JPS6338231A - レジストマスクの形成方法 - Google Patents
レジストマスクの形成方法Info
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- JPS6338231A JPS6338231A JP61181426A JP18142686A JPS6338231A JP S6338231 A JPS6338231 A JP S6338231A JP 61181426 A JP61181426 A JP 61181426A JP 18142686 A JP18142686 A JP 18142686A JP S6338231 A JPS6338231 A JP S6338231A
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- film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ウェーハに所要の回路パターンを形成するレジストマス
クの形成に際し、 回路パターンを形成しないうエーハ周縁部に露光し、該
周縁部のレジストを除去することによって、 回路パターンの製造を容易化し、製造歩留まりを向上し
たものである。
クの形成に際し、 回路パターンを形成しないうエーハ周縁部に露光し、該
周縁部のレジストを除去することによって、 回路パターンの製造を容易化し、製造歩留まりを向上し
たものである。
本発明方法はウェーハの表面に回路パターンを形成する
ポジ型レジストマスクの改良、特に製造歩留まりを向上
する改良に関する。
ポジ型レジストマスクの改良、特に製造歩留まりを向上
する改良に関する。
ウェーハ表面の不要部を除去または所要部に金属膜や絶
縁膜を被着する従来のレジストマスクは、ウェーハ表面
にレジスト膜を被着しそのプレ・＼−クを行ったのち、
ホトマスクを使用し所要の凹路パターンをレジスト膜に
焼付け（露光）し、現像−水洗いでレジスト膜の不要部
分を除去し形成している。
縁膜を被着する従来のレジストマスクは、ウェーハ表面
にレジスト膜を被着しそのプレ・＼−クを行ったのち、
ホトマスクを使用し所要の凹路パターンをレジスト膜に
焼付け（露光）し、現像−水洗いでレジスト膜の不要部
分を除去し形成している。
第３図は従来のポジ型レジストマスクを形成したウェー
ハの平面図である。同図において、所望の金属膜等を被
着したウェーハ１の表面に複数の所要回路パターン２が
、ホトマスクを使用しりピ−ト・アンド・リピートで形
成されており、回路パターン２を取り巻くウェーハの周
縁部（図の斜線部分）には、レジスト膜３が残されてい
る。
ハの平面図である。同図において、所望の金属膜等を被
着したウェーハ１の表面に複数の所要回路パターン２が
、ホトマスクを使用しりピ−ト・アンド・リピートで形
成されており、回路パターン２を取り巻くウェーハの周
縁部（図の斜線部分）には、レジスト膜３が残されてい
る。
なお、第３図において回路パターン２は２１個であり、
４箇所に一方のコーナを切り欠いたダミー回路パターン
４が形成されている。
４箇所に一方のコーナを切り欠いたダミー回路パターン
４が形成されている。
前記回路パターンの形成において自動機を使用しないと
き、ウェーハはその周縁部をピンセットで摘み搬送する
ことになる。一方、現像−水洗い後の乾燥を迅速に行う
と共に、洗浄水のシミを残さないため、例えば３ｋｇ／
ｃｍ”程度に加圧したＮ２ガスを噴射するガスブロー（
水切り）を行っている。
き、ウェーハはその周縁部をピンセットで摘み搬送する
ことになる。一方、現像−水洗い後の乾燥を迅速に行う
と共に、洗浄水のシミを残さないため、例えば３ｋｇ／
ｃｍ”程度に加圧したＮ２ガスを噴射するガスブロー（
水切り）を行っている。
しかし、露光の終わったウェーハをピンセントで摘んだ
とき、細心の注意のもとに作業しても、ビンセット先端
でウェーハ周縁部のレジストを傷付けることがあり、そ
こに水切り用のガスを当てるとレジストの細片が剥がれ
、回路パターン形成部に被着することがあった。
とき、細心の注意のもとに作業しても、ビンセット先端
でウェーハ周縁部のレジストを傷付けることがあり、そ
こに水切り用のガスを当てるとレジストの細片が剥がれ
、回路パターン形成部に被着することがあった。
即ち、露光−現像を自動機に依らずピンセットで使用し
た従来方法では、ピンセットの取り扱いを慎重にするた
め作業性を損なうと共に、レジストの細片の被着する不
良品ができるという問題点があった。
た従来方法では、ピンセットの取り扱いを慎重にするた
め作業性を損なうと共に、レジストの細片の被着する不
良品ができるという問題点があった。
ｒ問題点を解決するための手段〕
−Ｆ記問題点の除去を目的とした本発明は、ウェーハ（
１１）の表面にポジ型ホトレジスト膜を被着する成膜工
程（２３）と、 該ホトレジスト膜に回路パターン（１２）および、該回
路パターン（１２）を形成しない該ウェーハの周縁部（
Ｉ３）を露光する露光工程（２４）と、該露光部分を除
去する現像工程（２５）を含むことを特徴とするレジス
トマスクの形成方法である。
１１）の表面にポジ型ホトレジスト膜を被着する成膜工
程（２３）と、 該ホトレジスト膜に回路パターン（１２）および、該回
路パターン（１２）を形成しない該ウェーハの周縁部（
Ｉ３）を露光する露光工程（２４）と、該露光部分を除
去する現像工程（２５）を含むことを特徴とするレジス
トマスクの形成方法である。
前記手段によれば、ウェーハ周縁部に被着したレジスト
が現像処理で除去されるため、現像後に該周縁部をピン
セットで摘むもレジスト細片ができない。従って、ウェ
ーハの取り扱いが容易となり、該細片が被着する不良を
なくす。
が現像処理で除去されるため、現像後に該周縁部をピン
セットで摘むもレジスト細片ができない。従って、ウェ
ーハの取り扱いが容易となり、該細片が被着する不良を
なくす。
以下に、図面を用いて本発明方法を説明する。
第１図は本発明の一実施例によるウェーハの平面図、第
２図はその主要工程図である。
２図はその主要工程図である。
第１図において、所望の金属膜等を被着したつ工−ハ１
１は、複数（図は２１個）の所要の回路パターン１２と
複数（図は４個）のダミー回路パターン１４を形成し、
パターン１２．１４の外側のウェーハ周縁部１３のレジ
スト膜を除去したものである。従って、ポジ型レジスト
マスク１５は各パターン１２．１４の外縁部および、パ
ターン１２．１４の内側の図示しないパターンにてなる
。
１は、複数（図は２１個）の所要の回路パターン１２と
複数（図は４個）のダミー回路パターン１４を形成し、
パターン１２．１４の外側のウェーハ周縁部１３のレジ
スト膜を除去したものである。従って、ポジ型レジスト
マスク１５は各パターン１２．１４の外縁部および、パ
ターン１２．１４の内側の図示しないパターンにてなる
。
第２図において、所要膜の被着工程２１はウェーハＩＩ
の表面に金属（Ａｕ等）や絶縁体（ＳｉＯ□等）および
磁性体（パーマロイ等）等の所要膜を、蒸着やスパッタ
手段で被着する。
の表面に金属（Ａｕ等）や絶縁体（ＳｉＯ□等）および
磁性体（パーマロイ等）等の所要膜を、蒸着やスパッタ
手段で被着する。
次いで、前記被着膜のピンホールや膜厚等を検査工程２
２で検査したのち、その上にポジ型レジストをスピンコ
ード等にて塗布しそれを硬化させるプレベークからなる
成膜工程２３でレジスト膜を形成する。
２で検査したのち、その上にポジ型レジストをスピンコ
ード等にて塗布しそれを硬化させるプレベークからなる
成膜工程２３でレジスト膜を形成する。
次いで、露光工程２４で回路パターン１２とダミー回路
パターン１４および周縁部１３に光を照射し、現像工程
２５ではレジスト膜の露光部分を現像し除去する。
パターン１４および周縁部１３に光を照射し、現像工程
２５ではレジスト膜の露光部分を現像し除去する。
しかるのち、水洗、ガスブロ一工程２６で洗浄・乾燥さ
せたのち、ボストベーク工程２７でレジスト膜の非露光
部分を充分に硬化させレジストマスク１５が完成し、レ
ジストマスク１５を用い被着膜の不要部分を除去する。
せたのち、ボストベーク工程２７でレジスト膜の非露光
部分を充分に硬化させレジストマスク１５が完成し、レ
ジストマスク１５を用い被着膜の不要部分を除去する。
以上説明したように本発明方法によれば、つ工−ハの周
縁部にレジスト膜が残らず、従って該周縁部をピンセン
トで挟んでもレジスト膜の細片が出来ないため、ピンセ
ットを用いた取り扱いが容易となり作業性を改善すると
共に、レジスト細片による不良品がなくなって製造歩留
まりを向上した効果がある。
縁部にレジスト膜が残らず、従って該周縁部をピンセン
トで挟んでもレジスト膜の細片が出来ないため、ピンセ
ットを用いた取り扱いが容易となり作業性を改善すると
共に、レジスト細片による不良品がなくなって製造歩留
まりを向上した効果がある。
第１図は本発明の一実施例によるウェーハの平面図、
第２図は第１図の主要工程図、
第３図は従来のウェーハの平面図、
である。
図中において、
１１はウェーハ、 １２は回路パターン、１３はウェー
ハの周縁部、 １５はポジ型レジストマスク、 ２３はレジスト成膜工程、 ２４は露光工程、 ２５は現像工程、 を示す。 虐兜日月の一突方タ’Ａ、ｔ″−」ろウェーハＣ千１色
区茅 １ 口 肇 ２ 口
ハの周縁部、 １５はポジ型レジストマスク、 ２３はレジスト成膜工程、 ２４は露光工程、 ２５は現像工程、 を示す。 虐兜日月の一突方タ’Ａ、ｔ″−」ろウェーハＣ千１色
区茅 １ 口 肇 ２ 口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ウェーハ（１１）の表面にポジ型ホトレジスト膜を被着
する成膜工程（２３）と、 該ホトレジスト膜に回路パターン（１２）および、該回
路パターン（１２）を形成しない該ウェーハの周縁部（
１３）を露光する露光工程（２４）と、該露光部分を除
去する現像工程（２５）を含むことを特徴とするレジス
トマスクの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61181426A JPS6338231A (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | レジストマスクの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61181426A JPS6338231A (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | レジストマスクの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6338231A true JPS6338231A (ja) | 1988-02-18 |
Family
ID=16100566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61181426A Pending JPS6338231A (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | レジストマスクの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6338231A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02278814A (ja) * | 1989-04-20 | 1990-11-15 | Fujitsu Ltd | ウエハの露光方法 |
| JPH03242922A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-10-29 | Ushio Inc | ウエハ周辺露光方法及びウエハ周辺露光装置 |
| US6232051B1 (en) | 1997-10-20 | 2001-05-15 | Fujitsu Limited | Method for production of semiconductor devices |
-
1986
- 1986-08-01 JP JP61181426A patent/JPS6338231A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02278814A (ja) * | 1989-04-20 | 1990-11-15 | Fujitsu Ltd | ウエハの露光方法 |
| JPH03242922A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-10-29 | Ushio Inc | ウエハ周辺露光方法及びウエハ周辺露光装置 |
| US6232051B1 (en) | 1997-10-20 | 2001-05-15 | Fujitsu Limited | Method for production of semiconductor devices |
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