JPS58172Y2 - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS58172Y2 JPS58172Y2 JP1978067306U JP6730678U JPS58172Y2 JP S58172 Y2 JPS58172 Y2 JP S58172Y2 JP 1978067306 U JP1978067306 U JP 1978067306U JP 6730678 U JP6730678 U JP 6730678U JP S58172 Y2 JPS58172 Y2 JP S58172Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- thin film
- boron phosphide
- pattern
- photo mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Description
【考案の詳細な説明】
半導体素子の製造には写真食刻技術が広く応用されてい
るが本発明は写真食刻工程に用Ｃ）るフォトマスクに関
するものであり、特に金属製フォトマスクの耐久性およ
びパターン精度を改良するものである。
るが本発明は写真食刻工程に用Ｃ）るフォトマスクに関
するものであり、特に金属製フォトマスクの耐久性およ
びパターン精度を改良するものである。
従来、半導体素子製造に用いられてきた金属フォトマス
クは透明基体上にクロム等の不透明金属薄膜でパターン
を形成させたものであるが上記金属マスクは密着焼付を
行う場合、透明基体上の金属薄膜が高い反射率をもつた
め金属パターンと抜食割物体との間でフォトレジストを
介して多重反射を起こしパターン精度が悪くなる欠点を
有していた。
クは透明基体上にクロム等の不透明金属薄膜でパターン
を形成させたものであるが上記金属マスクは密着焼付を
行う場合、透明基体上の金属薄膜が高い反射率をもつた
め金属パターンと抜食割物体との間でフォトレジストを
介して多重反射を起こしパターン精度が悪くなる欠点を
有していた。
また基体材料がガラスの様なもろい材料のために、外力
によるカケや、それに伴う金属薄膜の剥離等によるパタ
ーンの不良が密着焼付、マスク洗浄時に発生するという
欠点を有し、そのため十数回毎のマスクの検査、数十回
毎のマスクの取替えが必要であり製造経費の増大につな
がっていた。
によるカケや、それに伴う金属薄膜の剥離等によるパタ
ーンの不良が密着焼付、マスク洗浄時に発生するという
欠点を有し、そのため十数回毎のマスクの検査、数十回
毎のマスクの取替えが必要であり製造経費の増大につな
がっていた。
本考案の目的は金属マスクの従来の上記欠点を除去する
ことにより高精度微細パターンの焼付を容易かつ安価に
なさしめ得る新規の改良されたフォトマスクを提供する
ことである。
ことにより高精度微細パターンの焼付を容易かつ安価に
なさしめ得る新規の改良されたフォトマスクを提供する
ことである。
本考案は金属皮膜形成材料の層を透明基体上に被着し、
この層を写真食刻でパターン化した後、全面に一般式Ｂ
Ｐ又はＢ１３Ｐ２で表わされるリン化ホウ素化合物薄膜
を被着することによって上記目的が達せられることを見
出したものである。
この層を写真食刻でパターン化した後、全面に一般式Ｂ
Ｐ又はＢ１３Ｐ２で表わされるリン化ホウ素化合物薄膜
を被着することによって上記目的が達せられることを見
出したものである。
以下本考案を図面について説明する。
第２図は本考案によるフォトマスク４を示す。
フォトマスク４は基体１上に作ったクロム、モリブデン
、タングステン等の皮膜形成材料２のパターンと該パタ
ーン及び基体１上に作ったリン化ホウ素化合物薄膜３と
を有する。
、タングステン等の皮膜形成材料２のパターンと該パタ
ーン及び基体１上に作ったリン化ホウ素化合物薄膜３と
を有する。
基体材料としてはフォトマスク４に使用する光に透明か
つリン化ホウ素化合物薄膜を作成する温度にて溶融しな
い材料を用いる。
つリン化ホウ素化合物薄膜を作成する温度にて溶融しな
い材料を用いる。
例えばサファイア、石英ガラス等が最適である。
皮膜形成材料としてはフォトマスク４に使用する光に不
透明かつリン化ホウ素膜を作成する温度にて溶融しない
材料を用いる。
透明かつリン化ホウ素膜を作成する温度にて溶融しない
材料を用いる。
例えばクロム等が好ましい。
次に第２図に示されたフォトマスクの製造方法の一例を
示す、まずスパッタリング等の方法で石英ガラス基体上
にクロム金属薄膜を６００〜１０００Ａの厚さで被着さ
せた後、このクロム金属薄膜を写真食刻技術により第１
図のごとくパターン精度グする。
示す、まずスパッタリング等の方法で石英ガラス基体上
にクロム金属薄膜を６００〜１０００Ａの厚さで被着さ
せた後、このクロム金属薄膜を写真食刻技術により第１
図のごとくパターン精度グする。
パターンが形成されたクロムマスク上にリン化ホウ素化
合物薄膜を気相成長にて ３０００〜５０００ Ａの厚さで第２図のごとく被着甘
しめる。
合物薄膜を気相成長にて ３０００〜５０００ Ａの厚さで第２図のごとく被着甘
しめる。
この厚さの範囲では光に対して透明な性質を有する。
リン化ホウ素化合物薄膜を気相成長法で被着する方法の
一例として、特開昭４９−５３７６７号、特開昭４９−
５３７６８号等で公知の如く水素で希釈されたホスフィ
ンＰＨ３とジボランＢ ２Ｈ６を温度８００〜９００℃
で熱分解して形成する方法が用いられる。
一例として、特開昭４９−５３７６７号、特開昭４９−
５３７６８号等で公知の如く水素で希釈されたホスフィ
ンＰＨ３とジボランＢ ２Ｈ６を温度８００〜９００℃
で熱分解して形成する方法が用いられる。
この様にして、作製されたリン化ホウ素薄膜は、写真置
割に使用される紫外線領域の光に対して、フォトレジス
トを感光させるのに充分な透過性をもちかつ硬さは４０
００〜５０００ｋｇ／ｍｍ２と非常に硬く、また分光反
射率は２０〜３０％であるので、高精度微細パターンを
、くりかえし何回も焼付が可能である。
割に使用される紫外線領域の光に対して、フォトレジス
トを感光させるのに充分な透過性をもちかつ硬さは４０
００〜５０００ｋｇ／ｍｍ２と非常に硬く、また分光反
射率は２０〜３０％であるので、高精度微細パターンを
、くりかえし何回も焼付が可能である。
第１図は、金属パターンを透明基体上に作製したフォト
マスクの断面図、第２図は第１図のフォトマスクにリン
化ホウ素化合物薄膜を被着した本考案フォトマスクの断
面図である。
マスクの断面図、第２図は第１図のフォトマスクにリン
化ホウ素化合物薄膜を被着した本考案フォトマスクの断
面図である。
Claims (1)
- 透明な基体上に光に対して不透明である金属薄膜パター
ンを形成したフォトマスクに於いて、光に対して透明な
リン化ホウ素化合物薄膜を、前記フォトマスク上に被着
することを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978067306U JPS58172Y2 (ja) | 1978-05-19 | 1978-05-19 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978067306U JPS58172Y2 (ja) | 1978-05-19 | 1978-05-19 | フオトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54169468U JPS54169468U (ja) | 1979-11-30 |
| JPS58172Y2 true JPS58172Y2 (ja) | 1983-01-05 |
Family
ID=28974129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1978067306U Expired JPS58172Y2 (ja) | 1978-05-19 | 1978-05-19 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58172Y2 (ja) |
-
1978
- 1978-05-19 JP JP1978067306U patent/JPS58172Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54169468U (ja) | 1979-11-30 |
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