JPS59172723A - パタ−ン形成方法 - Google Patents

パタ−ン形成方法

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Publication number
JPS59172723A
JPS59172723A JP58047445A JP4744583A JPS59172723A JP S59172723 A JPS59172723 A JP S59172723A JP 58047445 A JP58047445 A JP 58047445A JP 4744583 A JP4744583 A JP 4744583A JP S59172723 A JPS59172723 A JP S59172723A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
pattern
ray
absorbing material
resist
Prior art date
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Pending
Application number
JP58047445A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinji Matsui
真二 松井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS59172723A publication Critical patent/JPS59172723A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、Ｘ線焉光による三次元パターン形成方法に関
するものである。
従来、Ｘ線ｒＡ光でパターン形成を行なう場合、第１図
に示す様に、マスク吸収材１４は、Ｘ線を透過させない
だけの十分な厚さをもった矩形パターンが用いられる。
即ち、十分子、Ｃマスクコントラストをもった矩形パタ
ーンが用いらｔしる。レジスされている。ネガレジスト
では、その反転パターンが形成される。この様に、従来
のＸ線露光では二次元露光である。
本発明は、Ｘ線吸収材を三次元ノくターンにし、ｘｍ露
光の三次元転写方式を提供するものである。
本発明によれば、Ｘ線露光において、マスフットラスト
を断面形状により変化させ、三次元パターン形成するこ
とを特徴とするパターン形成方法が得られる。
以下、本発明について実施例を示す図面を＃照して説明
する。第２図は一実施例を示すものである。基板２６上
にポジレジスト２５、例えばＦｊｔ、ｆｖλをスピン脈
理により形成する、Ｘ線マスクのマスク吸収材２４とし
て、例えばＡｕ、を用い、その断面形状を、マスクコン
トラストを考慮して、得たては、Ａｌ、Ｓｉ等制限はな
く、又、ネガレジストでも可能である。マスク吸収拐と
しては、Ａ−たけでなくＡＩ、Ｎｉ等マスクコントラス
トに応じた材料が使用可能である゛。金臆に限らず、有
機材でも使用回前である。
この様に形成した三次元レジストパターンは、たとえば
、ブレーズド回折格子に応用できる、。
また形成したレジストパターンをマスクとして基板をエ
ツチングして基板表面にレジストパターンを転写しても
よい。ここでいう基板とはその表面に被エツチング利が
形成されているものも含むことはいうまでもない。
本発明により、Ｘ蔵シミ光による三次元転写が可能とな
った。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のＸ線露光によるパターン形成プロセフ、
を示す薇略断面図、第２図は本発明によるパターン展だ
（プロセスを示す４ｕ略ｌ）ｒ面図。 図において、 １１．２１・・・・・・Ｘ１ｌｉヒーム、１２．２２・
旧・・マスク支持体、１３．２３・・・・・・マスク透
過側、１４．２４・・・・・・マスク吸収体パターン、
１５．２５・・・・・・レジスト１６．２６・・・・・
・基板、 （Ｚ） 業Ｚｎ （Ｚ）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基、板上にレジストを塗布し、Ｘ線吸収体の断面形状を
    変えたＸ線マスクを通して前記レジストにＸ＃を照射し
    て露光し、現像して前記Ｘ線吸収体パターンのマスクコ
    ントラストを反映したレジメトパターンを形成すること
    を特徴とするパターン形成方法。
JP58047445A 1983-03-22 1983-03-22 パタ−ン形成方法 Pending JPS59172723A (ja)

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