JPH1012526A - Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスク及びその製造方法Info
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- JPH1012526A JPH1012526A JP16421896A JP16421896A JPH1012526A JP H1012526 A JPH1012526 A JP H1012526A JP 16421896 A JP16421896 A JP 16421896A JP 16421896 A JP16421896 A JP 16421896A JP H1012526 A JPH1012526 A JP H1012526A
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- film
- ray
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】Ｘ線吸収性パターンと、そのパターンを保持す
るＸ線透過性支持膜と、そのＸ線透過性支持膜の外周を
固定する支持枠体とから成るＸ線露光用マスクにおい
て、可視光透過率を向上させ、且つＸ線吸収性パターン
の機械的強度の優れたＸ線露光用マスク及びその製造方
法を提供することにある。 【解決手段】Ｘ線吸収性パターンと、そのパターンを保
持するＸ線透過性支持膜と、そのＸ線透過性支持膜の外
周を固定する支持枠体とを有するＸ線露光用マスクにお
いて、上記Ｘ線吸収性パターンの表面に直接にアライメ
ント光の多重反射を防止する反射防止膜が形成されたこ
とを特徴とするＸ線露光用マスク及びその製造方法であ
る。
るＸ線透過性支持膜と、そのＸ線透過性支持膜の外周を
固定する支持枠体とから成るＸ線露光用マスクにおい
て、可視光透過率を向上させ、且つＸ線吸収性パターン
の機械的強度の優れたＸ線露光用マスク及びその製造方
法を提供することにある。 【解決手段】Ｘ線吸収性パターンと、そのパターンを保
持するＸ線透過性支持膜と、そのＸ線透過性支持膜の外
周を固定する支持枠体とを有するＸ線露光用マスクにお
いて、上記Ｘ線吸収性パターンの表面に直接にアライメ
ント光の多重反射を防止する反射防止膜が形成されたこ
とを特徴とするＸ線露光用マスク及びその製造方法であ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ、ＶＬＳ
Ｉ、ＵＳＬＩ等をはじめとする半導体集積回路の製造に
代表される極めて微細なパターンを、Ｘ線リソグラフィ
ーで形成する際に使用されるＸ線露光用マスクに関する
もので、詳しくは、Ｘ線露光用マスクの可視光透過率を
向上させた、且つＸ線吸収性パターンの機械的強度に優
れたＸ線露光用マスク及びその製造方法に関する。
Ｉ、ＵＳＬＩ等をはじめとする半導体集積回路の製造に
代表される極めて微細なパターンを、Ｘ線リソグラフィ
ーで形成する際に使用されるＸ線露光用マスクに関する
もので、詳しくは、Ｘ線露光用マスクの可視光透過率を
向上させた、且つＸ線吸収性パターンの機械的強度に優
れたＸ線露光用マスク及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明のＸ線リソグラフィーに使用され
るＸ線露光用マスクを説明するために、まずＸ線露光用
マスクの基本構成から説明する。図２に示すように、開
口部１を有する支持枠体（シリコン基板）２上にＸ線透
過性支持膜３が施され、該支持膜３上にＸ線吸収性パタ
ーン４が形成されたものがＸ線露光用マスクの基本構成
である。
るＸ線露光用マスクを説明するために、まずＸ線露光用
マスクの基本構成から説明する。図２に示すように、開
口部１を有する支持枠体（シリコン基板）２上にＸ線透
過性支持膜３が施され、該支持膜３上にＸ線吸収性パタ
ーン４が形成されたものがＸ線露光用マスクの基本構成
である。
【０００３】ここで、上記基本構成のみではＸ線リソグ
ラフィーの実用上において種々の不具合が生ずる。例え
ばＸ線露光すなわちＸ線連続照射によってメンブレン
（上記基本構成では、Ｘ線透過性支持膜３とＸ線吸収性
パターン４を指す）に応力変化が生じ、Ｘ線吸収性パタ
ーンに歪みや該パターンの機械的強度不足によって欠け
・傷等の発生がある。すなわち、Ｘ線リソグラフィーに
おいて、Ｘ線露光用マスクを介して、Ｘ線感光性レジス
トを塗布した半導体基板等のウェハーにＸ線を連続照射
することによってパターン歪みが発生し、位置ずれとな
る。例えば、Ｘ線透過支持膜がＳｉＮのＸ線露光用マス
クは、数ＭＪ／cm3 のＸ線連続照射によって１００ｎｍ
以上の位置ずれ発生すると言われている。またＸ線吸収
性パターンが凸状になっていることもあり、そのパター
ンが剥き出しの状態ではＸ線露光用マスクの使用中にパ
ターンの欠け・傷等が発生し易く、マスクの寿命に問題
が生ずる。
ラフィーの実用上において種々の不具合が生ずる。例え
ばＸ線露光すなわちＸ線連続照射によってメンブレン
（上記基本構成では、Ｘ線透過性支持膜３とＸ線吸収性
パターン４を指す）に応力変化が生じ、Ｘ線吸収性パタ
ーンに歪みや該パターンの機械的強度不足によって欠け
・傷等の発生がある。すなわち、Ｘ線リソグラフィーに
おいて、Ｘ線露光用マスクを介して、Ｘ線感光性レジス
トを塗布した半導体基板等のウェハーにＸ線を連続照射
することによってパターン歪みが発生し、位置ずれとな
る。例えば、Ｘ線透過支持膜がＳｉＮのＸ線露光用マス
クは、数ＭＪ／cm3 のＸ線連続照射によって１００ｎｍ
以上の位置ずれ発生すると言われている。またＸ線吸収
性パターンが凸状になっていることもあり、そのパター
ンが剥き出しの状態ではＸ線露光用マスクの使用中にパ
ターンの欠け・傷等が発生し易く、マスクの寿命に問題
が生ずる。
【０００４】一方、Ｘ線リソグラフィーでは、Ｘ線露光
の前に行う被露光体としての半導体基板等のウェハーと
Ｘ線露光用マスクのアライメント操作に際し、メンブレ
ン表面でアライメント光の薄膜多重反射干渉によって、
アライメント光透過率（可視光透過率）の低下する。こ
のため、アライメント信号が検出し難くなり、結果的に
アライメント精度の低下という問題点があった。
の前に行う被露光体としての半導体基板等のウェハーと
Ｘ線露光用マスクのアライメント操作に際し、メンブレ
ン表面でアライメント光の薄膜多重反射干渉によって、
アライメント光透過率（可視光透過率）の低下する。こ
のため、アライメント信号が検出し難くなり、結果的に
アライメント精度の低下という問題点があった。
【０００５】上記の問題点のパターン歪みや機械的強度
不足の解決策として特開昭６２−１７２７２５及び特開
昭６２−２９９０２８に開示されている。前者の構成
は、図３に示すように、開口部１を有する支持枠体（シ
リコン基板）２の上にＸ線透過性支持膜３が施され、そ
の支持膜３の上にＸ線吸収性パターン４が形成され、そ
のＸ線吸収性パターン４を有機高分子膜１４で被うよう
に積層され、その有機該高分子膜１４の上にＸ線透過性
保護膜３ａが積層されたものとなっている。また後者の
構成は、図４に示すように、開口部１を有する支持枠体
（シリコン基板）２上にＸ線透過性支持膜３とＸ線吸収
性パターン４が一体となった層が形成され、この層の表
裏面にＸ線透過性支持膜３と同質の材料のＸ線透過性保
護膜３ａが積層されたものとなっている。
不足の解決策として特開昭６２−１７２７２５及び特開
昭６２−２９９０２８に開示されている。前者の構成
は、図３に示すように、開口部１を有する支持枠体（シ
リコン基板）２の上にＸ線透過性支持膜３が施され、そ
の支持膜３の上にＸ線吸収性パターン４が形成され、そ
のＸ線吸収性パターン４を有機高分子膜１４で被うよう
に積層され、その有機該高分子膜１４の上にＸ線透過性
保護膜３ａが積層されたものとなっている。また後者の
構成は、図４に示すように、開口部１を有する支持枠体
（シリコン基板）２上にＸ線透過性支持膜３とＸ線吸収
性パターン４が一体となった層が形成され、この層の表
裏面にＸ線透過性支持膜３と同質の材料のＸ線透過性保
護膜３ａが積層されたものとなっている。
【０００６】また、アライメント精度の低下に及ぼすア
ライメント光透過率（可視光透過率）の低下という問題
点とパターン歪みの解決策として、特開平７−０７８７
４０等で開示されている。この場合のＸ線露光用マスク
の構成は、図５に示すように、開口部１を有する支持枠
体（シリコン基板）２上にＸ線透過性支持膜３が施さ
れ、そのＸ線透過性支持膜３の表裏面に反射防止膜２
４、２５が積層され、表面の反射防止膜２４にＸ線吸収
性パターン４が施されたものとなっていて、アライメン
ト光の多重反射を防止し、アライメント光透過率（可視
光透過率）を向上させている。さらに、Ｘ線透過性支持
膜３を包み込むようにその表裏面に反射防止膜２４、２
５が積層されているため、Ｘ線連続照射によるパターン
歪みの解消にもなっている構成である。
ライメント光透過率（可視光透過率）の低下という問題
点とパターン歪みの解決策として、特開平７−０７８７
４０等で開示されている。この場合のＸ線露光用マスク
の構成は、図５に示すように、開口部１を有する支持枠
体（シリコン基板）２上にＸ線透過性支持膜３が施さ
れ、そのＸ線透過性支持膜３の表裏面に反射防止膜２
４、２５が積層され、表面の反射防止膜２４にＸ線吸収
性パターン４が施されたものとなっていて、アライメン
ト光の多重反射を防止し、アライメント光透過率（可視
光透過率）を向上させている。さらに、Ｘ線透過性支持
膜３を包み込むようにその表裏面に反射防止膜２４、２
５が積層されているため、Ｘ線連続照射によるパターン
歪みの解消にもなっている構成である。
【０００７】しかしながら、以上図３、図４、図５に示
すような３事例の層構成において、３事例ともパターン
歪みの対策はとられているが、図３に示すような特開昭
６２−１７２７２５と図４に示すような特開昭６２−２
９９０２８の事例ではアライメント光の多重反射による
アライメント光透過率（可視光透過率）の低下に問題が
あり、図５に示すような特開平７−０７８７４０の事例
では、パターンの欠け・傷等に対する機械的強度不足に
より、歩留り及びマスクの寿命の低下という問題が生ず
る。
すような３事例の層構成において、３事例ともパターン
歪みの対策はとられているが、図３に示すような特開昭
６２−１７２７２５と図４に示すような特開昭６２−２
９９０２８の事例ではアライメント光の多重反射による
アライメント光透過率（可視光透過率）の低下に問題が
あり、図５に示すような特開平７−０７８７４０の事例
では、パターンの欠け・傷等に対する機械的強度不足に
より、歩留り及びマスクの寿命の低下という問題が生ず
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な問題点に鑑みなされたもので、その課題とするところ
は、Ｘ線吸収性パターンと、そのパターンを保持するＸ
線透過性支持膜と、そのＸ線透過性支持膜の外周を固定
する支持枠体とから成るＸ線露光用マスクにおいて、可
視光透過率を向上させ、且つＸ線吸収性パターンの機械
的強度の優れたＸ線露光用マスク及びその製造方法を提
供することにある。
な問題点に鑑みなされたもので、その課題とするところ
は、Ｘ線吸収性パターンと、そのパターンを保持するＸ
線透過性支持膜と、そのＸ線透過性支持膜の外周を固定
する支持枠体とから成るＸ線露光用マスクにおいて、可
視光透過率を向上させ、且つＸ線吸収性パターンの機械
的強度の優れたＸ線露光用マスク及びその製造方法を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を達成するために、請求項１の発明は、Ｘ線吸収性パタ
ーンと、そのパターンを保持するＸ線透過性支持膜と、
そのＸ線透過性支持膜の外周を固定する支持枠体とを有
するＸ線露光用マスクにおいて、上記Ｘ線吸収性パター
ンの表面に直接にアライメント光の多重反射を防止する
反射防止膜が形成されたことを特徴とするＸ線露光用マ
スク及びその製造方法である。
を達成するために、請求項１の発明は、Ｘ線吸収性パタ
ーンと、そのパターンを保持するＸ線透過性支持膜と、
そのＸ線透過性支持膜の外周を固定する支持枠体とを有
するＸ線露光用マスクにおいて、上記Ｘ線吸収性パター
ンの表面に直接にアライメント光の多重反射を防止する
反射防止膜が形成されたことを特徴とするＸ線露光用マ
スク及びその製造方法である。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態をその製造工
程を説明することにより、以下に詳細に説明する。
程を説明することにより、以下に詳細に説明する。
【００１１】先ず、図１（ａ）に示すように、ジクロル
シランとアンモニアを材料ガスとする減圧化学的気相蒸
着法で直径３インチ、厚さ２ｍｍのシリコン基板２に、
屈折率２．１８のＳｉＮ膜を２μｍ形成し、表面側をＸ
線透過性支持膜３とし、裏面側をバックエッチング保護
膜５３とした。この成膜条件はジクロルシランとアンモ
ニアのガス流量比は３対１とし、成膜温度は８５０°
Ｃ、成膜圧力は３０Ｐａとした。
シランとアンモニアを材料ガスとする減圧化学的気相蒸
着法で直径３インチ、厚さ２ｍｍのシリコン基板２に、
屈折率２．１８のＳｉＮ膜を２μｍ形成し、表面側をＸ
線透過性支持膜３とし、裏面側をバックエッチング保護
膜５３とした。この成膜条件はジクロルシランとアンモ
ニアのガス流量比は３対１とし、成膜温度は８５０°
Ｃ、成膜圧力は３０Ｐａとした。
【００１２】つぎに、図１（ｂ）に示すように、裏面の
ＳｉＮバックエッチング保護膜５３の所望の開口部以外
をマスキングして所望の開口部を反応性イオンエッチン
グで除去し、露出した所望領域のシリコン基板を熱アル
カリ（ＫＯＨ）溶液によってバックエッチ除去し、残っ
たシリコン基板から成る支持枠体２によって保持された
Ｘ線透過性支持膜３のメンブレン窓を得た。
ＳｉＮバックエッチング保護膜５３の所望の開口部以外
をマスキングして所望の開口部を反応性イオンエッチン
グで除去し、露出した所望領域のシリコン基板を熱アル
カリ（ＫＯＨ）溶液によってバックエッチ除去し、残っ
たシリコン基板から成る支持枠体２によって保持された
Ｘ線透過性支持膜３のメンブレン窓を得た。
【００１３】つぎに、図１（ｃ）に示すように、ＲＦス
パッタ装置を用いて、上記Ｘ線透過性支持膜３のメンブ
レン上に膜厚約０．７μｍのＴａ膜を形成し、Ｘ線吸収
性薄膜とした。このＸ線吸収性薄膜上にレジスト塗布、
パターン露光、現像、剥離後、反応性イオンエッチング
にてＴａ膜のパターンニングを行い、Ｘ線吸収性パター
ン４とした。
パッタ装置を用いて、上記Ｘ線透過性支持膜３のメンブ
レン上に膜厚約０．７μｍのＴａ膜を形成し、Ｘ線吸収
性薄膜とした。このＸ線吸収性薄膜上にレジスト塗布、
パターン露光、現像、剥離後、反応性イオンエッチング
にてＴａ膜のパターンニングを行い、Ｘ線吸収性パター
ン４とした。
【００１４】つぎに、上記工程で得られたＸ線透過性支
持膜３の裏面に、イオン放電下において反応性蒸着を行
うイオンアシスト蒸着装置を用いて、裏面反射防止膜２
５を形成する。具体的には、ＳｉＯ2 膜を厚さ０．１０
〜０．１５μｍとした。
持膜３の裏面に、イオン放電下において反応性蒸着を行
うイオンアシスト蒸着装置を用いて、裏面反射防止膜２
５を形成する。具体的には、ＳｉＯ2 膜を厚さ０．１０
〜０．１５μｍとした。
【００１５】最後に、上記イオンアシスト蒸着装置を用
いて、表面のＸ線吸収性パターン４を覆うように上記裏
面反射防止膜５６と同材質のＳｉＯ2 を同じ厚さの０．
１０〜０．１５μｍに成膜し、Ｘ線透過支持膜３からの
アライメント光の多重反射を防止する反射防止膜５５と
し本発明のＸ線露光用マスクとした。ここで述べた製造
工程及び方法は、代表例にすぎず、工程の手順、他の工
程の付加及び使用材料等は、当業者が任意に選定実行で
きるものである。
いて、表面のＸ線吸収性パターン４を覆うように上記裏
面反射防止膜５６と同材質のＳｉＯ2 を同じ厚さの０．
１０〜０．１５μｍに成膜し、Ｘ線透過支持膜３からの
アライメント光の多重反射を防止する反射防止膜５５と
し本発明のＸ線露光用マスクとした。ここで述べた製造
工程及び方法は、代表例にすぎず、工程の手順、他の工
程の付加及び使用材料等は、当業者が任意に選定実行で
きるものである。
【００１６】ここで本発明のポイントでもある図１
（ｅ）に示す上記反射防止膜５５には、二酸化珪素膜
（ＳｉＯ2 ）、酸化錫膜（ＳｎＯ2 ）、アルミナ膜（Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）等が用いられるが、ＳｉＯ2 が反射防止効果
などから最も有力視されている。この反射防止膜５５の
膜厚は、ｄ＝λ／４ｎ（ｄ：膜厚、λ：アライメント光
の波長、ｎ：膜の屈折率）が最適であるが、膜厚がこの
値からずれていてもかなり高い反射防止効果が得られ
る。例えば前記膜厚ｄに対して±３５％以内の範囲でも
実用上かなりの反射防止作用を有するものである。上記
図１の工程で説明したように反射防止膜５５に屈折率
１．４６のＳｉＯ2を使用した場合の適正膜厚はｄ＝λ
／４ｎで与えられ、アライメント光として、例えば波長
６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザーが用いられている場合
は、６３３／４×１．４６＝１０８ｎｍ、すなわち０．
１０８μｍの膜厚となる。
（ｅ）に示す上記反射防止膜５５には、二酸化珪素膜
（ＳｉＯ2 ）、酸化錫膜（ＳｎＯ2 ）、アルミナ膜（Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）等が用いられるが、ＳｉＯ2 が反射防止効果
などから最も有力視されている。この反射防止膜５５の
膜厚は、ｄ＝λ／４ｎ（ｄ：膜厚、λ：アライメント光
の波長、ｎ：膜の屈折率）が最適であるが、膜厚がこの
値からずれていてもかなり高い反射防止効果が得られ
る。例えば前記膜厚ｄに対して±３５％以内の範囲でも
実用上かなりの反射防止作用を有するものである。上記
図１の工程で説明したように反射防止膜５５に屈折率
１．４６のＳｉＯ2を使用した場合の適正膜厚はｄ＝λ
／４ｎで与えられ、アライメント光として、例えば波長
６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザーが用いられている場合
は、６３３／４×１．４６＝１０８ｎｍ、すなわち０．
１０８μｍの膜厚となる。
【００１７】しかしながら本発明である図１（ｅ）にお
ける反射防止膜５５は、本来の目的であるアライメント
光の多重反射を防止して、可視光透過率を上げることの
他に、Ｘ線吸収性パターン４を覆うことによってそのパ
ターンの欠け・傷等に対する機械的強度を向上させるた
めの保護膜としての機能を併せ持たせるものである。よ
って実用上問題のない反射防止効果を有しつつ、機械的
強度を向上させることを考慮すれば、出来る限り厚くし
た方が好ましいことになる。このことから、アライメン
ト光にＨｅ−Ｎｅレーザーが用いられる場合、且つ反射
防止膜の材料としてＳｉＯ2 を使用した場合の膜厚の上
限目標値を０．１５０μｍとした。
ける反射防止膜５５は、本来の目的であるアライメント
光の多重反射を防止して、可視光透過率を上げることの
他に、Ｘ線吸収性パターン４を覆うことによってそのパ
ターンの欠け・傷等に対する機械的強度を向上させるた
めの保護膜としての機能を併せ持たせるものである。よ
って実用上問題のない反射防止効果を有しつつ、機械的
強度を向上させることを考慮すれば、出来る限り厚くし
た方が好ましいことになる。このことから、アライメン
ト光にＨｅ−Ｎｅレーザーが用いられる場合、且つ反射
防止膜の材料としてＳｉＯ2 を使用した場合の膜厚の上
限目標値を０．１５０μｍとした。
【００１８】また図１（ｄ）に示す裏面から蒸着を施す
裏面反射防止膜５６は表面の反射防止膜５５と同条件の
同蒸着方法で、同材料を使用し、同膜厚とした。これは
Ｘ線連続照射によるマスクメンブレンの応力変化を抑
え、パターン歪みを防止するためである。
裏面反射防止膜５６は表面の反射防止膜５５と同条件の
同蒸着方法で、同材料を使用し、同膜厚とした。これは
Ｘ線連続照射によるマスクメンブレンの応力変化を抑
え、パターン歪みを防止するためである。
【００１９】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
【００２０】＜実施例１＞本発明のポイントであるＸ線
吸収性パターンの表面に直接に反射防止膜を形成する方
法について、その実施例を以下に示す。
吸収性パターンの表面に直接に反射防止膜を形成する方
法について、その実施例を以下に示す。
【００２１】反射防止膜の形成に、図６に示すイオンア
シスト蒸着装置６００（シンクロン社製、ＢＭＣ１０５
０）を使用し、被蒸着物６８として、図１（ｄ）に示す
厚さ２μｍのＸ線透過製支持膜３（ＳｉＮ）と厚さ０．
７μｍのＸ線吸収製パターン４（Ｔａ）と裏面反射防止
膜５６（ＳｉＯ2 ）及び支持枠体２（シリコン）から成
るものを使用し、目的のＸ線露光用マスクを作製した。
シスト蒸着装置６００（シンクロン社製、ＢＭＣ１０５
０）を使用し、被蒸着物６８として、図１（ｄ）に示す
厚さ２μｍのＸ線透過製支持膜３（ＳｉＮ）と厚さ０．
７μｍのＸ線吸収製パターン４（Ｔａ）と裏面反射防止
膜５６（ＳｉＯ2 ）及び支持枠体２（シリコン）から成
るものを使用し、目的のＸ線露光用マスクを作製した。
【００２２】先ず図６に示すイオンアシスト蒸着装置６
００の真空チャンバー６１の上方の基板取り付け冶具６
２に上記被蒸着物６８を係止し、真空チャンバー６１内
の空気を排気口６７より排気して真空度を１．０×１０
-3Ｐａとし、次いでイオン銃６５よりシャッター６６を
介してイオンアシスト源としてのアルゴン（Ａｒ）ガス
９０％と酸素ガス１０％の混合ガスを導入して、到達真
空度を１．０×１０-1Ｐａとした。
００の真空チャンバー６１の上方の基板取り付け冶具６
２に上記被蒸着物６８を係止し、真空チャンバー６１内
の空気を排気口６７より排気して真空度を１．０×１０
-3Ｐａとし、次いでイオン銃６５よりシャッター６６を
介してイオンアシスト源としてのアルゴン（Ａｒ）ガス
９０％と酸素ガス１０％の混合ガスを導入して、到達真
空度を１．０×１０-1Ｐａとした。
【００２３】次に、電子銃６９の作動により、加速電圧
０．５ＫＶ、加速電流８０ｍＡで蒸着源５３としてのＳ
ｉＯ2 （４Ｎ（９９．９％）、Ｇｒａｎｕｌｅ１〜４ｍ
ｍ）を加熱蒸発させ、シャッター６６を介して上記被蒸
着物６８に対して蒸着を行った。このときの蒸着速度は
毎秒１Å、蒸着温度は常温で行った。
０．５ＫＶ、加速電流８０ｍＡで蒸着源５３としてのＳ
ｉＯ2 （４Ｎ（９９．９％）、Ｇｒａｎｕｌｅ１〜４ｍ
ｍ）を加熱蒸発させ、シャッター６６を介して上記被蒸
着物６８に対して蒸着を行った。このときの蒸着速度は
毎秒１Å、蒸着温度は常温で行った。
【００２４】このようにして得られた表面の反射防止膜
の厚さを目標値の０．１１μｍであった。この反射防止
膜が形成されたＸ線露光用マスクは、Ｘ線リソグラフィ
ーにおけるＨｅ−Ｎｅレーザーアライメント光の透過率
が９０％以上で安定し、アライメント精度は極めて良好
なものであった。またＸ線吸収性パターンの機械的強度
も実用上問題のないものであった。
の厚さを目標値の０．１１μｍであった。この反射防止
膜が形成されたＸ線露光用マスクは、Ｘ線リソグラフィ
ーにおけるＨｅ−Ｎｅレーザーアライメント光の透過率
が９０％以上で安定し、アライメント精度は極めて良好
なものであった。またＸ線吸収性パターンの機械的強度
も実用上問題のないものであった。
【００２５】
【発明の効果】本発明は以上の構成であるから、下記に
示す如き効果がある。すなわち、Ｘ線吸収性パターンの
表面に直接にアライメント光の多重反射を防止する反射
防止膜を形成するため、アライメント光（可視光）透過
率を向上させ、且つＸ線吸収性パターンの欠け・傷等を
防止する効果がある。また、Ｘ線透過性支持膜上に形成
されたＸ線吸収性パターンが、表面の反射防止膜及びそ
の膜と同材質、同膜厚である裏面の反射防止膜に囲まれ
ているため、Ｘ線連続照射によるメンブレンの応力変化
に起因するパターン位置歪みの低減の効果も有する。
示す如き効果がある。すなわち、Ｘ線吸収性パターンの
表面に直接にアライメント光の多重反射を防止する反射
防止膜を形成するため、アライメント光（可視光）透過
率を向上させ、且つＸ線吸収性パターンの欠け・傷等を
防止する効果がある。また、Ｘ線透過性支持膜上に形成
されたＸ線吸収性パターンが、表面の反射防止膜及びそ
の膜と同材質、同膜厚である裏面の反射防止膜に囲まれ
ているため、Ｘ線連続照射によるメンブレンの応力変化
に起因するパターン位置歪みの低減の効果も有する。
【図１】（ａ）〜（ｂ）は、本発明のＸ線露光用マスク
の一実施例における製造工程を順に示す側断面図。
の一実施例における製造工程を順に示す側断面図。
【図２】Ｘ線露光用マスクの基本構成を説明する側断面
図。
図。
【図３】Ｘ線露光用マスク構成の一事例を説明する側断
面図。
面図。
【図４】Ｘ線露光用マスク構成の一事例を説明する側断
面図。
面図。
【図５】Ｘ線露光用マスク構成の一事例を説明する側断
面図。
面図。
【図６】イオンアシスト蒸着装置の説明図。
１‥‥開口部 ２‥‥支持枠体（シリ
コン基板） ３‥‥Ｘ線透過性支持膜 ３ａ‥‥Ｘ線透過性保護
膜 ４‥‥Ｘ線吸収性パターン １４‥‥有機高分子膜 ２４‥‥表面反射防止膜 ２５‥‥裏面反射防止
膜 ５３‥‥バックエッチング保護膜 ５５‥‥反射防止膜（パターン保護用） ６００‥‥イオンアシスト蒸着装置 ６０‥‥膜厚測定モニター部 ６１‥‥真空チャンバー ６２‥‥基板取り付け
冶具 ６３‥‥電子ビーム蒸着源 ６５‥‥イオン銃 ６６‥‥シャッター ６７‥‥排気口 ６８‥‥被蒸着物 ６９‥‥電子銃
コン基板） ３‥‥Ｘ線透過性支持膜 ３ａ‥‥Ｘ線透過性保護
膜 ４‥‥Ｘ線吸収性パターン １４‥‥有機高分子膜 ２４‥‥表面反射防止膜 ２５‥‥裏面反射防止
膜 ５３‥‥バックエッチング保護膜 ５５‥‥反射防止膜（パターン保護用） ６００‥‥イオンアシスト蒸着装置 ６０‥‥膜厚測定モニター部 ６１‥‥真空チャンバー ６２‥‥基板取り付け
冶具 ６３‥‥電子ビーム蒸着源 ６５‥‥イオン銃 ６６‥‥シャッター ６７‥‥排気口 ６８‥‥被蒸着物 ６９‥‥電子銃
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松尾 正 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】Ｘ線吸収性パターンと、そのパターンを保
持するＸ線透過性支持膜と、そのＸ線透過性支持膜の外
周を固定する支持枠体とから成るＸ線露光用マスクにお
いて、上記Ｘ線吸収性パターンの表面に直接にアライメ
ント光の多重反射を防止するための反射防止膜が形成さ
れたことを特徴としたＸ線露光用マスク及びその製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16421896A JPH1012526A (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16421896A JPH1012526A (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012526A true JPH1012526A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15788921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16421896A Pending JPH1012526A (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012526A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990072348A (ko) * | 1998-02-17 | 1999-09-27 | 포만 제프리 엘 | 개선된엑스-선마스크구조체 |
| JP2011523466A (ja) * | 2008-05-06 | 2011-08-11 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル．ピー． | 薄いペリクルビームスプリッタの製造 |
-
1996
- 1996-06-25 JP JP16421896A patent/JPH1012526A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990072348A (ko) * | 1998-02-17 | 1999-09-27 | 포만 제프리 엘 | 개선된엑스-선마스크구조체 |
| JP2011523466A (ja) * | 2008-05-06 | 2011-08-11 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル．ピー． | 薄いペリクルビームスプリッタの製造 |
| US8711484B2 (en) | 2008-05-06 | 2014-04-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fabrication of thin pellicle beam splitters |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040514 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040713 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041124 |