JPH06252035A - Ｘ線マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH06252035A JPH06252035A JP3325493A JP3325493A JPH06252035A JP H06252035 A JPH06252035 A JP H06252035A JP 3325493 A JP3325493 A JP 3325493A JP 3325493 A JP3325493 A JP 3325493A JP H06252035 A JPH06252035 A JP H06252035A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- ray
- pattern
- microgap
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】シリコンウェハー１に窒化シリコンのＸ線透過
膜２を形成した。次にその上にフォトレジストをコーテ
ィング後、裏面にバックエッチ用窓のレジストパターン
を形成し、表面の周辺部のレジストだけを取り除いた。
この後両面同時に窒化シリコン及びＳｉをエッチングし
てパターン４とバックエッチング用ウィンドウパターン
５を形成した。レジスト剥離後Ｘ線吸収膜６を表面形成
後Ｘ線透過膜２をマスクとして、シリコンウェハー１を
バックエッチングして開口部８を形成した。 【効果】裏面にバックエッチング用窓、表面にマイクロ
ギャップ用の凸型部分を同時形成する事により工程の短
縮化ができ、これにより表面の損傷と汚染が少なくなっ
た。
膜２を形成した。次にその上にフォトレジストをコーテ
ィング後、裏面にバックエッチ用窓のレジストパターン
を形成し、表面の周辺部のレジストだけを取り除いた。
この後両面同時に窒化シリコン及びＳｉをエッチングし
てパターン４とバックエッチング用ウィンドウパターン
５を形成した。レジスト剥離後Ｘ線吸収膜６を表面形成
後Ｘ線透過膜２をマスクとして、シリコンウェハー１を
バックエッチングして開口部８を形成した。 【効果】裏面にバックエッチング用窓、表面にマイクロ
ギャップ用の凸型部分を同時形成する事により工程の短
縮化ができ、これにより表面の損傷と汚染が少なくなっ
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＶＬＳＩ、ＵＬＳＩ等
に代表される集積度の高い半導体集積回路の製造に使用
される、いわゆるＸ線マスクの製造方法に関する。
に代表される集積度の高い半導体集積回路の製造に使用
される、いわゆるＸ線マスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、Ｘ線リソグラフィ法に利用される
Ｘ線の波長領域は、一般に数〜十数オングストロームで
あり、Ｘ線マスク基板にはシリコン等を使用し、その基
板全面に高いＸ線透過率を有する窒化シリコンや窒化ボ
ロン等からなる薄膜が成膜されている。さらに遮光膜と
してタンタル、タングステンなどが使用される。
Ｘ線の波長領域は、一般に数〜十数オングストロームで
あり、Ｘ線マスク基板にはシリコン等を使用し、その基
板全面に高いＸ線透過率を有する窒化シリコンや窒化ボ
ロン等からなる薄膜が成膜されている。さらに遮光膜と
してタンタル、タングステンなどが使用される。
【０００３】図６〜図１１は従来のマイクロギャプ対応
Ｘ線マスクの製造方法を示したものである。Ｘ線マスク
においてバックエッチングを行った後、Ｓｉ枠部の反り
が起きると外周部がパターンより浮き上がってしまい、
転写時に被転写物に接触してしまう事がある。この事態
をを防止するために周辺部を削除するマスクの事をマイ
クロギャップ対応Ｘ線マスクという。
Ｘ線マスクの製造方法を示したものである。Ｘ線マスク
においてバックエッチングを行った後、Ｓｉ枠部の反り
が起きると外周部がパターンより浮き上がってしまい、
転写時に被転写物に接触してしまう事がある。この事態
をを防止するために周辺部を削除するマスクの事をマイ
クロギャップ対応Ｘ線マスクという。
【０００４】シリコンウェハー１の両面に、化学的気相
成長法により窒化シリコン、窒化ボロン等からなるＸ線
透過膜２を形成する（図６参照）。次に、レジスト３を
スピンコート法により１０μｍ〜１５μｍ程成膜し、露
光及び現像を行った後エッチングして周辺部を前記障害
が起こらない程度まで削り、マイクロギャップ対応用の
マイクロギャップ用パターン部４作製する。（図７参
照）。
成長法により窒化シリコン、窒化ボロン等からなるＸ線
透過膜２を形成する（図６参照）。次に、レジスト３を
スピンコート法により１０μｍ〜１５μｍ程成膜し、露
光及び現像を行った後エッチングして周辺部を前記障害
が起こらない程度まで削り、マイクロギャップ対応用の
マイクロギャップ用パターン部４作製する。（図７参
照）。
【０００５】次にパターン形成面のレジストを剥離す
る。さらにＸ線露光用開口部としてメンブレン化したい
基板領域の裏面側にあるＸ線透過膜２をドライエッチン
グにより除去して、バックエッチング用窓５を形成す
る。（図８参照）。
る。さらにＸ線露光用開口部としてメンブレン化したい
基板領域の裏面側にあるＸ線透過膜２をドライエッチン
グにより除去して、バックエッチング用窓５を形成す
る。（図８参照）。
【０００６】バックエッチング用窓５を形成後残ったレ
ジストを剥離する。次に前記Ｘ線透過膜２上にＸ線吸収
性の優れた金、タンタルあるいはタングステン等からな
るＸ線吸収膜６をスパッタリング法等により形成し、パ
ターン形成面にＥＢレジストをコートする。（図９参
照）。次に描画及び現像後、エッチングを行い吸収体パ
ターン７を形成する（図１０参照）。
ジストを剥離する。次に前記Ｘ線透過膜２上にＸ線吸収
性の優れた金、タンタルあるいはタングステン等からな
るＸ線吸収膜６をスパッタリング法等により形成し、パ
ターン形成面にＥＢレジストをコートする。（図９参
照）。次に描画及び現像後、エッチングを行い吸収体パ
ターン７を形成する（図１０参照）。
【０００７】最後に、バックエッチング用窓５に露出し
ているシリコンウェハー１を水酸化カリウム・エチレン
ジアミン−パイロカテコール・ヒドラジン等のアルカリ
水溶液を加熱してエッチング液として用い、裏面側より
バックエッチングしＸ線露光用開口部８を形成してマイ
クロギャップ対応Ｘ線マスクが完成する（図１１参
照）。
ているシリコンウェハー１を水酸化カリウム・エチレン
ジアミン−パイロカテコール・ヒドラジン等のアルカリ
水溶液を加熱してエッチング液として用い、裏面側より
バックエッチングしＸ線露光用開口部８を形成してマイ
クロギャップ対応Ｘ線マスクが完成する（図１１参
照）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来はパターン形成面
の周辺部のエッチングを行ってから、裏面のバックエッ
チ用窓の形成をして、マイクロギャップ用パターン部の
製造を行っていたが、従来法ではドライエッチングを２
回にわけておこなうため、時間がかかりすぎる。このた
め生産性が悪くまた基板に与える損傷も大きい。さらに
両面のエッチングに時間差があり、ゴミ付着による欠陥
の増加の問題があった。よって、本発明の目的とすると
ころは、マイクロギャップ対応Ｘ線マスクを作製する際
に、この表裏のエッチング工程を同時に行う方法を提供
することにある。
の周辺部のエッチングを行ってから、裏面のバックエッ
チ用窓の形成をして、マイクロギャップ用パターン部の
製造を行っていたが、従来法ではドライエッチングを２
回にわけておこなうため、時間がかかりすぎる。このた
め生産性が悪くまた基板に与える損傷も大きい。さらに
両面のエッチングに時間差があり、ゴミ付着による欠陥
の増加の問題があった。よって、本発明の目的とすると
ころは、マイクロギャップ対応Ｘ線マスクを作製する際
に、この表裏のエッチング工程を同時に行う方法を提供
することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明が提供する手段は、請求項１においてはＸ線マ
スク製造方法を、表面にＸ線透過膜が形成されたＸ線マ
スク基板を、表面のマイクロギャップ用の周辺部と裏面
のバックエッチング用窓部分を同時にドライエッチング
する工程と、バックエッチングを行なう工程とによる製
造方法を採るものである。請求項２においては、請求項
１における表面のマイクロギャップ用の周辺部と裏面の
バックエッチング用窓部分を同時にドライエッチングす
る工程が、５乃至１００μｍ厚ドライエッチングする製
造方法を採るものである。
に本発明が提供する手段は、請求項１においてはＸ線マ
スク製造方法を、表面にＸ線透過膜が形成されたＸ線マ
スク基板を、表面のマイクロギャップ用の周辺部と裏面
のバックエッチング用窓部分を同時にドライエッチング
する工程と、バックエッチングを行なう工程とによる製
造方法を採るものである。請求項２においては、請求項
１における表面のマイクロギャップ用の周辺部と裏面の
バックエッチング用窓部分を同時にドライエッチングす
る工程が、５乃至１００μｍ厚ドライエッチングする製
造方法を採るものである。
【００１０】以下に本発明を図１〜図５を用いてさらに
詳しく説明する。０. ５ｍｍ厚以上のシリコンウェハー
１の、両面に化学的気相成長法等により窒化シリコン、
炭化シリコン、ダイヤモンド薄膜、窒化ボロン等のＸ線
透過膜２を形成する（図１参照）。
詳しく説明する。０. ５ｍｍ厚以上のシリコンウェハー
１の、両面に化学的気相成長法等により窒化シリコン、
炭化シリコン、ダイヤモンド薄膜、窒化ボロン等のＸ線
透過膜２を形成する（図１参照）。
【００１１】次にそのＸ線透過材の膜上に、フォトレジ
ストを両面に１０〜２０μｍコートして、裏面はバック
エッチング窓用パターン３を形成し、表面にはマイクロ
ギャップ用の周辺部のレジストだけを取り除いたパター
ン３を形成する。（図２参照）。
ストを両面に１０〜２０μｍコートして、裏面はバック
エッチング窓用パターン３を形成し、表面にはマイクロ
ギャップ用の周辺部のレジストだけを取り除いたパター
ン３を形成する。（図２参照）。
【００１２】この後に、バレル型プラズマエッチング装
置等に基板をいれて数μｍエッチングを行うことで、表
裏両面同時にエッチングを行う。この次にレジストを有
機溶剤等で剥離することにより、パターン形成面にはＳ
ｉ枠外周部に数μｍのギャップ４が形成され、同時に反
対の面にはウィンドウ形成窓用パターン５ができる。
（図３参照）。
置等に基板をいれて数μｍエッチングを行うことで、表
裏両面同時にエッチングを行う。この次にレジストを有
機溶剤等で剥離することにより、パターン形成面にはＳ
ｉ枠外周部に数μｍのギャップ４が形成され、同時に反
対の面にはウィンドウ形成窓用パターン５ができる。
（図３参照）。
【００１３】さらに次の工程では、Ｘ線吸収性の優れた
金、タンタル、タングステン等のＸ線吸収膜６をスパッ
タリング等で形成する（図４参照）。
金、タンタル、タングステン等のＸ線吸収膜６をスパッ
タリング等で形成する（図４参照）。
【００１４】このＸ線吸収膜を微細パターン７化した
後、最後にＸ線透過膜２をマスクとして、露出している
シリコンウェハー１を裏より水酸化カリウム等アルカリ
水溶液を加熱したエッチング液により、バックエッチン
グしてＸ線露光用開口部８を形成してマイクロギャップ
対応Ｘ線マスクを完成する。（図５参照）
後、最後にＸ線透過膜２をマスクとして、露出している
シリコンウェハー１を裏より水酸化カリウム等アルカリ
水溶液を加熱したエッチング液により、バックエッチン
グしてＸ線露光用開口部８を形成してマイクロギャップ
対応Ｘ線マスクを完成する。（図５参照）
【００１５】
【作用】本発明によると、基板を装置の中に立てて置く
事ができるバレル型プラズマエッチング装置を用いて裏
面にウィンドウを形成し、表面にマイクロギャップ用の
凸型の外周部だけをエッチングした形状を同時に形成す
る事で工程の短縮化ができる。
事ができるバレル型プラズマエッチング装置を用いて裏
面にウィンドウを形成し、表面にマイクロギャップ用の
凸型の外周部だけをエッチングした形状を同時に形成す
る事で工程の短縮化ができる。
【００１６】
＜実施例１＞以下に本発明の実施例を、図１を用いて詳
しく説明する。２. ０厚ｍｍのシリコンウェハー１に、
両面に減圧ＣＶＤによりＸ線透過膜となる窒化シリコン
のＸ線透過膜２を２．０μｍ厚形成した（図１参照）。
しく説明する。２. ０厚ｍｍのシリコンウェハー１に、
両面に減圧ＣＶＤによりＸ線透過膜となる窒化シリコン
のＸ線透過膜２を２．０μｍ厚形成した（図１参照）。
【００１７】次にそのＸ線透過材の膜上に、フォトレジ
ストであるＭＰ１４００−３７を両面に１２μｍ厚コー
ティングして、裏面には表面のパターン形成部に合わせ
てバックエッチ用窓のレジストパターンを形成し、表面
にはマイクロギャップ用の周辺部のレジストだけを取り
除いたパターンを形成した。（図２参照）
ストであるＭＰ１４００−３７を両面に１２μｍ厚コー
ティングして、裏面には表面のパターン形成部に合わせ
てバックエッチ用窓のレジストパターンを形成し、表面
にはマイクロギャップ用の周辺部のレジストだけを取り
除いたパターンを形成した。（図２参照）
【００１８】この後に、バレル型プラズマエッチング装
置に基板をいれて、両面同時にＳｉＮｘ及びＳｉを１１
μｍ厚だけエッチングしてマイクロギャップ対応用のパ
ターン４とバックエッチング用ウィンドウパターン５を
形成した。レジストは有機溶剤で剥離した（図３参
照）。（本発明では、厚くも薄くもない１１μｍ厚とい
うのに意味があると思われるので、なぜ１１μｍ厚だけ
エッチングしたか書いたほうが良いでしょう。）
置に基板をいれて、両面同時にＳｉＮｘ及びＳｉを１１
μｍ厚だけエッチングしてマイクロギャップ対応用のパ
ターン４とバックエッチング用ウィンドウパターン５を
形成した。レジストは有機溶剤で剥離した（図３参
照）。（本発明では、厚くも薄くもない１１μｍ厚とい
うのに意味があると思われるので、なぜ１１μｍ厚だけ
エッチングしたか書いたほうが良いでしょう。）
【００１９】さらに次の工程では、タンタル等のＸ線吸
収膜６を７０００オングストローム厚スパッタ法で表面
に形成した（図４参照）。
収膜６を７０００オングストローム厚スパッタ法で表面
に形成した（図４参照）。
【００２０】このＸ線吸収膜６を微細パターン７化した
後、最後にＸ線透過膜２をマスクとして、露出している
シリコンウェハー１を裏より水酸化カリウム水溶液を加
熱したエッチング液によりバックエッチングして開口部
８を形成し、マイクロギャップ対応Ｘ線露光用マスクが
完成した（図５参照）。
後、最後にＸ線透過膜２をマスクとして、露出している
シリコンウェハー１を裏より水酸化カリウム水溶液を加
熱したエッチング液によりバックエッチングして開口部
８を形成し、マイクロギャップ対応Ｘ線露光用マスクが
完成した（図５参照）。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、Ｘ線マスクの製造方法
において、裏面にバックエッチング用窓、表面にマイク
ロギャップ用の凸型部分を同時にドライエッチングで形
成する事により工程の短縮化ができスループットの向上
ができた。
において、裏面にバックエッチング用窓、表面にマイク
ロギャップ用の凸型部分を同時にドライエッチングで形
成する事により工程の短縮化ができスループットの向上
ができた。
【００２２】さらに、ウィンドウ形成と表面のエッチン
グを同時にするという工程数の減少により表面の損傷と
汚染が少なくなった。
グを同時にするという工程数の減少により表面の損傷と
汚染が少なくなった。
【００２３】
【図１】本発明に係わるＸ線マスク製造方法中、Ｘ線透
過膜形成後の断面図である。
過膜形成後の断面図である。
【図２】図１の製造方法中、レジストパターン形成後の
断面図である。
断面図である。
【図３】図１の製造方法中、軽くエッチングしレジスト
剥離した後の断面図である。
剥離した後の断面図である。
【図４】図１の製造方法中、Ｘ線吸収膜形成後の断面図
である。
である。
【図５】図１の製造方法における完成断面図である。
【図６】従来のＸ線露光用マスクの製造方法の一例中、
Ｘ線透過膜形成後の断面図である。
Ｘ線透過膜形成後の断面図である。
【図７】図６の製造方法中、凸型部分以外をエッチング
後の断面図である。
後の断面図である。
【図８】図６の製造方法中、バックエッチング用窓形成
後の断面図である。
後の断面図である。
【図９】図６の製造方法中、Ｘ線吸収膜形成、レジスト
パターン化後の断面図である。
パターン化後の断面図である。
【図１０】図６の製造方法中、Ｘ線吸収体パターン形成
後の断面図である。
後の断面図である。
【図１１】図６の製造方法における完成断面図である。
１・・・シリコンウェハー ２・・・Ｘ線透過膜 ３・・・フォトレジスト ４・・・マイクロギャップ用パターン部 ５・・・バックエッチ用窓 ６・・・Ｘ線吸収膜 ７・・・Ｘ線吸収体パターン ８・・・Ｘ線露光用開口部 ９・・・電子線レジスト
Claims (2)
- 【請求項１】表面にＸ線透過膜が形成されたＸ線マスク
基板を、表面のマイクロギャップ用の周辺部と裏面のバ
ックエッチング用窓部分を同時にドライエッチングする
工程と、バックエッチングを行なう工程とよりなるＸ線
マスクの製造方法。 - 【請求項２】請求項１における表面のマイクロギャップ
用の周辺部と裏面のバックエッチング用窓部分を同時に
ドライエッチングする工程が、５乃至１００μｍ厚ドラ
イエッチングするものである事を特徴とする請求項１記
載のＸ線マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3325493A JPH06252035A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3325493A JPH06252035A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252035A true JPH06252035A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12381371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3325493A Pending JPH06252035A (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06252035A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7022614B2 (en) * | 2002-04-18 | 2006-04-04 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of etching back of semiconductor wafer |
| WO2009018304A3 (en) * | 2007-07-31 | 2009-04-16 | Hewlett Packard Development Co | Semiconductor device |
| CN101845618A (zh) * | 2010-05-06 | 2010-09-29 | 上海纳腾仪器有限公司 | 一种x射线显微透镜成像用氮化硅薄膜窗口的制作方法 |
-
1993
- 1993-02-23 JP JP3325493A patent/JPH06252035A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7022614B2 (en) * | 2002-04-18 | 2006-04-04 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of etching back of semiconductor wafer |
| WO2009018304A3 (en) * | 2007-07-31 | 2009-04-16 | Hewlett Packard Development Co | Semiconductor device |
| US7691746B2 (en) | 2007-07-31 | 2010-04-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Formation of silicon nitride layer on back side of substrate |
| CN101845618A (zh) * | 2010-05-06 | 2010-09-29 | 上海纳腾仪器有限公司 | 一种x射线显微透镜成像用氮化硅薄膜窗口的制作方法 |
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