KR880011900A - 패턴형성방법 - Google Patents

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노리히사 미노
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Abstract

내용 없음

Description

패턴형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1~3도는 본 발명의 제1 실시예의 패턴형성방법을 설명하기 위한 공정단면도.

Claims (17)

  1. 기판위의 제1 에너지비임에 반응하여 화학적 특성이 변화하는 유기 박막을 형성시키는 단계와 ; 상기 유기박막의 표면을 상기 제1 에너지 비임으로 선택적으로 노광시켜 상기 유기 박막의 표면위에 제2 에너지 비임을 선택적으로 흡수시키기 위한 영역을 형성시키는 단계와 ; 상기 유기박막의 전면을 상기 제2 에너지 비임으로 노광시키는 단계와 ; 상기 노광된 유기박막을 현상시켜 패턴을 형성시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 제2 에너지 비임을 흡수하는 층은 유기박막에 있는 물질이 제1 에너지 비임에 의해 제2 에너지 비임을 흡수하기 위한 물질로 화학적 변화를 일으킴으로서 형성되는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  3. 제2항에 있어서, 유기박막을 형성하는 유기도막재료가 알칼리 가용성 수지를주성분으로 이루어지고, 제1 에너지 비임의 파장에서 화학적으로 변화하는 유기물질과 제2 에너지 비임의 파장에서 화학적으로 변화하는 유기물질을 함유하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 제1에너지 비임 파장의 광선에 의해 변화되는 유기물질의 방향족 아지드 화합물로 이루어지고, 이 유기물질은 제2 에너지 비임파장 광선에 의하여는 화학적으로 변화되지 않고 제1 에너지 비임파장에 의하여 제2 에너지 비임이 파장 영역을 흡수하는 물질로 화학적으로 변화되는 유기물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴형방법.
  5. 제3항에 있어서, 제2 에너지비임 파장의 광선에 의해 변화되는 유기물질이 디아조 화합물로 연료로 하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 제2에너지 비임 흡수층이 제1 에너지 비임에 의해 선택적으로 노광된 유기박막의 표면위의 물질을 증착시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 패터형방법.
  7. 제1항에 있어서, 유기박막의 양화식 레지스트임을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  8. 제6항에 있어서, 에너지비임 흡수물질이 염료임을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 염료가 알칼리성 염료임을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  10. 상기 양화식 레지스트가기를 함유하는 것을 특징으로 하는 팬턴형성방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 에너지 비임이 자외선임을 특징으로 하는패턴형성방법.
  12. 제1에너지 비임의 파장이 제2 에너지 비임의 파장 보다 더 장파임을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  13. 제1항에 있어서, 상기 제1 에너지 비임이 원자외선 에시머 광선임을 특징으로 하는 패터형성방법.
  14. 기판위의 제1 에너지 비임에 반응하여 화학적 특성이 변화하는, 알칼리 가용성 수지를 주성분으로 하고 감광제들로서 디아조 화합물과 방향족 아지드화합물을 함유하는 유기박막을 형성시키는 단계와 ; 상기 유기박막의 표면을 상기 제1 에너지 비임으로 선택적으로 노광시켜 상기 유기박막의 표면상에 착색된 영역을 형성시키는 단계와 ; 상기 유기막의 전면을제2 에너지 비임으로 조사시켜, 그에따라 마스크로서 작용하는 착색부분으로, 착색부위의 유기박막부를 조사하는 단계와 ; 상기 유기박막을 현상시키고 상기 착색부 이외의 부분을 제거하여 패턴을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 디아조화합물이 1,2-나프토퀴논 디아지드술폰 클로라이드이며, 방향족 아미드화합물은 2-페닐아니노-5-아지드 벤조산임을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  16. 기판위의 제1 에너지 비임에 반응하여 화학적 특성이 변화하는 유기박막을 형성시키는 단계와 ; 상기 유기박막의 표면을 제1 에너지 비임으로 선택적으로 노광시키는 단계와 ; 착색부를 형성시키기 위해 상기 유기 박막의 노광부를 착색시키는 단계와 ; 상기 유기막의 전면을 제2 에너지 비임으로 조사시키고, 그에 따라 마스크로서 상기 착색부를 사용하여 유기박막을 노광시키는 단계와 ; 상기 유기박막을 형성시키고 상기 제2 에너지 비임으로 노광부를 제거시키는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  17. 제16항에 있어서, 제1 에너지 비임을 흡수하는 중합체를 주성분으로 함유한 상기 유기막은 양화형 레지스트에 의해 형성되고, 그 착색부위는 염료로 착색됨으로서 형성되는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880002382A 1987-03-09 1988-03-08 패턴형성방법 KR920003315B1 (ko)

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