオンエッチを行ってクロムと
ＳｉＱ、の選択エツチングを行いＳｉ［１２層４の一部
を除去する。次にそのシフター材（Ｓ１０２）をマスク
として希硫酸液を用いてＣｒ膜２をエツチング除去する
。
次に第ＬＥＤ （ｅ）に示すようにアッシングあるいは
有機溶剤によりＥＢレジスト３を除去し位相シフトマス
クを形成する。
有機溶剤によりＥＢレジスト３を除去し位相シフトマス
クを形成する。
このようにして所定の位置に精度よく位相シフトマスク
が製造される。
が製造される。
以上説明した様に本発明によれば位置ずれのない安定し
た位相シフトマスクパターンを高精度にしかも安定して
製造することができる。
た位相シフトマスクパターンを高精度にしかも安定して
製造することができる。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を示す工程断
面図であり、 第２図（ａ）〜（ｄ）及び第３図は従来例を説明するた
めの工程断面図及び１断面図である。 １・・・石英基板、 ２・・・Ｃｒ膜、３・・・
ＥＢレジスト、 ４・・・ＳｉＯ□層、７・・・開
口、 ９・・・シフタ一部。
面図であり、 第２図（ａ）〜（ｄ）及び第３図は従来例を説明するた
めの工程断面図及び１断面図である。 １・・・石英基板、 ２・・・Ｃｒ膜、３・・・
ＥＢレジスト、 ４・・・ＳｉＯ□層、７・・・開
口、 ９・・・シフタ一部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（イ）位相シフトすべき領域に開口を有する金属マ
スク膜を、光透過性基板上に設ける工程、（ロ）前記金
属マスク膜及び光透過性基板上全面にシフター材を被着
する工程、 （ハ）前記シフター材の非シフター領域のみを除去する
工程、 （ニ）シフター領域の前記シフター材をマスクとして前
記金属マスク膜を除去する工程、 を含むことを特徴とする光学マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2068031A JPH03269432A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | 光学マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2068031A JPH03269432A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | 光学マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03269432A true JPH03269432A (ja) | 1991-12-02 |
Family
ID=13362030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2068031A Pending JPH03269432A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | 光学マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03269432A (ja) |
-
1990
- 1990-03-20 JP JP2068031A patent/JPH03269432A/ja active Pending
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