JPH03197950A - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
- Publication number
- JPH03197950A JPH03197950A JP1341422A JP34142289A JPH03197950A JP H03197950 A JPH03197950 A JP H03197950A JP 1341422 A JP1341422 A JP 1341422A JP 34142289 A JP34142289 A JP 34142289A JP H03197950 A JPH03197950 A JP H03197950A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- film
- pattern
- glass substrate
- shielding film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 20
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 8
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の製造等に使用されるフォトマス
クに関するものである。
クに関するものである。
［従来の技術］
第３図（ａ） 、 （ｂ）は例えば特公昭５９−１００
５６号公報に示された従来のマスク製作方法を示す断面
図、図において、（１）はフォトマスク、（ｌａ）はガ
ラス基板、（ｉｂ）はガラス基板（ｌａ）上に形成され
たクロム（ｃｒ）、酸化クロム等の遮光膜である。
５６号公報に示された従来のマスク製作方法を示す断面
図、図において、（１）はフォトマスク、（ｌａ）はガ
ラス基板、（ｉｂ）はガラス基板（ｌａ）上に形成され
たクロム（ｃｒ）、酸化クロム等の遮光膜である。
又第４図（ａ） 、 （ｂ）は従来のフォトマスクの使
用例を説明するための断面図、図において、（２）は半
導体基板、（３）は半導体基板（２）上に形成されたツ
リコン酸化膜、（４）はシリコン酸化膜（３）を微細加
工するためのシリコン酸化膜（３）上に形成されたフォ
トレジスト膜、（５）はフォトマスク（１）の所望パタ
ーンに形成された遮光膜（１ｂ）上からガラス基板（１
ａ）を通して照射される紫外線（５）光である。（４ａ
） 、 （４ｂ）はガラス基板（ｌａ）を通して紫外線
（５）を照射し、写真蝕刻技術で得られた半導体基板（
２）上のフォトレジスト膜（４）のパターンである。
用例を説明するための断面図、図において、（２）は半
導体基板、（３）は半導体基板（２）上に形成されたツ
リコン酸化膜、（４）はシリコン酸化膜（３）を微細加
工するためのシリコン酸化膜（３）上に形成されたフォ
トレジスト膜、（５）はフォトマスク（１）の所望パタ
ーンに形成された遮光膜（１ｂ）上からガラス基板（１
ａ）を通して照射される紫外線（５）光である。（４ａ
） 、 （４ｂ）はガラス基板（ｌａ）を通して紫外線
（５）を照射し、写真蝕刻技術で得られた半導体基板（
２）上のフォトレジスト膜（４）のパターンである。
次に動作について説明する。第３図は（ａ） 、 （ｂ
）は従来のフォトマスクの製造方法を示す図で、フォト
マスク（１）のガラス基板（ｌａ）上に厚さ数千人のク
ロム（ｃｒ）あるいは酸化クロム、酸化鉄などを形成し
た後、写真蝕刻技術で所定のパターンを形成して完成さ
れたフォトマスク（１）とする。第４図（ａ） 、 （
ｂ）は上記の方法で得られたフォトマスク（１）を用い
て、例えば半導体基板（２）上に形成されたシリコン酸
化膜（３）を微細加工する場合の一例を示す図で、シリ
コン酸化膜（３）上にネガタイプあるいはポジタイプの
フォトレジスト膜（４）を形成した後、フォトマスク（
１）のｊＨ６１１ｉ （ｌｂ）を下側にしてフォトレジ
スト膜（４）に密着してガラス基板（ｌｂ）のパターン
形成面の反対側から紫外線（５）を照射する。
）は従来のフォトマスクの製造方法を示す図で、フォト
マスク（１）のガラス基板（ｌａ）上に厚さ数千人のク
ロム（ｃｒ）あるいは酸化クロム、酸化鉄などを形成し
た後、写真蝕刻技術で所定のパターンを形成して完成さ
れたフォトマスク（１）とする。第４図（ａ） 、 （
ｂ）は上記の方法で得られたフォトマスク（１）を用い
て、例えば半導体基板（２）上に形成されたシリコン酸
化膜（３）を微細加工する場合の一例を示す図で、シリ
コン酸化膜（３）上にネガタイプあるいはポジタイプの
フォトレジスト膜（４）を形成した後、フォトマスク（
１）のｊＨ６１１ｉ （ｌｂ）を下側にしてフォトレジ
スト膜（４）に密着してガラス基板（ｌｂ）のパターン
形成面の反対側から紫外線（５）を照射する。
［発明が解決しようとする課題］
従来のフォトマスクは以上のように構成されていたので
ガラス基板を透過した紫外線は半導体基板あるいはシリ
コン酸化膜の表面と遮光膜表面間で図示の如く反射を繰
り返すため、フォトマスクパターンに忠実なフォトレジ
スト膜のパターンを形成できない欠点があった。例えば
、ネガタイプフォトレジストは紫外線照射部分が感光す
るため、照射部と未照射部の境界にフォトレジストのパ
ターンだれか発生したり、フォトマスクパターンが微細
パターンの場合にはシリコン酸化膜の表面が露光せずフ
ォトレジスト膜の残膜があり微細パターンが形成できな
いなどの問題点があった。
ガラス基板を透過した紫外線は半導体基板あるいはシリ
コン酸化膜の表面と遮光膜表面間で図示の如く反射を繰
り返すため、フォトマスクパターンに忠実なフォトレジ
スト膜のパターンを形成できない欠点があった。例えば
、ネガタイプフォトレジストは紫外線照射部分が感光す
るため、照射部と未照射部の境界にフォトレジストのパ
ターンだれか発生したり、フォトマスクパターンが微細
パターンの場合にはシリコン酸化膜の表面が露光せずフ
ォトレジスト膜の残膜があり微細パターンが形成できな
いなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、フォトマスクのパターンが忠実に形成できる
とともに、微細なパターンを得ることを目的とする。
たもので、フォトマスクのパターンが忠実に形成できる
とともに、微細なパターンを得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明に係るフォトマスクは、ガラス基板上に遮光膜
を形成する際その遮光膜の端部に傾斜角を付けて形成し
たものである。
を形成する際その遮光膜の端部に傾斜角を付けて形成し
たものである。
［作用］
この発明におけるフォトマスクは、ガラス基板上に形成
した遮光膜の端部により反射された紫外線光がパターン
の外側すなわちすでに照射されたフォトレジスト領域に
反射されて露光できる。
した遮光膜の端部により反射された紫外線光がパターン
の外側すなわちすでに照射されたフォトレジスト領域に
反射されて露光できる。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図（ａ） 、 （ｅ）はこの発明のフォトマスクの製造
工程の一実施例を示す断面図である。
図（ａ） 、 （ｅ）はこの発明のフォトマスクの製造
工程の一実施例を示す断面図である。
図において、（１０）はフォトマスク、（１０ａ）はガ
ラス基板、（１０ｂ）はガラス基板（１０ａ）上に形成
されたクロム（ｃｒ）、酸化クロム等の遮光膜、（４０
）は遮光膜（ｉｏｂ）を所望のパターンに形成するため
のフォトレジスト膜である。第２図（ａ） 、 （ｂ）
はこの発明のフォトマスクの実施例を説明するための断
面図で、図において、（２０）は半導体基板、（３０）
は半導体基板（２０）上に形成されたシリコン酸化膜、
（４１）はシリコン酸化膜（３０）を微細加工するため
のシリコン酸化膜（３０）上に形成されたフォトレジス
ト膜、（５）はフォトマスク（１０）の所望パターンに
形成された遮光膜（１０ｂ）上からガラス基板（１０ａ
）を通して照射される紫外線（５）光である。（ｈａ）
。
ラス基板、（１０ｂ）はガラス基板（１０ａ）上に形成
されたクロム（ｃｒ）、酸化クロム等の遮光膜、（４０
）は遮光膜（ｉｏｂ）を所望のパターンに形成するため
のフォトレジスト膜である。第２図（ａ） 、 （ｂ）
はこの発明のフォトマスクの実施例を説明するための断
面図で、図において、（２０）は半導体基板、（３０）
は半導体基板（２０）上に形成されたシリコン酸化膜、
（４１）はシリコン酸化膜（３０）を微細加工するため
のシリコン酸化膜（３０）上に形成されたフォトレジス
ト膜、（５）はフォトマスク（１０）の所望パターンに
形成された遮光膜（１０ｂ）上からガラス基板（１０ａ
）を通して照射される紫外線（５）光である。（ｈａ）
。
（４１ｂ）はガラス基板（１０）を通して紫外線（５）
を照射し写真蝕刻技術で得られた半導体基板（２０）上
の微細パターンのフォトレジスト膜である。
を照射し写真蝕刻技術で得られた半導体基板（２０）上
の微細パターンのフォトレジスト膜である。
次に動作について説明する。第１図（ａ）〜（ｅ）に示
すように、ガラス基板（１０ａ）上に厚さ数千人のクロ
ム（ｃｒ）あるいは酸化クロム、酸化鉄などの遮光膜（
１０ｂ）をスパッタ又は蒸着法により被着し、被着した
遮光膜（１０ｂ）上にフォトレジスト膜（４０）などの
高分子材料を塗布する。これに紫外線（５）によって遮
光膜（ｔａｂ）及びフォトレジスト膜（４０）を反応さ
せてパターンを描画した後、液相エツチング法により遮
光膜（１０ｂ）の縁端部をアンダーカットあるいはサイ
ドエツチングさせ、遮光膜（ｆｏｂ）のその部分に傾斜
面を形成して完成されたフォトマスク（１０）とする。
すように、ガラス基板（１０ａ）上に厚さ数千人のクロ
ム（ｃｒ）あるいは酸化クロム、酸化鉄などの遮光膜（
１０ｂ）をスパッタ又は蒸着法により被着し、被着した
遮光膜（１０ｂ）上にフォトレジスト膜（４０）などの
高分子材料を塗布する。これに紫外線（５）によって遮
光膜（ｔａｂ）及びフォトレジスト膜（４０）を反応さ
せてパターンを描画した後、液相エツチング法により遮
光膜（１０ｂ）の縁端部をアンダーカットあるいはサイ
ドエツチングさせ、遮光膜（ｆｏｂ）のその部分に傾斜
面を形成して完成されたフォトマスク（１０）とする。
第２図（ａ） 、 （ｂ）は上記の製造工程で得られた
フォトマスク（１０）を用いて、例えば半導体基板（２
０）上に形成されたシリコン酸化膜（３０）を微細加工
する場合の一実施例を示す図であって、シリコン酸化膜
（３０）上にネガタイプあるいはポジタイプのフォトレ
ジスト膜（４１）を形成した後、フォトマスク（１０）
の遮光膜（１０ｂ）を下側にして、フォトレジスト膜（
４１）に密着してガラス基板（ｌｏａ）のパターン形成
面の反対側から紫外線（５）を照射する。ガラス基板（
１０ａ）の遮光膜（１０ｂ）のコーナ部を透過した紫外
線（５）は半導体基板（２０）あるいはシリコン酸化膜
（３０）の表面で反射し、さらに遮光膜Ｈｏｂ）の縁端
部でパターンの外側すなわちすでに照射されたフォトレ
ジスト膜（４１）領域に反射され、遮光膜（ｘｏｂ）の
パターンに忠実にフォトレジスト膜（４１）を露光でき
る。
フォトマスク（１０）を用いて、例えば半導体基板（２
０）上に形成されたシリコン酸化膜（３０）を微細加工
する場合の一実施例を示す図であって、シリコン酸化膜
（３０）上にネガタイプあるいはポジタイプのフォトレ
ジスト膜（４１）を形成した後、フォトマスク（１０）
の遮光膜（１０ｂ）を下側にして、フォトレジスト膜（
４１）に密着してガラス基板（ｌｏａ）のパターン形成
面の反対側から紫外線（５）を照射する。ガラス基板（
１０ａ）の遮光膜（１０ｂ）のコーナ部を透過した紫外
線（５）は半導体基板（２０）あるいはシリコン酸化膜
（３０）の表面で反射し、さらに遮光膜Ｈｏｂ）の縁端
部でパターンの外側すなわちすでに照射されたフォトレ
ジスト膜（４１）領域に反射され、遮光膜（ｘｏｂ）の
パターンに忠実にフォトレジスト膜（４１）を露光でき
る。
したがって、本実施例では現像後の例えばネガタイプの
フォトレジスト膜（４１）のパターン（４１ａ）。
フォトレジスト膜（４１）のパターン（４１ａ）。
（４１ｂ）の縁端部の傾斜面は鋭角となり、微細パター
ンが形成することができる。
ンが形成することができる。
［発明の効果コ
以上のようにこの発明によれば、遮光膜の縁端部に傾斜
面が形成されているため、紫外線等の光の被露光膜上で
の反射光は遮光膜の下方に入ることは少なくなり、フォ
トマスクのパターンに忠実な微細パターンが形成でき、
半導体装置等の集積度の向上に大きく貢献できるもので
ある。
面が形成されているため、紫外線等の光の被露光膜上で
の反射光は遮光膜の下方に入ることは少なくなり、フォ
トマスクのパターンに忠実な微細パターンが形成でき、
半導体装置等の集積度の向上に大きく貢献できるもので
ある。
第１図（ａ）〜（ｅ）はこの発明のフォトマスクの製造
工程の一実施例を示す断面図、第２図（ａ）。 （ｂ）はこの発明のフォトマスクの使用例を示す断面図
、第３図（ａ） 、 （ｂ）及び第４図（ａ） 、 （
ｂ）は従来のフォトマスクの製造工程及びその使用例を
説明するための断面図である。 図において、（１）、（１０）はフォトマスク、（ｌａ
） 。 （１０ａ）はガラス基板、（Ｉｂ） 、 （ｌｏｂ）は
遮光膜、（２）。 （２０）は半導体基板、（３） 、 （３０）はシリコ
ン酸化膜、（４） 、 ＜４０１ 、 （４１）はフォ
トレジスト膜、（５）は紫外線を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
工程の一実施例を示す断面図、第２図（ａ）。 （ｂ）はこの発明のフォトマスクの使用例を示す断面図
、第３図（ａ） 、 （ｂ）及び第４図（ａ） 、 （
ｂ）は従来のフォトマスクの製造工程及びその使用例を
説明するための断面図である。 図において、（１）、（１０）はフォトマスク、（ｌａ
） 。 （１０ａ）はガラス基板、（Ｉｂ） 、 （ｌｏｂ）は
遮光膜、（２）。 （２０）は半導体基板、（３） 、 （３０）はシリコ
ン酸化膜、（４） 、 ＜４０１ 、 （４１）はフォ
トレジスト膜、（５）は紫外線を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- ガラス基板上にクロム、酸化クロムあるいは酸化鉄等か
らなる遮光膜層を形成し、その上に所望のパターンを有
するマスクを形成した後、液相エッチング中に、前記パ
ターンに従い、前記遮光膜の端部を鋭角状にエッチング
することを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1341422A JPH03197950A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1341422A JPH03197950A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03197950A true JPH03197950A (ja) | 1991-08-29 |
Family
ID=18345951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1341422A Pending JPH03197950A (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03197950A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012037687A (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-23 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクおよびその製造方法 |
| KR101693150B1 (ko) * | 2016-06-23 | 2017-01-05 | 김휘운 | Vr과 ar의 선택적 제공이 가능한 광학 시스템 |
-
1989
- 1989-12-26 JP JP1341422A patent/JPH03197950A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012037687A (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-23 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクおよびその製造方法 |
| KR101693150B1 (ko) * | 2016-06-23 | 2017-01-05 | 김휘운 | Vr과 ar의 선택적 제공이 가능한 광학 시스템 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2862183B2 (ja) | マスクの製造方法 | |
| US5496666A (en) | Contact hole mask for semiconductor fabrication | |
| US5932378A (en) | Phase shifting photomask fabrication method | |
| US5888678A (en) | Mask and simplified method of forming a mask integrating attenuating phase shifting mask patterns and binary mask patterns on the same mask substrate | |
| US5695896A (en) | Process for fabricating a phase shifting mask | |
| JPH03252659A (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
| JPS6318351A (ja) | パタ−ン形成用マスク | |
| GB2302962A (en) | Phase shift mask | |
| JPH03197950A (ja) | フォトマスク | |
| JPH07287386A (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| EP0499944B1 (en) | Method for forming a sloped surface having a predetermined slope | |
| US5597666A (en) | Method for fabrication of a mask | |
| JPH08138996A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| KR19980015360A (ko) | 위상 반전 마스크 제조방법 | |
| JPH01237660A (ja) | フォトマスク | |
| JP2652341B2 (ja) | 位相反転マスクの製造方法 | |
| JPH02140914A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0527413A (ja) | 露光装置用ホトマスク | |
| JPH04273243A (ja) | 位相シフトマスクとその製造方法 | |
| TW302500B (ja) | ||
| KR19990065144A (ko) | 반도체 소자의 투과율 조절 마스크 제조 방법 | |
| JPH04216553A (ja) | 半導体製造用マスク | |
| JPH04298745A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JP2791757B2 (ja) | 半導体マスク及びその製造方法 | |
| JPS6281027A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 |