JPS5878151A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS5878151A JPS5878151A JP56176811A JP17681181A JPS5878151A JP S5878151 A JPS5878151 A JP S5878151A JP 56176811 A JP56176811 A JP 56176811A JP 17681181 A JP17681181 A JP 17681181A JP S5878151 A JPS5878151 A JP S5878151A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- corners
- glass
- dust
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/60—Substrates
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置製造番とおいてフォトレジストの
パターン形成に用いるフォトマスクに関するものである
。
パターン形成に用いるフォトマスクに関するものである
。
従来、半導体装置の製造工程は、熱酸化・拡散処理工程
とフォトレジスト・エツチング工程の繰り返しであり、
特に半導体基板表面にパターン食刻を行うフォトレジス
ト工程は半導体装置製造における心臓部とも言われ非常
に重要な役割を果たしている。このフォトレジスト工程
におけるフォトマスクの役割は、半導体基板上に形成し
た酸化膜あるいは金属蒸着膜上にパターンを形成するた
め感光剤樹肥を塗布し、諌半導体基板とフォトマスクを
重ね合せ、露光作業を行い、後の現像１根でパターンが
形成される。つまり、ここで使用されるフォトマスクの
良し悪しは出来上った半導体装置の性能・歩留りに直接
影響するため、フォトマスク化対する要求は年々きびし
くなってきている。現在このフォトマスクの形状は正方
形になって詔り、この形状であるとその鋭角な四隅の部
分化欠けが生じやすく、ガラスの小さな破片が出やすい
事、又、マスク収納箱に出し入れする際、この鋭角な四
隅でマスク収納箱を削ってしまいゴミが発生し、これ等
の破片やゴミがフォトマスクに付着して、焼きつけ転写
時に紫外線を速断し、除去せねばならない部分にパター
ン残りを発生させたり、ゴミが直接、半導体基板に付着
しピンホール・キズの原因となり半導体装置の歩留低下
・品質低下をもたらしていた。
とフォトレジスト・エツチング工程の繰り返しであり、
特に半導体基板表面にパターン食刻を行うフォトレジス
ト工程は半導体装置製造における心臓部とも言われ非常
に重要な役割を果たしている。このフォトレジスト工程
におけるフォトマスクの役割は、半導体基板上に形成し
た酸化膜あるいは金属蒸着膜上にパターンを形成するた
め感光剤樹肥を塗布し、諌半導体基板とフォトマスクを
重ね合せ、露光作業を行い、後の現像１根でパターンが
形成される。つまり、ここで使用されるフォトマスクの
良し悪しは出来上った半導体装置の性能・歩留りに直接
影響するため、フォトマスク化対する要求は年々きびし
くなってきている。現在このフォトマスクの形状は正方
形になって詔り、この形状であるとその鋭角な四隅の部
分化欠けが生じやすく、ガラスの小さな破片が出やすい
事、又、マスク収納箱に出し入れする際、この鋭角な四
隅でマスク収納箱を削ってしまいゴミが発生し、これ等
の破片やゴミがフォトマスクに付着して、焼きつけ転写
時に紫外線を速断し、除去せねばならない部分にパター
ン残りを発生させたり、ゴミが直接、半導体基板に付着
しピンホール・キズの原因となり半導体装置の歩留低下
・品質低下をもたらしていた。
この発明の目的はガラス破片及びマスク収納箱からのゴ
ミを生じにくいフォトマスクを提供することにある。
ミを生じにくいフォトマスクを提供することにある。
この発明のフォトマスクは、ガラスあるいは石英などの
透明な材料を平板状に加工し、該表面に金属や金属酸化
物でパターンを形成してなるフォトマスクにおいて、従
来正方形であるフォトマスクの四隅を面取りした形状が
なされている事を特徴としているフォトマスクである。
透明な材料を平板状に加工し、該表面に金属や金属酸化
物でパターンを形成してなるフォトマスクにおいて、従
来正方形であるフォトマスクの四隅を面取りした形状が
なされている事を特徴としているフォトマスクである。
この発明のフォトマスクは従来のフォトマスクとは異な
り鋭角な四隅を面取りしであるため、鋭角な部分で発生
しやすかつたガラスの欠けの飛び散りゃ鋭角な部分とマ
スク収納箱との摩擦によるゴミの発生が減少できる。更
にパターン複写時に半導体基板とフォトマスクを密着さ
せるため、真空で吸引するが、このときフォトマスクに
生じる歪みが四隅を面取りしたことで特に大きく歪む部
分が少なくなり、均一な放射状に近い歪みができる。
り鋭角な四隅を面取りしであるため、鋭角な部分で発生
しやすかつたガラスの欠けの飛び散りゃ鋭角な部分とマ
スク収納箱との摩擦によるゴミの発生が減少できる。更
にパターン複写時に半導体基板とフォトマスクを密着さ
せるため、真空で吸引するが、このときフォトマスクに
生じる歪みが四隅を面取りしたことで特に大きく歪む部
分が少なくなり、均一な放射状に近い歪みができる。
次にこの発明の一実施例につき図を用いて説明する。
第１図は従来技術を説明するためのフォトマスクの平面
図である。従来のフォトマスクは第１図番こ示す様に正
方形でできたガラスあるいは石英などのフォトマスク基
板ｌの表面に半導体素子パターン２を加え、形状が正方
形ゆえに鋭角な四隅３を有している。
図である。従来のフォトマスクは第１図番こ示す様に正
方形でできたガラスあるいは石英などのフォトマスク基
板ｌの表面に半導体素子パターン２を加え、形状が正方
形ゆえに鋭角な四隅３を有している。
これｌこ対して本発明の実施例のフォトマスクは第２図
に示すように、ガラスあるいは石英などの透明な材料で
できたフォトマスク基板４の表面に半導体素子パターン
２′を加え、面取りされ曲面を描いている四隅５を有し
ているフォトマスクである。
に示すように、ガラスあるいは石英などの透明な材料で
できたフォトマスク基板４の表面に半導体素子パターン
２′を加え、面取りされ曲面を描いている四隅５を有し
ているフォトマスクである。
この実施例によれば、従来使用されているフォトマスク
、基板１を本発明のフォトマスク基板４の様な形状に変
更することにより、鋭角な四隅３がないため、従来、生
じやすかったガラスが欠ける事が少なくなり、又、マス
ク収納箱に出し入れする際ｉと、この鋭角な四隅３とマ
スク収納箱との摩擦によりて発生するゴミが減少でき、
それ等、破片φゴミによって生じるパターンのピンホー
ル・キズ・パターン残りが減少できる。更に、半導体基
板との重ね合せ時のフォトマスク全体の歪みが放射状に
近くなり、特に大きく歪む部分が発生しにくくなるため
半導体基板上に形成された個々の半導体素子片の歪み及
びその縦横の配列の不均一等の問題も減少でき、結果的
に半導体装置の歩留向上−品質向上を図る事ができる。
、基板１を本発明のフォトマスク基板４の様な形状に変
更することにより、鋭角な四隅３がないため、従来、生
じやすかったガラスが欠ける事が少なくなり、又、マス
ク収納箱に出し入れする際ｉと、この鋭角な四隅３とマ
スク収納箱との摩擦によりて発生するゴミが減少でき、
それ等、破片φゴミによって生じるパターンのピンホー
ル・キズ・パターン残りが減少できる。更に、半導体基
板との重ね合せ時のフォトマスク全体の歪みが放射状に
近くなり、特に大きく歪む部分が発生しにくくなるため
半導体基板上に形成された個々の半導体素子片の歪み及
びその縦横の配列の不均一等の問題も減少でき、結果的
に半導体装置の歩留向上−品質向上を図る事ができる。
第１図は従来技術のフォトマスクを示す平面図であり、
第２図は本発明の一実施例を示す半導体装置製造用のフ
ォトマスクの平面図である。 尚、図において、 １、・・・・・・従来のフォトマスク、２・２・・・・
・・半導体素子パターン、３．・・・・・・鋭角な四隅
、４．・・・・・・本発明のフォトマスク、５．・・・
・・・曲面を描いている四隅で第２図
第２図は本発明の一実施例を示す半導体装置製造用のフ
ォトマスクの平面図である。 尚、図において、 １、・・・・・・従来のフォトマスク、２・２・・・・
・・半導体素子パターン、３．・・・・・・鋭角な四隅
、４．・・・・・・本発明のフォトマスク、５．・・・
・・・曲面を描いている四隅で第２図
Claims (1)
- ガラスあるいは石英などの透明な材料を平板状、に加工
し咳表面に金属や金属酸化物でパターンを形成してなる
フォトマスクにおいて、諌フォトマスクの四隅が面取り
された形状を有する事を特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56176811A JPS5878151A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56176811A JPS5878151A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5878151A true JPS5878151A (ja) | 1983-05-11 |
Family
ID=16020248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56176811A Pending JPS5878151A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5878151A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0229044U (ja) * | 1988-08-16 | 1990-02-23 | ||
| EP1164431A1 (en) * | 1999-09-13 | 2001-12-19 | Asahi Glass Company Ltd. | Pellicle and method for manufacture thereof |
| JP2003114501A (ja) * | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Konica Corp | ハロゲン化銀写真乾板及びその製造方法 |
| US6861176B2 (en) * | 2002-07-18 | 2005-03-01 | Macronix International Co., Ltd. | Hole forming by cross-shape image exposure |
-
1981
- 1981-11-04 JP JP56176811A patent/JPS5878151A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0229044U (ja) * | 1988-08-16 | 1990-02-23 | ||
| EP1164431A1 (en) * | 1999-09-13 | 2001-12-19 | Asahi Glass Company Ltd. | Pellicle and method for manufacture thereof |
| EP1164431A4 (en) * | 1999-09-13 | 2003-04-09 | Asahi Glass Co Ltd | FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
| JP2003114501A (ja) * | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Konica Corp | ハロゲン化銀写真乾板及びその製造方法 |
| US6861176B2 (en) * | 2002-07-18 | 2005-03-01 | Macronix International Co., Ltd. | Hole forming by cross-shape image exposure |
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