JPS6281027A - 微細パタ−ン形成方法 - Google Patents
微細パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS6281027A JPS6281027A JP60222082A JP22208285A JPS6281027A JP S6281027 A JPS6281027 A JP S6281027A JP 60222082 A JP60222082 A JP 60222082A JP 22208285 A JP22208285 A JP 22208285A JP S6281027 A JPS6281027 A JP S6281027A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resist pattern
- electron beam
- resist
- dry etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、微細パターン形成方法に係り、特に半導体
９エバあるいはマスク等の基板上に形成さｎたレジスト
膜を現像してレジストパターンを形成する方法に関する
ものである。
９エバあるいはマスク等の基板上に形成さｎたレジスト
膜を現像してレジストパターンを形成する方法に関する
ものである。
半導体集積回路等の半導体装置を製造する際、写真製版
工程は必要不可欠のものである。最近、微細パターン形
成には電子ビーム露光装置あるいはＸ線露光装置により
高精度に作成されつつある。
工程は必要不可欠のものである。最近、微細パターン形
成には電子ビーム露光装置あるいはＸ線露光装置により
高精度に作成されつつある。
パターンの微細化に伴ないレジストパターンのプロフィ
ールが問題になりアスペクト比の高い切れのよいパター
ン形成が要求されつつある。
ールが問題になりアスペクト比の高い切れのよいパター
ン形成が要求されつつある。
すようにガラス基板１上に金属薄膜（例えば金属クロム
）２ｔ−被着させたプレートに電子ビーム用のレジスト
（例えばＰＭＭＡ ）膜３ｔ−約５００ＯＡの厚さに被
着させ、１７０℃で２０分間プリベークを行なう。次に
第２図（ｂ）に示すように、電子ビーム６ｔ９ｘｔＯｃ
／ｄｉのドーズ量にて所望のパターンに対応させ照射す
る。その後、第２図（ｅ）に示すようにＭＩＢＫ （メ
チルイソブチルケトン）８に対しＩＰＡ（イソプロパツ
ール）１の溶液を作成し、この溶液にて現像を行いレジ
ストパターン４を得る。
）２ｔ−被着させたプレートに電子ビーム用のレジスト
（例えばＰＭＭＡ ）膜３ｔ−約５００ＯＡの厚さに被
着させ、１７０℃で２０分間プリベークを行なう。次に
第２図（ｂ）に示すように、電子ビーム６ｔ９ｘｔＯｃ
／ｄｉのドーズ量にて所望のパターンに対応させ照射す
る。その後、第２図（ｅ）に示すようにＭＩＢＫ （メ
チルイソブチルケトン）８に対しＩＰＡ（イソプロパツ
ール）１の溶液を作成し、この溶液にて現像を行いレジ
ストパターン４を得る。
その後、リンス乾燥してポストベークした後、第２図＠
）に示すように、レジストパターン４′ｔ−マスクとし
て金属薄膜２をエツチングする１次に第２図（ｅｌ）Ｋ
示すようにレジストパターン４を除去して金属薄膜パタ
ーン５を得る。
）に示すように、レジストパターン４′ｔ−マスクとし
て金属薄膜２をエツチングする１次に第２図（ｅｌ）Ｋ
示すようにレジストパターン４を除去して金属薄膜パタ
ーン５を得る。
上記のような従来の微細パターン形成方法では、電子ビ
ーム露光用レジストは耐ドライエツチング性に乏しいた
め、エツチングは溶液によるウェットエツチングによる
方法しかなかった。またレジストパターン形成後はボス
トベークにより基板との破着強度を高めていたためにレ
ジストパターンのプロフィールが悪化するという欠点が
あった。
ーム露光用レジストは耐ドライエツチング性に乏しいた
め、エツチングは溶液によるウェットエツチングによる
方法しかなかった。またレジストパターン形成後はボス
トベークにより基板との破着強度を高めていたためにレ
ジストパターンのプロフィールが悪化するという欠点が
あった。
そのため、微細パターン形成が困難で、寸法制御が極め
て困難でおるという問題があった。
て困難でおるという問題があった。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、現像後のレジストパターンの耐
ドライエツチング性を向上させ、レジストパターンのプ
ロフィールを最適化させる微細パターン形成方法を提供
することを目的としている。
ためになされたもので、現像後のレジストパターンの耐
ドライエツチング性を向上させ、レジストパターンのプ
ロフィールを最適化させる微細パターン形成方法を提供
することを目的としている。
この発明に係る微細パターン形故方法は、現像のレジス
トパターン上に電子ビームを照射しレジストパターンの
耐ドライエツチング性向上、およびレジストパターン成
形を行なうものである。
トパターン上に電子ビームを照射しレジストパターンの
耐ドライエツチング性向上、およびレジストパターン成
形を行なうものである。
この発明においては、現像後、レジストパターン上に電
子ビームを照射することにより、レジストパターンは再
重合あるいは再反応し、レジストパターンが更に強固に
底形されると同時に電子ビームによる局部加熱によりレ
ジスト中の不要揮発物の除去、被着強度の向上および耐
ドライエツチング性の向上が期待できる。
子ビームを照射することにより、レジストパターンは再
重合あるいは再反応し、レジストパターンが更に強固に
底形されると同時に電子ビームによる局部加熱によりレ
ジスト中の不要揮発物の除去、被着強度の向上および耐
ドライエツチング性の向上が期待できる。
第１図（ＪＬ）〜（めはこの発明の一実施例を欣明する
主要工程の断面図である。まず第１図（ａ）に示すよう
に２例えばガラス基板１上に金属薄膜（全編クロム）２
を約８０ＯＡの厚さに被着したプレート上に電子ビーム
露光用レジスト（０ＥＢＲ−１００：東京応化製）膜３
を約５００ＯＡの厚さに被着させ、約１７０℃で２０分
間プリベークを行なった後、第１図中）に示すように、
電子ビーム１ｆ２Ｘ１０ Ｃ／＋１のドーズ量にて所
望のパターンに対応して照射する。
主要工程の断面図である。まず第１図（ａ）に示すよう
に２例えばガラス基板１上に金属薄膜（全編クロム）２
を約８０ＯＡの厚さに被着したプレート上に電子ビーム
露光用レジスト（０ＥＢＲ−１００：東京応化製）膜３
を約５００ＯＡの厚さに被着させ、約１７０℃で２０分
間プリベークを行なった後、第１図中）に示すように、
電子ビーム１ｆ２Ｘ１０ Ｃ／＋１のドーズ量にて所
望のパターンに対応して照射する。
照射後、第１図（ｅ）に示すように市販の現像液にて現
像しレジストパターン４１に形成する。次にこのレジス
トパターン４を参照にしてマーク検出し電子ビーム６１
を第１図（ｄ）に示すように照射する。
像しレジストパターン４１に形成する。次にこのレジス
トパターン４を参照にしてマーク検出し電子ビーム６１
を第１図（ｄ）に示すように照射する。
このとき、電子ビーム６１のドーズ量トシて８Ｘｉｏ
ｃ７ｃ！とし、第１図６）に示した方法と同様にして
同様のパターンを描画する。これにより第１図（ｅ）に
示す、ように再重合したレジストパターン４１が形成さ
れる０次に第１図σ）に示すようにドライエツチング装
置を用いて圧力３５ＰＢ、ＣＣ２４＋Ｏｎの混合ガスプ
ラズマ中で約３００Ｗの出力にてＣＪ膜２をエツチング
し、レジスト膜４１ｔ−剥離すると、第１図（めに示し
たように金属薄膜パターン５が形成される。このように
して得られた金属薄膜パターン５はシャープなエツジで
欠陥の少ない微細パターンであった。なお、図中、同一
符号は同一または和尚部分を示している。
ｃ７ｃ！とし、第１図６）に示した方法と同様にして
同様のパターンを描画する。これにより第１図（ｅ）に
示す、ように再重合したレジストパターン４１が形成さ
れる０次に第１図σ）に示すようにドライエツチング装
置を用いて圧力３５ＰＢ、ＣＣ２４＋Ｏｎの混合ガスプ
ラズマ中で約３００Ｗの出力にてＣＪ膜２をエツチング
し、レジスト膜４１ｔ−剥離すると、第１図（めに示し
たように金属薄膜パターン５が形成される。このように
して得られた金属薄膜パターン５はシャープなエツジで
欠陥の少ない微細パターンであった。なお、図中、同一
符号は同一または和尚部分を示している。
上記方法によれば、レジストパターン形成後、ベークせ
ず電子ビームを照射することによりレジストパターンを
処理したため、レジストパターンの特性を変化すること
が可能となった。従来、レジストパターン形成後ベーキ
ングすると、レジストパターンは１ダレ“が生じレジス
トパターンプロフィールが悪化した。本方法によれば、
電子ビームをレジストパターンに直接照射する。この照
射部は電子ビームに感光し重合するネガレジストである
ため、レジスト中の未重合感光分子が再重合する。また
、電子ビームの高ドーズ照射により局所的加熱が発生し
レジスト中の揮発生物質を除去することが可能である。
ず電子ビームを照射することによりレジストパターンを
処理したため、レジストパターンの特性を変化すること
が可能となった。従来、レジストパターン形成後ベーキ
ングすると、レジストパターンは１ダレ“が生じレジス
トパターンプロフィールが悪化した。本方法によれば、
電子ビームをレジストパターンに直接照射する。この照
射部は電子ビームに感光し重合するネガレジストである
ため、レジスト中の未重合感光分子が再重合する。また
、電子ビームの高ドーズ照射により局所的加熱が発生し
レジスト中の揮発生物質を除去することが可能である。
しかしベーキング程の温度上昇とはならないためレジス
トパターン自身に一ダレ＃かどが生じレジストプロフィ
ールを悪化させることはない。更に、通常電子ビーム露
光用レジストは耐ドライエツチング性に劣りレジストパ
ターン形成後はドライエツチングが不可能であった。し
かし本方法によれば、電子ビームを照射し再重合、再結
合させたり、高ドーズ照射による反応のため耐ドライエ
ツチング性が向上する。
トパターン自身に一ダレ＃かどが生じレジストプロフィ
ールを悪化させることはない。更に、通常電子ビーム露
光用レジストは耐ドライエツチング性に劣りレジストパ
ターン形成後はドライエツチングが不可能であった。し
かし本方法によれば、電子ビームを照射し再重合、再結
合させたり、高ドーズ照射による反応のため耐ドライエ
ツチング性が向上する。
このメカニズムについては詳細に追究中であるが、電子
ビームの局所加熱により耐熱性物質が形成されるだめと
考えられている。描画前のレジストに電子ビーム照射部
と未照射部のパターンを形成し耐ドライエツチング性を
実験してみると、明らかに電子ビーム照射部の耐ドライ
エツチング性が向上し本実施例で示した０ＥＢＲ−１ｏ
ｏのレジストの場合、６Ｘ１０Ｃ／−のドーズ量にて約
２０％の耐ドライエツチング性の向上が認められた。
ビームの局所加熱により耐熱性物質が形成されるだめと
考えられている。描画前のレジストに電子ビーム照射部
と未照射部のパターンを形成し耐ドライエツチング性を
実験してみると、明らかに電子ビーム照射部の耐ドライ
エツチング性が向上し本実施例で示した０ＥＢＲ−１ｏ
ｏのレジストの場合、６Ｘ１０Ｃ／−のドーズ量にて約
２０％の耐ドライエツチング性の向上が認められた。
このようにして、従来、レジストパターンのプロフィー
ルの悪化により下地被膜をエツチングする際に寸法制御
が悪く＠細パターン形成が困難であったが、本方法によ
れば、レジストパターンプロファイルを良好にしかつレ
ジスト中の揮発相分を除去させその上耐ドライエツチン
グ性を向上させる非常に優れた効果が期待でき、微小パ
ターンも寸法ａ度よく形成できる。
ルの悪化により下地被膜をエツチングする際に寸法制御
が悪く＠細パターン形成が困難であったが、本方法によ
れば、レジストパターンプロファイルを良好にしかつレ
ジスト中の揮発相分を除去させその上耐ドライエツチン
グ性を向上させる非常に優れた効果が期待でき、微小パ
ターンも寸法ａ度よく形成できる。
なお、上記実施例では、基板としてガラス基板１を用い
、金属薄膜２としてクロム薄膜の場合について述べたが
、これ以外でもよく同様の効果を奏する。またレジスト
膜３として０ＥＢＲ−Ｚｏｏの場合について述べたが、
これ以外のネガレジストでもよく同様の効果を奏する。
、金属薄膜２としてクロム薄膜の場合について述べたが
、これ以外でもよく同様の効果を奏する。またレジスト
膜３として０ＥＢＲ−Ｚｏｏの場合について述べたが、
これ以外のネガレジストでもよく同様の効果を奏する。
またポジレジストの場合においても電子ビーム照射によ
り耐ドライエツチング性の向上するレジスト（例えばＦ
ＭＲ。
り耐ドライエツチング性の向上するレジスト（例えばＦ
ＭＲ。
ＰＭＭＡ ）でもよく同様の効果を奏する。また電子ビ
ーム照射の方法としてマーク検出後描画データを同一に
してレジストパターンのみに照射する方法について述べ
たが、これ以外の御粘電子ビーム照射などの方法でもよ
く同様の効果を奏する。電子ビームのドーズ量について
もこれに限定されるものではなく高ドーズの場合、加速
電圧の高い場合でも上記効果が得られる範囲内であれば
よく同様の効果を奏する。
ーム照射の方法としてマーク検出後描画データを同一に
してレジストパターンのみに照射する方法について述べ
たが、これ以外の御粘電子ビーム照射などの方法でもよ
く同様の効果を奏する。電子ビームのドーズ量について
もこれに限定されるものではなく高ドーズの場合、加速
電圧の高い場合でも上記効果が得られる範囲内であれば
よく同様の効果を奏する。
この発明は以上説明したとおり、レジストパターン形成
後電子ビームを照射する手段を施したため、レジストパ
ターンプロフィールを悪化させることなく、耐ドライエ
ツチング性の向上、被着強度の向上が実現可能となる。
後電子ビームを照射する手段を施したため、レジストパ
ターンプロフィールを悪化させることなく、耐ドライエ
ツチング性の向上、被着強度の向上が実現可能となる。
プロセス方法として照射手段を施すのみでよく微細バタ
ー／の形成が容易である利点がある。
ー／の形成が容易である利点がある。
第１図μ）〜（ｆ）はこの発明の一実施例を示す微細パ
ターン形成方法の工程断面図、第２図（ロ））〜（ｅ）
は従来の微細パターン形成方法を示す工程断面図である
。 １・・・・ガラス基板、２・・・・金属薄膜、３・・０
・レジスト膜、４・・・・レジストパターン、５・・・
・金属薄膜パターン、６．６１−・・・−子ビーム。
ターン形成方法の工程断面図、第２図（ロ））〜（ｅ）
は従来の微細パターン形成方法を示す工程断面図である
。 １・・・・ガラス基板、２・・・・金属薄膜、３・・０
・レジスト膜、４・・・・レジストパターン、５・・・
・金属薄膜パターン、６．６１−・・・−子ビーム。
Claims (1)
- 基板上に形成された薄膜にレジスト膜を塗布し、このレ
ジスト膜に放射線を選択的に照射してパターニングした
後、現像してレジストパターンを形成する工程において
、前記レジストパターンに電子ビームを照射しパターン
形成することを特徴とする微細パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22208285A JP2604573B2 (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 微細パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22208285A JP2604573B2 (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 微細パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6281027A true JPS6281027A (ja) | 1987-04-14 |
| JP2604573B2 JP2604573B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=16776842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22208285A Expired - Lifetime JP2604573B2 (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 微細パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2604573B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003051443A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-02-21 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の微細パターン形成方法 |
| US6837618B1 (en) | 1999-03-11 | 2005-01-04 | Citizen Watch Co., Ltd. | Electronic thermometer |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5460570A (en) * | 1977-10-24 | 1979-05-16 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of forming pattern |
| JPS56142638A (en) * | 1980-04-08 | 1981-11-07 | Sanyo Electric Co Ltd | Forming method for minute pattern |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP22208285A patent/JP2604573B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5460570A (en) * | 1977-10-24 | 1979-05-16 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of forming pattern |
| JPS56142638A (en) * | 1980-04-08 | 1981-11-07 | Sanyo Electric Co Ltd | Forming method for minute pattern |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6837618B1 (en) | 1999-03-11 | 2005-01-04 | Citizen Watch Co., Ltd. | Electronic thermometer |
| JP2003051443A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-02-21 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の微細パターン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2604573B2 (ja) | 1997-04-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
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