KR910020488A - 미세패턴 형성을 위한 사진식각 방법 - Google Patents

미세패턴 형성을 위한 사진식각 방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

미세패턴 형성을 위한 사진식각 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 DUV사용의 사진식각 방법을 나타낸 공정 흐름도, 제2도는 본 발명의 방법을 나타낸 공정 흐름도, 제3도 (A)-(D)는 본 발명의 실시예를 설명하는 도면.

Claims (6)

  1. 기판 또는 막질이 형성된 기판상에 미세패턴을 형성하기 위한 사진식각 방법에 있어서, 상기한 기판상에 UV레지스트막과 DUV레지스트막을 순차적충하는 단계와, 포토마스크와 DUV광원을 사용하여 DUV 노광 및 현상을 실시하는 단계와, UV노광 후 현상을 거쳐 극 미세패턴을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성을 위한 사진식각 방법.
  2. 제1항에 있어서, DUV노광은 50㎖/㎤ 이상 과다 노광을 실시하는 단계와 60초 이상 과다현상을 실시하여 0.3㎛이하의 극 미세패턴된 DUV레지스트막으로 형상화하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 미세패턴 형성을 위한 사진식각 방법.
  3. 제1항에 있어서, UV노광은 소나기 노광이며 DUV노광 및 현상에 의한 패턴(8)은 상가 UV노광에 대하여 마스크인 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성을 위한 사진 식각방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 단계중 레지스트는 포지티브형 레지스트 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성을 위한 사진 시각방법.
  5. 제1항 또는 제4항에 있어서, UV레지스트 재료는 고무수지 비율이 PAC비율보다 2∼3배 높은 레지스트인 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성을 위한 사진식각 방법.
  6. 제1항 또는 제4항에 있어서, DUV레지스트 재료는 DUV광에 대해 흡수도가 10%이상으로 높은 Novolac계통의 흡수력이 있는 레지스트인 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성을 위한 사진식각 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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