KR940007981A - 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정 - Google Patents

결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정 Download PDF

Info

Publication number
KR940007981A
KR940007981A KR1019930013090A KR930013090A KR940007981A KR 940007981 A KR940007981 A KR 940007981A KR 1019930013090 A KR1019930013090 A KR 1019930013090A KR 930013090 A KR930013090 A KR 930013090A KR 940007981 A KR940007981 A KR 940007981A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
phase shift
defect
opaque layer
phase
reticle
Prior art date
Application number
KR1019930013090A
Other languages
English (en)
Inventor
엘. 니슬러 존
Original Assignee
미키오 이시마루
어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미키오 이시마루, 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드 filed Critical 미키오 이시마루
Publication of KR940007981A publication Critical patent/KR940007981A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72—Repair or correction of mask defects

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

결함선택기술과 석영에칭방법을 사용하는 최적화된 레이아웃의 조합은 높은 가능성을 가진 무결함 프린팅 마스크 즉, 레티클(10)을 얻기 위해 사용된다. 여기에서 사용한 결함선택기술은 항상 다중패턴이 부분적으로 에칭을 하는 것과 같은 방식으로 도금되는 기술에 대하여 언급하였다. 위상시프터층을 선택하는 것은 반도체 웨이퍼위의 레티클로부터 프린트결함의 가능성을 감소시킨다. SPLAT를 사용하는 모델링은 선택기술을 사용하여 프린트하는 결함(16),(20),(24)의 가능성과 함께 프린트 결함의 위상전이 효과를 도시하였다. 따라서, 마스크가 결함을 허용하지 않는다면, 이러한 결점은 웨이퍼위에 프린트되지 않는다.

Description

결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A-제2E도는 석영기판의 서브트랙티브 패턴을 포함하는 본 발명의 위상편이 마스크 제조공정의 연속적인 필수단계를 예시한 도면.

Claims (21)

  1. a)투명기판의 주표면위에 불투명층을 형성하는 공정, b)상기 도포된 투명기판의 부분을 노광하기 위하여 상기 불투명층을 패턴화하는 공정, c)상기 도포된 투명기판의 상기 부분을 노광하기 위하여 위상편이 마스크층을 형성하는 공정, d)미리 선택된 위상편이 각도와 등가인 양으로 상기 투명기판의 상기 노광된 부분 중간가지 위상 에칭하는 공정 및, e)상기 위상편이 각도와 동일한 전체 180°위상편이가 수행될 때 까지, 일련의 단계에서 상기 위상에칭을 수행하기 위하여 상기 위상편이 마스크층을 선택하는 공정등으로 이루어지며, 상기 레티클의 상기 노광된 부분으로 복제된 어떠한 위상결함은 반도체 웨이퍼상에서 프린트되지 않음을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
  2. 제1항에 있어서, 상기 불투명층은 크롬, 몰리브덴, 폴리실리콘, 금, 탄화규소, 질화규소, 티타늄산화막 및 셀레늄산화막으로 구성된 그룹에서 선택됨을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
  3. 제1항에 있어서, 상기 투명기판은 석영으로 이루어짐을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
  4. 제1항에 있어서, 상기 완전 180°위상편이가 수행된 후에, 상기 투명기판은 상기 불투명층을 언더컷하며 위상결함 기둥의 높이를 감소시키기 위해 습식에칭으로 노광됨을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
  5. 제1항에 있어서, 상기 미리 선택된 위상편이 각도는 대략 60°임을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
  6. 제5항에 있어서, 상기 선택은 180°/120°/60°/0°레이아웃에 의해 발생됨을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
  7. 제1항에 있어서, 상기 미리 선택된 위상편이 각도는 대략 45°임을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
  8. 제7항에 있어서, 상기 선택은 180°/135°/90°/45°/0°레이아웃에 의해 발생됨을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
  9. 제1항에 있어서, 상기 미리 선택된 위상편이 각도는 대략 30°임을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
  10. 제9항에 있어서, 상기 선택은 180°/150°/120°/90°/60°/30°/0°레이아웃에 의해 발생됨을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
  11. 제1항의 공정에 의해 제조된 결함없는 프린팅 레티클.
  12. a)석영기판의 주표면위에 불투명층을 형성하는 공정, b)상기 불투명층위에 코팅된 포토레지스트를 인가하는 공정, c)상기 포토레지스트층을 패턴화하고, 그것을 현상하여, 상기 도포된 불투명층의 일부를 노광하기 위하여 그것을 에칭하는 공정. d)상기 석영기판의 도포된 부분을 노광시키기 위하여 상기 도포된 불투명층의 상기 노광된 부분을 통하여 에칭하는 공정, e)잔유 포토레지스트를 제거하는 공정, f)포토레지스트로 상기 석영기판의 상기 주요표면을 재도포하는 공정, g)위상편이 마스크층을 형성하기 위하여 상기 포토레지스트를 패턴화하고, 상기 도포된 석영기판의 상기 부분을 노광시키기 위하여 상기 포토레지스트를 현상하는 공정, h)미리 선택된 위상편이 각도와 등가인 각도로 상기 석영기판의 상기 노출부분 중간까지 에칭하는 단계, i)상기 포토레지스트를 제거하는 단계 및, j)전체 180°위상편이가 성취될때까지 상기 석영기판의 동일한 부분에 대하여 f)단계에서 i)단계까지 반복하는 공정등으로 이루어지며, 상기 레티클의 상기 노광된 부분에서 복제된 어떤 위상결함은 반도체 웨이퍼위에서 프린트되지 않음을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
  13. 제12항에 있어서, 상기 불투명층은 크롬, 몰리브덴, 폴리실리콘, 금, 탄화규소, 질화규소, 티타늄산화막 및 셀레늄산화막으로 구성된 그룹에서 선택됨을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
  14. 제12항에 있어서, 상기 완전 180°위상편이가 수행된 후에, 상기 석영기판은 상기 불투명층을 언더컷하고 위상결함기둥의 높이를 감소시키기 위해 습식에칭으로 노광됨을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
  15. 제12항에 있어서, 상기 미리 선택된 위상편이 각도는 대략 60°임을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
  16. 제15항에 있어서, 상기 선택은 180°/120°/60°/0°레이아웃에 의해 발생됨을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
  17. 제12항에 있어서, 상기 미리 선택된 위상편이 각도는 대략 45°임을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
  18. 제17항에 있어서, 상기 선택은 180°/135°/90°/45°/0°레이아웃에 의해 발생됨을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
  19. 제12항에 있어서, 상기 미리 선택된 위상편이 각도는 대략 30°임을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
  20. 제19항에 있어서, 상기 선택은 180°/150°/120°/90°/60°/30°/0°레이아웃에 의해 발생됨을 특징으로 하는 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정.
  21. 제12항의 공정에 의해 생산된 결함없는 프린팅 레티클.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930013090A 1992-09-24 1993-07-12 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정 KR940007981A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/950,367 US5308722A (en) 1992-09-24 1992-09-24 Voting technique for the manufacture of defect-free printing phase shift lithography
US7/950,367 1992-09-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR940007981A true KR940007981A (ko) 1994-04-28

Family

ID=25490349

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930013090A KR940007981A (ko) 1992-09-24 1993-07-12 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5308722A (ko)
EP (1) EP0590755A1 (ko)
JP (1) JPH06118621A (ko)
KR (1) KR940007981A (ko)
TW (1) TW234204B (ko)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5672450A (en) * 1994-05-11 1997-09-30 Micron Technology, Inc. Method of phase shift mask fabrication comprising a tapered edge and phase conflict resolution
US5573890A (en) * 1994-07-18 1996-11-12 Advanced Micro Devices, Inc. Method of optical lithography using phase shift masking
US5695896A (en) * 1995-12-04 1997-12-09 Micron Technology, Inc. Process for fabricating a phase shifting mask
US5686208A (en) * 1995-12-04 1997-11-11 Micron Technology, Inc. Process for generating a phase level of an alternating aperture phase shifting mask
US5851734A (en) * 1996-03-26 1998-12-22 Micron Technology, Inc. Process for defining resist patterns
US5801954A (en) * 1996-04-24 1998-09-01 Micron Technology, Inc. Process for designing and checking a mask layout
US5876878A (en) * 1996-07-15 1999-03-02 Micron Technology, Inc. Phase shifting mask and process for forming comprising a phase shift layer for shifting two wavelengths of light
US5885734A (en) * 1996-08-15 1999-03-23 Micron Technology, Inc. Process for modifying a hierarchical mask layout
US5942355A (en) * 1996-09-04 1999-08-24 Micron Technology, Inc. Method of fabricating a phase-shifting semiconductor photomask
US5851704A (en) * 1996-12-09 1998-12-22 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for the fabrication of semiconductor photomask
US5840448A (en) * 1996-12-31 1998-11-24 Intel Corporation Phase shifting mask having a phase shift that minimizes critical dimension sensitivity to manufacturing and process variance
JPH10256394A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 半導体構造体およびデバイス
US5948571A (en) * 1997-03-12 1999-09-07 International Business Machines Corporation Asymmetrical resist sidewall
US5759724A (en) * 1997-03-31 1998-06-02 Micron Technology, Inc. Method for making multi-phase, phase shifting masks
US5985492A (en) * 1998-01-22 1999-11-16 International Business Machines Corporation Multi-phase mask
US6103429A (en) * 1998-09-28 2000-08-15 Intel Corporation Technique for fabricating phase shift masks using self-aligned spacer formation
US6277527B1 (en) 1999-04-29 2001-08-21 International Business Machines Corporation Method of making a twin alternating phase shift mask
US6368516B1 (en) * 1999-06-24 2002-04-09 Infineon Technologies North America Corp. Semiconductor manufacturing methods
US6562521B1 (en) * 1999-06-25 2003-05-13 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor feature having support islands
US6410191B1 (en) 1999-06-25 2002-06-25 Advanced Micro Devices, Inc. Phase-shift photomask for patterning high density features
US6428936B1 (en) 1999-12-16 2002-08-06 Intel Corporation Method and apparatus that compensates for phase shift mask manufacturing defects
US6701004B1 (en) * 1999-12-22 2004-03-02 Intel Corporation Detecting defects on photomasks
US6582856B1 (en) * 2000-02-28 2003-06-24 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Simplified method of fabricating a rim phase shift mask
US6513151B1 (en) * 2000-09-14 2003-01-28 Advanced Micro Devices, Inc. Full flow focus exposure matrix analysis and electrical testing for new product mask evaluation
US6535280B1 (en) * 2001-08-31 2003-03-18 Advanced Micro Devices, Inc. Phase-shift-moiré focus monitor
US7448012B1 (en) 2004-04-21 2008-11-04 Qi-De Qian Methods and system for improving integrated circuit layout
US8753974B2 (en) * 2007-06-20 2014-06-17 Micron Technology, Inc. Charge dissipation of cavities

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4124473A (en) * 1977-06-17 1978-11-07 Rca Corporation Fabrication of multi-level relief patterns in a substrate
US4579812A (en) * 1984-02-03 1986-04-01 Advanced Micro Devices, Inc. Process for forming slots of different types in self-aligned relationship using a latent image mask
JP2710967B2 (ja) * 1988-11-22 1998-02-10 株式会社日立製作所 集積回路装置の製造方法
US5194346A (en) * 1991-04-15 1993-03-16 Micron Technology, Inc. Method of fabricating phase shifting reticles with an accurate phase shift layer
US5194345A (en) * 1991-05-14 1993-03-16 Micron Technology, Inc. Method of fabricating phase shift reticles

Also Published As

Publication number Publication date
US5308722A (en) 1994-05-03
JPH06118621A (ja) 1994-04-28
TW234204B (ko) 1994-11-11
EP0590755A1 (en) 1994-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940007981A (ko) 결함없는 프린팅 레티클을 제조하는 공정
JP2001230186A5 (ko)
US5789117A (en) Transfer method for non-critical photoresist patterns
US5695896A (en) Process for fabricating a phase shifting mask
JP2002107910A (ja) ３元フォトマスクおよびその形成方法
US6569581B2 (en) Alternating phase shifting masks
CN101576708B (zh) 光刻构图方法
US8067133B2 (en) Phase shift mask with two-phase clear feature
CN101498892A (zh) 光掩模、光掩模制造方法以及光掩模缺陷修正方法
US5895735A (en) Phase shift masks including first and second radiation blocking layer patterns, and methods of fabricating and using the same
JP2000338647A (ja) 位相マスクおよびその作成方法
JP2003075983A (ja) 文字記号部を有する基板とその文字記号部の加工方法
JPH0468352A (ja) 位相シフト層を有するフォトマスク及びその製造方法
US5976732A (en) Photomask for reconfiguring a circuit by exposure at two different wavelengths
KR930024107A (ko) 미해상 회절 마스크(Dummy Diffraction Mask)
KR950015617A (ko) 반도체소자의 미세패턴 제조방법
KR0137737B1 (ko) 반도체소자의 제조방법
US6291112B1 (en) Method of automatically forming a rim phase shifting mask
TWI298420B (en) Phase shift mask for ultra-small hole patterning
JPH05142751A (ja) フオトマスクおよび投影露光方法
US7807319B2 (en) Photomask including contrast enhancement layer and method of making same
CN100442475C (zh) 用于制造半导体晶片的半色调掩模的制造方法和结构
KR970006722B1 (ko) 위상반전마스크 및 그 제조방법
KR0165402B1 (ko) 위상반전 마스크 및 그 제조방법
Miyazaki et al. New phase-shifting mask structure for positive resist process

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid