JPH04104153A - マスクの製造方法 - Google Patents
マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH04104153A JPH04104153A JP2223233A JP22323390A JPH04104153A JP H04104153 A JPH04104153 A JP H04104153A JP 2223233 A JP2223233 A JP 2223233A JP 22323390 A JP22323390 A JP 22323390A JP H04104153 A JPH04104153 A JP H04104153A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- mask
- light
- transparent substrate
- shielding film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 7
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
マスクの透明基板を保護するマスクの製造方法の改良に
関し、 マスクの製造工程において透明基板の遮光膜を形成しな
い面が障害を受けるのを防止することが可能となるマス
クの製造方法の提供を目的とし、マスクの透明基板の一
面にパターニングされた遮光膜を備えるマスクの製造工
程において、前記透明基板の前記遮光膜を形成する面の
反対の面に保護膜を形成する工程と、前記保護膜を除去
する工程とを有するよう構成する。
関し、 マスクの製造工程において透明基板の遮光膜を形成しな
い面が障害を受けるのを防止することが可能となるマス
クの製造方法の提供を目的とし、マスクの透明基板の一
面にパターニングされた遮光膜を備えるマスクの製造工
程において、前記透明基板の前記遮光膜を形成する面の
反対の面に保護膜を形成する工程と、前記保護膜を除去
する工程とを有するよう構成する。
本発明は、マスクの透明基板を保護するマスクの製造方
法の改良に関するものである。
法の改良に関するものである。
近年の半導体装置の製造工程において用いられるマスク
の製造工程においては、マスクパターンの精度を向上さ
せることは当然であるが、更にマスクの透明基板の遮光
膜を形成しない面の欠陥が転写されるのを防止するため
に、この面の表面状態をクリーンな状態に保つことが必
要になっている。
の製造工程においては、マスクパターンの精度を向上さ
せることは当然であるが、更にマスクの透明基板の遮光
膜を形成しない面の欠陥が転写されるのを防止するため
に、この面の表面状態をクリーンな状態に保つことが必
要になっている。
以上のような状況から、マスクの透明基板の遮光膜を形
成しない面の表面状態をクリーンな状態に保ってマスク
の製造を行うことが可能なマスクの製造方法が要望され
ている。
成しない面の表面状態をクリーンな状態に保ってマスク
の製造を行うことが可能なマスクの製造方法が要望され
ている。
従来のマスクの製造方法を工程順に第３図により詳細に
説明する。
説明する。
まず透明基板１１、例えば石英ガラスを洗浄し、第３図
（ａ）に示すように、この透明基板１１の片方の面にス
パッタ装置を用いて遮光膜１２、例えば膜厚１．０００
人のクローム膜を形成する。
（ａ）に示すように、この透明基板１１の片方の面にス
パッタ装置を用いて遮光膜１２、例えば膜厚１．０００
人のクローム膜を形成する。
つぎに第３図（ｂ）に示すようにこの遮光膜１２の表面
に膜厚５，０００人のレジスト膜１３を形成し、ホット
プレートを用いて１１０℃で２０分間ベータする。
に膜厚５，０００人のレジスト膜１３を形成し、ホット
プレートを用いて１１０℃で２０分間ベータする。
ついでこのレジスト膜１３を露光し、現像処理を施した
後、ホットプレートを用いて１００℃で５分間ベータし
て、第３図（Ｃ）に示すようなレジストパターンを形成
する。
後、ホットプレートを用いて１００℃で５分間ベータし
て、第３図（Ｃ）に示すようなレジストパターンを形成
する。
その後デイスカムと称する、レジスト膜１３に形成した
レジストパターンの裾の部分やレジスト膜１３の除去が
不完全な部分のレジスト膜１３を除去する処理を行う。
レジストパターンの裾の部分やレジスト膜１３の除去が
不完全な部分のレジスト膜１３を除去する処理を行う。
このデイスカムによりレジストパターンを良好な形状に
した後、これをマスクとして第３図（ｄ）に示すように
クローム膜からなる遮光膜１２をウェットエツチングし
て遮光膜１２のパターンを形成する。
した後、これをマスクとして第３図（ｄ）に示すように
クローム膜からなる遮光膜１２をウェットエツチングし
て遮光膜１２のパターンを形成する。
最後に第３図（ｅ）に示すようにレジスト膜１３を除去
した後、遮光膜１２のパターンを検査してマスクの製造
が完了する。
した後、遮光膜１２のパターンを検査してマスクの製造
が完了する。
以上説明した従来のマスクの製造方法においては、透明
基板の遮光膜を形成する面の反対側の面は全製造工程中
において露出されているので、マスクの搬送時に搬送フ
ォークや搬送チャックと接触することにより透明基板の
表面が傷つく障害や、透明基板の表面に異物が付着する
障害や、透明基板の表面に現像液やエツチング液による
シミが付着する障害が発生するという問題点があった。
基板の遮光膜を形成する面の反対側の面は全製造工程中
において露出されているので、マスクの搬送時に搬送フ
ォークや搬送チャックと接触することにより透明基板の
表面が傷つく障害や、透明基板の表面に異物が付着する
障害や、透明基板の表面に現像液やエツチング液による
シミが付着する障害が発生するという問題点があった。
本発明は以上のような状況から、マスクの製造工程にお
いて透明基板の遮光膜を形成しない面が障害を受けるの
を防止することが可能となるマスクの製造方法の提供を
目的としたものである。
いて透明基板の遮光膜を形成しない面が障害を受けるの
を防止することが可能となるマスクの製造方法の提供を
目的としたものである。
本発明のマスクの製造方法は、マスクの透明基板の一面
にパターニングされた遮光膜を備えるマスクの製造工程
において、この透明基板のこの遮光膜を形成する面の反
対の面に保護膜を形成する工程と、この保護膜を除去す
る工程とを有するよう構成する。
にパターニングされた遮光膜を備えるマスクの製造工程
において、この透明基板のこの遮光膜を形成する面の反
対の面に保護膜を形成する工程と、この保護膜を除去す
る工程とを有するよう構成する。
即ち本発明においては、透明基板の遮光膜を形成する面
の反対の面に予め保護膜を形成するので、マスクの製造
工程中において発生する障害により透明基板の表面に傷
、異物付着、シミ等が発生してダメージを受けるのを防
止することが可能となる。
の反対の面に予め保護膜を形成するので、マスクの製造
工程中において発生する障害により透明基板の表面に傷
、異物付着、シミ等が発生してダメージを受けるのを防
止することが可能となる。
以下第１図により本発明による一実施例のマスクの製造
方法を工程順に詳細に説明する。
方法を工程順に詳細に説明する。
まず透明基板１、例えば石英ガラスを洗浄し、第１図（
ａ）に示すようにこの透明基板ｌの両面にスパッタ装置
を用いて遮光膜２、例えば膜厚１ 、０００人のクロー
ム膜と保護膜４、例えば膜厚８００人のクローム膜とを
形成する。
ａ）に示すようにこの透明基板ｌの両面にスパッタ装置
を用いて遮光膜２、例えば膜厚１ 、０００人のクロー
ム膜と保護膜４、例えば膜厚８００人のクローム膜とを
形成する。
この工程に用いるスパッタ装置は第２図に示すように、
高周波電源５ａにより高周波電圧を印加したターゲラ）
６ａと、高周波電源５ｂにより高周波電圧を印加したタ
ーゲット６ｂとの間に透明基！ＩＪｉ１を置くものであ
る。
高周波電源５ａにより高周波電圧を印加したターゲラ）
６ａと、高周波電源５ｂにより高周波電圧を印加したタ
ーゲット６ｂとの間に透明基！ＩＪｉ１を置くものであ
る。
この透明基板１の両面に形成するクローム膜の膜厚の制
御は、スパッタ時間を同じにする場合は高周波電源の出
力を調節して異なる値にし、高周波電源の出力を同じに
する場合はスパッタ時間を変えて調節することにより行
う。
御は、スパッタ時間を同じにする場合は高周波電源の出
力を調節して異なる値にし、高周波電源の出力を同じに
する場合はスパッタ時間を変えて調節することにより行
う。
つぎに第１図（ロ）に示すようにこの遮光膜２の表面に
膜厚５．０００人のレジスト膜３を形成し、ホットプレ
ートを用いて１１０ ”Ｃで２０分間ベータする。
膜厚５．０００人のレジスト膜３を形成し、ホットプレ
ートを用いて１１０ ”Ｃで２０分間ベータする。
ついでこのレジスト膜３を露光し、現像処理を施した後
、ホットプレートを用いて１００°Ｃで５分間ベークし
て、第１図（Ｃ）に示すようなレジストバターンを形成
する。
、ホットプレートを用いて１００°Ｃで５分間ベークし
て、第１図（Ｃ）に示すようなレジストバターンを形成
する。
その後、ｌ Ｔｏｒｒのウェット空気中でプラズマを発
生させることにより行うデイスカムと称する処理を行い
、レジスト膜３に形成したレジストパターンの裾の部分
やレジスト膜３の除去が不完全な部分のレジスト膜３を
除去する。
生させることにより行うデイスカムと称する処理を行い
、レジスト膜３に形成したレジストパターンの裾の部分
やレジスト膜３の除去が不完全な部分のレジスト膜３を
除去する。
このデイスカムによりレジストパターンを良好な形状に
した後、これをマスクとして第１図（ｄ）に示すように
クローム膜からなる遮光膜２をウェットエツチングして
遮光膜２のパターンを形成し、この遮光膜２のウェット
エツチングと同時に透明基板１の反対側に形成した保護
膜４も除去する。
した後、これをマスクとして第１図（ｄ）に示すように
クローム膜からなる遮光膜２をウェットエツチングして
遮光膜２のパターンを形成し、この遮光膜２のウェット
エツチングと同時に透明基板１の反対側に形成した保護
膜４も除去する。
このエツチングは、保護膜４の表面にシミが生じた場合
にはこのシミがマスクになるので、ドライエツチングで
は保護膜４を完全に除去することはできない。
にはこのシミがマスクになるので、ドライエツチングで
は保護膜４を完全に除去することはできない。
最後に第１図（ｅ）に示すようにレジスト膜３を除去し
た後、遮光膜２のパターンを検査してマスクの製造が完
了する。
た後、遮光膜２のパターンを検査してマスクの製造が完
了する。
本実施例においては保護膜４の除去を遮光膜２のエツチ
ングと同時に行ったが、遮光膜２のパタニングを行った
後に、遮光膜２の表面に耐エンチング性を有する被膜を
形成してウェットエツチングして保護膜４を除去するこ
とも可能である。
ングと同時に行ったが、遮光膜２のパタニングを行った
後に、遮光膜２の表面に耐エンチング性を有する被膜を
形成してウェットエツチングして保護膜４を除去するこ
とも可能である。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、極めて
簡単な構造の保護膜を透明基板の遮光膜を形成しない面
に形成することにより、透明基板の遮光膜を形成しない
面に生じる障害を完全に防止することが可能となる利点
があり、著しい経済的及び、信顛性向上の効果が期待で
きるマスクの製造方法の提供が可能となる。
簡単な構造の保護膜を透明基板の遮光膜を形成しない面
に形成することにより、透明基板の遮光膜を形成しない
面に生じる障害を完全に防止することが可能となる利点
があり、著しい経済的及び、信顛性向上の効果が期待で
きるマスクの製造方法の提供が可能となる。
第１図は本発明による一実施例のマスクの製造方法を工
程順に示す側断面図、 第２図は本発明による一実施例に用いるスパッタ装置の
概略構造図、 第３図は従来のマスクの製造方法を工程順に示す側断面
図、 である。 図において、 １は透明基板、 ２は遮光膜、 ３はレジスト膜、 ４は保護膜、 ５ａは高周波電源、 ５ｂは高周波電源、 ６ａはターゲット、 ６ｂはターゲット、 を示す。 （ａｌ 遮光１１［（２）及び保ＪＩｌ［（４）の形
成（ｂｌ レジスト膜（３）の形成 （Ｃ） レジストＩＩＩ（３）のパターニング本発明
による一実施例のマスクの製造方法を工程順に示す側断
面図第 １ 図（その１） イｄ） 遮光１１１（２）のエツチング及び保護膜（４）の除去
＋８＋ レジスト膜（３）の除去 本発明による一実施例のマスクの製造方法を工程順に示
す側断面図第 ■ 図（その２） 本発明による一実施例に用いるスパッタ装置の概略構造
図第 図 ＋ａ＋ 遮光膜（１２）の形成 ｔｂ＋ レジスト膜（１３）の形成 ｔｃ＋ レジスト膜（１３）のパターニング 従来のマスクの製造方法を工程順に示す側断面図第 図（その１）
程順に示す側断面図、 第２図は本発明による一実施例に用いるスパッタ装置の
概略構造図、 第３図は従来のマスクの製造方法を工程順に示す側断面
図、 である。 図において、 １は透明基板、 ２は遮光膜、 ３はレジスト膜、 ４は保護膜、 ５ａは高周波電源、 ５ｂは高周波電源、 ６ａはターゲット、 ６ｂはターゲット、 を示す。 （ａｌ 遮光１１［（２）及び保ＪＩｌ［（４）の形
成（ｂｌ レジスト膜（３）の形成 （Ｃ） レジストＩＩＩ（３）のパターニング本発明
による一実施例のマスクの製造方法を工程順に示す側断
面図第 １ 図（その１） イｄ） 遮光１１１（２）のエツチング及び保護膜（４）の除去
＋８＋ レジスト膜（３）の除去 本発明による一実施例のマスクの製造方法を工程順に示
す側断面図第 ■ 図（その２） 本発明による一実施例に用いるスパッタ装置の概略構造
図第 図 ＋ａ＋ 遮光膜（１２）の形成 ｔｂ＋ レジスト膜（１３）の形成 ｔｃ＋ レジスト膜（１３）のパターニング 従来のマスクの製造方法を工程順に示す側断面図第 図（その１）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透明基板（１）の一面にパターニングされた遮光膜（２
）を備えるマスクの製造工程において、前記透明基板（
１）の前記遮光膜（２）を形成する面の反対の面に保護
膜（４）を形成する工程と、前記保護膜（４）を除去す
る工程と、 を有することを特徴とするマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2223233A JPH04104153A (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2223233A JPH04104153A (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04104153A true JPH04104153A (ja) | 1992-04-06 |
Family
ID=16794886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2223233A Pending JPH04104153A (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04104153A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007503621A (ja) * | 2003-08-25 | 2007-02-22 | トッパン、フォウタマスクス、インク | フォトマスクおよびその光学的特性を保守する方法 |
| US7357110B2 (en) | 2005-08-02 | 2008-04-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Resin intake manifold |
| US8127878B2 (en) | 2009-01-07 | 2012-03-06 | Honda Motor Co., Ltd. | Intake air introducing structure for automobile |
-
1990
- 1990-08-23 JP JP2223233A patent/JPH04104153A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007503621A (ja) * | 2003-08-25 | 2007-02-22 | トッパン、フォウタマスクス、インク | フォトマスクおよびその光学的特性を保守する方法 |
| US7357110B2 (en) | 2005-08-02 | 2008-04-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Resin intake manifold |
| US8127878B2 (en) | 2009-01-07 | 2012-03-06 | Honda Motor Co., Ltd. | Intake air introducing structure for automobile |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100298610B1 (ko) | 위상쉬프트포토마스크,위상쉬프트포토마스크블랭크및이들의제조방법 | |
| TWI226971B (en) | Photomask blank and photomask | |
| KR100762245B1 (ko) | 포토마스크의 패턴 결함 수정 방법 | |
| JPH04104153A (ja) | マスクの製造方法 | |
| JPS62210467A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JPS62201444A (ja) | フオトマスクおよびその製造方法 | |
| JPH06301194A (ja) | フォトマスクの製造方法およびフォトマスク | |
| JP2011150202A (ja) | 多階調露光マスク | |
| JPS5878151A (ja) | フオトマスク | |
| JPS6132423A (ja) | 周辺部に段差を有する半導体基板およびその製法 | |
| JPS6315249A (ja) | 光学マスクの製造方法 | |
| JPS6338231A (ja) | レジストマスクの形成方法 | |
| JPS61267762A (ja) | フォトマスクブランクとフォトマスクの製造方法 | |
| JP3234995B2 (ja) | 位相シフトマスクブランクと位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPH02161433A (ja) | フォトマスク基板 | |
| JPS6259956A (ja) | パタ−ン形成用マスク | |
| JP2004219509A (ja) | 防塵装置付きフォトマスクおよび露光方法、検査方法と修正方法 | |
| JP2001305718A (ja) | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 | |
| JPS5841765B2 (ja) | フオトマスク材の傷修復方法 | |
| JPH05265179A (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
| JPS5919322A (ja) | クロムマスクの修正方法 | |
| JPH0619111A (ja) | 位相シフト用マスクの製造方法 | |
| JPS6381354A (ja) | ホトマスク | |
| JPS6231855A (ja) | ペリクル付マスクブランク | |
| JP2004241740A (ja) | 防塵装置、防塵装置付きステンシルマスクおよび露光方法、検査方法と欠陥修正方法 |