JPS60140347A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS60140347A JPS60140347A JP58250087A JP25008783A JPS60140347A JP S60140347 A JPS60140347 A JP S60140347A JP 58250087 A JP58250087 A JP 58250087A JP 25008783 A JP25008783 A JP 25008783A JP S60140347 A JPS60140347 A JP S60140347A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- glass plate
- alloy
- boron
- manganese
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/88—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof prepared by photographic processes for production of originals simulating relief
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明の技術分野
本発明はＩＣパターンの原版として使われるフォトマス
クに係り、特に石英ガラス板上に膨張率を抑える負の体
積磁歪物質を用いたフォトマスクに関するものである。
クに係り、特に石英ガラス板上に膨張率を抑える負の体
積磁歪物質を用いたフォトマスクに関するものである。
（２） 技術の背景
近年、半導体装置が高集積化となるに伴い、特にＬＳＩ
パターンは微細化しなければならず、更に高精度を必要
としている。このＬＳＩパターンはフォトマスクにより
ウェハ等に露光してＬＳＩが形成される。従って、この
フォトマスクは高精度に作成しなければならず、材質も
考慮する夕・要がある。すなわち、このフォトマスクは
例えば。
パターンは微細化しなければならず、更に高精度を必要
としている。このＬＳＩパターンはフォトマスクにより
ウェハ等に露光してＬＳＩが形成される。従って、この
フォトマスクは高精度に作成しなければならず、材質も
考慮する夕・要がある。すなわち、このフォトマスクは
例えば。
石英ガラス板上にクロム（Ｃｒ）合金を形成したものが
一般的に用いられている。故にこの石英ガラス板とクロ
ム（Ｃｒ）合金の膨張率が異なる為に温度変化をすると
フォトマスクに歪みを生し。
一般的に用いられている。故にこの石英ガラス板とクロ
ム（Ｃｒ）合金の膨張率が異なる為に温度変化をすると
フォトマスクに歪みを生し。
例えばウェハ等にマスクのパターンの露光が精度良く行
なえない現状である。
なえない現状である。
（３） 従来技術と問題点
従来、フォトマスクの作成は第１図に示す如く。
略２．３ｍｍ厚の透明なソーダライムガラス（ｓ。
ｄａ−１’ｉｍｅ ｇｌａｓｓ ）または石英ガラス等
からなるガラス板１上にマスクとなる例えばＯ，Ｄ、（
Ｏｐｔｉｃａｔ Ｄｅｎｓｉｔｙ ） ２． ５位の高
反射率クロム（Ｃｒ）膜２を６００人（−１−３００人
、ｕｔｏｏ人）厚にスパッタリング、茎着法等で形成し
、その上に低反射率の酸化クロム（ＣｒＯ２）膜３等を
３００人（±１００人）厚に堆積し、更にその上にフオ
ドレジスト４例えば０ＦＰＲ８００（商品名）のポジレ
ジストを略５０００人厚にスピン塗布した後９次の順序
で行なわれる。尚、フォトマスクの種類によってはＣｒ
ｏ２膜３を付けないＣｒ膜２のみのもの、またはマスク
層を長波長によりシースルー（透過性）となる例えば酸
化クロム（Ｃｒｏｘ）、Ｆｅ２ｕ３を用いたものもある
。先づ。
からなるガラス板１上にマスクとなる例えばＯ，Ｄ、（
Ｏｐｔｉｃａｔ Ｄｅｎｓｉｔｙ ） ２． ５位の高
反射率クロム（Ｃｒ）膜２を６００人（−１−３００人
、ｕｔｏｏ人）厚にスパッタリング、茎着法等で形成し
、その上に低反射率の酸化クロム（ＣｒＯ２）膜３等を
３００人（±１００人）厚に堆積し、更にその上にフオ
ドレジスト４例えば０ＦＰＲ８００（商品名）のポジレ
ジストを略５０００人厚にスピン塗布した後９次の順序
で行なわれる。尚、フォトマスクの種類によってはＣｒ
ｏ２膜３を付けないＣｒ膜２のみのもの、またはマスク
層を長波長によりシースルー（透過性）となる例えば酸
化クロム（Ｃｒｏｘ）、Ｆｅ２ｕ３を用いたものもある
。先づ。
前記フォトレジスト４上方向より矢印の如く所定のパタ
ーンが形成される部分の露光を行なう。前記露光された
フォトレジストが除去された部分にはＣｒｏ２膜３或い
はＣｒ膜２が露出する。従って腐食液或いはドライエツ
チングで前記Ｃｒ膜２等が除去され所望ＩＣパターンが
形成されると透明なガラス板１が露出する。そして最後
に残留しているフォトレジストを除去し、フォトマスク
が作成される。
ーンが形成される部分の露光を行なう。前記露光された
フォトレジストが除去された部分にはＣｒｏ２膜３或い
はＣｒ膜２が露出する。従って腐食液或いはドライエツ
チングで前記Ｃｒ膜２等が除去され所望ＩＣパターンが
形成されると透明なガラス板１が露出する。そして最後
に残留しているフォトレジストを除去し、フォトマスク
が作成される。
しかしながら、この様にして作成されるフォトマスクの
材料としてガラス板１として温度に対する安定性等から
熱膨張率が略９ Ｘ １０”−Ｆ／’Ｃのソーダライム
ガラスより熱膨張率の低い０．４ Ｘ １０ ７℃の石
英ガラスが用いられるようになってきた。ところが、ガ
ラス板１の上に形成されるＣｒ１！ｉｉ２の熱膨張率が
略７ ×Ｉ Ｏ−’／’Ｃと高いために。
材料としてガラス板１として温度に対する安定性等から
熱膨張率が略９ Ｘ １０”−Ｆ／’Ｃのソーダライム
ガラスより熱膨張率の低い０．４ Ｘ １０ ７℃の石
英ガラスが用いられるようになってきた。ところが、ガ
ラス板１の上に形成されるＣｒ１！ｉｉ２の熱膨張率が
略７ ×Ｉ Ｏ−’／’Ｃと高いために。
ガラス板１とＣ「膜２との熱膨張率の差の為にフォトマ
スクに歪を生ずる。すなわち第２図（ｂｌに示す如くフ
ォトマスクは、熱膨張率の低い石英ガラスからなるガラ
ス板１の方へ曲がるバイメタル現象を起こし、歪んでし
まう事になる。これは前記石英ガラスが膨張率０．４Ｘ
１０−“７℃である為に例えば１００ｍｍのスパンに対
して１℃の変化に応じて０５０４μｍ程度距離の変動を
生し。
スクに歪を生ずる。すなわち第２図（ｂｌに示す如くフ
ォトマスクは、熱膨張率の低い石英ガラスからなるガラ
ス板１の方へ曲がるバイメタル現象を起こし、歪んでし
まう事になる。これは前記石英ガラスが膨張率０．４Ｘ
１０−“７℃である為に例えば１００ｍｍのスパンに対
して１℃の変化に応じて０５０４μｍ程度距離の変動を
生し。
Ｃ「が膨張率７ｘｌＯ／’Ｃである為に１００ｍｍのス
パンに対して１℃の変化に応じて手°μｍ程度距離の変
動を生ずる事による。このようにフォトマスクに歪が生
じると、精度良いパターン露光が行えないという問題が
あった。
パンに対して１℃の変化に応じて手°μｍ程度距離の変
動を生ずる事による。このようにフォトマスクに歪が生
じると、精度良いパターン露光が行えないという問題が
あった。
（４） 発明の目的
本発明は上記従来の問題点に鑑み、基板であるガラス板
等の上に設けるマスクとして負の体積磁歪物質で低膨張
率の合金を用いる事で歪を生じないフォトマスクを提供
することを目的とするものである。
等の上に設けるマスクとして負の体積磁歪物質で低膨張
率の合金を用いる事で歪を生じないフォトマスクを提供
することを目的とするものである。
（５） 発明の構成
そしてこの目的は本発明によればガラス板上に負の体積
磁歪物質の合金により遮光パターンが形成されているこ
とを特徴とするフォトマスクを提供することによって達
成される。
磁歪物質の合金により遮光パターンが形成されているこ
とを特徴とするフォトマスクを提供することによって達
成される。
（６） 発明の実施例
以下１本発明の実施例を図面に基づいて詳述する。
第３図は本発明による非膨張膜フォトマスクの概略的断
面図である。
面図である。
同図に於いて、基板である石英ガラス板５の上には負の
体積磁歪物質を含んだ例えばマンガンホウ素＋クロムホ
ウ素のマンガンホウ素系合金６のマスクが形成されてい
る。
体積磁歪物質を含んだ例えばマンガンホウ素＋クロムホ
ウ素のマンガンホウ素系合金６のマスクが形成されてい
る。
同図に於いて、フォトマスクの形成工程は第１図での説
明と重複する為、省略するが１石英ガラス板５の上にス
パッタ法等によりフォトマスク材料として例えばマンガ
ンホウ素系合金６が形成される点を異にしている。前記
マンガンホウ素系合金は例えばマンガンホウ素とクロム
ホウ素を９対１の割合にしたものである。尚、前記割合
はマンガンホウ素８０〜９５％、クロムホウ素５〜２０
％としても良い。前記マンガンホウ素系合金６の膨張率
が略１ｘｌＯ／’ｃ、そして前記石英ガラス板５の膨張
率が略４ ｘ １０ ”／”ｃであるので。
明と重複する為、省略するが１石英ガラス板５の上にス
パッタ法等によりフォトマスク材料として例えばマンガ
ンホウ素系合金６が形成される点を異にしている。前記
マンガンホウ素系合金は例えばマンガンホウ素とクロム
ホウ素を９対１の割合にしたものである。尚、前記割合
はマンガンホウ素８０〜９５％、クロムホウ素５〜２０
％としても良い。前記マンガンホウ素系合金６の膨張率
が略１ｘｌＯ／’ｃ、そして前記石英ガラス板５の膨張
率が略４ ｘ １０ ”／”ｃであるので。
このマンガンホウ素系合金６と石英ガラス板５は膨張率
が近いから１石英ガラス板５とマンガンウ素合金６とが
、膨張率の差からバイメタル現象を生じることはなくか
つ膨張率が小さい為温度に対して安定である。 前記石
英ガラス板５の上に前記マンガンホウ素系合金６を５ｏ
ｏ乃至２０００人の薄膜例えば１０００人に堆積させ１
例えばＩＣパターン７を描画させる場合、この描画は精
度良く行なう必要が有ることから例えば２１℃なる一定
温度を保持する為、所定の各点を測定し、温度補正がな
されている。この様な状況下で作成されたフォトマスク
のＩＣパターンをウェハー等に露光する時に使用される
露光装置には水銀（１１ｇ）ランプを使用しており、熱
線がフォトマスクに照射される結果、前記ＩＣパターン
の露光は略２８℃の状況下で行なわれる事になる。従っ
てフォトマスクの作成時と、フォトマスクのパターンの
露光時では温度差を生じるが、この場合も、膨張率がこ
の石英ガラス板５に近く、熱膨張を押さえる負の体積磁
歪物質を含むマンガンホウ素系合金６を用いているので
、フォトマスクに歪を発生させない。尚、前記マスク材
としては前記石英ガラス板５に膨張率が近く、前記負の
体積磁歪物質である他の材料でも良い。
が近いから１石英ガラス板５とマンガンウ素合金６とが
、膨張率の差からバイメタル現象を生じることはなくか
つ膨張率が小さい為温度に対して安定である。 前記石
英ガラス板５の上に前記マンガンホウ素系合金６を５ｏ
ｏ乃至２０００人の薄膜例えば１０００人に堆積させ１
例えばＩＣパターン７を描画させる場合、この描画は精
度良く行なう必要が有ることから例えば２１℃なる一定
温度を保持する為、所定の各点を測定し、温度補正がな
されている。この様な状況下で作成されたフォトマスク
のＩＣパターンをウェハー等に露光する時に使用される
露光装置には水銀（１１ｇ）ランプを使用しており、熱
線がフォトマスクに照射される結果、前記ＩＣパターン
の露光は略２８℃の状況下で行なわれる事になる。従っ
てフォトマスクの作成時と、フォトマスクのパターンの
露光時では温度差を生じるが、この場合も、膨張率がこ
の石英ガラス板５に近く、熱膨張を押さえる負の体積磁
歪物質を含むマンガンホウ素系合金６を用いているので
、フォトマスクに歪を発生させない。尚、前記マスク材
としては前記石英ガラス板５に膨張率が近く、前記負の
体積磁歪物質である他の材料でも良い。
一方、電子ビーム露光法ではマスクである下地の材料が
メタルで導電性であると言う事が必要になって来ている
。故に酸化膜が使用出来ない場合もあるが、導電性と言
う事から前記マンガンホウ素系合金６は使用できる。ま
た、従来の如くフォトマスクの種類によっては前記マン
ガンホウ素系合金６の上に酸化クロム膜を設けて行なっ
ても良い。
メタルで導電性であると言う事が必要になって来ている
。故に酸化膜が使用出来ない場合もあるが、導電性と言
う事から前記マンガンホウ素系合金６は使用できる。ま
た、従来の如くフォトマスクの種類によっては前記マン
ガンホウ素系合金６の上に酸化クロム膜を設けて行なっ
ても良い。
（７） 発明の効果
以上、詳細に説明したように１本発明の非膨張膜フォト
マスクは石英ガラス上にマスク材料として負の体積磁歪
物でマンガンホウ素系合金等を使用した事でフォトマス
クの作成とフォトマスクによる転写時の温度変化による
バイメタル現象を起こさず歪を生じない効果大なるもの
がある。そしてウェハー等にＩＣパターンを転写する場
合、高精度に作成されたフォトマスクのパターンがウェ
ハーに正確な転写を行なえる効果を有する。
マスクは石英ガラス上にマスク材料として負の体積磁歪
物でマンガンホウ素系合金等を使用した事でフォトマス
クの作成とフォトマスクによる転写時の温度変化による
バイメタル現象を起こさず歪を生じない効果大なるもの
がある。そしてウェハー等にＩＣパターンを転写する場
合、高精度に作成されたフォトマスクのパターンがウェ
ハーに正確な転写を行なえる効果を有する。
第１図はホトマスクの概略的断面図、第２図（ａ）。
（ｂｌは従来のフォトマスクの温度変化に対する概略的
断面図、第３図は本発明のフォトマスクの概略的断面図
である。 ｌ・・・ガラス板、 ２・・・Ｃｒ膜。 ３・・・Ｃ：、ｒｏ２膜、 ４・・・フォトレジスト
５・・・石英ガラス板。 ６・・・ホウ素系合金
断面図、第３図は本発明のフォトマスクの概略的断面図
である。 ｌ・・・ガラス板、 ２・・・Ｃｒ膜。 ３・・・Ｃ：、ｒｏ２膜、 ４・・・フォトレジスト
５・・・石英ガラス板。 ６・・・ホウ素系合金
Claims (2)
- （１） ガラス板上に負の体積磁歪物質の合金により遮
光パターンが形成されていることを特徴とするフォトマ
スク。 - （２） 前記合金がマンガンホウ素とクロムホウ素から
なるマンガンホウ素系合金である事を特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58250087A JPS60140347A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58250087A JPS60140347A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60140347A true JPS60140347A (ja) | 1985-07-25 |
Family
ID=17202610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58250087A Pending JPS60140347A (ja) | 1983-12-28 | 1983-12-28 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60140347A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022105274A (ja) * | 2020-12-31 | 2022-07-13 | エスケーシー ソルミックス カンパニー，リミテッド | ブランクマスク及びそれを用いたフォトマスク |
-
1983
- 1983-12-28 JP JP58250087A patent/JPS60140347A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022105274A (ja) * | 2020-12-31 | 2022-07-13 | エスケーシー ソルミックス カンパニー，リミテッド | ブランクマスク及びそれを用いたフォトマスク |
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