JPH104046A - Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスク及びその製造方法Info
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- JPH104046A JPH104046A JP15378696A JP15378696A JPH104046A JP H104046 A JPH104046 A JP H104046A JP 15378696 A JP15378696 A JP 15378696A JP 15378696 A JP15378696 A JP 15378696A JP H104046 A JPH104046 A JP H104046A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】Ｘ線露光用マスクにおいて、Ｘ線透過性支持膜
とその表裏面に成膜される反射防止膜へのＸ線連続照射
による該マスクのパターン位置歪みを著しく少なくする
ための形状をもたせた反射防止膜を有するＸ線露光用マ
スク及びその成膜方法を提供することにある。 【解決手段】Ｘ線透過性支持膜上にＸ線吸収性薄膜パタ
ーンと反射防止膜とを備えたＸ線露光用マスクにおい
て、Ｘ線透過性支持膜の表裏面に同位置、同面積の反射
防止膜を設けたことを特徴とするＸ線露光用マスクであ
る。また、上記Ｘ線透過性支持膜の少なくとも表面への
上記反射防止膜の形成に、開口部がテーパー付エッジの
ステンシルマスクを用いて部分蒸着することを特徴とす
るＸ線露光用マスクの製造方法である。
とその表裏面に成膜される反射防止膜へのＸ線連続照射
による該マスクのパターン位置歪みを著しく少なくする
ための形状をもたせた反射防止膜を有するＸ線露光用マ
スク及びその成膜方法を提供することにある。 【解決手段】Ｘ線透過性支持膜上にＸ線吸収性薄膜パタ
ーンと反射防止膜とを備えたＸ線露光用マスクにおい
て、Ｘ線透過性支持膜の表裏面に同位置、同面積の反射
防止膜を設けたことを特徴とするＸ線露光用マスクであ
る。また、上記Ｘ線透過性支持膜の少なくとも表面への
上記反射防止膜の形成に、開口部がテーパー付エッジの
ステンシルマスクを用いて部分蒸着することを特徴とす
るＸ線露光用マスクの製造方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線リソグラフィ
ーに使用されるＸ線露光用マスクに関するもので、詳し
くはＸ線照射によるパターンの位置歪みを著しく低減さ
せたＸ線露光用マスク及びその製造方法に関する。
ーに使用されるＸ線露光用マスクに関するもので、詳し
くはＸ線照射によるパターンの位置歪みを著しく低減さ
せたＸ線露光用マスク及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの高集積化にともない、搭載され
るパターンの微細化も急速に進展してきている。この中
で、微細パターンの形成のためのＸ線リソグラフィーは
波長が数オングストロームから数１０オングストローム
の軟Ｘ線を光源とする次世代の微細露光転写技術であ
る。このＸ線リソグラフィー技術で特に注目されている
のは等倍近接露光による方法で、この場合、形成される
べきパターンと同じ寸法のパターンをマスク状に形成さ
せなければならない。したがって、Ｘ線露光用マスクに
おけるパターン位置精度が特に重要な問題となってい
る。
るパターンの微細化も急速に進展してきている。この中
で、微細パターンの形成のためのＸ線リソグラフィーは
波長が数オングストロームから数１０オングストローム
の軟Ｘ線を光源とする次世代の微細露光転写技術であ
る。このＸ線リソグラフィー技術で特に注目されている
のは等倍近接露光による方法で、この場合、形成される
べきパターンと同じ寸法のパターンをマスク状に形成さ
せなければならない。したがって、Ｘ線露光用マスクに
おけるパターン位置精度が特に重要な問題となってい
る。
【０００３】この問題を説明するため、図１（ｄ）に示
すような一般的な構造から説明する。すなわち、Ｘ線吸
収性薄膜パターン１６と該Ｘ線吸収体を支持するＸ線の
吸収の少ないＸ線透過性支持膜１２と、その外周を固定
する支持枠体１１と、この枠体となる部分以外の支持基
板をエッチング（バックエッチングで通常は異方性のウ
エットエッチング）で除去するためのレジストとなるバ
ックエッチング保護膜１３から成っている。さらに、半
導体基板等のウェーハとＸ線露光用マスクとのアライメ
ントを行う際のアライメント光のＸ線透過性支持膜での
多重反射を防止するための反射防止膜１４がＸ線透過支
持膜１２の表面に施され、バックエッチング保護膜１３
上とＸ線透過支持膜１２の裏面に反射防止膜１５が施さ
れているのが一般的であり、従来の構造である。上記Ｘ
線透過支持膜として、窒化ケイ素（以下ＳｉＮという）
及び炭化珪素（ＳｉＣ）が、上記反射防止膜として二酸
化ケイ素（以下ＳｉＯ2 という）が最も有力な材料であ
る。
すような一般的な構造から説明する。すなわち、Ｘ線吸
収性薄膜パターン１６と該Ｘ線吸収体を支持するＸ線の
吸収の少ないＸ線透過性支持膜１２と、その外周を固定
する支持枠体１１と、この枠体となる部分以外の支持基
板をエッチング（バックエッチングで通常は異方性のウ
エットエッチング）で除去するためのレジストとなるバ
ックエッチング保護膜１３から成っている。さらに、半
導体基板等のウェーハとＸ線露光用マスクとのアライメ
ントを行う際のアライメント光のＸ線透過性支持膜での
多重反射を防止するための反射防止膜１４がＸ線透過支
持膜１２の表面に施され、バックエッチング保護膜１３
上とＸ線透過支持膜１２の裏面に反射防止膜１５が施さ
れているのが一般的であり、従来の構造である。上記Ｘ
線透過支持膜として、窒化ケイ素（以下ＳｉＮという）
及び炭化珪素（ＳｉＣ）が、上記反射防止膜として二酸
化ケイ素（以下ＳｉＯ2 という）が最も有力な材料であ
る。
【０００４】次に、上記Ｘ線露光用マスクを使用したＸ
線リソグラフィーについて簡単に説明する。まず、上記
Ｘ線露光用マスクをＸ線露光装置に装着し、Ｘ線感光性
レジストを塗布した半導体基板等のウェーハに数十μｍ
ギャップで近接し、Ｘ線露光用マスクとウェーハとのア
ライメントが行われる。このアライメント光には、例え
ば波長６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザーなどがもちいら
れる。
線リソグラフィーについて簡単に説明する。まず、上記
Ｘ線露光用マスクをＸ線露光装置に装着し、Ｘ線感光性
レジストを塗布した半導体基板等のウェーハに数十μｍ
ギャップで近接し、Ｘ線露光用マスクとウェーハとのア
ライメントが行われる。このアライメント光には、例え
ば波長６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザーなどがもちいら
れる。
【０００５】次いで、このＸ線露光用マスクを介してＸ
線感光レジストを塗布した半導体基板等にＸ線が照射さ
れる。これが等倍近接露光であり、このＸ線としてシン
クロトロン放射Ｘ線が用いられるようになってきた。こ
のＸ線の連続露光（照射）によってＸ線露光用マスクの
パターン位置歪みが発生する。例えばＸ線透過支持膜が
ＳｉＮのＸ線露光用マスクは、Ｘ線透過性支持膜のＸ線
吸収量が数ＭＪ／cm3で１００ｎｍ以上の位置歪みが発
生するとも言われているように、この等倍近接露光にお
いては僅かなパターン位置歪みが大きな問題となってい
る。このパターン位置歪みの原因は、Ｘ線透過性支持膜
１２（ＳｉＮ）とその表裏面に成膜される反射防止膜１
４（ＳｉＯ2 ）、１５（ＳｉＯ2 ）へのＸ線連続照射に
よって応力が変化（緩和）し、その膜に反りが発生する
ことによるものであることは、特開平７−３０７２８０
に記載されている。
線感光レジストを塗布した半導体基板等にＸ線が照射さ
れる。これが等倍近接露光であり、このＸ線としてシン
クロトロン放射Ｘ線が用いられるようになってきた。こ
のＸ線の連続露光（照射）によってＸ線露光用マスクの
パターン位置歪みが発生する。例えばＸ線透過支持膜が
ＳｉＮのＸ線露光用マスクは、Ｘ線透過性支持膜のＸ線
吸収量が数ＭＪ／cm3で１００ｎｍ以上の位置歪みが発
生するとも言われているように、この等倍近接露光にお
いては僅かなパターン位置歪みが大きな問題となってい
る。このパターン位置歪みの原因は、Ｘ線透過性支持膜
１２（ＳｉＮ）とその表裏面に成膜される反射防止膜１
４（ＳｉＯ2 ）、１５（ＳｉＯ2 ）へのＸ線連続照射に
よって応力が変化（緩和）し、その膜に反りが発生する
ことによるものであることは、特開平７−３０７２８０
に記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に鑑み成されたもので、その課題とするところは、Ｘ線
露光用マスクにおいて、Ｘ線透過性支持膜とその表裏面
に成膜される反射防止膜へのＸ線連続照射による該マス
クのパターン位置歪みを著しく少なくするための形状を
もたせた反射防止膜を有するＸ線露光用マスク及びその
成膜方法を提供することにある。
に鑑み成されたもので、その課題とするところは、Ｘ線
露光用マスクにおいて、Ｘ線透過性支持膜とその表裏面
に成膜される反射防止膜へのＸ線連続照射による該マス
クのパターン位置歪みを著しく少なくするための形状を
もたせた反射防止膜を有するＸ線露光用マスク及びその
成膜方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記目的
を達成するために、請求項１の発明は、少なくともＸ線
透過性支持膜上にＸ線吸収性薄膜パターンとアライメン
ト光のＸ線透過性支持膜での多重反射を防止するための
反射防止膜とを備えたＸ線露光用マスクの製造におい
て、上記Ｘ線透過性支持膜の表裏面の同位置に且つ同面
積の上記反射防止膜を形成してなるＸ線露光用マスクで
ある。また請求項２の発明は、上記Ｘ線透過性支持膜の
少なくとも表面への上記反射防止膜の形成に、開口部の
エッジにテーパーの付いたステンシルマスクを用いて部
分蒸着することを特徴とするＸ線露光用マスクの製造方
法である。
を達成するために、請求項１の発明は、少なくともＸ線
透過性支持膜上にＸ線吸収性薄膜パターンとアライメン
ト光のＸ線透過性支持膜での多重反射を防止するための
反射防止膜とを備えたＸ線露光用マスクの製造におい
て、上記Ｘ線透過性支持膜の表裏面の同位置に且つ同面
積の上記反射防止膜を形成してなるＸ線露光用マスクで
ある。また請求項２の発明は、上記Ｘ線透過性支持膜の
少なくとも表面への上記反射防止膜の形成に、開口部の
エッジにテーパーの付いたステンシルマスクを用いて部
分蒸着することを特徴とするＸ線露光用マスクの製造方
法である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明のＸ線露光用マスク及びそ
の製造方法を図１、図２、図３により一実施形態に基づ
いて以下に詳細に説明する。
の製造方法を図１、図２、図３により一実施形態に基づ
いて以下に詳細に説明する。
【０００９】まずＸ線露光用マスクの製造工程の一例を
図１（ａ）〜（ｄ）で簡単に説明する。先ず、図１
（ａ）に示すように、シリコン基板１７の表面にＳｉＮ
膜を成膜し、Ｘ線透過支持膜１２とする。このとき裏面
にも同材質のＳｉＮ膜を形成して、バックエッチング保
護膜１３とする。次に図１（ｂ）に示すように、バック
エッチング保護膜１３を周辺部のみを残して除去し、裏
面からシリコン基板１７を湿式エッチング手段により溶
解し、中央を開口部とした支持枠体１１を形成する。次
いで図１（ｃ）に示すように、表面から反射防止膜１４
をＸ線透過性支持膜１２の上に成膜し、さらに裏面から
同材質の反射防止膜１５をＸ線透過性支持膜１２の裏面
と、バックエッチング保護膜１３の上に成膜する。さら
に図１（ｄ）に示すように、表面の反射防止膜１４の上
に積層されたＸ線吸収性薄膜をエッチングの手段により
パターン化して、Ｘ線吸収性薄膜パターン１６として、
Ｘ線露光用マスクが作製される。
図１（ａ）〜（ｄ）で簡単に説明する。先ず、図１
（ａ）に示すように、シリコン基板１７の表面にＳｉＮ
膜を成膜し、Ｘ線透過支持膜１２とする。このとき裏面
にも同材質のＳｉＮ膜を形成して、バックエッチング保
護膜１３とする。次に図１（ｂ）に示すように、バック
エッチング保護膜１３を周辺部のみを残して除去し、裏
面からシリコン基板１７を湿式エッチング手段により溶
解し、中央を開口部とした支持枠体１１を形成する。次
いで図１（ｃ）に示すように、表面から反射防止膜１４
をＸ線透過性支持膜１２の上に成膜し、さらに裏面から
同材質の反射防止膜１５をＸ線透過性支持膜１２の裏面
と、バックエッチング保護膜１３の上に成膜する。さら
に図１（ｄ）に示すように、表面の反射防止膜１４の上
に積層されたＸ線吸収性薄膜をエッチングの手段により
パターン化して、Ｘ線吸収性薄膜パターン１６として、
Ｘ線露光用マスクが作製される。
【００１０】前記製造工程において、本発明では、図１
（ｅ）に示すように、Ｘ線透過支持膜１２の少なくとも
表面に反射防止膜１７をステンシルマスクを用いて部分
的に成膜する。また図１（ｇ）に示すように、Ｘ線透過
性支持膜１２の裏面にも、同ステンシルマスクを用いて
裏面の反射防止膜１９を成膜することができる。従って
本発明でのＸ線露光用マスクの構成は図１（ｆ）又は図
１（ｈ）に示すものとなる。よって図１（ｇ）及び図１
（ｈ）にはバックエッチング保護膜１３上には裏面反射
防止膜は成膜されない構成となる。ここで述べた製造工
程及び方法は、代表例にすぎず、工程の手順変更、他の
工程の付加等は、当業者が任意に選択実施できる。
（ｅ）に示すように、Ｘ線透過支持膜１２の少なくとも
表面に反射防止膜１７をステンシルマスクを用いて部分
的に成膜する。また図１（ｇ）に示すように、Ｘ線透過
性支持膜１２の裏面にも、同ステンシルマスクを用いて
裏面の反射防止膜１９を成膜することができる。従って
本発明でのＸ線露光用マスクの構成は図１（ｆ）又は図
１（ｈ）に示すものとなる。よって図１（ｇ）及び図１
（ｈ）にはバックエッチング保護膜１３上には裏面反射
防止膜は成膜されない構成となる。ここで述べた製造工
程及び方法は、代表例にすぎず、工程の手順変更、他の
工程の付加等は、当業者が任意に選択実施できる。
【００１１】このような技術手段において、反射防止膜
１４、１５、１８、１９には、Ｘ線透過性支持膜１２の
屈折率の平方根に略等しい屈折率を有する化合物の薄膜
が利用できる。特に屈折率が約２．２のＳｉＮ膜からな
るＸ線透過性支持膜に対しては、屈折率が約１．４６の
ＳｉＯ2 膜が適している。
１４、１５、１８、１９には、Ｘ線透過性支持膜１２の
屈折率の平方根に略等しい屈折率を有する化合物の薄膜
が利用できる。特に屈折率が約２．２のＳｉＮ膜からな
るＸ線透過性支持膜に対しては、屈折率が約１．４６の
ＳｉＯ2 膜が適している。
【００１２】この反射防止膜の膜厚は、Ｘ線リソグラフ
ィーで使用されるアライメント光の波長λによって決定
される。すなわち、反射防止膜の光学膜厚ｎｄ＝λ／４
で与えられ、アライメント光として、例えば波長６３３
ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザーが用いられている場合はｎｄ
＝１５８ｎｍであり、屈折率１．４６のＳｉＯ2 膜の膜
厚は０．１０８μｍとなる。
ィーで使用されるアライメント光の波長λによって決定
される。すなわち、反射防止膜の光学膜厚ｎｄ＝λ／４
で与えられ、アライメント光として、例えば波長６３３
ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザーが用いられている場合はｎｄ
＝１５８ｎｍであり、屈折率１．４６のＳｉＯ2 膜の膜
厚は０．１０８μｍとなる。
【００１３】このような反射防止膜の形成には、イオン
アシスト蒸着法が有用な方法の一つとして用いられてい
る。イオンアシスト蒸着法は減圧下で蒸着原料を電子線
加熱で蒸発させながら、イオン銃で不活性ガス又は活性
ガス又はその混合ガスを荷電粒子として基板に向けて放
出し、加速放出された荷電粒子は途中蒸着材料粒子をイ
オン化するとともに、直接基板にも作用し蒸着をアシス
トする。このようにイオンの力を借りるため成膜速度が
制御し易く均一な薄膜厚と透過率等良好な膜物性が得ら
れる。
アシスト蒸着法が有用な方法の一つとして用いられてい
る。イオンアシスト蒸着法は減圧下で蒸着原料を電子線
加熱で蒸発させながら、イオン銃で不活性ガス又は活性
ガス又はその混合ガスを荷電粒子として基板に向けて放
出し、加速放出された荷電粒子は途中蒸着材料粒子をイ
オン化するとともに、直接基板にも作用し蒸着をアシス
トする。このようにイオンの力を借りるため成膜速度が
制御し易く均一な薄膜厚と透過率等良好な膜物性が得ら
れる。
【００１４】以上のように本発明は、Ｘ線露光用マスク
において、図１（ｆ）及び図１（ｈ）に示すように、Ｘ
線透過性支持膜１２とその表裏面にイオンアシスト蒸着
法にて成膜される反射防止膜へのＸ線連続照射によるマ
スクのパターン位置歪みを著しく少なくする前記反射防
止膜１８、１９の形状（具体的には、Ｘ線透過支持膜の
表裏面に同位置、同面積の前記反射防止膜）を備えたマ
スク及びその成膜方法（具体的には、図３に示す開口部
３２のエッジにテーパー３３の付いたステンシルマスク
３１を用いた部分蒸着）を提供するものである。
において、図１（ｆ）及び図１（ｈ）に示すように、Ｘ
線透過性支持膜１２とその表裏面にイオンアシスト蒸着
法にて成膜される反射防止膜へのＸ線連続照射によるマ
スクのパターン位置歪みを著しく少なくする前記反射防
止膜１８、１９の形状（具体的には、Ｘ線透過支持膜の
表裏面に同位置、同面積の前記反射防止膜）を備えたマ
スク及びその成膜方法（具体的には、図３に示す開口部
３２のエッジにテーパー３３の付いたステンシルマスク
３１を用いた部分蒸着）を提供するものである。
【００１５】次いで、本発明の実施に適用されるイオン
アシスト蒸着法による具体的実施の形態を説明する。イ
オンアシスト蒸着装置２００は、図２に示すように一側
面に排気口２１を備える蒸着チャンバー２２と、この蒸
着チャンバー２２内の下方側に配置されて蒸着チャンバ
ー２２内にアルゴンガスなどの不活性ガスと酸素ガス等
の活性ガスを供給するイオン銃２３と、同じく蒸着チャ
ンバー２２内の下方側に配置された反射防止膜となるＳ
ｉＯ2 を充填した蒸着源２４と電子銃２５と、これらイ
オン銃２３と電子銃２５の上部側に設けられ、不活性ガ
スと活性ガスからなる混合ガス、及び蒸着源２４の供給
を停止させる開閉シャッター２６と、上記蒸着チャンバ
ー２２内の上方側に配置され本方法で反射防止膜を形成
すべきＸ線露光用マスクの途中工程の基板を複数個保持
する回転自在な基板取り付け冶具２７とで主要部が構成
されている。
アシスト蒸着法による具体的実施の形態を説明する。イ
オンアシスト蒸着装置２００は、図２に示すように一側
面に排気口２１を備える蒸着チャンバー２２と、この蒸
着チャンバー２２内の下方側に配置されて蒸着チャンバ
ー２２内にアルゴンガスなどの不活性ガスと酸素ガス等
の活性ガスを供給するイオン銃２３と、同じく蒸着チャ
ンバー２２内の下方側に配置された反射防止膜となるＳ
ｉＯ2 を充填した蒸着源２４と電子銃２５と、これらイ
オン銃２３と電子銃２５の上部側に設けられ、不活性ガ
スと活性ガスからなる混合ガス、及び蒸着源２４の供給
を停止させる開閉シャッター２６と、上記蒸着チャンバ
ー２２内の上方側に配置され本方法で反射防止膜を形成
すべきＸ線露光用マスクの途中工程の基板を複数個保持
する回転自在な基板取り付け冶具２７とで主要部が構成
されている。
【００１６】またイオンアシスト蒸着装置２００には蒸
着膜測定等に関するモニター部２８、投光機２９、受光
量測定器２０等も備えるが説明は省略する。
着膜測定等に関するモニター部２８、投光機２９、受光
量測定器２０等も備えるが説明は省略する。
【００１７】つぎに、蒸着作動を図２に示すイオンアシ
スト蒸着装置２００と図３に示すステンシルマスク３１
に基づいて説明する。まず図２に示す蒸着チャンバー２
２内の基板取り付け冶具２７にＸ線露光用マスク基板２
８と図３に示すステンシルマスク３１をセットし、か
つ、上記排気口２１から蒸着チャンバー２２内の空気を
排気して初期の内部圧力に設定した後、イオン銃２３と
電子銃２５をオン作動させる。この動作により０．３〜
０．５kg／cm2 の圧力をかけられたアルゴンガス等と酸
素ガスの混合ガスがイオン銃から蒸着チャンバー２２内
に放出されると共に、蒸着源２４の予備加熱がなされて
いる電子銃２５から電子が放出される。
スト蒸着装置２００と図３に示すステンシルマスク３１
に基づいて説明する。まず図２に示す蒸着チャンバー２
２内の基板取り付け冶具２７にＸ線露光用マスク基板２
８と図３に示すステンシルマスク３１をセットし、か
つ、上記排気口２１から蒸着チャンバー２２内の空気を
排気して初期の内部圧力に設定した後、イオン銃２３と
電子銃２５をオン作動させる。この動作により０．３〜
０．５kg／cm2 の圧力をかけられたアルゴンガス等と酸
素ガスの混合ガスがイオン銃から蒸着チャンバー２２内
に放出されると共に、蒸着源２４の予備加熱がなされて
いる電子銃２５から電子が放出される。
【００１８】つぎに、電子銃２５上に設置されている開
閉シャッター２６が開放されて蒸着源２４のＳｉＯ2 が
蒸着チャンバー２２内に放出されると共に、これと同期
して上記イオン銃２３の開閉シャッター２６も開放さ
れ、蒸着チャンバー２２内に放出されたＳｉＯ2 ガスに
対してアルゴンガス等と酸素ガスの混合ガスを作用して
ＳｉＯ2 ガスをイオン化する一方、イオン化されたＳｉ
Ｏ2 が上記ステンシルマスク３１を通して上記Ｘ線露光
用基板２８面に成膜される。
閉シャッター２６が開放されて蒸着源２４のＳｉＯ2 が
蒸着チャンバー２２内に放出されると共に、これと同期
して上記イオン銃２３の開閉シャッター２６も開放さ
れ、蒸着チャンバー２２内に放出されたＳｉＯ2 ガスに
対してアルゴンガス等と酸素ガスの混合ガスを作用して
ＳｉＯ2 ガスをイオン化する一方、イオン化されたＳｉ
Ｏ2 が上記ステンシルマスク３１を通して上記Ｘ線露光
用基板２８面に成膜される。
【００１９】ここで本発明のイオンアシスト蒸着による
反射防止膜の成膜において、図３に示すように、開口部
３２のエッジにテーパー３３の付いたステンシルマスク
３１を、例えば既にシリコン基板にＸ線透過性支持膜と
開口部も設けられた被蒸着物３５と密着させて部分蒸着
することによって、得られた表面の反射防止膜と同位
置、同面積の裏面反射防止膜とすることによって、Ｘ線
連続照射による基板の反りの極めて少ないＸ線露光用マ
スク得ることができた。すなわちＸ線照射によるパター
ンの位置歪みの極めて少ないＸ線露光用マスク得ること
ができた。
反射防止膜の成膜において、図３に示すように、開口部
３２のエッジにテーパー３３の付いたステンシルマスク
３１を、例えば既にシリコン基板にＸ線透過性支持膜と
開口部も設けられた被蒸着物３５と密着させて部分蒸着
することによって、得られた表面の反射防止膜と同位
置、同面積の裏面反射防止膜とすることによって、Ｘ線
連続照射による基板の反りの極めて少ないＸ線露光用マ
スク得ることができた。すなわちＸ線照射によるパター
ンの位置歪みの極めて少ないＸ線露光用マスク得ること
ができた。
【００２０】また裏面反射防止膜も同様のステンシルマ
スク３１を被蒸着物３５と被蒸着物の開口部と位置を合
わせ密着し、裏面から同様の部分蒸着をすることによっ
て、確実に表面の反射防止膜と同面積の裏面反射防止膜
が得られることからＸ線連続照射による基板の反りの減
少効果が同等か以上のＸ線露光用マスク得ることができ
た。
スク３１を被蒸着物３５と被蒸着物の開口部と位置を合
わせ密着し、裏面から同様の部分蒸着をすることによっ
て、確実に表面の反射防止膜と同面積の裏面反射防止膜
が得られることからＸ線連続照射による基板の反りの減
少効果が同等か以上のＸ線露光用マスク得ることができ
た。
【００２１】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
【００２２】＜実施例１＞上記イオンアシスト蒸着装置
にて、以下の成膜条件で表面の反射防止膜を成膜した。
にて、以下の成膜条件で表面の反射防止膜を成膜した。
【００２３】 成膜条件 ステンシルマスク ：ステンレススチール板厚１．００ｍｍ 開口部 ３０ｍｍ× ３０ｍｍ（エッジテーパー 付き） 基板 ：シリコンウェハー ３インチφ、厚さ ０．３８ｍｍ 成膜材料 ：ＳｉＯ2 ４Ｎ（９９．９９％） Granule １〜４ｍｍ 導入ガス ：アルゴン９０％＋酸素１０％ 到達真空度 ：１．Ｏ×１０-3Ｐａ以上 イオンエネルギー ：加速電圧＝０．５Ｋｖ 加速電流＝８０ｍＡ イオンクリーニング ：６０秒 蒸着速度 ：１Å／秒 膜厚設定値 ：λ／４ｎ＝６３３／４×１．４６＝１０８ｎｍ 成膜温度 ：常温
【００２４】以上の成膜条件で裏面の反射防止膜をＸ線
透過支持膜（ＳｉＮ）の裏面に同位置に部分蒸着して、
図１（ｈ）に示す構成のＸ線露光用マスクが得られた。
このマスクの反りの変化量を以下の測定法で測定した結
果、１．６３〜２．４５μｍとなった。
透過支持膜（ＳｉＮ）の裏面に同位置に部分蒸着して、
図１（ｈ）に示す構成のＸ線露光用マスクが得られた。
このマスクの反りの変化量を以下の測定法で測定した結
果、１．６３〜２．４５μｍとなった。
【００２５】測定方法として、Ｌａｓｅｒ Ｓｃａｎｎ
ｉｎｇ Ｆｌａｔｎｅｓｓ Ｔｅｓｔｅｒにより、成膜
前後の基板の反りの変化量から求めた。
ｉｎｇ Ｆｌａｔｎｅｓｓ Ｔｅｓｔｅｒにより、成膜
前後の基板の反りの変化量から求めた。
【００２６】＜比較例＞上記実施例１の有効性を実証す
るため、ステンシルマスクを用いず基板の表裏全域に反
射防止膜を蒸着してＸ線露光用マスクを作製した。この
マスクの構成は図１（ｄ）に示したものとなる。また成
膜条件は実施例１のステンシルマスクを使用することを
除いて、同条件で行った。
るため、ステンシルマスクを用いず基板の表裏全域に反
射防止膜を蒸着してＸ線露光用マスクを作製した。この
マスクの構成は図１（ｄ）に示したものとなる。また成
膜条件は実施例１のステンシルマスクを使用することを
除いて、同条件で行った。
【００２７】図１（ｄ）に示すような得られたＸ線露光
用マスクの反りの変化量を上記の測定法で測定した結
果、５．７１〜６．５２μｍとなった。
用マスクの反りの変化量を上記の測定法で測定した結
果、５．７１〜６．５２μｍとなった。
【００２８】このようにステンシルマスクを用いた実施
例１と用いない従来技術である比較例から、Ｘ線照射に
よる反りの変化量が著しく小さくなったことが判った。
すなわちＸ線連続照射によるパターン位置歪みが著しく
改善されたことになる。
例１と用いない従来技術である比較例から、Ｘ線照射に
よる反りの変化量が著しく小さくなったことが判った。
すなわちＸ線連続照射によるパターン位置歪みが著しく
改善されたことになる。
【００２９】
【発明の効果】本発明は以上の構成であるから、下記に
示す如き効果がある。すなわち、本発明のＸ線露光用マ
スク及びその製造方法において、Ｘ線透過性支持膜の表
裏の同位置に同面積の反射防止膜を形成することによっ
て、両反射防止膜のＸ線照射による応力変化に相殺効果
が働き、結果として反りが少なくなり、マスクのパター
ン歪みが解消される。また、上記反射防止膜の形成に開
口部のエッジにテーパーの付いたステンシルマスクを用
いて部分蒸着することによって、表裏同面積の反射防止
膜得られることと、ステンシルマスク遮光部のエッジま
で均一な膜厚の反射防止膜得られる。このテーパーが無
い場合、イオンアシスト蒸着におけるイオン銃からの放
射イオンに角度により影が出来るため、エッジまで均一
な膜厚の反射防止膜得られないからである。
示す如き効果がある。すなわち、本発明のＸ線露光用マ
スク及びその製造方法において、Ｘ線透過性支持膜の表
裏の同位置に同面積の反射防止膜を形成することによっ
て、両反射防止膜のＸ線照射による応力変化に相殺効果
が働き、結果として反りが少なくなり、マスクのパター
ン歪みが解消される。また、上記反射防止膜の形成に開
口部のエッジにテーパーの付いたステンシルマスクを用
いて部分蒸着することによって、表裏同面積の反射防止
膜得られることと、ステンシルマスク遮光部のエッジま
で均一な膜厚の反射防止膜得られる。このテーパーが無
い場合、イオンアシスト蒸着におけるイオン銃からの放
射イオンに角度により影が出来るため、エッジまで均一
な膜厚の反射防止膜得られないからである。
【図１】本発明のＸ線露光用マスクの一実施例を工程順
に示す説明図。
に示す説明図。
【図２】本発明に用いられるイオンアシスト蒸着装置の
一例を示す説明図。
一例を示す説明図。
【図３】本発明に用いられるステンシルマスクの一例を
示す説明図。
示す説明図。
１１‥‥支持枠体（基板） １２‥‥Ｘ線透過性支持
膜 １３‥‥バックエッチング保護膜 １４‥‥反射防止膜（表面） １８‥‥部分蒸着反射
防止膜（表面） １５‥‥反射防止膜（裏面） １９‥‥部分蒸着反射
防止膜（裏面） １６‥‥Ｘ線吸収性薄膜パターン １７‥‥シリコン
基板 ２００‥‥イオンアシスト蒸着装置 ２０‥‥受光量測定器 ２１‥‥排気口 ２２‥‥蒸着チャンバー ２３‥‥イオン銃 ２４‥‥蒸着源 ２５‥‥電子銃 ２６‥‥開閉シ
ャッター ２７‥‥基板取り付け冶具 ２８‥‥Ｘ線露光用マス
ク基板 ２９‥‥投光機 ３１‥‥ステンシルマスク ３２‥‥ステンシルマス
ク開口部 ３３‥‥テーパー部 ３５‥‥被蒸着物
膜 １３‥‥バックエッチング保護膜 １４‥‥反射防止膜（表面） １８‥‥部分蒸着反射
防止膜（表面） １５‥‥反射防止膜（裏面） １９‥‥部分蒸着反射
防止膜（裏面） １６‥‥Ｘ線吸収性薄膜パターン １７‥‥シリコン
基板 ２００‥‥イオンアシスト蒸着装置 ２０‥‥受光量測定器 ２１‥‥排気口 ２２‥‥蒸着チャンバー ２３‥‥イオン銃 ２４‥‥蒸着源 ２５‥‥電子銃 ２６‥‥開閉シ
ャッター ２７‥‥基板取り付け冶具 ２８‥‥Ｘ線露光用マス
ク基板 ２９‥‥投光機 ３１‥‥ステンシルマスク ３２‥‥ステンシルマス
ク開口部 ３３‥‥テーパー部 ３５‥‥被蒸着物
フロントページの続き (72)発明者 松尾 正 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】少なくともＸ線透過性支持膜上にＸ線吸収
性薄膜パターンとアライメント光のＸ線透過性支持膜で
の多重反射を防止するための反射防止膜とを備えたＸ線
露光用マスクにおいて、上記Ｘ線透過性支持膜の表裏の
同位置に同面積の上記反射防止膜を設けたことを特徴と
するＸ線露光用マスク。 - 【請求項２】上記Ｘ線透過性支持膜の少なくとも表面へ
の上記反射防止膜の形成において、開口部のエッジにテ
ーパーの付いたステンシルマスクを用いて部分蒸着する
ことを特徴とする請求項１記載のＸ線露光用マスクの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15378696A JPH104046A (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15378696A JPH104046A (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH104046A true JPH104046A (ja) | 1998-01-06 |
Family
ID=15570116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15378696A Pending JPH104046A (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH104046A (ja) |
-
1996
- 1996-06-14 JP JP15378696A patent/JPH104046A/ja active Pending
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