JPH06301194A - フォトマスクの製造方法およびフォトマスク - Google Patents
フォトマスクの製造方法およびフォトマスクInfo
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- JPH06301194A JPH06301194A JP8827193A JP8827193A JPH06301194A JP H06301194 A JPH06301194 A JP H06301194A JP 8827193 A JP8827193 A JP 8827193A JP 8827193 A JP8827193 A JP 8827193A JP H06301194 A JPH06301194 A JP H06301194A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 フォトマスク上の異物の残存率を大幅に低減
する。 【構成】 マスク基板１ａの主面に溝１ｂを形成した
後、そのマスク基板１ａの主面上に遮光用導体膜をその
上面が略平坦となるような状態で堆積する。続いて、そ
の遮光用導体膜を、異方性のドライエッチング法によっ
てエッチバックすることにより、溝１ｂ内のみに遮光膜
パターン１ｃを形成する。
する。 【構成】 マスク基板１ａの主面に溝１ｂを形成した
後、そのマスク基板１ａの主面上に遮光用導体膜をその
上面が略平坦となるような状態で堆積する。続いて、そ
の遮光用導体膜を、異方性のドライエッチング法によっ
てエッチバックすることにより、溝１ｂ内のみに遮光膜
パターン１ｃを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトマスクの製造方
法およびフォトマスク技術に関し、特に、半導体集積回
路装置の製造工程である露光工程の際に用いるフォトマ
スクの製造方法およびフォトマスクに適用して有効な技
術に関するものである。
法およびフォトマスク技術に関し、特に、半導体集積回
路装置の製造工程である露光工程の際に用いるフォトマ
スクの製造方法およびフォトマスクに適用して有効な技
術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路装置製造における露光工
程は、露光光源から放射された露光光を、フォトマスク
（レチクルも含む）を介して半導体ウエハ上に塗布され
たフォトレジスト（以下、単にレジストという）膜に照
射することにより、そのレジスト膜にフォトマスク上の
マスクパターンを転写する処理工程である。
程は、露光光源から放射された露光光を、フォトマスク
（レチクルも含む）を介して半導体ウエハ上に塗布され
たフォトレジスト（以下、単にレジストという）膜に照
射することにより、そのレジスト膜にフォトマスク上の
マスクパターンを転写する処理工程である。
【０００３】そのフォトマスクは、石英等のような透明
なマスク基板上に、クロム（Ｃｒ）等からなる遮光膜パ
ターンが形成されて構成されている。マスクパターン
は、その遮光膜パターンによって形成された光遮蔽領域
と光透過領域とによって形成されている。
なマスク基板上に、クロム（Ｃｒ）等からなる遮光膜パ
ターンが形成されて構成されている。マスクパターン
は、その遮光膜パターンによって形成された光遮蔽領域
と光透過領域とによって形成されている。
【０００４】ところで、フォトマスクを用いた露光処理
の場合、フォトマスクの光透過領域上に存在する異物
は、たとえ微小なものであってもその異物による影がそ
のまま半導体ウエハ上に転写されてしまうので、回路素
子等の欠陥の原因となる。
の場合、フォトマスクの光透過領域上に存在する異物
は、たとえ微小なものであってもその異物による影がそ
のまま半導体ウエハ上に転写されてしまうので、回路素
子等の欠陥の原因となる。
【０００５】そこで、このような異物に対処する技術と
して、異物検査技術やフォトマスク洗浄技術がある。異
物検査技術としては、レーザ光をフォトマスクに照射し
た際に反射される散乱光を検出することにより異物の検
出を行う技術や実際のフォトマスク上のマスクパターン
と予め用意された正しいマスクパターンとの比較を行う
ことにより異物の検出を行う技術等がある。フォトマス
ク洗浄技術としては、フォトマスクを物理的に洗浄する
方法や化学的に洗浄する方法等がある。
して、異物検査技術やフォトマスク洗浄技術がある。異
物検査技術としては、レーザ光をフォトマスクに照射し
た際に反射される散乱光を検出することにより異物の検
出を行う技術や実際のフォトマスク上のマスクパターン
と予め用意された正しいマスクパターンとの比較を行う
ことにより異物の検出を行う技術等がある。フォトマス
ク洗浄技術としては、フォトマスクを物理的に洗浄する
方法や化学的に洗浄する方法等がある。
【０００６】なお、光露光技術については、例えば株式
会社オーム社、昭和５９年１１月３０日発行、「ＬＳＩ
ハンドブック」Ｐ２５３〜Ｐ２６０に記載があり、レジ
スト膜材料や露光方法等について説明されている。
会社オーム社、昭和５９年１１月３０日発行、「ＬＳＩ
ハンドブック」Ｐ２５３〜Ｐ２６０に記載があり、レジ
スト膜材料や露光方法等について説明されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、遮光膜パタ
ーンがマスク基板上に形成されている上記従来のフォト
マスクにおいては、フォトマスク上に遮光膜パターンの
厚さ分だけ段差が生じているため、以下の問題があるこ
とを本発明者は見い出した。
ーンがマスク基板上に形成されている上記従来のフォト
マスクにおいては、フォトマスク上に遮光膜パターンの
厚さ分だけ段差が生じているため、以下の問題があるこ
とを本発明者は見い出した。
【０００８】すなわち、第１に、遮光膜パターンのエッ
ジ部分に異物が残り易いという問題があった。
ジ部分に異物が残り易いという問題があった。
【０００９】第２に、遮光膜パターンの段差により、洗
浄処理による異物の除去が困難であるという問題があっ
た。
浄処理による異物の除去が困難であるという問題があっ
た。
【００１０】第３に、レーザ光による異物検査に際し
て、レーザ光が遮光膜パターンのエッジに照射され散乱
することによって異物検出感度が低下する問題があっ
た。
て、レーザ光が遮光膜パターンのエッジに照射され散乱
することによって異物検出感度が低下する問題があっ
た。
【００１１】第４に、遮光膜パターンが剥離し易いとい
う問題があった。
う問題があった。
【００１２】本発明は上記課題に着目してなされたもの
であり、その目的は、フォトマスク上の異物の残存率を
大幅に低減することのできる技術を提供することにあ
る。
であり、その目的は、フォトマスク上の異物の残存率を
大幅に低減することのできる技術を提供することにあ
る。
【００１３】本発明の他の目的は、フォトマスク上の異
物を容易に除去することのできる技術を提供することに
ある。
物を容易に除去することのできる技術を提供することに
ある。
【００１４】本発明の他の目的は、レーザ光による異物
検出感度を向上させることのできる技術を提供すること
にある。
検出感度を向上させることのできる技術を提供すること
にある。
【００１５】本発明の他の目的は、遮光膜パターンの剥
離を抑制することのできる技術を提供することにある。
離を抑制することのできる技術を提供することにある。
【００１６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１８】すなわち、請求項１記載の発明は、マスク
基板の主面に溝を形成する工程と、前記マスク基板の主
面上に遮光用導体膜をその上面が略平坦となるような状
態で堆積する工程と、前記遮光用導体膜を、前記溝内に
遮光用導体膜が残るように除去する工程とを有するフォ
トマスクの製造方法とするものである。
基板の主面に溝を形成する工程と、前記マスク基板の主
面上に遮光用導体膜をその上面が略平坦となるような状
態で堆積する工程と、前記遮光用導体膜を、前記溝内に
遮光用導体膜が残るように除去する工程とを有するフォ
トマスクの製造方法とするものである。
【００１９】
【作用】上記した請求項１記載の発明によれば、遮光膜
パターンをマスク基板の溝内に形成したことにより、異
物が遮光膜パターンのエッジに残るのを防止することが
できる。また、洗浄処理に際して、フォトマスク上の異
物を容易にしかも効果的に除去することができる。さら
に、レーザ光による異物検査処理に際して、レーザ光が
遮光膜パターンのエッジに照射され散乱する現象を防止
することができるので、レーザ光による異物検出感度を
向上させることができる。これらにより、フォトマスク
上の異物の残存率を大幅に低減することが可能となる。
パターンをマスク基板の溝内に形成したことにより、異
物が遮光膜パターンのエッジに残るのを防止することが
できる。また、洗浄処理に際して、フォトマスク上の異
物を容易にしかも効果的に除去することができる。さら
に、レーザ光による異物検査処理に際して、レーザ光が
遮光膜パターンのエッジに照射され散乱する現象を防止
することができるので、レーザ光による異物検出感度を
向上させることができる。これらにより、フォトマスク
上の異物の残存率を大幅に低減することが可能となる。
【００２０】しかも、遮光膜パターンの剥離を抑制する
ことができるので、パターン欠陥の無い信頼性の高いフ
ォトマスクを提供できる上、フォトマスクの寿命を延ば
すことが可能となる。
ことができるので、パターン欠陥の無い信頼性の高いフ
ォトマスクを提供できる上、フォトマスクの寿命を延ば
すことが可能となる。
【００２１】
【実施例１】図１は本発明の一実施例であるフォトマス
クの要部断面図、図２〜図６は図１のフォトマスクの製
造工程中におけるマスク基板の要部断面図である。
クの要部断面図、図２〜図６は図１のフォトマスクの製
造工程中におけるマスク基板の要部断面図である。
【００２２】図１に示す本実施例１のフォトマスク１
は、例えば半導体集積回路装置の製造工程である露光工
程の際に用いるフォトマスクである。
は、例えば半導体集積回路装置の製造工程である露光工
程の際に用いるフォトマスクである。
【００２３】マスク基板１ａは、例えば石英ガラス等の
ような透明な材料からなり、その主面には、溝１ｂが形
成されている。そして、本実施例１においては、溝１ｂ
内に遮光膜パターン１ｃが形成されている。すなわち、
本実施例１においては、フォトマスク１の主面がほぼ平
坦になっている。
ような透明な材料からなり、その主面には、溝１ｂが形
成されている。そして、本実施例１においては、溝１ｂ
内に遮光膜パターン１ｃが形成されている。すなわち、
本実施例１においては、フォトマスク１の主面がほぼ平
坦になっている。
【００２４】したがって、本実施例１のフォトマスク１
は、異物が遮光膜パターン１ｃのエッジに残るのを防止
できる構造となっている。また、洗浄処理に際して、フ
ォトマスク１上の異物を容易にしかも効果的に除去でき
る構造となっている。さらに、レーザ光による異物検査
処理に際して、レーザ光が遮光膜パターン１ｃのエッジ
に照射され散乱する現象を防止できるので、レーザ光に
よる異物検出感度を向上させることができる構造となっ
ている。
は、異物が遮光膜パターン１ｃのエッジに残るのを防止
できる構造となっている。また、洗浄処理に際して、フ
ォトマスク１上の異物を容易にしかも効果的に除去でき
る構造となっている。さらに、レーザ光による異物検査
処理に際して、レーザ光が遮光膜パターン１ｃのエッジ
に照射され散乱する現象を防止できるので、レーザ光に
よる異物検出感度を向上させることができる構造となっ
ている。
【００２５】しかも、遮光膜パターン１ｃの剥離を抑制
することができるので、遮光膜パターン１ｃに欠陥の無
い信頼性の高いフォトマスク１を提供できる上、フォト
マスク１の寿命を延ばすことが可能となっている。
することができるので、遮光膜パターン１ｃに欠陥の無
い信頼性の高いフォトマスク１を提供できる上、フォト
マスク１の寿命を延ばすことが可能となっている。
【００２６】遮光膜パターン１ｃは、例えばクロム（Ｃ
ｒ）からなり、本実施例１においては、遮光膜パターン
１ｃの上面位が、マスク基板１ａの主面よりも若干下が
って形成されている。
ｒ）からなり、本実施例１においては、遮光膜パターン
１ｃの上面位が、マスク基板１ａの主面よりも若干下が
って形成されている。
【００２７】これにより、フォトマスク１上に存在する
異物が遮光膜パターン１ｃ上に存在し易くなる。すなわ
ち、フォトマスク１は、露光処理に際して異物の影が転
写されない遮光膜パターン１ｃ上に異物を存在させ易く
することにより、異物に起因する転写パターン欠陥の発
生率を低減することが可能な構造となっている。
異物が遮光膜パターン１ｃ上に存在し易くなる。すなわ
ち、フォトマスク１は、露光処理に際して異物の影が転
写されない遮光膜パターン１ｃ上に異物を存在させ易く
することにより、異物に起因する転写パターン欠陥の発
生率を低減することが可能な構造となっている。
【００２８】次に、本実施例１のフォトマスク１の製造
方法を図２〜図６によって説明する。
方法を図２〜図６によって説明する。
【００２９】まず、図２に示すように、平板状のマスク
基板１ａの主面上に電子線用レジスト膜２ａを塗布す
る。
基板１ａの主面上に電子線用レジスト膜２ａを塗布す
る。
【００３０】続いて、その電子線用レジスト膜２ａに電
子線等を用いて所定の半導体集積回路パターンを転写し
た後、その電子線用レジスト膜２ａに対して現像処理を
施すことにより、図３に示すように、マスク基板１ａ上
に電子線用レジストパターン２ａ1 を形成する。
子線等を用いて所定の半導体集積回路パターンを転写し
た後、その電子線用レジスト膜２ａに対して現像処理を
施すことにより、図３に示すように、マスク基板１ａ上
に電子線用レジストパターン２ａ1 を形成する。
【００３１】その後、電子線用レジストパターン２ａ1
をエッチングマスクとして、例えばフッ酸等を用いて、
マスク基板１ａに対してエッチング処理を施すことによ
り、図４に示すように、マスク基板１ａの主面上に溝１
ｂを形成する。
をエッチングマスクとして、例えばフッ酸等を用いて、
マスク基板１ａに対してエッチング処理を施すことによ
り、図４に示すように、マスク基板１ａの主面上に溝１
ｂを形成する。
【００３２】次いで、図５に示すように、電子線用レジ
ストパターン２ａ1 を除去した後、図６に示すように、
マスク基板１ａ上に、例えばＣｒ等のような遮光用導体
膜３をＣＶＤ法等によって堆積する。この際、遮光用導
体膜３の上面がほぼ平坦となるようにする。
ストパターン２ａ1 を除去した後、図６に示すように、
マスク基板１ａ上に、例えばＣｒ等のような遮光用導体
膜３をＣＶＤ法等によって堆積する。この際、遮光用導
体膜３の上面がほぼ平坦となるようにする。
【００３３】続いて、マスク基板１ａに対して、例えば
異方性のドライエッチング法によってエッチング処理を
施し、マスク基板１の主面上の遮光用導体膜３を溝１ｂ
内のみに残るようにエッチバックすることにより、図１
に示したように、溝１ｂ内に遮光用パターン１ｂの形成
されたフォトマスク１を製造する。
異方性のドライエッチング法によってエッチング処理を
施し、マスク基板１の主面上の遮光用導体膜３を溝１ｂ
内のみに残るようにエッチバックすることにより、図１
に示したように、溝１ｂ内に遮光用パターン１ｂの形成
されたフォトマスク１を製造する。
【００３４】この際、本実施例１においては、溝１ｂ内
の遮光膜パターン１ｃの上面位が、マスク基板１ａの主
面の面位よりも若干低くなる程度までエッチバックす
る。これにより、フォトマスク１上に存在する異物が遮
光膜パターン１ｃ上に存在し易くなるような構造とす
る。
の遮光膜パターン１ｃの上面位が、マスク基板１ａの主
面の面位よりも若干低くなる程度までエッチバックす
る。これにより、フォトマスク１上に存在する異物が遮
光膜パターン１ｃ上に存在し易くなるような構造とす
る。
【００３５】このように、本実施例１によれば、以下の
効果を得ることが可能となる。
効果を得ることが可能となる。
【００３６】(1).遮光膜パターン１ｃをマスク基板１ａ
の溝１ｂ内に形成したことにより、異物が遮光膜パター
ン１ｃのエッジに残るのを防止することが可能となる。
の溝１ｂ内に形成したことにより、異物が遮光膜パター
ン１ｃのエッジに残るのを防止することが可能となる。
【００３７】(2).洗浄処理に際して、フォトマスク１上
の異物を容易にしかも効果的に除去することが可能とな
る。
の異物を容易にしかも効果的に除去することが可能とな
る。
【００３８】(3).レーザ光による異物検査処理に際し
て、レーザ光が遮光膜パターン１ｃのエッジに照射され
散乱する現象を防止することができるので、レーザ光に
よる異物検出感度を向上させることが可能となる。
て、レーザ光が遮光膜パターン１ｃのエッジに照射され
散乱する現象を防止することができるので、レーザ光に
よる異物検出感度を向上させることが可能となる。
【００３９】(4).上記(1) 〜(3) により、フォトマスク
１上の異物の残存率を大幅に低減することが可能とな
る。
１上の異物の残存率を大幅に低減することが可能とな
る。
【００４０】(5).遮光膜パターン１ｃの剥離を抑制する
ことができるので、遮光膜パターン１ｃに欠陥の無い信
頼性の高いフォトマスク１を提供することができる上、
フォトマスク１の寿命を延ばすことが可能となる。
ことができるので、遮光膜パターン１ｃに欠陥の無い信
頼性の高いフォトマスク１を提供することができる上、
フォトマスク１の寿命を延ばすことが可能となる。
【００４１】(6).マスク基板１ａの溝１ｂ内に形成され
た遮光膜パターン１ｃの上面位を、マスク基板１ａの主
面の面位よりも低くしたことにより、フォトマスク１上
に存在する異物を遮光膜パターン１ｃ上に存在させ易く
することができる。すなわち、露光処理に際して異物の
影が転写されない遮光膜パターン１ｃ上に異物を存在さ
せ易くすることにより、異物に起因する転写パターン欠
陥の発生率を低減することが可能となる。
た遮光膜パターン１ｃの上面位を、マスク基板１ａの主
面の面位よりも低くしたことにより、フォトマスク１上
に存在する異物を遮光膜パターン１ｃ上に存在させ易く
することができる。すなわち、露光処理に際して異物の
影が転写されない遮光膜パターン１ｃ上に異物を存在さ
せ易くすることにより、異物に起因する転写パターン欠
陥の発生率を低減することが可能となる。
【００４２】(7).上記(1) 〜(6) により、半導体集積回
路装置の製造工程である露光処理に際して、信頼性の高
いパターン転写が可能となる。その結果、半導体集積回
路装置の信頼性および歩留りを向上させることが可能と
なる。
路装置の製造工程である露光処理に際して、信頼性の高
いパターン転写が可能となる。その結果、半導体集積回
路装置の信頼性および歩留りを向上させることが可能と
なる。
【００４３】
【実施例２】図７および図８は本発明の他の実施例であ
るフォトマスクの製造工程中におけるマスク基板の要部
断面図である。
るフォトマスクの製造工程中におけるマスク基板の要部
断面図である。
【００４４】まず、前記実施例１で説明した図２〜図５
までの工程を経た後、図７に示すように、マスク基板１
ａ上に、例えばスパッタリング法によって、遮光用導体
膜３を堆積する。
までの工程を経た後、図７に示すように、マスク基板１
ａ上に、例えばスパッタリング法によって、遮光用導体
膜３を堆積する。
【００４５】続いて、マスク基板１ａの主面を研磨する
ことにより、図８に示すように、マスク基板１ａの溝１
ｂ内に遮光膜パターン１ｃの形成されたフォトマスク１
を製造する。この際、本実施例２においては、遮光用導
体膜３の上面の面位とマスク基板１ａの主面の面位とが
ほぼ等しくなるようにする。
ことにより、図８に示すように、マスク基板１ａの溝１
ｂ内に遮光膜パターン１ｃの形成されたフォトマスク１
を製造する。この際、本実施例２においては、遮光用導
体膜３の上面の面位とマスク基板１ａの主面の面位とが
ほぼ等しくなるようにする。
【００４６】すなわち、本実施例２のフォトマスク１も
マスク基板１ａの主面上に遮光膜パターン１ｃによる段
差が存在しない構造となっている。
マスク基板１ａの主面上に遮光膜パターン１ｃによる段
差が存在しない構造となっている。
【００４７】したがって、本実施例２においても、前記
実施例１の効果(1) 〜(5),(7) を得ることが可能とな
る。
実施例１の効果(1) 〜(5),(7) を得ることが可能とな
る。
【００４８】
【実施例３】図９および図１０は本発明の他の実施例で
あるフォトマスクの製造工程中におけるマスク基板の要
部断面図である。
あるフォトマスクの製造工程中におけるマスク基板の要
部断面図である。
【００４９】以下、本実施例３のフォトマスクの製造方
法を図９および図１０によって説明する。
法を図９および図１０によって説明する。
【００５０】まず、図９に示すように、マスク基板１ａ
を酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）等からなる固定台４
上に載置する。固定台４は、図示しない加熱・冷却手段
によって加熱および冷却が可能となっている。なお、マ
スク基板１ａの融点は、約１６００℃程度である。Ａｌ
2 Ｏ3 の融点は、約２０００℃程度である。
を酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）等からなる固定台４
上に載置する。固定台４は、図示しない加熱・冷却手段
によって加熱および冷却が可能となっている。なお、マ
スク基板１ａの融点は、約１６００℃程度である。Ａｌ
2 Ｏ3 の融点は、約２０００℃程度である。
【００５１】続いて、マスク基板１ａの主面上に、例え
ばタングステン等のような高融点金属からなる遮光膜パ
ターン１ｃを配置した後、遮光膜パターン１ｃ上にＡｌ
2 Ｏ3 からなる押圧板５を載せる。なお、タングステン
の融点は、約３４００℃程度である。
ばタングステン等のような高融点金属からなる遮光膜パ
ターン１ｃを配置した後、遮光膜パターン１ｃ上にＡｌ
2 Ｏ3 からなる押圧板５を載せる。なお、タングステン
の融点は、約３４００℃程度である。
【００５２】その後、マスク基板１ａをマスク基板材料
の融点またはその近傍の温度で加熱するとともに、押圧
板５を介して遮光膜パターン１ｃに対して垂直に圧力を
加えることにより、図１０に示すように、遮光膜パター
ン１ｃを、マスク基板１ａに埋め込む。この際、遮光膜
パターン１ｃの上面位が、マスク基板１ａの上面位とほ
ぼ同一となるまで圧力を加える。
の融点またはその近傍の温度で加熱するとともに、押圧
板５を介して遮光膜パターン１ｃに対して垂直に圧力を
加えることにより、図１０に示すように、遮光膜パター
ン１ｃを、マスク基板１ａに埋め込む。この際、遮光膜
パターン１ｃの上面位が、マスク基板１ａの上面位とほ
ぼ同一となるまで圧力を加える。
【００５３】その後、マスク基板１ａを冷却することに
より、フォトマスク製造を終了する。
より、フォトマスク製造を終了する。
【００５４】このように、本実施例３においては、前記
実施例２で得られた効果の他に、以下の効果を得ること
が可能となる。
実施例２で得られた効果の他に、以下の効果を得ること
が可能となる。
【００５５】すなわち、マスク基板１ａに溝１ｂ（図１
参照）を形成したり、マスク基板１ａ上に遮光用導体膜
３（図６参照）を堆積したりする工程を削除することが
できるので、フォトマスク１の製造処理を容易にするこ
とが可能となるとともに、フォトマスク１の製造時間を
短縮することが可能となる。
参照）を形成したり、マスク基板１ａ上に遮光用導体膜
３（図６参照）を堆積したりする工程を削除することが
できるので、フォトマスク１の製造処理を容易にするこ
とが可能となるとともに、フォトマスク１の製造時間を
短縮することが可能となる。
【００５６】
【実施例４】図１１は本発明の他の実施例であるフォト
マスクの要部断面図、図１２〜図１４は図１１のフォト
マスクの製造工程中におけるマスク基板の要部断面図で
ある。
マスクの要部断面図、図１２〜図１４は図１１のフォト
マスクの製造工程中におけるマスク基板の要部断面図で
ある。
【００５７】図１１に示す本実施例４のフォトマスク１
は、マスク基板１ａ上に、透過光の位相を反転させる位
相シフトパターン１ｄの形成された位相シフトマスクで
ある。
は、マスク基板１ａ上に、透過光の位相を反転させる位
相シフトパターン１ｄの形成された位相シフトマスクで
ある。
【００５８】位相シフトパターン１ｄは、例えば酸化イ
ンジウムからなり、マスク基板１ａに形成された溝１ｂ
内に形成されている。図１１においては、例えば位相シ
フトパターン６の配置された光透過領域Ａを透過した光
の位相と、マスク基板１ａの凸状部の光透過領域Ｂを透
過した光の位相とが互いに反転（位相差はπ）するよう
になっている。
ンジウムからなり、マスク基板１ａに形成された溝１ｂ
内に形成されている。図１１においては、例えば位相シ
フトパターン６の配置された光透過領域Ａを透過した光
の位相と、マスク基板１ａの凸状部の光透過領域Ｂを透
過した光の位相とが互いに反転（位相差はπ）するよう
になっている。
【００５９】また、位相シフトパターン１ｄは、その上
面位が、マスク基板１ａの凸部の面位と同程度であり、
かつ、遮光膜パターン１ｃの上面位よりも高くなるよう
に形成されている。これにより、フォトマスク１上の異
物が遮光膜パターン１ｃ上に存在し易くなっている。
面位が、マスク基板１ａの凸部の面位と同程度であり、
かつ、遮光膜パターン１ｃの上面位よりも高くなるよう
に形成されている。これにより、フォトマスク１上の異
物が遮光膜パターン１ｃ上に存在し易くなっている。
【００６０】本実施例４においても遮光膜パターンがマ
スク基板１ａの溝１ｂ内に形成されている。したがっ
て、前記実施例１，２で得られて効果と同様の効果を得
ることが可能となっている。
スク基板１ａの溝１ｂ内に形成されている。したがっ
て、前記実施例１，２で得られて効果と同様の効果を得
ることが可能となっている。
【００６１】次に、本実施例４のフォトマスク１の製造
方法を図１２〜図１４によって説明する。
方法を図１２〜図１４によって説明する。
【００６２】まず、図１２に示すように、マスク基板１
ａの主面に溝１ｂを形成した後、マスク基板１ａ上に遮
光用導体膜３を堆積し、さらに、その上に電子線用レジ
スト膜２ｂを堆積する。
ａの主面に溝１ｂを形成した後、マスク基板１ａ上に遮
光用導体膜３を堆積し、さらに、その上に電子線用レジ
スト膜２ｂを堆積する。
【００６３】続いて、図１３に示すように、電子線用レ
ジスト膜２ｂを電子線等を用いたリソグラフィ技術によ
ってパターニングして電子線用レジストパターン２ｂ1
を形成した後、この電子線用レジストパターン２ｂ1 を
エッチングマスクとして、図１２に示した遮光用導体膜
３をパターニングし、溝１ｂ内に、図１３に示す遮光膜
パターン１ｃを形成するとともに、光透過領域Ａ（すな
わち、位相シフトパターン配置領域）を開口する。
ジスト膜２ｂを電子線等を用いたリソグラフィ技術によ
ってパターニングして電子線用レジストパターン２ｂ1
を形成した後、この電子線用レジストパターン２ｂ1 を
エッチングマスクとして、図１２に示した遮光用導体膜
３をパターニングし、溝１ｂ内に、図１３に示す遮光膜
パターン１ｃを形成するとともに、光透過領域Ａ（すな
わち、位相シフトパターン配置領域）を開口する。
【００６４】その後、電子線用レジストパターン２ｂ1
を除去した後、図１４に示すように、マスク基板１ａ上
に位相シフト用の透明膜６をＣＶＤ法またはスパッタリ
ング法等によって堆積する。この際の透明膜６の厚さ
は、例えば溝１ｂの深さと同程度とする。
を除去した後、図１４に示すように、マスク基板１ａ上
に位相シフト用の透明膜６をＣＶＤ法またはスパッタリ
ング法等によって堆積する。この際の透明膜６の厚さ
は、例えば溝１ｂの深さと同程度とする。
【００６５】次いで、透明膜６上に、レジスト膜を塗布
した後、そのレジスト膜を電子線等を用いたリソグラフ
ィ技術によってパターニングすることにより光透過領域
Ａのみに電子線用レジストパターン２ｃ1 を配置する。
した後、そのレジスト膜を電子線等を用いたリソグラフ
ィ技術によってパターニングすることにより光透過領域
Ａのみに電子線用レジストパターン２ｃ1 を配置する。
【００６６】続いて、電子線用レジストパターン２ｃ1
をエッチングマスクとして、透明膜６をパターニングす
ることにより、図１１に示したように、マスク基板１ａ
上に位相シフトパターン１ｄを形成する。
をエッチングマスクとして、透明膜６をパターニングす
ることにより、図１１に示したように、マスク基板１ａ
上に位相シフトパターン１ｄを形成する。
【００６７】その後、電子線用レジストパターン２ｃ1
を除去することにより、フォトマスク製造を終了する。
を除去することにより、フォトマスク製造を終了する。
【００６８】このように、本実施例４の位相シフト機能
を有するフォトマスク１においても、前記実施例１の
(1) 〜(7) の効果と同様の効果を得ることが可能とな
る。
を有するフォトマスク１においても、前記実施例１の
(1) 〜(7) の効果と同様の効果を得ることが可能とな
る。
【００６９】
【実施例５】図１５は本発明の他の実施例であるフォト
マスクの要部断面図、図１６〜図２０は図１５のフォト
マスクの製造工程中におけるマスク基板の要部断面図で
ある。
マスクの要部断面図、図１６〜図２０は図１５のフォト
マスクの製造工程中におけるマスク基板の要部断面図で
ある。
【００７０】図１５に示す本実施例５のフォトマスク１
も、前記実施例４と同様、マスク基板１ａ上に、透過光
の位相を反転させる位相シフトパターン１ｄの形成され
た位相シフトマスクである。本実施例５においては、位
相シフトパターン１ｄの上面位と、遮光膜パターン１ｃ
の上面位とがほぼ同一である。
も、前記実施例４と同様、マスク基板１ａ上に、透過光
の位相を反転させる位相シフトパターン１ｄの形成され
た位相シフトマスクである。本実施例５においては、位
相シフトパターン１ｄの上面位と、遮光膜パターン１ｃ
の上面位とがほぼ同一である。
【００７１】次に、本実施例５のフォトマスク１の製造
方法を図１６〜図２０によって説明する。
方法を図１６〜図２０によって説明する。
【００７２】まず、図１６に示すように、マスク基板１
ａの主面に溝１ｂを形成した後、マスク基板１ａ上にレ
ジスト膜２ｄを堆積する。
ａの主面に溝１ｂを形成した後、マスク基板１ａ上にレ
ジスト膜２ｄを堆積する。
【００７３】続いて、レジスト膜２ｄを、図１７に示す
ように、フォトリソグラフィ技術によってパターニング
することにより、その断面形状が逆台形状のレジストパ
ターン（リフトオフ用絶縁膜）２ｄ1 を形成する。
ように、フォトリソグラフィ技術によってパターニング
することにより、その断面形状が逆台形状のレジストパ
ターン（リフトオフ用絶縁膜）２ｄ1 を形成する。
【００７４】その後、図１８に示すように、マスク基板
１ａ上に遮光用導体膜３をスパッタリング法等によって
堆積した後、レジストパターン２ｄ1 を除去することに
より、図１９に示すように、マスク基板１ａ上に遮光膜
パターン１ｃを形成する。
１ａ上に遮光用導体膜３をスパッタリング法等によって
堆積した後、レジストパターン２ｄ1 を除去することに
より、図１９に示すように、マスク基板１ａ上に遮光膜
パターン１ｃを形成する。
【００７５】次いで、図２０に示すように、マスク基板
１ａ上に、例えば酸化インジウム等からなる透明膜６を
ＣＶＤ法等によって堆積した後、透過領域Ａのみにレジ
ストパターン２ｅ1 を配置する。
１ａ上に、例えば酸化インジウム等からなる透明膜６を
ＣＶＤ法等によって堆積した後、透過領域Ａのみにレジ
ストパターン２ｅ1 を配置する。
【００７６】続いて、レジストパターン２ｅ1 をエッチ
ングマスクとして、透明膜６をウエットエッチング法等
によってパターニングすることにより、図１５に示した
ように、マスク基板１ａ上に位相シフトパターン１ｄを
形成する。
ングマスクとして、透明膜６をウエットエッチング法等
によってパターニングすることにより、図１５に示した
ように、マスク基板１ａ上に位相シフトパターン１ｄを
形成する。
【００７７】その後、レジストパターン２ｅ1 を除去す
ることにより、フォトマスク製造を終了する。
ることにより、フォトマスク製造を終了する。
【００７８】このように、本実施例５においても前記実
施例１，２で得られた効果と同様の効果を得ることが可
能となる。
施例１，２で得られた効果と同様の効果を得ることが可
能となる。
【００７９】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
１〜５に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
１〜５に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００８０】例えば前記実施例１〜５においては、位相
シフトパターンが酸化インジウムである場合について説
明したが、これに限定されるものではなく種々変更可能
であり、例えばフッ化マグネシウムまたはポリメチルメ
タクリレートでも良い。
シフトパターンが酸化インジウムである場合について説
明したが、これに限定されるものではなく種々変更可能
であり、例えばフッ化マグネシウムまたはポリメチルメ
タクリレートでも良い。
【００８１】前記実施例２，５においては、遮光用導体
膜をスパッタリング法によって堆積した場合について説
明したが、これに限定されるものではなく種々変更可能
であり、例えば蒸着法を用いても良い。
膜をスパッタリング法によって堆積した場合について説
明したが、これに限定されるものではなく種々変更可能
であり、例えば蒸着法を用いても良い。
【００８２】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である半導体
集積回路装置を製造する際の露光処理に用いるフォトマ
スクに適用した場合について説明したが、これに限定さ
れず種々適用可能であり、例えば光ディスクを製造する
際の露光処理に用いるフォトマスク等のような他の露光
処理に用いるフォトマスクに適用することも可能であ
る。
なされた発明をその背景となった利用分野である半導体
集積回路装置を製造する際の露光処理に用いるフォトマ
スクに適用した場合について説明したが、これに限定さ
れず種々適用可能であり、例えば光ディスクを製造する
際の露光処理に用いるフォトマスク等のような他の露光
処理に用いるフォトマスクに適用することも可能であ
る。
【００８３】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００８４】すなわち、請求項１記載の発明によれば、
遮光膜パターンをマスク基板の溝内に形成したことによ
り、異物が遮光膜パターンのエッジに残るのを防止でき
る。また、洗浄処理に際して、フォトマスク上の異物を
容易にしかも効果的に除去できる。さらに、レーザ光に
よる異物検査処理に際して、レーザ光が遮光膜パターン
のエッジに照射され散乱する現象を防止できるので、レ
ーザ光による異物検出感度を向上させることができる。
これらにより、フォトマスク上の異物の残存率を大幅に
低減することが可能となる。
遮光膜パターンをマスク基板の溝内に形成したことによ
り、異物が遮光膜パターンのエッジに残るのを防止でき
る。また、洗浄処理に際して、フォトマスク上の異物を
容易にしかも効果的に除去できる。さらに、レーザ光に
よる異物検査処理に際して、レーザ光が遮光膜パターン
のエッジに照射され散乱する現象を防止できるので、レ
ーザ光による異物検出感度を向上させることができる。
これらにより、フォトマスク上の異物の残存率を大幅に
低減することが可能となる。
【００８５】しかも、遮光膜パターンの剥離を抑制する
ことができるので、遮光膜パターンに欠陥の無い信頼性
の高いフォトマスクを提供できる上、フォトマスクの寿
命を延ばすことが可能となる。
ことができるので、遮光膜パターンに欠陥の無い信頼性
の高いフォトマスクを提供できる上、フォトマスクの寿
命を延ばすことが可能となる。
【００８６】したがって、本発明のフォトマスクを、例
えば半導体集積回路装置の製造処理である露光処理に際
して用いることにより、信頼性の高いパターン転写が可
能となる。その結果、半導体集積回路装置の信頼性およ
び歩留りを向上させることが可能となる。
えば半導体集積回路装置の製造処理である露光処理に際
して用いることにより、信頼性の高いパターン転写が可
能となる。その結果、半導体集積回路装置の信頼性およ
び歩留りを向上させることが可能となる。
【図１】本発明の一実施例であるフォトマスクの要部断
面図である。
面図である。
【図２】図１のフォトマスクの製造工程中におけるマス
ク基板の要部断面図である。
ク基板の要部断面図である。
【図３】図２に続く図１のフォトマスクの製造工程中に
おけるマスク基板の要部断面図である。
おけるマスク基板の要部断面図である。
【図４】図３に続く図１のフォトマスクの製造工程中に
おけるマスク基板の要部断面図である。
おけるマスク基板の要部断面図である。
【図５】図４に続く図１のフォトマスクの製造工程中に
おけるマスク基板の要部断面図である。
おけるマスク基板の要部断面図である。
【図６】図５に続く図１のフォトマスクの製造工程中に
おけるマスク基板の要部断面図である。
おけるマスク基板の要部断面図である。
【図７】本発明の他の実施例であるフォトマスクの製造
工程中におけるマスク基板の要部断面図である。
工程中におけるマスク基板の要部断面図である。
【図８】図７に続くフォトマスクの製造工程中における
マスク基板の要部断面図である。
マスク基板の要部断面図である。
【図９】本発明の他の実施例であるフォトマスクの製造
工程中におけるマスク基板の要部断面図である。
工程中におけるマスク基板の要部断面図である。
【図１０】図９に続くフォトマスクの製造工程中におけ
るマスク基板の要部断面図である。
るマスク基板の要部断面図である。
【図１１】本発明の他の実施例であるフォトマスクの要
部断面図である。
部断面図である。
【図１２】図１１のフォトマスクの製造工程中における
マスク基板の要部断面図である。
マスク基板の要部断面図である。
【図１３】図１２に続く図１１のフォトマスクの製造工
程中におけるマスク基板の要部断面図である。
程中におけるマスク基板の要部断面図である。
【図１４】図１３に続く図１１のフォトマスクの製造工
程中におけるマスク基板の要部断面図である。
程中におけるマスク基板の要部断面図である。
【図１５】本発明の他の実施例であるフォトマスクの要
部断面図である。
部断面図である。
【図１６】図１５のフォトマスクの製造工程中における
マスク基板の要部断面図である。
マスク基板の要部断面図である。
【図１７】図１６に続く図１５のフォトマスクの製造工
程中におけるマスク基板の要部断面図である。
程中におけるマスク基板の要部断面図である。
【図１８】図１７に続く図１５のフォトマスクの製造工
程中におけるマスク基板の要部断面図である。
程中におけるマスク基板の要部断面図である。
【図１９】図１８に続く図１５のフォトマスクの製造工
程中におけるマスク基板の要部断面図である。
程中におけるマスク基板の要部断面図である。
【図２０】図１９に続く図１５のフォトマスクの製造工
程中におけるマスク基板の要部断面図である。
程中におけるマスク基板の要部断面図である。
１ フォトマスク １ａ マスク基板 １ｂ 溝 １ｃ 遮光膜パターン １ｄ 位相シフトパターン ２ａ〜２ｃ 電子線用レジスト膜 ２ａ1 〜２ｃ1 電子線用レジストパターン ２ｄ フォトレジスト膜 ２ｄ1,２ｅ1 フォトレジストパターン（リフトオフ用
絶縁膜） ３ 遮光用導体膜 ４ 固定台 ５ 押圧板 ６ 透明膜 Ａ 光透過領域 Ｂ 光透過領域
絶縁膜） ３ 遮光用導体膜 ４ 固定台 ５ 押圧板 ６ 透明膜 Ａ 光透過領域 Ｂ 光透過領域
Claims (6)
- 【請求項１】 マスク基板の主面に溝を形成する工程
と、前記マスク基板の主面上に遮光用導体膜をその上面
が略平坦となるような状態で堆積する工程と、前記遮光
用導体膜を、前記溝内に遮光用導体膜が残るように除去
する工程とを有することを特徴とするフォトマスクの製
造方法。 - 【請求項２】 前記遮光用導体膜を除去する際に、異方
性のドライエッチング法によってエッチバックする処理
またはマスク基板の主面を研磨する処理を行うことを特
徴とする請求項１記載のフォトマスクの製造方法。 - 【請求項３】 マスク基板の主面に溝を形成する工程
と、前記マスク基板の主面上に遮光用導体膜をスパッタ
リング法または蒸着法によって堆積する工程と、前記マ
スク基板の主面側を研磨する工程とを有することを特徴
とするフォトマスクの製造方法。 - 【請求項４】 マスク基板の主面上に遮光膜パターンを
配置した後、そのマスク基板をマスク基板材料の融点ま
たはその近傍の温度で加熱処理するとともに、前記遮光
膜パターンに対して圧力を加えることにより、前記遮光
膜パターンを前記マスク基板に埋め込む工程を有するこ
とを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 【請求項５】 マスク基板の主面に溝を形成する工程
と、前記マスク基板の主面上において、前記溝以外の部
分および位相シフトパターンを形成する部分にリフトオ
フ用絶縁膜を形成する工程と、前記マスク基板上に遮光
用導体膜を堆積する工程と、前記リフトオフ用絶縁膜を
除去する工程と、前記マスク基板上に位相シフト膜を堆
積した後、前記位相シフトパターンを形成する部分に位
相シフト膜が残るように、前記位相シフト膜をパターニ
ングする工程とを有することを特徴とするフォトマスク
の製造方法。 - 【請求項６】 マスク基板に形成された溝内に、透過光
の位相をシフトさせる位相シフトパターンおよび遮光膜
パターンを形成したことを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8827193A JPH06301194A (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | フォトマスクの製造方法およびフォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8827193A JPH06301194A (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | フォトマスクの製造方法およびフォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06301194A true JPH06301194A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=13938239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8827193A Pending JPH06301194A (ja) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | フォトマスクの製造方法およびフォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06301194A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6737198B2 (en) | 1999-01-13 | 2004-05-18 | Renesas Technology Corp. | Photomask, fabrication method of photomask, and fabrication method of semiconductor integrated circuit |
| JP2009145539A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクおよび露光方法 |
| JP2013210559A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Toshiba Corp | 近接場露光用マスクおよびパターン形成方法 |
| CN104516191A (zh) * | 2013-10-01 | 2015-04-15 | 株式会社迪思科 | 光掩模的制造方法 |
| JP2016018139A (ja) * | 2014-07-10 | 2016-02-01 | 株式会社ディスコ | 露光マスクの製造方法 |
-
1993
- 1993-04-15 JP JP8827193A patent/JPH06301194A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6737198B2 (en) | 1999-01-13 | 2004-05-18 | Renesas Technology Corp. | Photomask, fabrication method of photomask, and fabrication method of semiconductor integrated circuit |
| JP2009145539A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクおよび露光方法 |
| JP2013210559A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Toshiba Corp | 近接場露光用マスクおよびパターン形成方法 |
| CN104516191A (zh) * | 2013-10-01 | 2015-04-15 | 株式会社迪思科 | 光掩模的制造方法 |
| JP2015072299A (ja) * | 2013-10-01 | 2015-04-16 | 株式会社ディスコ | フォトマスクの製造方法 |
| CN104516191B (zh) * | 2013-10-01 | 2019-11-01 | 株式会社迪思科 | 光掩模的制造方法 |
| JP2016018139A (ja) * | 2014-07-10 | 2016-02-01 | 株式会社ディスコ | 露光マスクの製造方法 |
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