KR880008058A - 투과율 변조형 포토 마스크 제조방법 및 이를 이용한 회절격자 제조방법 - Google Patents

투과율 변조형 포토 마스크 제조방법 및 이를 이용한 회절격자 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR880008058A
KR880008058A KR870013883A KR870013883A KR880008058A KR 880008058 A KR880008058 A KR 880008058A KR 870013883 A KR870013883 A KR 870013883A KR 870013883 A KR870013883 A KR 870013883A KR 880008058 A KR880008058 A KR 880008058A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
diffraction grating
photomask
grating
refractive index
transmittance
Prior art date
Application number
KR870013883A
Other languages
English (en)
Other versions
KR910005879B1 (ko
Inventor
노부히로 가와쯔끼
가쯔야 후지사와
이찌로 마쯔자끼
마사오 우에쯔기
Original Assignee
나까무라 히사오
가부시끼가이샤 구라레
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 나까무라 히사오, 가부시끼가이샤 구라레 filed Critical 나까무라 히사오
Publication of KR880008058A publication Critical patent/KR880008058A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR910005879B1 publication Critical patent/KR910005879B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/001Phase modulating patterns, e.g. refractive index patterns
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/18Diffraction gratings
    • G02B5/1847Manufacturing methods
    • G02B5/1857Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54Absorbers, e.g. of opaque materials

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

투과율 변조형 포토 마스크 제조방법 및 이를 이용한 회절격자 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 사용된 브레이즈(blaze)형 회절격자의 중요부분을 도시하는 확대된 단면도,
제2도는 본 발명의 제1실시예에서 브레이즈형 회절격자의 포토 마스크(photo mask)의 중요부분을 도시하는 확대된 횡단면도,
제6도는 본 발명의 포토 마스크를 이용하여 회절격자를 제조하는 공정을 도시하는 횡단면도.

Claims (26)

  1. 투명한 물질로 제조된 제1브레이즈형 회절격자와 광흡수제를 포함하는 물질로 제조된 제2브레이즈형 회절격자를 구비하고, 상기 제1회절격자와 상기 제2회절격자는 이들 각각의 격자 표면에서 서로 결합되는 것을 특징으로 하는 투과율 변조형 포토 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1회절격자를 구성하는 물질의 굴절율은 적어도 상기 제2회절격자를 구성하는 물질의 굴절율과 거의 동등한 것을 특징으로 하는 투과율 변조형 포토 마스크.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1회절격자를 구성하는 물질의 굴절율과 상기 제2회절격자를 구성하는 물질의 굴절율과의 차는 0.01보다 더 작은 것을 특징으로 하는 투과율 변조형 포토 마스크.
  4. 제3항에 있어서, 상기 굴절율간의 차가 0.001보다 더 작은 것을 특징으로 하는 투과율 변조형 포토마스크.
  5. 제1항에 있어서, 포토 마스크의 상·하표면은 적어도 서로 거의 평행한 것을 특징으로 하는 투과율 변조형 포토 마스크.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2회절격자의 격자 표면은 횡단면이 톱니형인 것을 특징으로 하는 투과율 변조형 포토 마스크.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2회절격자의 격가 표면은 횡단면이 곡선인 것을 특징으로 하는 투과율 변조형 포토 마스크.
  8. 투과율 변조형 포토 마스크를 제조하는 방법에 있어서, 투명한 물질로 제조된 제1회절격자를 형성하는 단계와, 상기 1회절격자가 광 흡수제를 포함하여 제조된 물질과 적어도 거의 동일한 굴절율을 갖고 있는 물질로 제조된 제2회절격자를 형성하는 단계를 구비하고, 상기 제1및 제2회절격자는 각각의 회절 표면에서 결합되는 것을 특징으로 하는 투과율 변조형 포토마스트 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1회절격자를 구성하는 물질의 굴절율과 상기 제2회절격자를 구성하는 물질의 굴절율과의 차는 0.01보다 작은 것을 특징으로 하는 투과율 변조형 포토 마스크 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 굴절율간의 차는 0.001보다 더 작은 것을 특징으로 하는 투과율 변조형 포토마스크 제조방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 제1회절격자의 격자 표면은 절단하여 형성되는 것을 특징으로 하는 투과율 변조형 포토 마스크 제조방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 제1회 절격자의 격자 표면은 사진 석판술로 형성되는 것을 특징으로 하는 투과율 변조형 포토마스크 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제1회절격자의 격자 표면은 도우즈를 변화시키므로써 기판위 감광성 내식막위에 곧바로 제도하여 형성되는 것을 특징으로 하는 투과율 변조형 포토 마스크 제조방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 제1회절격자의 격자표면은 비대칭 이중빔간섭 노출방법에 의해 곧바로 형성되는 것을 특징으로 하는 투과율 변조형 포토 마스크 제조방법.
  15. 제8항에 있어서, 상기 제1회절격자는, 기판위에 감광성 수지층을 형성하는 단계와, 노출 및 사진 석판술 현상에 의해 상기 감광성 수지위에 격자 표면을 형성하는 단계, 및 포토마스크처럼 상기 격자 표면을 이용하여 건조 부식하여 격자 표면을 기판위에 전사하는 단계에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 투과율 변조형 포토 마스크 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 기판은 투명한 물질로 유리판을 피복하므로써 형성되는 것을 특징으로 하는 투과율 변조형 포토마스크 제조방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 기판은 광 흡수제를 포함하는 투명한 물질로 유리판을 피복하므로써 형성되는 것을 특징으로 하는 투과율 변조형 포토 마스크 제조방법.
  18. 제15항에 있어서, 상기 전사는 산소플라즈마부식에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 투과율 변조형 포토 마스크 제조방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 광 흡수제는 자외선 흡수제인 것을 특징으로 하는 투과율 변조형 포토 마스크 제조방법.
  20. 투과율 변조형 포토 마스크를 이용한 회절격자 제조방법에 있어서, 기판위에 감광성 수지층을 형성하는 단계, 투명한 물질로 제조된 제1브레이즈형 회절 격자와 광 흡수제를 포함하는 물질로 제조된 제2브레이즈형 회절격자로 구성된 투과율 변조형 포토 마스크를 단단하게 배치하는 단계, 및 감광성 수지층을 노출 및 현상이 되게 하는 단계를 구비하고, 상기 제1회절격자와 상기 제2회절격자는 각각의 표면에서 서로 결합되는 것을 특징으로 하는 회절격자 제조방법.
  21. 제20항에 있어서, 광 흡수제의 두께와 포토 마스크로써 이용된 상기 브레이즈형 회절단의 광 흡수제에 의해 제어되는 광 투과율과의 관계에 적어도 거의 동일한 노출 및 현상후에, 감광성 수지는 도우스(노출의 양)와 잔류 피막비와의 사이에 관계가 있는 동일한 것을 특징으로 하는 회절 격자 제조방법.
  22. 제20항에 있어서, 상기 제1회절격자로서 구성되는 물질의 굴절율이 상기 제2회절격자로 구성되는 물질의 굴절율과 적어도 거의 동일한 것을 특징으로 하는 회절격자 제조방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 굴절율의 차는 0.01보다 더 작은 것을 특징으로 하는 회절격자 제조방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 굴절율의 차가 0.001보다 더 작은 것을 특징으로 하는 회절격자 제조방법.
  25. 제20항에 있어서, 상기 포토 마스크는 서로 거의 평행한 상·하부 표면이 평탄한 것을 특징으로 하는 회절격자 제조방법.
  26. 제20항에 있어서, 상기 광 흡수제는 자외선 흡수제인 것을 특징으로 하는 회절격자 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870013883A 1986-12-06 1987-12-05 투과율 변조형 포토 마스크 제조방법 및 이를 이용한 회절격자 제조방법 KR910005879B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29099286 1986-12-06
JP290992 1986-12-06
JP61-290992 1986-12-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR880008058A true KR880008058A (ko) 1988-08-30
KR910005879B1 KR910005879B1 (ko) 1991-08-06

Family

ID=17763056

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019870013883A KR910005879B1 (ko) 1986-12-06 1987-12-05 투과율 변조형 포토 마스크 제조방법 및 이를 이용한 회절격자 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4842969A (ko)
EP (1) EP0271002B1 (ko)
KR (1) KR910005879B1 (ko)
DE (1) DE3787955T2 (ko)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5070488A (en) * 1988-06-29 1991-12-03 Atsuko Fukushima Optical integrated circuit and optical apparatus
US4909818A (en) * 1988-11-16 1990-03-20 Jones William F System and process for making diffractive contact
US5279924A (en) * 1989-04-04 1994-01-18 Sharp Kabushiki Kaisha Manufacturing method of optical diffraction grating element with serrated gratings having uniformly etched grooves
US5286584A (en) * 1989-12-20 1994-02-15 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing a device and group of masks for this method
JPH04211202A (ja) * 1990-03-19 1992-08-03 Canon Inc 反射型回折格子および該回折格子を用いた装置
JPH0416910A (ja) * 1990-05-11 1992-01-21 Omron Corp 光学レンズ
US5104209A (en) * 1991-02-19 1992-04-14 Her Majesty The Queen In Right Of Canada, As Represented By The Minister Of Communications Method of creating an index grating in an optical fiber and a mode converter using the index grating
US5367588A (en) * 1992-10-29 1994-11-22 Her Majesty The Queen In Right Of Canada, As Represented By The Minister Of Communications Method of fabricating Bragg gratings using a silica glass phase grating mask and mask used by same
US5604081A (en) * 1992-08-14 1997-02-18 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing a surface structure with reliefs
AU5681194A (en) * 1993-01-21 1994-08-15 Sematech, Inc. Phase shifting mask structure with multilayer optical coating for improved transmission
US5418095A (en) * 1993-01-21 1995-05-23 Sematech, Inc. Method of fabricating phase shifters with absorbing/attenuating sidewalls using an additive process
US5411824A (en) * 1993-01-21 1995-05-02 Sematech, Inc. Phase shifting mask structure with absorbing/attenuating sidewalls for improved imaging
GB9509932D0 (en) * 1995-05-17 1995-07-12 Northern Telecom Ltd Bragg gratings in waveguides
US5792180A (en) * 1996-01-23 1998-08-11 United States Surgical Corporation High bend strength surgical needles and surgical incision members and methods of producing same by double sided photoetching
US5762811A (en) * 1996-01-24 1998-06-09 United States Surgical Corporation One-sided photoetching process for needle fabrication
US5693454A (en) * 1996-01-24 1997-12-02 United States Surgical Corporation Two-sided photoetching process for needle fabrication
CA2271815C (en) * 1996-11-15 2010-01-19 Diffraction Ltd. In-line holographic mask for micromachining
US6613498B1 (en) * 1998-09-17 2003-09-02 Mems Optical Llc Modulated exposure mask and method of using a modulated exposure mask
US6307662B1 (en) * 1999-01-21 2001-10-23 Ncr Corporation Blazed diffraction scanner
GB2349237A (en) 1999-04-24 2000-10-25 Sharp Kk An optical element, method of manufacture thereof and a display device incorporating said element.
GB2360971A (en) * 2000-04-03 2001-10-10 Suisse Electronique Microtech Technique for microstructuring replication moulds
US20060216478A1 (en) * 2000-07-26 2006-09-28 Shimadzu Corporation Grating, negative and replica gratings of the grating, and method of manufacturing the same
JP4344224B2 (ja) * 2003-11-21 2009-10-14 浜松ホトニクス株式会社 光学マスクおよびmopaレーザ装置
JP5841797B2 (ja) 2011-10-07 2016-01-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ 回折格子の製造方法
CN103630953B (zh) 2012-08-22 2016-08-03 北京京东方光电科技有限公司 一种棱镜膜及其制备方法及装置
WO2014183039A2 (en) * 2013-05-10 2014-11-13 Optometrics Corporation Combination optical filter and diffraction grating and associated systems and methods
JP7370341B2 (ja) * 2018-12-26 2023-10-27 株式会社クラレ 塗工性に優れる組成物
US11460616B2 (en) * 2019-07-19 2022-10-04 Magic Leap, Inc. Method of fabricating diffraction gratings

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT284506B (de) * 1968-01-20 1970-09-25 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Verfahren zur Herstellung von optischen Beugungsgittern
US3777633A (en) * 1972-02-25 1973-12-11 Ibm Structure for making phase filters
JPS54110857A (en) * 1978-02-17 1979-08-30 Nec Corp Optical production of sawtooth photo-sensitive resin flim
US4414317A (en) * 1982-04-21 1983-11-08 Armstrong World Industries, Inc. Transparency, a method for forming it and a photographic mask whose optical densities are correlated with the contour of a surface
JPS59172723A (ja) * 1983-03-22 1984-09-29 Nec Corp パタ−ン形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
US4842969A (en) 1989-06-27
DE3787955T2 (de) 1994-05-19
EP0271002A3 (en) 1988-09-14
DE3787955D1 (de) 1993-12-02
EP0271002A2 (en) 1988-06-15
EP0271002B1 (en) 1993-10-27
KR910005879B1 (ko) 1991-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR880008058A (ko) 투과율 변조형 포토 마스크 제조방법 및 이를 이용한 회절격자 제조방법
EP0713142A2 (en) Combined attenuated-alternating phase shifting mask structure and fabrication methods therefor
KR0166401B1 (ko) 미세패턴 형성방법
JPH04136854A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS58173744A (ja) マスク
US7400809B2 (en) Optical waveguide devices and method of making the same
KR950033599A (ko) 칼라필터 및 액정표시장치의 제조방법
JP3248526B2 (ja) 回折光学素子及びそれを有した光学系
KR100210984B1 (ko) 노광용 마스크 및 그 제조방법
JP2000075117A (ja) 回折格子作製方法及び回折格子
DE3564619D1 (en) Reflection phase grating and process for its manufacture
US6558854B2 (en) Process for forming features on a semiconductor wafer using a phase shifting mask that can be used with two different wavelengths of light
US6317274B1 (en) Optical element
JP3301215B2 (ja) ハーフトーン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスクの作製に用いる半透明部形成材料、及びハーフトーン型位相シフトマスクの作製方法
JPH09127319A (ja) 反射鏡、その製造方法及びこれを用いる投影露光装置
US5962174A (en) Multilayer reflective mask
JPS60230650A (ja) 微細パタ−ンの製作法
JPH07261367A (ja) ホトマスクおよびその製造方法
US6261725B1 (en) Phase angle modulation of PSM by chemical treatment method
KR880011900A (ko) 패턴형성방법
KR20070101428A (ko) 하프톤 마스크 및 그 제조 방법
US7629090B2 (en) Reticle and method of manufacturing method the same
US5976732A (en) Photomask for reconfiguring a circuit by exposure at two different wavelengths
JPH0697065A (ja) 微細レジストパターンの形成方法
JPS6258501B2 (ko)

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20070723

Year of fee payment: 17

EXPY Expiration of term