JPH06124877A - Ｘ線マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH06124877A JPH06124877A JP29667692A JP29667692A JPH06124877A JP H06124877 A JPH06124877 A JP H06124877A JP 29667692 A JP29667692 A JP 29667692A JP 29667692 A JP29667692 A JP 29667692A JP H06124877 A JPH06124877 A JP H06124877A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- forming
- protective film
- transmission window
- silicon substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｘ線マスクの製造方法において，シリコン基
板の一部をエッチングしてＸ線透過窓を形成する際に必
要となる保護膜の形成において，シリコン基板上に保護
膜形成用薄膜を形成する工程とＸ線透過窓相当部の保護
膜形成用薄膜を除去する工程とを同時に行い，工程の簡
略化を図ることができるＸ線マスクの製造方法を提供す
ることにある。 【構成】 Ｘ線透過窓１ｗのエッチングマスク形成にあ
たりシリコン基板１の一方の面のＸ線透過窓１ｗに相当
する部分を遮蔽板３で覆った状態で保護膜４を形成した
のち，遮蔽板３を除去し，残存する保護膜４をエッチン
グマスクとしてＸ線透過窓１ｗを形成することを特徴と
するＸ線マスクの製造方法。
板の一部をエッチングしてＸ線透過窓を形成する際に必
要となる保護膜の形成において，シリコン基板上に保護
膜形成用薄膜を形成する工程とＸ線透過窓相当部の保護
膜形成用薄膜を除去する工程とを同時に行い，工程の簡
略化を図ることができるＸ線マスクの製造方法を提供す
ることにある。 【構成】 Ｘ線透過窓１ｗのエッチングマスク形成にあ
たりシリコン基板１の一方の面のＸ線透過窓１ｗに相当
する部分を遮蔽板３で覆った状態で保護膜４を形成した
のち，遮蔽板３を除去し，残存する保護膜４をエッチン
グマスクとしてＸ線透過窓１ｗを形成することを特徴と
するＸ線マスクの製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線露光装置において
超ＬＳＩ等の微細パターンを高精度に転写するために用
いるＸ線マスクの製造方法に関する。
超ＬＳＩ等の微細パターンを高精度に転写するために用
いるＸ線マスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線露光法は，波長０．４〜５ｎｍの軟
Ｘ線を使用することによりサブミクロン以下の微細パタ
ーンの転写が可能な技術として知られている。従来，Ｘ
線透過窓形成のためシリコン基板の一部除去の際に用い
られる保護膜形成法として，Ｘ線透過性薄膜と反対面の
シリコン基板上全面に保護膜形成用薄膜を形成した後，
フォトリソグラフィ法により，Ｘ線透過窓以外の部分に
フォトレジストパターンを形成し，次にドライエッチン
グによりＸ線透過窓に相当する部分の保護膜形成用薄膜
を除去し，レジスト剥離を行い，保護膜を形成する方法
があった。
Ｘ線を使用することによりサブミクロン以下の微細パタ
ーンの転写が可能な技術として知られている。従来，Ｘ
線透過窓形成のためシリコン基板の一部除去の際に用い
られる保護膜形成法として，Ｘ線透過性薄膜と反対面の
シリコン基板上全面に保護膜形成用薄膜を形成した後，
フォトリソグラフィ法により，Ｘ線透過窓以外の部分に
フォトレジストパターンを形成し，次にドライエッチン
グによりＸ線透過窓に相当する部分の保護膜形成用薄膜
を除去し，レジスト剥離を行い，保護膜を形成する方法
があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，前記の
保護膜形成方法では，工程数ガ多く煩雑であり，Ｘ線マ
スクの製造においてスループットが低下するという問題
があった。
保護膜形成方法では，工程数ガ多く煩雑であり，Ｘ線マ
スクの製造においてスループットが低下するという問題
があった。
【０００４】本発明は，このような状況に鑑みてなされ
たものであり，その目的は，シリコン基板の一部をエッ
チングしてＸ線透過窓を形成する際に必要となる保護膜
の形成において，シリコン基板上に保護膜形成用薄膜を
形成する工程とＸ線透過窓相当部の保護膜形成用薄膜を
除去する工程とを同時に行い，工程の簡略化を図ること
ができるＸ線マスクの製造方法を提供することにある。
たものであり，その目的は，シリコン基板の一部をエッ
チングしてＸ線透過窓を形成する際に必要となる保護膜
の形成において，シリコン基板上に保護膜形成用薄膜を
形成する工程とＸ線透過窓相当部の保護膜形成用薄膜を
除去する工程とを同時に行い，工程の簡略化を図ること
ができるＸ線マスクの製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに，本発明のＸ線マスクの製造方法は，シリコン基板
１の片面にＸ線透過性薄膜２を形成する工程と，Ｘ線透
過性薄膜２の面上にＸ線吸収性材料層パターン５ｐを形
成する工程と，上記シリコン基板の他方の面に，Ｘ線吸
収性材料層パターン５ｐに対応するＸ線透過窓１ｗ部分
をエッチング除去する工程とを包含するＸ線マスクの製
造方法において，Ｘ線透過窓１ｗのエッチングマスク形
成にあたり上記シリコン基板１の他方の面のＸ線透過窓
１ｗに相当する部分を遮蔽板３で覆った状態で保護膜４
を形成したのち，遮蔽板３を除去し，残存する保護膜４
をエッチングマスクとしてＸ線透過窓１ｗを形成するこ
とを特徴とするＸ線マスクの製造方法である。
めに，本発明のＸ線マスクの製造方法は，シリコン基板
１の片面にＸ線透過性薄膜２を形成する工程と，Ｘ線透
過性薄膜２の面上にＸ線吸収性材料層パターン５ｐを形
成する工程と，上記シリコン基板の他方の面に，Ｘ線吸
収性材料層パターン５ｐに対応するＸ線透過窓１ｗ部分
をエッチング除去する工程とを包含するＸ線マスクの製
造方法において，Ｘ線透過窓１ｗのエッチングマスク形
成にあたり上記シリコン基板１の他方の面のＸ線透過窓
１ｗに相当する部分を遮蔽板３で覆った状態で保護膜４
を形成したのち，遮蔽板３を除去し，残存する保護膜４
をエッチングマスクとしてＸ線透過窓１ｗを形成するこ
とを特徴とするＸ線マスクの製造方法である。
【０００６】そして，さらに，上記保護膜４の形成方法
がプラズマＣＶＤ法であるＸ線マスクの製造方法であ
る。
がプラズマＣＶＤ法であるＸ線マスクの製造方法であ
る。
【０００７】
【作用】本発明のＸ線マスクの製造方法においては，Ｘ
線透過窓の形成に必要とされるＸ線透過性薄膜と反対側
のシリコン基板面の一部を覆う保護膜の形成に関し，プ
ラズマＣＶＤ法による成膜時に保護膜のパターン形成を
も行うため，従来の保護膜形成工程，すなわち，保護膜
形成用薄膜の成膜，次に，フォトリソグラフィ法による
フォトレジストパターンの形成，さらに，ドライエッチ
ングによる保護膜の形成，続いて，フォトレジストの剥
離という一連の工程に比較し，大幅に工程数の短縮化を
達成することができる。
線透過窓の形成に必要とされるＸ線透過性薄膜と反対側
のシリコン基板面の一部を覆う保護膜の形成に関し，プ
ラズマＣＶＤ法による成膜時に保護膜のパターン形成を
も行うため，従来の保護膜形成工程，すなわち，保護膜
形成用薄膜の成膜，次に，フォトリソグラフィ法による
フォトレジストパターンの形成，さらに，ドライエッチ
ングによる保護膜の形成，続いて，フォトレジストの剥
離という一連の工程に比較し，大幅に工程数の短縮化を
達成することができる。
【０００８】
【実施例】以下本発明のＸ線マスクの製造方法の実施例
を、図面を参照しながら説明する。図１（Ａ）〜（Ｊ）
は，本発明のＸ線マスクの製造方法の一実施例の製造工
程を示す概略断面図である。まず，鏡面研磨された厚さ
０．３〜６．４ｍｍのシリコン基板１の片面にプラズマ
ＣＶＤ法又はスパッタリング法により，厚さ０．４〜２
μｍのＸ線透過性薄膜２（プラズマＣＶＤ法の場合プラ
ズマシリコン窒化膜，以下Ｐ−ＳｉＮ膜と略す）を形成
する（Ａ）。次に，シリコン基板１の反対側の面に静電
吸着あるいは成膜する面を遮蔽するすることがないよう
な止め具によりシリコンからなる遮蔽板３を装着し，望
ましくは２００〜３００℃にシリコン基板を加熱して，
プラズマＣＶＤ法により厚さ０．６〜４μｍの保護膜４
（Ｐ−ＳｉＮ膜）を形成する。（Ｂ）。次いで，遮蔽板
３を取り去ることでＸ線透過窓１ｗに相当する部分の保
護膜４が開孔する（Ｃ）。
を、図面を参照しながら説明する。図１（Ａ）〜（Ｊ）
は，本発明のＸ線マスクの製造方法の一実施例の製造工
程を示す概略断面図である。まず，鏡面研磨された厚さ
０．３〜６．４ｍｍのシリコン基板１の片面にプラズマ
ＣＶＤ法又はスパッタリング法により，厚さ０．４〜２
μｍのＸ線透過性薄膜２（プラズマＣＶＤ法の場合プラ
ズマシリコン窒化膜，以下Ｐ−ＳｉＮ膜と略す）を形成
する（Ａ）。次に，シリコン基板１の反対側の面に静電
吸着あるいは成膜する面を遮蔽するすることがないよう
な止め具によりシリコンからなる遮蔽板３を装着し，望
ましくは２００〜３００℃にシリコン基板を加熱して，
プラズマＣＶＤ法により厚さ０．６〜４μｍの保護膜４
（Ｐ−ＳｉＮ膜）を形成する。（Ｂ）。次いで，遮蔽板
３を取り去ることでＸ線透過窓１ｗに相当する部分の保
護膜４が開孔する（Ｃ）。
【０００９】次に，Ｘ線透過性薄膜２（Ｐ−ＳｉＮ膜）
上にスパッタリング法あるいはＣＶＤ法により，タンタ
ル，タングステンまたはそれらを主体とする合金等から
なる厚さ０．２〜１μｍのＸ線吸収性材料層５を形成す
る（Ｄ）。次いで，回転塗布法等により，レジスト６を
塗布し，通常の電子線露光法等により，所望のレジスト
パターン６ｐを形成する（Ｅ) ，（Ｆ) 。
上にスパッタリング法あるいはＣＶＤ法により，タンタ
ル，タングステンまたはそれらを主体とする合金等から
なる厚さ０．２〜１μｍのＸ線吸収性材料層５を形成す
る（Ｄ）。次いで，回転塗布法等により，レジスト６を
塗布し，通常の電子線露光法等により，所望のレジスト
パターン６ｐを形成する（Ｅ) ，（Ｆ) 。
【００１０】続いて，レジストパターン６ｐをマスクと
して，ＣＦ4 ，Ｃｌ2 ＋Ｏ2 等のガスを用いた反応性イ
オンエッチング法により，Ｘ線吸収性材料層５をエッチ
ングしてＸ線吸収性材料層パターン５ｐを形成する（Ｇ
) 。
して，ＣＦ4 ，Ｃｌ2 ＋Ｏ2 等のガスを用いた反応性イ
オンエッチング法により，Ｘ線吸収性材料層５をエッチ
ングしてＸ線吸収性材料層パターン５ｐを形成する（Ｇ
) 。
【００１１】次に，残りのレジストパターン６ｐを酸素
ガスを用いたプラズマエッチングにより除去して，Ｘ線
吸収性材料層パターン５ｐを得る（Ｈ) 。次いで，シリ
コン基板１の保護膜４で保護されていない部分を，裏面
からアルカリを用いた異方性ウェットエッチングにより
除去することにより，所望の断面形状のＸ線透過窓１ｗ
を有するシリコン枠１ｓを形成することができる
（Ｉ) 。このエッチングの際，Ｘ線吸収性材料層パター
ン５ｐを保護するために，上記処理を施したシリコン基
板１の上記裏面を上面とし，これをサンドウイッチして
エッチングするときシリコン基板１と中央穴開き板治具
との間にＯリングを介在させ上側からエッチング液を供
給してエッチング液溜とすることが望ましい。また，エ
ッチング液としては，２０〜４０％のＫＯＨ，ＮａＯＨ
等の水溶液を用いることにより，良好なエッチングが可
能である。
ガスを用いたプラズマエッチングにより除去して，Ｘ線
吸収性材料層パターン５ｐを得る（Ｈ) 。次いで，シリ
コン基板１の保護膜４で保護されていない部分を，裏面
からアルカリを用いた異方性ウェットエッチングにより
除去することにより，所望の断面形状のＸ線透過窓１ｗ
を有するシリコン枠１ｓを形成することができる
（Ｉ) 。このエッチングの際，Ｘ線吸収性材料層パター
ン５ｐを保護するために，上記処理を施したシリコン基
板１の上記裏面を上面とし，これをサンドウイッチして
エッチングするときシリコン基板１と中央穴開き板治具
との間にＯリングを介在させ上側からエッチング液を供
給してエッチング液溜とすることが望ましい。また，エ
ッチング液としては，２０〜４０％のＫＯＨ，ＮａＯＨ
等の水溶液を用いることにより，良好なエッチングが可
能である。
【００１２】最後に，エポキシ系接着剤層７を介して厚
さ２〜１０ｍｍのボロシリケートガラス等からなる補強
枠８と保護膜４とを接着することによりＸ線マスクが完
成する（Ｊ）。
さ２〜１０ｍｍのボロシリケートガラス等からなる補強
枠８と保護膜４とを接着することによりＸ線マスクが完
成する（Ｊ）。
【００１３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように，本発明
のＸ線マスクの製造方法によれば，Ｘ線透過窓の形成に
際し，必要とされる保護膜の形成を，プラズマＣＶＤ法
の成膜時に同時に行い得るので，工程数の短縮化を達成
出来る。
のＸ線マスクの製造方法によれば，Ｘ線透過窓の形成に
際し，必要とされる保護膜の形成を，プラズマＣＶＤ法
の成膜時に同時に行い得るので，工程数の短縮化を達成
出来る。
【図１】図１は，本発明のＸ線マスクの製造方法の一実
施例の製造工程を示す概略断面図である。
施例の製造工程を示す概略断面図である。
１ シリコン基板 １ｓ シリコン枠 １ｗ Ｘ線透過窓 ２ Ｘ線透過性薄膜 ３ 遮蔽板 ４ 保護膜 ５ Ｘ線吸収性材料層 ５ｐ Ｘ線吸収性材料層パターン ６ レジスト ６ｐ レジストパターン ７ 接着剤層 ８ 補強枠
Claims (2)
- 【請求項１】シリコン基板１の片面にＸ線透過性薄膜２
を形成する工程と，Ｘ線透過性薄膜２の面上にＸ線吸収
性材料層パターン５ｐを形成する工程と，上記シリコン
基板の他方の面に，Ｘ線吸収性材料層パターン５ｐに対
応するＸ線透過窓１ｗ部分をエッチング除去する工程と
を包含するＸ線マスクの製造方法において，Ｘ線透過窓
１ｗのエッチングマスク形成にあたり上記シリコン基板
１の他方の面のＸ線透過窓１ｗに相当する部分を遮蔽板
３で覆った状態で保護膜４を形成したのち，遮蔽板３を
除去し，残存する保護膜４をエッチングマスクとしてＸ
線透過窓１ｗを形成することを特徴とするＸ線マスクの
製造方法。 - 【請求項２】保護膜４の形成方法がプラズマＣＶＤ法で
ある請求項１記載のＸ線マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29667692A JPH06124877A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29667692A JPH06124877A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06124877A true JPH06124877A (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=17836636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29667692A Withdrawn JPH06124877A (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06124877A (ja) |
-
1992
- 1992-10-09 JP JP29667692A patent/JPH06124877A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000104 |