JPH0296159A - フォトリソグラフィ用マスクの製造方法 - Google Patents
フォトリソグラフィ用マスクの製造方法Info
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- JPH0296159A JPH0296159A JP63249325A JP24932588A JPH0296159A JP H0296159 A JPH0296159 A JP H0296159A JP 63249325 A JP63249325 A JP 63249325A JP 24932588 A JP24932588 A JP 24932588A JP H0296159 A JPH0296159 A JP H0296159A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/7045—Hybrid exposures, i.e. multiple exposures of the same area using different types of exposure apparatus, e.g. combining projection, proximity, direct write, interferometric, UV, x-ray or particle beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明はフォトリソグラフィの露光工程において用いら
れるマスクの製造方法に関する。
れるマスクの製造方法に関する。
（ロ） 従来の技術
従来のこの種マスクの典型的製造リプ法は、石英ガラス
等の如き紫外光透過性の基板上全面にりし「ム（Ｃｒ）
膜及びフォト・レジスト膜を順次被着した後、フォトレ
ジスト膜を所望のパターンで電子ビーム描画し、次いで
ノオトレジスト膜現像によるフォトレジスト膜のパター
ニングと、これをマスクとするクロム膜エツチングによ
り、クロム膜を所望パターンに残存せしめ、いわゆるク
ロムマスクを得るものである。この様な、クロムマスク
のイ列とじ又は、ＩＥＥＥ ＥＬＥＣ丁ＲＯＮ ＤＥＶ
ＩＣＥ ＬＥＴＴＥＲ８，ＶＯＬ、 ＥＤＬ−６、Ｎｏ
、 ７ 、 ＪＵＬＹ １９８５． Ｐ２Ｓ５〜Ｐ３５
５に見られる。
等の如き紫外光透過性の基板上全面にりし「ム（Ｃｒ）
膜及びフォト・レジスト膜を順次被着した後、フォトレ
ジスト膜を所望のパターンで電子ビーム描画し、次いで
ノオトレジスト膜現像によるフォトレジスト膜のパター
ニングと、これをマスクとするクロム膜エツチングによ
り、クロム膜を所望パターンに残存せしめ、いわゆるク
ロムマスクを得るものである。この様な、クロムマスク
のイ列とじ又は、ＩＥＥＥ ＥＬＥＣ丁ＲＯＮ ＤＥＶ
ＩＣＥ ＬＥＴＴＥＲ８，ＶＯＬ、 ＥＤＬ−６、Ｎｏ
、 ７ 、 ＪＵＬＹ １９８５． Ｐ２Ｓ５〜Ｐ３５
５に見られる。
他の典型例は、基板上に、所望の゛マスクパターンと反
転関係にあるフォト・レジスト膜パターンを設け、続く
クロム膜蒸着の後、上記フオＩレジスト膜パターン上の
クロム膜をフ第１−レジスト膜パターンと共に除去し、
所望パターンのクロム膜のみを基板上に残存形成する、
リフト詞フ法である。
転関係にあるフォト・レジスト膜パターンを設け、続く
クロム膜蒸着の後、上記フオＩレジスト膜パターン上の
クロム膜をフ第１−レジスト膜パターンと共に除去し、
所望パターンのクロム膜のみを基板上に残存形成する、
リフト詞フ法である。
然るに上記何れの方法においても、最終的に残されるク
ロム膜パターンは、通常、フオトレジスト膜パターンよ
り若干縮小して現われ、それは、パターンが微細になる
に従い無視できない製造上の誤差となる。
ロム膜パターンは、通常、フオトレジスト膜パターンよ
り若干縮小して現われ、それは、パターンが微細になる
に従い無視できない製造上の誤差となる。
一方、従来の多重コントラストマスクは、第４図に例示
する如く、基板（２０〉上のクロム膜〈２１〉に厚みの
分布を設けたものである。即ち、小厚み部分（２１ａ＞
及び大厚み部分（２１ｂ）の各膜厚は、例えば、夫々５
０％及び０％の紫外光透過率を有するべく設定されてお
り、斯るマスクを用いることにより、コントラストの異
なる露光を一度に行える。
する如く、基板（２０〉上のクロム膜〈２１〉に厚みの
分布を設けたものである。即ち、小厚み部分（２１ａ＞
及び大厚み部分（２１ｂ）の各膜厚は、例えば、夫々５
０％及び０％の紫外光透過率を有するべく設定されてお
り、斯るマスクを用いることにより、コントラストの異
なる露光を一度に行える。
第４図のマスクを製造するには、前述の従来の典型例に
従う工程を２回くり返して、クロム膜に厚みの差を設け
なければならず、斯るくり返しは基板セラディングのや
り直しを含むため、１回目と２回目との工程間における
位置合わせに若干のずれが生じ、それは、パターンが微
細になるに従い、やはり無視できない製造上の誤差とな
る。
従う工程を２回くり返して、クロム膜に厚みの差を設け
なければならず、斯るくり返しは基板セラディングのや
り直しを含むため、１回目と２回目との工程間における
位置合わせに若干のずれが生じ、それは、パターンが微
細になるに従い、やはり無視できない製造上の誤差とな
る。
（ハ〉 発明が解決しようとする課題
本発明は、上記従来の欠点に鑑み、精度良く微細マスク
パターンを得るためのフォトリソグラフイ用マスクの製
造方法を提供するものである。
パターンを得るためのフォトリソグラフイ用マスクの製
造方法を提供するものである。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明の製造方法は、第１図を参照するに、′＃外光透
過性基板（１）上にフォトレジスト膜（２）を被着する
工程（第１図Ａ）、フォト・レジスト膜く２）に所望の
マスクパターンに応じてイオンビーム（３）による描画
を行う工程（第１図Ｂ）、フオＩ・１−シスト膜（２）
を紫外光（４）により感光さ七る工程（第１図Ｃ）を順
次径ることを特徴とする。
過性基板（１）上にフォトレジスト膜（２）を被着する
工程（第１図Ａ）、フォト・レジスト膜く２）に所望の
マスクパターンに応じてイオンビーム（３）による描画
を行う工程（第１図Ｂ）、フオＩ・１−シスト膜（２）
を紫外光（４）により感光さ七る工程（第１図Ｃ）を順
次径ることを特徴とする。
（ホ）作用
フォ］・レジスト膜は、当初紫外光に対し不透明である
が、紫外光により完全に感光するとほぼ１００％の紫外
光透過性を呈する。
が、紫外光により完全に感光するとほぼ１００％の紫外
光透過性を呈する。
一方、イオンビームに曝されたフォトし・シスト膜部分
は、変質し、もはや紫外光に対゛νる感光性を示さず、
かつイオンビーム被曝量、即ちドース量に応じた紫外光
透過性を呈する。
は、変質し、もはや紫外光に対゛νる感光性を示さず、
かつイオンビーム被曝量、即ちドース量に応じた紫外光
透過性を呈する。
第２図は集束イオンビーム（ＦＩＢ）のドーズ量に応じ
てフォトレジスト膜の紫外光透過量がとの様に変化する
かを示している。この実験データは、ガラス基板上にナ
フトキノンジアゾ系フォトレジスト、例えば０ＦＰＲ−
８００（東京応化製）を塗布し、これに金＜Ａ ｕ ）
やシリコン（Ｓｔ）のイオン、具体的にはＡｕ”＋イオ
ン又はＳｉ−イオンによるＦ Ｉ Ｂｎｎ後後これを透
過する紫外光強度を照度計で測定し、透過率で表わした
ものである。
てフォトレジスト膜の紫外光透過量がとの様に変化する
かを示している。この実験データは、ガラス基板上にナ
フトキノンジアゾ系フォトレジスト、例えば０ＦＰＲ−
８００（東京応化製）を塗布し、これに金＜Ａ ｕ ）
やシリコン（Ｓｔ）のイオン、具体的にはＡｕ”＋イオ
ン又はＳｉ−イオンによるＦ Ｉ Ｂｎｎ後後これを透
過する紫外光強度を照度計で測定し、透過率で表わした
ものである。
よって、第１図Ｃに示し、たマスクを用いて紫外光露光
を行うと、イオンビームにより描画きれた領域く５）は
、斯る領域のドース量に応じた紫外光透過性を示し、そ
の他の領域（６）は紫外光をほぼ１００％透過させる。
を行うと、イオンビームにより描画きれた領域く５）は
、斯る領域のドース量に応じた紫外光透過性を示し、そ
の他の領域（６）は紫外光をほぼ１００％透過させる。
第１図のマスクは、イオンビームにより描画された領域
（５）内にてドーズ量に分布を持たすことにより多重コ
ントラストマスク くべ）実施例 第３図は、本発明に従って多重二Ｊントラスト−７スク
を得るための製造工程を示す。
（５）内にてドーズ量に分布を持たすことにより多重コ
ントラストマスク くべ）実施例 第３図は、本発明に従って多重二Ｊントラスト−７スク
を得るための製造工程を示す。
第３図Ａに示す工程では、紫外光透過性の石英ガラスか
らなる基板（１０）ｌにＯＦＰＲ−８００からなるフォ
トレジス１−膜（１１）をスピンナにより５００ｎｍの
厚さで一様に被着し、次いでこの膜に対し窒素雰囲気中
で、９０℃、３０分のベーキングを施す。
らなる基板（１０）ｌにＯＦＰＲ−８００からなるフォ
トレジス１−膜（１１）をスピンナにより５００ｎｍの
厚さで一様に被着し、次いでこの膜に対し窒素雰囲気中
で、９０℃、３０分のベーキングを施す。
第３図Ｂに示す工程では、所望パターンに応してＦ Ｉ
Ｂ（１２）による第１回目の描画を行う。ＦＩＢは強
度１６０ＫｅＶの３ ｔ＋＋イオンビームであり、ドー
ズ量は２ Ｘ １０１４ｉｏｎｓ／ｃｍ’、侵入深さは
約４００ｎｍである。
Ｂ（１２）による第１回目の描画を行う。ＦＩＢは強
度１６０ＫｅＶの３ ｔ＋＋イオンビームであり、ドー
ズ量は２ Ｘ １０１４ｉｏｎｓ／ｃｍ’、侵入深さは
約４００ｎｍである。
第３図Ｃに示す工程では、第１回目の描画部分（ｌｌａ
）に隣接して、Ｆ Ｉ Ｂ （１３）による第２回目の
描画を行う。このときの条件は、ドーズ量が１×１０”
ｉｏｎｓ／ｃｍ ２である以外、第１回目の場合ト同
一である。第２回目の描画は、第１回目の描画後、単に
ＦＩＢの照射位置とドー：）、、量を変えるだけであり
、第１回目と同一のＦＩＢ描画系で連続して行われるた
め、第１回目及び第２回目の描画部分（ｌｌａ）＜ｌｌ
ｂ）の位置合わせは高精度で実現できる。
）に隣接して、Ｆ Ｉ Ｂ （１３）による第２回目の
描画を行う。このときの条件は、ドーズ量が１×１０”
ｉｏｎｓ／ｃｍ ２である以外、第１回目の場合ト同
一である。第２回目の描画は、第１回目の描画後、単に
ＦＩＢの照射位置とドー：）、、量を変えるだけであり
、第１回目と同一のＦＩＢ描画系で連続して行われるた
め、第１回目及び第２回目の描画部分（ｌｌａ）＜ｌｌ
ｂ）の位置合わせは高精度で実現できる。
第３図りに示す工程では、フォトレジスト膜（１１）の
全表面から２００ｍ Ｊ ７ｃｍ ２以上の強度で紫外
光（１４〉による−括照射を行う。この結果、描画部分
（１１ａ＞（ｌｌｂ）の底面下（ｌｉｄ）を含め、ＦＩ
Ｂ被曝を受けていない非被曝領域（Ｉｌｃ）が完全に感
光する。
全表面から２００ｍ Ｊ ７ｃｍ ２以上の強度で紫外
光（１４〉による−括照射を行う。この結果、描画部分
（１１ａ＞（ｌｌｂ）の底面下（ｌｉｄ）を含め、ＦＩ
Ｂ被曝を受けていない非被曝領域（Ｉｌｃ）が完全に感
光する。
第３図Ｅは、この様にして完成したマスクを示す。斯る
マスクにおいて、非被曝領域（ＩＩＣ＞（ｌｉｄ）は、
はぼ１００％の紫外光透過率を呈し、ＦＩＢ描画領域（
１５）はドーズ量分布に応した多重コントラストを有す
る。即ち第１回目のＦＩＢ描画部分（１１ａ）及び第２
回目のＦＩＢ描画部分（ｏｂ）における夫々の紫外光透
過率は５６％及び１４％である。
マスクにおいて、非被曝領域（ＩＩＣ＞（ｌｉｄ）は、
はぼ１００％の紫外光透過率を呈し、ＦＩＢ描画領域（
１５）はドーズ量分布に応した多重コントラストを有す
る。即ち第１回目のＦＩＢ描画部分（１１ａ）及び第２
回目のＦＩＢ描画部分（ｏｂ）における夫々の紫外光透
過率は５６％及び１４％である。
（ト） 発明の効果
本発明によれば、従来の如くバターニングされたフォト
レジスト膜を用いてクロム膜等のマスク金属膜のパター
ニングを行うのでなく、フォトレジスト膜に直接イオン
ビーム描画し、次いで紫外光照射による感光を行うだけ
のものであるから、マスクパターンが微細になっても、
精度良くかつ簡単にマスクの製造を実施することができ
、又多重コントラストマスクの製造に際し−Ｃも、従来
の如く、基板セラディングのやり直しを必要とする工程
のくり返しに頼るものでなく、同一のＦＩＢ描画系で連
続してＦＩＢ描画を実行するだけで良く、従って同様に
、精度良く、かつ簡単に実施し得るものである。
レジスト膜を用いてクロム膜等のマスク金属膜のパター
ニングを行うのでなく、フォトレジスト膜に直接イオン
ビーム描画し、次いで紫外光照射による感光を行うだけ
のものであるから、マスクパターンが微細になっても、
精度良くかつ簡単にマスクの製造を実施することができ
、又多重コントラストマスクの製造に際し−Ｃも、従来
の如く、基板セラディングのやり直しを必要とする工程
のくり返しに頼るものでなく、同一のＦＩＢ描画系で連
続してＦＩＢ描画を実行するだけで良く、従って同様に
、精度良く、かつ簡単に実施し得るものである。
第１図は本発明の原理を示す工程別断面図、第２図はイ
オンドーズ量と紫外光透過率との関係を示す特性図、第
３図は本発明の実施例を示す工程別断面図、第４図は従
来例を示ｒ断面図である。
オンドーズ量と紫外光透過率との関係を示す特性図、第
３図は本発明の実施例を示す工程別断面図、第４図は従
来例を示ｒ断面図である。
Claims (2)
- （１）紫外光透過性基板上にフォトレジスト膜を被着す
る工程、上記フォトレジスト膜に、所望のマスクパター
ンに応じたイオンビーム描画を行う工程、上記フォトレ
ジスト膜を紫外光により感光させる工程を順次経ること
を特徴とするフォトリソグラフィ用マスクの製造方法。 - （２）特許請求の範囲第１項において、上記イオンビー
ム描画された領域は、イオンビームのドーズ量分布を有
することを特徴とするフオトリソグラフィ用マスクの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63249325A JPH0296159A (ja) | 1988-10-03 | 1988-10-03 | フォトリソグラフィ用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63249325A JPH0296159A (ja) | 1988-10-03 | 1988-10-03 | フォトリソグラフィ用マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0296159A true JPH0296159A (ja) | 1990-04-06 |
Family
ID=17191326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63249325A Pending JPH0296159A (ja) | 1988-10-03 | 1988-10-03 | フォトリソグラフィ用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0296159A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677107B1 (en) | 1999-06-30 | 2004-01-13 | Hitacji, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, optical mask used therefor, method for manufacturing the same, and mask blanks used therefor |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5735859A (en) * | 1980-08-13 | 1982-02-26 | Toshiba Corp | Formation of mask |
| JPS5893052A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-02 | Seiko Epson Corp | ホトマスク |
| JPS60502120A (ja) * | 1983-03-01 | 1985-12-05 | エスタ−ライヒッシェス フォルシュングスツェントルム ザイベルスドルフ ゲ−・エム・ベ−・ハ− | 光学的に構成されたフィルタおよびその製造方法 |
-
1988
- 1988-10-03 JP JP63249325A patent/JPH0296159A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5735859A (en) * | 1980-08-13 | 1982-02-26 | Toshiba Corp | Formation of mask |
| JPS5893052A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-02 | Seiko Epson Corp | ホトマスク |
| JPS60502120A (ja) * | 1983-03-01 | 1985-12-05 | エスタ−ライヒッシェス フォルシュングスツェントルム ザイベルスドルフ ゲ−・エム・ベ−・ハ− | 光学的に構成されたフィルタおよびその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6677107B1 (en) | 1999-06-30 | 2004-01-13 | Hitacji, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, optical mask used therefor, method for manufacturing the same, and mask blanks used therefor |
| US7125651B2 (en) | 1999-06-30 | 2006-10-24 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device optical mask therefor, its manufacturing method, and mask blanks |
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