JPS6150152A - ホトマスク - Google Patents

ホトマスク

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Publication number
JPS6150152A
JPS6150152A JP59171895A JP17189584A JPS6150152A JP S6150152 A JPS6150152 A JP S6150152A JP 59171895 A JP59171895 A JP 59171895A JP 17189584 A JP17189584 A JP 17189584A JP S6150152 A JPS6150152 A JP S6150152A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
pattern
electron beam
photomask
substrate
Prior art date
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Granted
Application number
JP59171895A
Other languages
English (en)
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JPS6336660B2 (ja
Inventor
Yoshihiro Todokoro
義博 戸所
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS6150152A publication Critical patent/JPS6150152A/ja
Publication of JPS6336660B2 publication Critical patent/JPS6336660B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/88—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof prepared by photographic processes for production of originals simulating relief

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はホトマスクに関するものである。
従来例の構成とその問題点 半導体素子が微細化されるにつれて、高精度で微細なホ
トマスクが要求され、電子ビーム露光を用いてマスク製
作が行われている。
第１図ａ　％　ｄの工程順断面図に、従来例のホトマス
クおよびホトマスクパターン形成方法を示す。
従来例のホトマスクはガラス基板１上に厚さ１００Ｑへ
のクロム膜２を形成したものである（第１図ａ）。この
マスク基板に電子ビームレジストＰ１ｖ１ＭＡ　３　ｆ
塗布し、電子ビーム４で露光を行う（第１図ｂ）。その
後、現飲によりレジスト・＜ターン５を形成する（第１
図Ｃ）。レジストをマスクとしてクロム膜をエツチング
することにより、クロムパターン６を形成し、レジスト
を除去してマスクができあがる（第１図ｄ）。ここで問
題となるのは、電子ビーム露光の際に、入射電子がガラ
ス基板によシ散乱されてレジスト中に再び入射するため
、現像後のパターン幅精度が低下することである。
発明の目的 本発明は、この問題を解決し、“電子ビーム露光におけ
る後方散乱によるパターン乱れの少ない、ホトマスクを
実現するものである。
発明の構成 すなわち、本発明は、透明基板上の有機樹脂薄膜上に金
属パターンが形成されているホトマスクであり、これに
より、パターン精度が向上する。
実施例の説明 本発明の実施例を第２図の断面図に示す。初期工程でガ
ラス基板１上に厚さ１０μｍの透明な有機樹脂薄膜、た
とえばポリイミド７を形成し、その上に厚さ１０００人
のクロム膜２が形成されている。このような構造を用い
ることによシ、第１図す以降と同じ工程によってマスク
形成すると、電子ビーム露光のときに、基板からの後方
散乱は、非常に少なくなる。厚さ１０００へのクロム基
板により散乱を受けるが、厚さかうすいために、散乱を
受ける電子の数は少ない。また、ポリイミド７に入射し
た電子が散乱をうけた結果、レジストまで戻ることはほ
とんどない。したがって、電子ビーム露光を用いて高い
精度のパターンを形成することが可能である。
第３図に、本発明のクロムマスクと、従来のクロムマス
クのパターン幅精度を比較した結果を示す。本発明のク
ロムマスクでは、Ｏ，Ｓμｍから１０μｍまでのパター
ン幅に対して、誤差を無視できるほどの高精度のパター
ンかえられている。
なお、以上の説明では、金属パターンとして、クロムを
用いたが、露光光源をしゃ断する材料であればクロム以
外の金属でもよい。その場合、原子番号の小さい材料を
用いることにより、さらに後方散乱が減少するので、パ
ターン幅精度の向上を図ることができる。
発明の効果 以上に詳述したように、本発明は、透明基板上の有機樹
脂薄膜上に金属パターンが形成されているホトマスクで
あって、本発明を用いることにより、電子ビーム露光に
より高精度のパターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図ａ　−ｄは従来例によるホトマスクの製作工程順
断面図、第２図は本発明によるホトマスクの初期工程に
おける断面図、第３図は本発明によるホトマスクのパタ
ーン幅精度を示す特性図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・クロム膜、
３・・・・・・電子ビームレジスト、４・・・・・・電
子ビーム、６・・・・・・レジストパターン、６・・・
・・・クロムパターン、７・・・・・・有機樹脂薄膜。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 第２図　　　　　　　２ ７ｆ５３図 ′７　　　　　　　　５　　　　　　　　　ｌθ穀　計
ハ゛クーソ巾番（メ町

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 透明基板上の有機樹脂薄膜上に金属パターンが形成され
    ているホトマスク。
JP59171895A 1984-08-17 1984-08-17 ホトマスク Granted JPS6150152A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59171895A JPS6150152A (ja) 1984-08-17 1984-08-17 ホトマスク

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59171895A JPS6150152A (ja) 1984-08-17 1984-08-17 ホトマスク

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Publication Number Publication Date
JPS6150152A true JPS6150152A (ja) 1986-03-12
JPS6336660B2 JPS6336660B2 (ja) 1988-07-21

Family

ID=15931797

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JP59171895A Granted JPS6150152A (ja) 1984-08-17 1984-08-17 ホトマスク

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JPS6336660B2 (ja) 1988-07-21

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