JP2002287370A - 光学素子の製造方法 - Google Patents
光学素子の製造方法Info
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 広範囲の波長帯域にわたって利用可能なレン
ズ厚みを持つ広波長帯域用レンズ等の光学素子を高精度
で、且つ、低コストで提供する。 【解決手段】 光学素子１０の製造方法は、光学素子部
材１を用意する工程と、前記光学素子部材の少なくとも
一方の表面上にレジスト膜２を形成する工程と、光源か
ら紫外光の波長以下の波長を有する光２２を、光学的に
機能する光学面に対応する形状を備えた光吸収体１１を
介して前記レジスト膜に照射して、３次元形状のレジス
トパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを
マスクとして前記光学素子部材をエッチングする工程と
を含む。
ズ厚みを持つ広波長帯域用レンズ等の光学素子を高精度
で、且つ、低コストで提供する。 【解決手段】 光学素子１０の製造方法は、光学素子部
材１を用意する工程と、前記光学素子部材の少なくとも
一方の表面上にレジスト膜２を形成する工程と、光源か
ら紫外光の波長以下の波長を有する光２２を、光学的に
機能する光学面に対応する形状を備えた光吸収体１１を
介して前記レジスト膜に照射して、３次元形状のレジス
トパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを
マスクとして前記光学素子部材をエッチングする工程と
を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学素子、特に、
レンズ、プリズム、フレネルレンズ、反射型レンズ等に
関する。
レンズ、プリズム、フレネルレンズ、反射型レンズ等に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、赤外線用レンズ、紫外線用レン
ズ、プリズム等の光学素子は、Ｇｅ、ガラス、石英、蛍
石（ＣａＦ２）等を機械加工して作製されている。この
ような機械加工は困難であり、コストも高く、また、加
工の際に加わる応力のために破損する場合もあった。
ズ、プリズム等の光学素子は、Ｇｅ、ガラス、石英、蛍
石（ＣａＦ２）等を機械加工して作製されている。この
ような機械加工は困難であり、コストも高く、また、加
工の際に加わる応力のために破損する場合もあった。
【０００３】近年、半導体装置の製造技術として、フォ
トリソグラフィ法を用いてレジストパターンを形成し、
このレジストパターンをマスクとしてエッチングするこ
とで微細加工を行う技術が発達している。そこで、この
フォトリソグラフィ法を光学素子の製造に用いることが
試みられている。例えば、複数回のレジストパターン形
成と、エッチングとを繰り返してレンズ形状を形成する
バイナリエッチング法が用いられている（塩野照弘、
『高効率回折光学素子の作製技術』、応用物理、（１９
９９）、第６８巻、第６３３頁〜第６３８頁）。このバ
イナリエッチング法は、特定の波長の光に対してのみ機
能する位相型のゾーンプレート作製に用いられている。
また、この先行技術文献には、電子ビームの照射量を制
御してマイクロレンズを作成する電子ビーム描画法が記
載されている。
トリソグラフィ法を用いてレジストパターンを形成し、
このレジストパターンをマスクとしてエッチングするこ
とで微細加工を行う技術が発達している。そこで、この
フォトリソグラフィ法を光学素子の製造に用いることが
試みられている。例えば、複数回のレジストパターン形
成と、エッチングとを繰り返してレンズ形状を形成する
バイナリエッチング法が用いられている（塩野照弘、
『高効率回折光学素子の作製技術』、応用物理、（１９
９９）、第６８巻、第６３３頁〜第６３８頁）。このバ
イナリエッチング法は、特定の波長の光に対してのみ機
能する位相型のゾーンプレート作製に用いられている。
また、この先行技術文献には、電子ビームの照射量を制
御してマイクロレンズを作成する電子ビーム描画法が記
載されている。
【０００４】また、従来、透過型レンズの透過率を上昇
させるため、反射防止膜をスパッタ法などでレンズ表面
に形成している。この反射防止膜を設けない場合、例え
ば、入力光に対して約５０％程度の出力光しか得られな
い場合がある。また、このような反射防止膜を形成する
のではなく、表面に微細構造を形成し、反射防止効果を
持たせる反射防止膜の形成方法が知られている（特開平
２０００−２５８６０７号公報）。この先行技術文献で
は、物体表面に薄膜形成の過程における核成長による核
を島構造で形成し、この島構造をエッチングマスクとし
て表面をエッチングし、微細な凹凸を形成して反射防止
効果を有する微細構造を形成している。
させるため、反射防止膜をスパッタ法などでレンズ表面
に形成している。この反射防止膜を設けない場合、例え
ば、入力光に対して約５０％程度の出力光しか得られな
い場合がある。また、このような反射防止膜を形成する
のではなく、表面に微細構造を形成し、反射防止効果を
持たせる反射防止膜の形成方法が知られている（特開平
２０００−２５８６０７号公報）。この先行技術文献で
は、物体表面に薄膜形成の過程における核成長による核
を島構造で形成し、この島構造をエッチングマスクとし
て表面をエッチングし、微細な凹凸を形成して反射防止
効果を有する微細構造を形成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記フォトリ
ソグラフィ法では、焦点深度が浅く、寸法解像度が低い
ことから、レジストパターン形成とエッチングを１回行
うだけではレンズ厚さ１００μｍ以上の構造のレンズ形
状を形成することは困難である。また、複数回のレジス
トパターン形成とエッチングとを繰り返す上記バイナリ
エッチングで厚さ数μｍ程度の位相型ゾーンプレート
（薄いフレネルレンズ）の作製は可能であるが、少なく
とも数十μｍから数百μｍ程度のレンズ厚さを必要とす
る広波長帯域用レンズを作製するには、フォトリソグラ
フィでは焦点深度が浅く、寸法解像性が低く、また、露
光によるレジストパターン形成とエッチングとを２ｎ回
繰り返すため、形状誤差が積み重なってレンズ性能の低
下を招き、コストもかかるため、上記広波長帯域用レン
ズの作製は困難である。さらに、電子ビームによる描画
の場合には時間がかかる。
ソグラフィ法では、焦点深度が浅く、寸法解像度が低い
ことから、レジストパターン形成とエッチングを１回行
うだけではレンズ厚さ１００μｍ以上の構造のレンズ形
状を形成することは困難である。また、複数回のレジス
トパターン形成とエッチングとを繰り返す上記バイナリ
エッチングで厚さ数μｍ程度の位相型ゾーンプレート
（薄いフレネルレンズ）の作製は可能であるが、少なく
とも数十μｍから数百μｍ程度のレンズ厚さを必要とす
る広波長帯域用レンズを作製するには、フォトリソグラ
フィでは焦点深度が浅く、寸法解像性が低く、また、露
光によるレジストパターン形成とエッチングとを２ｎ回
繰り返すため、形状誤差が積み重なってレンズ性能の低
下を招き、コストもかかるため、上記広波長帯域用レン
ズの作製は困難である。さらに、電子ビームによる描画
の場合には時間がかかる。
【０００６】また、レンズ等の光学素子の表面に設ける
反射防止膜として、適切な屈折率を有する材料が乏し
く、この反射防止膜内での吸収率は比較的大きい。さら
に、反射防止膜の材質によっては洗浄できない場合があ
る。
反射防止膜として、適切な屈折率を有する材料が乏し
く、この反射防止膜内での吸収率は比較的大きい。さら
に、反射防止膜の材質によっては洗浄できない場合があ
る。
【０００７】そこで、本発明の第１の目的は、広範囲の
波長帯域にわたって利用可能なレンズ厚みを持つ広波長
帯域用レンズ等の光学素子を高精度で、且つ、低コスト
で提供することである。
波長帯域にわたって利用可能なレンズ厚みを持つ広波長
帯域用レンズ等の光学素子を高精度で、且つ、低コスト
で提供することである。
【０００８】また、本発明の第２の目的は、レンズ表面
に反射防止効果を有し、吸収率の小さい反射防止膜を簡
易に形成した光学素子を提供することである。
に反射防止効果を有し、吸収率の小さい反射防止膜を簡
易に形成した光学素子を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光学素子の
製造方法は、光学素子部材を用意する工程と、前記光学
素子部材の少なくとも一方の表面上にレジスト膜を形成
する工程と、光源から紫外光の波長以下の波長を有する
光を、光学的に機能する光学面に対応する形状を備えた
光吸収体を介して前記レジスト膜に照射して、３次元形
状のレジストパターンを形成する工程と、前記レジスト
パターンをマスクとして前記光学素子部材をエッチング
する工程とを含むことを特徴とする。
製造方法は、光学素子部材を用意する工程と、前記光学
素子部材の少なくとも一方の表面上にレジスト膜を形成
する工程と、光源から紫外光の波長以下の波長を有する
光を、光学的に機能する光学面に対応する形状を備えた
光吸収体を介して前記レジスト膜に照射して、３次元形
状のレジストパターンを形成する工程と、前記レジスト
パターンをマスクとして前記光学素子部材をエッチング
する工程とを含むことを特徴とする。
【００１０】また、本発明に係る光学素子の製造方法
は、前記光学素子の製造方法であって、前記レジストパ
ターンを形成する工程において、前記光吸収体として、
前記光源からの光が透過する方向の膜厚分布を変化させ
た光吸収体を用いることを特徴とする。
は、前記光学素子の製造方法であって、前記レジストパ
ターンを形成する工程において、前記光吸収体として、
前記光源からの光が透過する方向の膜厚分布を変化させ
た光吸収体を用いることを特徴とする。
【００１１】さらに、本発明に係る光学素子の製造方法
は、前記光学素子の製造方法であって、前記レジストパ
ターンを形成する工程において、前記光吸収体として、
前記光源からの光が透過する方向の密度分布を変化させ
た光吸収体を用いることを特徴とする。
は、前記光学素子の製造方法であって、前記レジストパ
ターンを形成する工程において、前記光吸収体として、
前記光源からの光が透過する方向の密度分布を変化させ
た光吸収体を用いることを特徴とする。
【００１２】またさらに、本発明に係る光学素子の製造
方法は、前記光学素子の製造方法であって、前記光学素
子が対象とする光の波長は、０．１μｍ以上、且つ、３
０μｍ以下の範囲内であることを特徴とする。
方法は、前記光学素子の製造方法であって、前記光学素
子が対象とする光の波長は、０．１μｍ以上、且つ、３
０μｍ以下の範囲内であることを特徴とする。
【００１３】また、本発明に係る光学素子の製造方法
は、前記光学素子の製造方法であって、前記レジストパ
ターンを形成する工程において、前記光吸収体として、
前記光学素子が対象とする光の波長より大きい巨視パタ
ーンを有する光吸収体を用いて、前記巨視パターンに対
応する巨視形状を有する前記レジストパターンを形成す
ると共に、前記エッチングの工程において、前記光学素
子部材の表面に、前記光学素子が対象とする光の波長よ
り大きい巨視構造を形成することを特徴とする。
は、前記光学素子の製造方法であって、前記レジストパ
ターンを形成する工程において、前記光吸収体として、
前記光学素子が対象とする光の波長より大きい巨視パタ
ーンを有する光吸収体を用いて、前記巨視パターンに対
応する巨視形状を有する前記レジストパターンを形成す
ると共に、前記エッチングの工程において、前記光学素
子部材の表面に、前記光学素子が対象とする光の波長よ
り大きい巨視構造を形成することを特徴とする。
【００１４】さらに、本発明に係る光学素子の製造方法
は、前記光学素子の製造方法であって、前記レジストパ
ターンを形成する工程において、前記光吸収体として、
前記光学素子が対象とする光の波長以下の微細パターン
を形成した光吸収体を用いて、前記微細パターンに対応
する微細形状を有するレジストパターンを形成すると共
に、前記エッチングの工程において、前記光学素子部材
の表面に、前記光学素子が対象とする光について反射防
止効果を有し、前記対象とする光の波長以下の微細構造
を形成することを特徴とする。
は、前記光学素子の製造方法であって、前記レジストパ
ターンを形成する工程において、前記光吸収体として、
前記光学素子が対象とする光の波長以下の微細パターン
を形成した光吸収体を用いて、前記微細パターンに対応
する微細形状を有するレジストパターンを形成すると共
に、前記エッチングの工程において、前記光学素子部材
の表面に、前記光学素子が対象とする光について反射防
止効果を有し、前記対象とする光の波長以下の微細構造
を形成することを特徴とする。
【００１５】またさらに、本発明に係る光学素子の製造
方法は、前記光学素子の製造方法であって、前記レジス
トパターンを形成する工程において、前記光吸収体とし
て、前記光学素子が対象とする光の波長より大きい巨視
パターン内に、前記対象とする光の波長以下の微細パタ
ーンを重畳させた重畳パターンを有する光吸収体を用
い、前記重畳パターンに対応した重畳形状を有する前記
レジストパターンを形成すると共に、前記エッチングの
工程において、前記重畳形状に対応して、前記光学素子
部材の表面に、前記光学素子が対象とする光の波長より
大きい巨視構造内に前記対象とする光の波長以下の微細
構造を重畳させた重畳構造を形成することを特徴とす
る。
方法は、前記光学素子の製造方法であって、前記レジス
トパターンを形成する工程において、前記光吸収体とし
て、前記光学素子が対象とする光の波長より大きい巨視
パターン内に、前記対象とする光の波長以下の微細パタ
ーンを重畳させた重畳パターンを有する光吸収体を用
い、前記重畳パターンに対応した重畳形状を有する前記
レジストパターンを形成すると共に、前記エッチングの
工程において、前記重畳形状に対応して、前記光学素子
部材の表面に、前記光学素子が対象とする光の波長より
大きい巨視構造内に前記対象とする光の波長以下の微細
構造を重畳させた重畳構造を形成することを特徴とす
る。
【００１６】また、本発明に係る光学素子の製造方法
は、前記光学素子の製造方法であって、前記微細パター
ンは、前記対象とする光の波長以下の周期を有すること
を特徴とする。
は、前記光学素子の製造方法であって、前記微細パター
ンは、前記対象とする光の波長以下の周期を有すること
を特徴とする。
【００１７】さらに、前記レジストパターンの形成工程
において、用いる前記光の波長は、０．１ｎｍ以上、且
つ、５ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする。
において、用いる前記光の波長は、０．１ｎｍ以上、且
つ、５ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする。
【００１８】またさらに、本発明に係る光学素子の製造
方法は、前記光学素子の製造方法であって、前記少なく
とも一方の光学面は、光学素子の光入射面又は光出射面
であることを特徴とする。
方法は、前記光学素子の製造方法であって、前記少なく
とも一方の光学面は、光学素子の光入射面又は光出射面
であることを特徴とする。
【００１９】また、本発明に係る光学素子の製造方法
は、前記光学素子の製造方法であって、前記光学素子
は、レンズ、プリズム、フレネルレンズ、反射型レンズ
のうちの少なくとも一つであることを特徴とする。
は、前記光学素子の製造方法であって、前記光学素子
は、レンズ、プリズム、フレネルレンズ、反射型レンズ
のうちの少なくとも一つであることを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態に係る光学素
子の製造方法について、図１から図１３を用いて以下に
説明する。なお、以下の実施の形態では光学素子とし
て、レンズ及びフレネルレンズについて説明している
が、これに限られず、プリズム、凹レンズ、反射型レン
ズ等の光学素子にも適用できる。
子の製造方法について、図１から図１３を用いて以下に
説明する。なお、以下の実施の形態では光学素子とし
て、レンズ及びフレネルレンズについて説明している
が、これに限られず、プリズム、凹レンズ、反射型レン
ズ等の光学素子にも適用できる。
【００２１】実施の形態１．本発明の実施の形態１に係
る光学素子の製造方法は、次の各工程を含んでいる。 （１）光学素子部材を用意する。 （２）光学素子部材の少なくとも一方の表面上にレジス
ト膜を形成する。 （３）光源から紫外光の波長以下の波長の光を、光学的
に機能する光学面に対応する形状を備えた光吸収体を介
して上記レジスト膜に照射して３次元形状のレジストパ
ターンを形成する。 （４）上記レジストパターンをマスクとして光学素子部
材をエッチングする。 この光学素子の製造方法によって、最大厚さが１００μ
ｍ程度の光学素子についても１回のレジストパターン形
成と、１回のエッチングとで形成することができる。
る光学素子の製造方法は、次の各工程を含んでいる。 （１）光学素子部材を用意する。 （２）光学素子部材の少なくとも一方の表面上にレジス
ト膜を形成する。 （３）光源から紫外光の波長以下の波長の光を、光学的
に機能する光学面に対応する形状を備えた光吸収体を介
して上記レジスト膜に照射して３次元形状のレジストパ
ターンを形成する。 （４）上記レジストパターンをマスクとして光学素子部
材をエッチングする。 この光学素子の製造方法によって、最大厚さが１００μ
ｍ程度の光学素子についても１回のレジストパターン形
成と、１回のエッチングとで形成することができる。
【００２２】具体的には、この光学素子の製造方法は、
概略的には図１に示すように、以下の手順からなる。 （ａ）まず、レンズ材料１として、シリコン板を用意す
る（図１（ａ））。ここで、レンズ材料としては、上記
シリコン以外に、例えば、ゲルマニウム（Ｇｅ）、石英
（ＳｉＯ２）、蛍石（ＣａＦ２）、ガラス等の通常のレ
ンズ材料を用いることができる。 （ｂ）次に、シリコン板１上にポリメチルメタアクリレ
ート（ＰＭＭＡ）からなるレジスト膜２を塗布する（図
１（ｂ））。このレジスト膜２としては、ＰＭＭＡの
他、例えば、ＳＵ８を用いてもよい。また、レジスト膜
は、ポジレジスト、ネガレジストのいずれであってもよ
い。 （ｃ）次いで、図２に示すＸ線露光システムを用いて、
光源から紫外光の波長以下の波長の光を、光学的に機能
する光学面に対応する形状を備えた光吸収体を介してレ
ンズ材料１の上のレジスト膜に照射して、３次元形状の
レジストパターンを形成する（図１（ｃ））。この方法
は、いわゆるＸ線リソグラフィ法と呼ばれる。この詳細
な内容については後述する。ここで、光学的に機能する
光学面とは、例えば、レンズ、凹レンズ、プリズム、フ
レネルレンズ、反射型レンズ等の機能を有する面をいう
が、上記例示したものに限られない。 （ｄ）さらに、上記レジストパターンをマスクにしてエ
ッチングを行って一方の面が凸レンズ形状であるレンズ
１０を形成する（図１（ｄ））。
概略的には図１に示すように、以下の手順からなる。 （ａ）まず、レンズ材料１として、シリコン板を用意す
る（図１（ａ））。ここで、レンズ材料としては、上記
シリコン以外に、例えば、ゲルマニウム（Ｇｅ）、石英
（ＳｉＯ２）、蛍石（ＣａＦ２）、ガラス等の通常のレ
ンズ材料を用いることができる。 （ｂ）次に、シリコン板１上にポリメチルメタアクリレ
ート（ＰＭＭＡ）からなるレジスト膜２を塗布する（図
１（ｂ））。このレジスト膜２としては、ＰＭＭＡの
他、例えば、ＳＵ８を用いてもよい。また、レジスト膜
は、ポジレジスト、ネガレジストのいずれであってもよ
い。 （ｃ）次いで、図２に示すＸ線露光システムを用いて、
光源から紫外光の波長以下の波長の光を、光学的に機能
する光学面に対応する形状を備えた光吸収体を介してレ
ンズ材料１の上のレジスト膜に照射して、３次元形状の
レジストパターンを形成する（図１（ｃ））。この方法
は、いわゆるＸ線リソグラフィ法と呼ばれる。この詳細
な内容については後述する。ここで、光学的に機能する
光学面とは、例えば、レンズ、凹レンズ、プリズム、フ
レネルレンズ、反射型レンズ等の機能を有する面をいう
が、上記例示したものに限られない。 （ｄ）さらに、上記レジストパターンをマスクにしてエ
ッチングを行って一方の面が凸レンズ形状であるレンズ
１０を形成する（図１（ｄ））。
【００２３】さらに、この光学素子の製造方法のうち、
光学素子部材の表面に３次元形状のレジストパターンを
形成する工程について、図２を用いて以下に詳述する。
なお、ここで、製造する光学素子はレンズである。
光学素子部材の表面に３次元形状のレジストパターンを
形成する工程について、図２を用いて以下に詳述する。
なお、ここで、製造する光学素子はレンズである。
【００２４】まず、上記Ｘ線リソグラフィ法とは、真空
紫外からＸ線領域（波長０．１ｎｍ〜５ｎｍ）の光源を
用いて、対象物に微細パターンを形成する技術である。
特に、深い焦点深度、高い微細パターン形成能力、高ス
ループット、物質に対する高い透過率という特徴を持
つ。光源の波長は、０．１ｎｍ以上、且つ、５ｎｍ以下
の範囲内であり、好ましくは波長２ｎｍ以下である。な
お、この場合に波長とは光の中心波長を意味する。ま
た、Ｘ線光源としては、シンクロトロン放射光を用いて
もよい。
紫外からＸ線領域（波長０．１ｎｍ〜５ｎｍ）の光源を
用いて、対象物に微細パターンを形成する技術である。
特に、深い焦点深度、高い微細パターン形成能力、高ス
ループット、物質に対する高い透過率という特徴を持
つ。光源の波長は、０．１ｎｍ以上、且つ、５ｎｍ以下
の範囲内であり、好ましくは波長２ｎｍ以下である。な
お、この場合に波長とは光の中心波長を意味する。ま
た、Ｘ線光源としては、シンクロトロン放射光を用いて
もよい。
【００２５】次に、このＸ線リソグラフィ法による３次
元形状のレジストパターンを形成する工程について、図
２を用いて説明する。この工程では、シンクロトロン放
射光を光学的に機能するレンズ形状に合わせて形成され
た３次元形状の光吸収体１１を透過させて、レンズ材料
１上のレジスト膜２を感光させる。ここで、光吸収体１
１は、図２に示すように、メンブレン１２に取り付けら
れており、さらに、このメンブレン１２はシリコン製リ
ング１３とサポートリング１４とで保持され、Ｘ線マス
ク２０を構成している。また、この光吸収体１１の中心
付近は厚く、周辺部に向って薄くなるように変化させて
いるので、透過するＸ線の強度は、光吸収体１１の中心
付近で弱く、周辺部で強くなる。上記のように光吸収体
１１の膜厚は、中心を厚く、周辺に向って徐々に薄く変
化させているので、レジスト膜２内において蓄積される
エネルギーは上記光吸収体１１の形状に対応して変化す
る。また、この光吸収体１１の材料は、例えば、タング
ステン、タンタル、金等である。ここで、このレジスト
膜２はポジレジストであるので、一定のしきい値以上の
エネルギーを吸収したレジスト膜２の部分は現像後に除
去される。そのため、現像後には、光吸収体１１の形状
に対応した３次元形状のレジストパターンが形成され
る。なお、ネガレジストを用いる場合には、光吸収体１
１として、中心を薄くし、周辺に向って厚く変化させて
おくことによって凸レンズ形状のレジストパターンを形
成することができる。
元形状のレジストパターンを形成する工程について、図
２を用いて説明する。この工程では、シンクロトロン放
射光を光学的に機能するレンズ形状に合わせて形成され
た３次元形状の光吸収体１１を透過させて、レンズ材料
１上のレジスト膜２を感光させる。ここで、光吸収体１
１は、図２に示すように、メンブレン１２に取り付けら
れており、さらに、このメンブレン１２はシリコン製リ
ング１３とサポートリング１４とで保持され、Ｘ線マス
ク２０を構成している。また、この光吸収体１１の中心
付近は厚く、周辺部に向って薄くなるように変化させて
いるので、透過するＸ線の強度は、光吸収体１１の中心
付近で弱く、周辺部で強くなる。上記のように光吸収体
１１の膜厚は、中心を厚く、周辺に向って徐々に薄く変
化させているので、レジスト膜２内において蓄積される
エネルギーは上記光吸収体１１の形状に対応して変化す
る。また、この光吸収体１１の材料は、例えば、タング
ステン、タンタル、金等である。ここで、このレジスト
膜２はポジレジストであるので、一定のしきい値以上の
エネルギーを吸収したレジスト膜２の部分は現像後に除
去される。そのため、現像後には、光吸収体１１の形状
に対応した３次元形状のレジストパターンが形成され
る。なお、ネガレジストを用いる場合には、光吸収体１
１として、中心を薄くし、周辺に向って厚く変化させて
おくことによって凸レンズ形状のレジストパターンを形
成することができる。
【００２６】次いで、レンズ部材１の表面に形成するレ
ジストパターンと光吸収体１１との関係について説明す
る。一般に、次のエッチング工程において、単位時間当
たりにレジスト膜２がエッチングされる厚さに対してレ
ンズ部材１がエッチングされる厚さの比は、選択比とい
われる。ここで、レンズ厚さとして５００μｍ必要な場
合であって、選択比が４の場合を考える。最も厚いレン
ズ中心上のレジスト膜２が完全にエッチングされた際
に、レンズ周辺部分で５００μｍの深さまでエッチング
するには、選択比が４であるから、およそ１２５μｍの
厚さのレジスト膜２をあらかじめ形成しておく必要があ
る。そこで、光吸収体１１として、所定厚さのレジスト
膜２が現像後に残存するように、あらかじめ膜厚分布を
変化させた光吸収体１１を用いるのが好ましい。また、
光吸収体１１は、透過する光の方向の膜厚分布を変化さ
せておくことがさらに好ましい。さらに、光吸収体１１
は、レジストパターンが所定のレンズ形状となるように
所定の曲面形状を有することが好ましい。
ジストパターンと光吸収体１１との関係について説明す
る。一般に、次のエッチング工程において、単位時間当
たりにレジスト膜２がエッチングされる厚さに対してレ
ンズ部材１がエッチングされる厚さの比は、選択比とい
われる。ここで、レンズ厚さとして５００μｍ必要な場
合であって、選択比が４の場合を考える。最も厚いレン
ズ中心上のレジスト膜２が完全にエッチングされた際
に、レンズ周辺部分で５００μｍの深さまでエッチング
するには、選択比が４であるから、およそ１２５μｍの
厚さのレジスト膜２をあらかじめ形成しておく必要があ
る。そこで、光吸収体１１として、所定厚さのレジスト
膜２が現像後に残存するように、あらかじめ膜厚分布を
変化させた光吸収体１１を用いるのが好ましい。また、
光吸収体１１は、透過する光の方向の膜厚分布を変化さ
せておくことがさらに好ましい。さらに、光吸収体１１
は、レジストパターンが所定のレンズ形状となるように
所定の曲面形状を有することが好ましい。
【００２７】なお、例えば、このＸ線リソグラフィ法を
用い、吸収体膜厚を多段形状としたＸ線マスクを用い
て、このＸ線マスクの形状に対応した多段形状のポリメ
チルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）からなるレジストパ
ターンを形成することが報告されている（Ｓ．カブリニ
他(S. Cabrini etal), 『3D Microstructures Fabricat
ed By Partially Opaque X-Ray Lithography Masks』、
Microelectronic Engineering, (2000), Vol.53, pp599
-602）。
用い、吸収体膜厚を多段形状としたＸ線マスクを用い
て、このＸ線マスクの形状に対応した多段形状のポリメ
チルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）からなるレジストパ
ターンを形成することが報告されている（Ｓ．カブリニ
他(S. Cabrini etal), 『3D Microstructures Fabricat
ed By Partially Opaque X-Ray Lithography Masks』、
Microelectronic Engineering, (2000), Vol.53, pp599
-602）。
【００２８】さらに、この光学素子の製造方法のうち、
３次元形状のレジストパターンをマスクにしてレンズ部
材をエッチングする工程について、以下に説明する。こ
のエッチング工程において、エッチング方法としては、
通常のエッチング方法を使用できる。なお、単位時間当
たりにレジスト膜がエッチングされる厚さに対してレン
ズ部材がエッチングされる厚さの比である選択比が小さ
いとレジスト膜の厚みが大きくなる。このエッチング工
程では、３次元形状のレジストパターンをマスクとし
て、エッチングを行うことによって、レジストパターン
の膜厚に対応した深さまでエッチングが行われる（図１
（ｄ））。これにより３次元レジストパターンに対応し
た高精度のレンズ形状を有するレンズが低コストで得ら
れる。
３次元形状のレジストパターンをマスクにしてレンズ部
材をエッチングする工程について、以下に説明する。こ
のエッチング工程において、エッチング方法としては、
通常のエッチング方法を使用できる。なお、単位時間当
たりにレジスト膜がエッチングされる厚さに対してレン
ズ部材がエッチングされる厚さの比である選択比が小さ
いとレジスト膜の厚みが大きくなる。このエッチング工
程では、３次元形状のレジストパターンをマスクとし
て、エッチングを行うことによって、レジストパターン
の膜厚に対応した深さまでエッチングが行われる（図１
（ｄ））。これにより３次元レジストパターンに対応し
た高精度のレンズ形状を有するレンズが低コストで得ら
れる。
【００２９】また、この光学素子の製造方法によって得
られる光学素子の特性について説明する。この場合、こ
の光学素子は、図１の（ｄ）に示すように、凸レンズ形
状であって、シリコンからなり、直径２６ｍｍ、凸状の
下面から上面までの最大厚みが５００μｍである。さら
に、この光学素子が対象とする光の波長は、その下限値
は、好ましくは５μｍ以上、さらに好ましくは、８μｍ
以上である。また、その上限値は、好ましくは１５μｍ
以下、さらに好ましくは１２μｍ以下である。なお、シ
リコン以外のレンズ材料を用いた場合には、異なる波長
領域、例えば、０．１μｍ以上、且つ、３０μｍ以下の
範囲で使用できる光学素子を得ることができる。
られる光学素子の特性について説明する。この場合、こ
の光学素子は、図１の（ｄ）に示すように、凸レンズ形
状であって、シリコンからなり、直径２６ｍｍ、凸状の
下面から上面までの最大厚みが５００μｍである。さら
に、この光学素子が対象とする光の波長は、その下限値
は、好ましくは５μｍ以上、さらに好ましくは、８μｍ
以上である。また、その上限値は、好ましくは１５μｍ
以下、さらに好ましくは１２μｍ以下である。なお、シ
リコン以外のレンズ材料を用いた場合には、異なる波長
領域、例えば、０．１μｍ以上、且つ、３０μｍ以下の
範囲で使用できる光学素子を得ることができる。
【００３０】実施の形態２．本発明の実施の形態２に係
る光学素子の製造方法は、３次元形状のレジストパター
ンを形成する工程において、光吸収体として、光が透過
する方向の密度分布を変化させた光吸収体を用いてい
る。これによって、光吸収体の設計を容易に行うことが
できると共に、光吸収体の密度分布に対応する高精度の
３次元レジストパターンを得ることができる。
る光学素子の製造方法は、３次元形状のレジストパター
ンを形成する工程において、光吸収体として、光が透過
する方向の密度分布を変化させた光吸収体を用いてい
る。これによって、光吸収体の設計を容易に行うことが
できると共に、光吸収体の密度分布に対応する高精度の
３次元レジストパターンを得ることができる。
【００３１】この光学素子の製造方法は、実施の形態１
に係る光学素子の製造方法と比較すると、図３に示すよ
うに、レジストパターンを形成する工程において、光吸
収体１１として、柱状の吸収体の密度分布を変化させた
光吸収体１１を用いている点で相違する。具体的には、
この光吸収体１１は、図３に示すように、所定の密度分
布で分布させた複数の直径約４０ｎｍの柱状体からな
る。また、この光吸収体１１は、レンズ材料の中央部で
上記柱状体の数密度が高くなるようにし、周辺部に向っ
て徐々に数密度が減少するように分布させている。この
ように一つの柱状体の直径が４０ｎｍと微細なために、
レジスト膜上には柱状体の密度分布に対応した連続的な
像を形成する。即ち、柱状体の数密度が高い中央部では
透過するＸ線強度は弱く、柱状体の数密度が低い周辺部
では透過するＸ線強度は強くなる。個々の柱状体は、レ
ジスト膜上にコントラストを生じないように、直径を１
００ｎｍ以下にするのが好ましい。また、柱状体は円柱
体に限られず、四角柱、三角柱の他、断面が多角形の柱
状体であってもよい。さらに、四角錐、三角錐、円錐等
の錐体であってもよい。なお、光が透過する方向の吸収
体の密度分布を変化させる方法としては、上記のように
柱状の吸収体の数密度分布を変化させる場合に限られ
ず、例えばライン状の吸収体の粗密分布によって変化さ
せてもよい。
に係る光学素子の製造方法と比較すると、図３に示すよ
うに、レジストパターンを形成する工程において、光吸
収体１１として、柱状の吸収体の密度分布を変化させた
光吸収体１１を用いている点で相違する。具体的には、
この光吸収体１１は、図３に示すように、所定の密度分
布で分布させた複数の直径約４０ｎｍの柱状体からな
る。また、この光吸収体１１は、レンズ材料の中央部で
上記柱状体の数密度が高くなるようにし、周辺部に向っ
て徐々に数密度が減少するように分布させている。この
ように一つの柱状体の直径が４０ｎｍと微細なために、
レジスト膜上には柱状体の密度分布に対応した連続的な
像を形成する。即ち、柱状体の数密度が高い中央部では
透過するＸ線強度は弱く、柱状体の数密度が低い周辺部
では透過するＸ線強度は強くなる。個々の柱状体は、レ
ジスト膜上にコントラストを生じないように、直径を１
００ｎｍ以下にするのが好ましい。また、柱状体は円柱
体に限られず、四角柱、三角柱の他、断面が多角形の柱
状体であってもよい。さらに、四角錐、三角錐、円錐等
の錐体であってもよい。なお、光が透過する方向の吸収
体の密度分布を変化させる方法としては、上記のように
柱状の吸収体の数密度分布を変化させる場合に限られ
ず、例えばライン状の吸収体の粗密分布によって変化さ
せてもよい。
【００３２】なお、光吸収体１１とレンズ材料１との間
を所定間隔に調整することで、個々の柱状体についての
コントラストを生じないようにできる。例えば、光吸収
体１１として、直径５０ｎｍの柱状吸収体を５０ｎｍの
間隔で配列させた場合、光吸収体１１とレンズ材料１と
の間の間隔と透過Ｘ線強度との関係を考える。上記間隔
を約２０μｍとした場合には、レンズ材料１の上でのＸ
線強度はわずかなコントラストを生じる。ここで、コン
トラストは、最大強度Ｉｍａｘと最小強度Ｉｍ ｉｎにつ
いて、（Ｉｍａｘ−Ｉｍｉｎ）／（Ｉｍａｘ＋
Ｉｍｉｎ）で表わされ、上記の場合でもコントラストは
約０．１程度である。一般に、コントラストが約０．５
以上の場合にはレジストパターンとして表れるので、上
記のコントラストが０．１の場合には、通常、レジスト
パターンとして表れない。一方、上記間隔を６００μｍ
とすると、柱状吸収体の配列によるコントラストはほと
んど生じない。そこで、レジストパターンに柱状吸収体
の配列によるコントラストの影響を実質的に除去するた
めに、光吸収体１１とレンズ材料１との間の間隔は、図
８に示すように、好ましくは２０μｍ以上である。ま
た、好ましくは６００μｍ以下である。
を所定間隔に調整することで、個々の柱状体についての
コントラストを生じないようにできる。例えば、光吸収
体１１として、直径５０ｎｍの柱状吸収体を５０ｎｍの
間隔で配列させた場合、光吸収体１１とレンズ材料１と
の間の間隔と透過Ｘ線強度との関係を考える。上記間隔
を約２０μｍとした場合には、レンズ材料１の上でのＸ
線強度はわずかなコントラストを生じる。ここで、コン
トラストは、最大強度Ｉｍａｘと最小強度Ｉｍ ｉｎにつ
いて、（Ｉｍａｘ−Ｉｍｉｎ）／（Ｉｍａｘ＋
Ｉｍｉｎ）で表わされ、上記の場合でもコントラストは
約０．１程度である。一般に、コントラストが約０．５
以上の場合にはレジストパターンとして表れるので、上
記のコントラストが０．１の場合には、通常、レジスト
パターンとして表れない。一方、上記間隔を６００μｍ
とすると、柱状吸収体の配列によるコントラストはほと
んど生じない。そこで、レジストパターンに柱状吸収体
の配列によるコントラストの影響を実質的に除去するた
めに、光吸収体１１とレンズ材料１との間の間隔は、図
８に示すように、好ましくは２０μｍ以上である。ま
た、好ましくは６００μｍ以下である。
【００３３】実施の形態３．本発明の実施の形態３に係
る光学素子の製造方法は、光学素子としてフレネルレン
ズを対象としている。所定形状の光吸収体を用いること
でフレネルレンズ形状のレジストパターンを形成するこ
とができ、１回のエッチングで高精度のフレネルレンズ
を形成することができる。
る光学素子の製造方法は、光学素子としてフレネルレン
ズを対象としている。所定形状の光吸収体を用いること
でフレネルレンズ形状のレジストパターンを形成するこ
とができ、１回のエッチングで高精度のフレネルレンズ
を形成することができる。
【００３４】この光学素子の製造方法は、実施の形態１
に係る光学素子の製造方法と比較すると、図４に示すよ
うに、最大厚みが１００μｍのフレネルレンズを対象と
している点で相違する。具体的には、レジストパターン
を形成する工程において、フレネルレンズ形状に対応す
る形状の光吸収体（図示せず）を用いる。これによっ
て、フレネルレンズ形状のレジストパターンを形成し
（図４（ｃ））、このレジストパターンをマスクとして
エッチングすることでフレネルレンズを形成する（図４
（ｄ））。
に係る光学素子の製造方法と比較すると、図４に示すよ
うに、最大厚みが１００μｍのフレネルレンズを対象と
している点で相違する。具体的には、レジストパターン
を形成する工程において、フレネルレンズ形状に対応す
る形状の光吸収体（図示せず）を用いる。これによっ
て、フレネルレンズ形状のレジストパターンを形成し
（図４（ｃ））、このレジストパターンをマスクとして
エッチングすることでフレネルレンズを形成する（図４
（ｄ））。
【００３５】実施の形態４．本発明の実施の形態４に係
る光学素子の製造方法は、３次元形状のレジストパター
ンを形成する工程において、光吸収体として、光学素子
が対象とする光の波長以下の周期を有する微細パターン
を有する光吸収体を用いている。この光吸収体に形成し
た微細パターンによって、レジストパターンとして対応
する微細構造を形成することができる。さらに、次のエ
ッチング工程で上記微細構造を有するレジストパターン
をマスクとしてエッチングすることで、レンズ表面に反
射防止効果を有し、光学素子が対象とする光の波長以下
の微細構造を形成することができる。
る光学素子の製造方法は、３次元形状のレジストパター
ンを形成する工程において、光吸収体として、光学素子
が対象とする光の波長以下の周期を有する微細パターン
を有する光吸収体を用いている。この光吸収体に形成し
た微細パターンによって、レジストパターンとして対応
する微細構造を形成することができる。さらに、次のエ
ッチング工程で上記微細構造を有するレジストパターン
をマスクとしてエッチングすることで、レンズ表面に反
射防止効果を有し、光学素子が対象とする光の波長以下
の微細構造を形成することができる。
【００３６】この光学素子の製造方法は、実施の形態１
に係る光学素子の製造方法と比較すると、図５に示すよ
うに、３次元形状のレジストパターンを形成する工程に
おいて、光吸収体１１として、光学素子に入射する光の
波長以下の周期を有する微細パターンを有する光吸収体
１１を用いている点で相違する。さらに、図５の（ｃ）
に示すように、上記の光吸収体１１の微細パターンに対
応した微細構造を有する３次元レジストパターンを形成
している点で相違する。具体的には、この光吸収体１１
は、膜厚が１μｍであって、凹凸の間隔を１μｍとした
周期的な凹凸パターンを有している。この凹凸パターン
は、ライン＆スペース（line＆space）パターンとも呼
ばれる。この光吸収体１１に形成する微細パターンとし
ては、ライン＆スペースパターンの他、コンタクトホー
ル、市松模様等であってもよい。また、この微細パター
ンは、光学素子が対象とする光の波長以下の構造を有し
ていればよく、周期性を有しないものでもよい。なお、
微細パターンとしては、対象とする波長以下の周期パタ
ーンを形成することによって簡易に形成できる。
に係る光学素子の製造方法と比較すると、図５に示すよ
うに、３次元形状のレジストパターンを形成する工程に
おいて、光吸収体１１として、光学素子に入射する光の
波長以下の周期を有する微細パターンを有する光吸収体
１１を用いている点で相違する。さらに、図５の（ｃ）
に示すように、上記の光吸収体１１の微細パターンに対
応した微細構造を有する３次元レジストパターンを形成
している点で相違する。具体的には、この光吸収体１１
は、膜厚が１μｍであって、凹凸の間隔を１μｍとした
周期的な凹凸パターンを有している。この凹凸パターン
は、ライン＆スペース（line＆space）パターンとも呼
ばれる。この光吸収体１１に形成する微細パターンとし
ては、ライン＆スペースパターンの他、コンタクトホー
ル、市松模様等であってもよい。また、この微細パター
ンは、光学素子が対象とする光の波長以下の構造を有し
ていればよく、周期性を有しないものでもよい。なお、
微細パターンとしては、対象とする波長以下の周期パタ
ーンを形成することによって簡易に形成できる。
【００３７】次に、この光学素子の製造方法において、
上記レジストパターンを形成する工程について、図５を
用いて説明する。上記微細パターンを有する光吸収体１
１を用い、Ｘ線リソグラフィ法により、上記微細パター
ンに対応した微細形状を有するレジストパターンが得ら
れる（図５（ｃ））。このレジストパターンの厚さは、
上記実施の形態１で詳述した通り、次のエッチング工程
でのエッチングにおける選択比に対応する厚みとしてお
く。
上記レジストパターンを形成する工程について、図５を
用いて説明する。上記微細パターンを有する光吸収体１
１を用い、Ｘ線リソグラフィ法により、上記微細パター
ンに対応した微細形状を有するレジストパターンが得ら
れる（図５（ｃ））。このレジストパターンの厚さは、
上記実施の形態１で詳述した通り、次のエッチング工程
でのエッチングにおける選択比に対応する厚みとしてお
く。
【００３８】また、この光吸収体１１に形成した微細パ
ターンと、該微細パターンに対応して形成されるレジス
トパターンとの関係について説明する。まず、この光吸
収体１１とレンズ材料１との間の間隔を変化させて、レ
ンズ材料１上において観測した透過Ｘ線強度のプロファ
イルを図８に示す。このプロファイルは、光吸収体の凹
凸パターンと対応させて示している。この図８に示すよ
うに、光吸収体１１とレンズ材料１との間の間隔が２０
μｍ〜６００μｍの間では像の反転等を生じておらず、
光吸収体１１の下部では透過強度が弱く、光吸収体１１
のない部分では透過するＸ線強度が強い。従って、一度
の露光でレジストパターンを形成することができる。こ
れは、Ｘ線リソグラフィ法では焦点深度が深く、微細パ
ターンの形成が可能という特長に由来する。なお、図８
でレジストのＸ線吸収エネルギーが０．４のところを現
像のしきい値とすると、光吸収体１１とレンズ材料１と
の間の間隔に依存せずほぼ同一の寸法のレジストパター
ンが得られる。一方、現像のしきい値を０．６とする
と、上記間隔によってレジストパターンの寸法が異な
る。この場合には光吸収体１１とレンズ材料１との間の
間隔によって光吸収体１１の形状を調整しておく必要が
ある。
ターンと、該微細パターンに対応して形成されるレジス
トパターンとの関係について説明する。まず、この光吸
収体１１とレンズ材料１との間の間隔を変化させて、レ
ンズ材料１上において観測した透過Ｘ線強度のプロファ
イルを図８に示す。このプロファイルは、光吸収体の凹
凸パターンと対応させて示している。この図８に示すよ
うに、光吸収体１１とレンズ材料１との間の間隔が２０
μｍ〜６００μｍの間では像の反転等を生じておらず、
光吸収体１１の下部では透過強度が弱く、光吸収体１１
のない部分では透過するＸ線強度が強い。従って、一度
の露光でレジストパターンを形成することができる。こ
れは、Ｘ線リソグラフィ法では焦点深度が深く、微細パ
ターンの形成が可能という特長に由来する。なお、図８
でレジストのＸ線吸収エネルギーが０．４のところを現
像のしきい値とすると、光吸収体１１とレンズ材料１と
の間の間隔に依存せずほぼ同一の寸法のレジストパター
ンが得られる。一方、現像のしきい値を０．６とする
と、上記間隔によってレジストパターンの寸法が異な
る。この場合には光吸収体１１とレンズ材料１との間の
間隔によって光吸収体１１の形状を調整しておく必要が
ある。
【００３９】さらに、光吸収体１１の膜厚と、この光吸
収体１１を透過したＸ線の強度との関係について説明す
る。光吸収体１１の膜厚を変化させて、レンズ材料１の
上において観測した透過Ｘ線強度のプロファイルを図９
に示す。このプロファイルは、光吸収体１１の凹凸パタ
ーンと対応させて示している。図９に示すように、光吸
収体１１の膜厚が０．３μｍの場合には光吸収体１１の
下部にもＸ線がわずかであるが漏れている。また、膜厚
が１．０μｍ以上の場合にはサブピークを含まない。最
適な光吸収体１１の膜厚はレジストプロセスによって異
なる。例えば、光吸収体１１とレンズ材料１との間隔を
６００μｍ、光吸収体１１のパターンサイズを１μｍと
する場合には、光吸収体１１の膜厚は、好ましくは０．
８μｍ以上、さらに好ましくは１．０μｍ以上である。
収体１１を透過したＸ線の強度との関係について説明す
る。光吸収体１１の膜厚を変化させて、レンズ材料１の
上において観測した透過Ｘ線強度のプロファイルを図９
に示す。このプロファイルは、光吸収体１１の凹凸パタ
ーンと対応させて示している。図９に示すように、光吸
収体１１の膜厚が０．３μｍの場合には光吸収体１１の
下部にもＸ線がわずかであるが漏れている。また、膜厚
が１．０μｍ以上の場合にはサブピークを含まない。最
適な光吸収体１１の膜厚はレジストプロセスによって異
なる。例えば、光吸収体１１とレンズ材料１との間隔を
６００μｍ、光吸収体１１のパターンサイズを１μｍと
する場合には、光吸収体１１の膜厚は、好ましくは０．
８μｍ以上、さらに好ましくは１．０μｍ以上である。
【００４０】次に、この光学素子の製造方法において、
レンズ材料１をエッチングする工程について説明する。
上記微細形状を有するレジストパターンをマスクとして
レンズ材料１をエッチングすると、レンズ表面に、レジ
ストパターンの上記微細形状に対応した微細構造４が形
成される（図５（ｄ））。この微細構造４は、レンズが
対象とする光の波長以下の構造を有し、レンズ１０の表
面に形成された凹凸パターンからなる（図６）。また、
この微細構造によって、所定厚みの中でレンズ材料１の
部分と空気（屈折率１）とを分布させてレンズ材料の密
度を調整し、反射防止効果を有する屈折率に調整してい
る。具体的には、レンズ材料の屈折率ｎについて、微細
構造の所定厚みの屈折率を実質的に（ｎ×１）０．５と
等しくなるように調整することで、反射率を低下させる
ことができる。具体的には、表面に間隔が１μｍの市松
模様の微細構造を形成したシリコンからなる板状体と、
表面に微細構造を形成していない板状体とについて、観
測された入射光の透過率を図９に示す。図９に示すよう
に、赤外領域の波長１２μｍの光について、片側の表面
に微細構造のない板状体の透過率は５５％であるのに対
し、表面に微細構造を形成した板状体の透過率は７２％
である。このように表面に形成した微細構造によって十
分な反射防止効果が得られる。
レンズ材料１をエッチングする工程について説明する。
上記微細形状を有するレジストパターンをマスクとして
レンズ材料１をエッチングすると、レンズ表面に、レジ
ストパターンの上記微細形状に対応した微細構造４が形
成される（図５（ｄ））。この微細構造４は、レンズが
対象とする光の波長以下の構造を有し、レンズ１０の表
面に形成された凹凸パターンからなる（図６）。また、
この微細構造によって、所定厚みの中でレンズ材料１の
部分と空気（屈折率１）とを分布させてレンズ材料の密
度を調整し、反射防止効果を有する屈折率に調整してい
る。具体的には、レンズ材料の屈折率ｎについて、微細
構造の所定厚みの屈折率を実質的に（ｎ×１）０．５と
等しくなるように調整することで、反射率を低下させる
ことができる。具体的には、表面に間隔が１μｍの市松
模様の微細構造を形成したシリコンからなる板状体と、
表面に微細構造を形成していない板状体とについて、観
測された入射光の透過率を図９に示す。図９に示すよう
に、赤外領域の波長１２μｍの光について、片側の表面
に微細構造のない板状体の透過率は５５％であるのに対
し、表面に微細構造を形成した板状体の透過率は７２％
である。このように表面に形成した微細構造によって十
分な反射防止効果が得られる。
【００４１】実施の形態５．本発明の実施の形態５に係
る光学素子の製造方法は、光学素子としてフレネルレン
ズを対象としている。所定形状の微細パターンを有する
光吸収体を用いることでフレネルレンズ上にレンズに入
射する光の波長以下の微細形状を有するレジストパター
ンを形成する。このレジストパターンをマスクとしてエ
ッチングして、フレネルレンズの表面にレンズが対象と
する光の波長以下の微細構造を形成することができる。
る光学素子の製造方法は、光学素子としてフレネルレン
ズを対象としている。所定形状の微細パターンを有する
光吸収体を用いることでフレネルレンズ上にレンズに入
射する光の波長以下の微細形状を有するレジストパター
ンを形成する。このレジストパターンをマスクとしてエ
ッチングして、フレネルレンズの表面にレンズが対象と
する光の波長以下の微細構造を形成することができる。
【００４２】この光学素子の製造方法は、実施の形態４
に係る光学素子の製造方法と比較すると、図１０に示す
ように、最大厚みが１００μｍのフレネルレンズ１０ａ
を対象としている点で相違する。具体的には、レジスト
パターンを形成する工程において、対象とする光の波長
以下の微細パターンを形成した光吸収体（図示せず）を
用いる。これによって、上記光吸収体の微細パターンに
対応する微細形状を有するレジストパターンを形成し
（図１０（ｃ））、この微細形状を有するレジストパタ
ーンをマスクとしてレンズ材料をエッチングすること
で、フレネルレンズの表面に対象とする光の波長以下の
微細構造を形成できる（図１０（ｄ））。
に係る光学素子の製造方法と比較すると、図１０に示す
ように、最大厚みが１００μｍのフレネルレンズ１０ａ
を対象としている点で相違する。具体的には、レジスト
パターンを形成する工程において、対象とする光の波長
以下の微細パターンを形成した光吸収体（図示せず）を
用いる。これによって、上記光吸収体の微細パターンに
対応する微細形状を有するレジストパターンを形成し
（図１０（ｃ））、この微細形状を有するレジストパタ
ーンをマスクとしてレンズ材料をエッチングすること
で、フレネルレンズの表面に対象とする光の波長以下の
微細構造を形成できる（図１０（ｄ））。
【００４３】実施の形態６．本発明の実施の形態６に係
る光学素子の製造方法は、レジストパターンを形成する
工程において、光吸収体として、光学素子が対象とする
光の波長より大きい巨視パターン内に、対象とする光の
波長以下の微細パターンを重畳させた重畳パターンを有
する光吸収体を用いている。この重畳パターンを有する
光吸収体を用いて、Ｘ線リソグラフィ法により、該重畳
パターンに対応した重畳形状を有する前記レジストパタ
ーンを形成することができる。次いで、エッチングの工
程において、上記重畳形状に対応して、光学素子の表面
に、対象とする光の波長より大きい巨視構造内に、反射
防止効果を有し、対象とする光の波長以下の微細構造を
重畳させた重畳構造を形成することができる。
る光学素子の製造方法は、レジストパターンを形成する
工程において、光吸収体として、光学素子が対象とする
光の波長より大きい巨視パターン内に、対象とする光の
波長以下の微細パターンを重畳させた重畳パターンを有
する光吸収体を用いている。この重畳パターンを有する
光吸収体を用いて、Ｘ線リソグラフィ法により、該重畳
パターンに対応した重畳形状を有する前記レジストパタ
ーンを形成することができる。次いで、エッチングの工
程において、上記重畳形状に対応して、光学素子の表面
に、対象とする光の波長より大きい巨視構造内に、反射
防止効果を有し、対象とする光の波長以下の微細構造を
重畳させた重畳構造を形成することができる。
【００４４】この光学素子の製造方法は、実施の形態１
に係る光学素子の製造方法及び実施の形態４に係る光学
素子の製造方法と比較すると、図１１に示すように、凸
レンズ形状の巨視構造と、レンズ表面の凹凸からなる微
細構造とを重畳させて同時に形成している点で相違す
る。具体的には、レジストパターンを形成する工程にお
いて、光吸収体として、対象とする光の波長より大きい
凸レンズ形状パターン内に、対象とする光の波長以下の
凹凸パターンを重畳させた重畳パターンを有する光吸収
体（図示せず）を用いている。これによって、この重畳
パターンに対応する重畳形状を有するレジストパターン
を形成でき（図１１（ｃ））、このレジストパターンを
マスクとしてエッチングして、光学的に機能する巨視構
造である凸レンズ形状を形成すると共に、該レンズ１０
の表面に対象とする光の波長以下の微細構造である凹凸
パターンを重畳させて同時に形成することができる（図
１１（ｄ））。
に係る光学素子の製造方法及び実施の形態４に係る光学
素子の製造方法と比較すると、図１１に示すように、凸
レンズ形状の巨視構造と、レンズ表面の凹凸からなる微
細構造とを重畳させて同時に形成している点で相違す
る。具体的には、レジストパターンを形成する工程にお
いて、光吸収体として、対象とする光の波長より大きい
凸レンズ形状パターン内に、対象とする光の波長以下の
凹凸パターンを重畳させた重畳パターンを有する光吸収
体（図示せず）を用いている。これによって、この重畳
パターンに対応する重畳形状を有するレジストパターン
を形成でき（図１１（ｃ））、このレジストパターンを
マスクとしてエッチングして、光学的に機能する巨視構
造である凸レンズ形状を形成すると共に、該レンズ１０
の表面に対象とする光の波長以下の微細構造である凹凸
パターンを重畳させて同時に形成することができる（図
１１（ｄ））。
【００４５】実施の形態７．本発明の実施の形態６に係
る光学素子の製造方法は、光学素子としてフレネルレン
ズを対象としている。この光学素子の製造方法では、レ
ジストパターンを形成する工程において、光吸収体とし
て、フレネルレンズ形状の巨視パターン内に対象とする
光の波長以下の微細パターンを重畳させた重畳パターン
を有する光吸収体を用いている。これによって、フレネ
ルレンズの表面にレジストパターンを形成する場合に比
べて、高精度に微細形状を有するレジストパターンを形
成できる。そのため、このレジストパターンをマスクと
してエッチングするので、巨視構造であるフレネルレン
ズ形状を形成すると共に、該レンズ表面に対象とする光
の波長以下の凹凸パターンからなる微細構造を重畳させ
て同時に形成できる。
る光学素子の製造方法は、光学素子としてフレネルレン
ズを対象としている。この光学素子の製造方法では、レ
ジストパターンを形成する工程において、光吸収体とし
て、フレネルレンズ形状の巨視パターン内に対象とする
光の波長以下の微細パターンを重畳させた重畳パターン
を有する光吸収体を用いている。これによって、フレネ
ルレンズの表面にレジストパターンを形成する場合に比
べて、高精度に微細形状を有するレジストパターンを形
成できる。そのため、このレジストパターンをマスクと
してエッチングするので、巨視構造であるフレネルレン
ズ形状を形成すると共に、該レンズ表面に対象とする光
の波長以下の凹凸パターンからなる微細構造を重畳させ
て同時に形成できる。
【００４６】この光学素子の製造方法は、実施の形態６
に係る光学素子の製造方法と比較すると、図１２に示す
ように、対象となる光学素子１０がフレネルレンズであ
る点で相違する。
に係る光学素子の製造方法と比較すると、図１２に示す
ように、対象となる光学素子１０がフレネルレンズであ
る点で相違する。
【００４７】実施の形態８．本発明の実施の形態８に係
る光学素子の製造方法は、紫外光の波長以下の光源から
の光を、光学的に機能する光学面に対応する形状を備え
た光吸収体を介して光学素子部材の一方の表面上のレジ
スト膜に照射して、３次元形状のレジストパターンを形
成する工程と、上記レジストパターンをマスクとして上
記光学素子部材をエッチングする工程とを、光学素子の
光入射面と光出射面のそれぞれについて順次行ってい
る。これによって、両面レンズを製造している。なお、
両面レンズとすることで、片面レンズの場合に比べて片
面部分の厚さを薄くできる。
る光学素子の製造方法は、紫外光の波長以下の光源から
の光を、光学的に機能する光学面に対応する形状を備え
た光吸収体を介して光学素子部材の一方の表面上のレジ
スト膜に照射して、３次元形状のレジストパターンを形
成する工程と、上記レジストパターンをマスクとして上
記光学素子部材をエッチングする工程とを、光学素子の
光入射面と光出射面のそれぞれについて順次行ってい
る。これによって、両面レンズを製造している。なお、
両面レンズとすることで、片面レンズの場合に比べて片
面部分の厚さを薄くできる。
【００４８】この光学素子の製造方法は、実施の形態１
に係る光学素子の製造方法と比較すると、図１３の
（ａ）及び（ｂ）の断面図に示すように、光学素子の光
入射面と光出射面の両面について光学面を順次作製して
いる点で相違する。図１３の（ａ）は、両面に凸レンズ
形状を形成した両面レンズ１０ｂの断面図であり、
（ｂ）は両面にフレネルレンズを形成した両面フレネル
レンズ１０ｃの断面図である。
に係る光学素子の製造方法と比較すると、図１３の
（ａ）及び（ｂ）の断面図に示すように、光学素子の光
入射面と光出射面の両面について光学面を順次作製して
いる点で相違する。図１３の（ａ）は、両面に凸レンズ
形状を形成した両面レンズ１０ｂの断面図であり、
（ｂ）は両面にフレネルレンズを形成した両面フレネル
レンズ１０ｃの断面図である。
【００４９】
【発明の効果】本発明に係る光学素子の製造方法によれ
ば、紫外光の波長以下の光を光学的に機能する光学面に
対応する光吸収体を介して光学素子部材の少なくとも一
方の表面上のレジスト膜に照射して３次元形状のレジス
トパターンを形成している。これによって１回のエッチ
ングで高精度なレンズ形状を得ることができる。
ば、紫外光の波長以下の光を光学的に機能する光学面に
対応する光吸収体を介して光学素子部材の少なくとも一
方の表面上のレジスト膜に照射して３次元形状のレジス
トパターンを形成している。これによって１回のエッチ
ングで高精度なレンズ形状を得ることができる。
【００５０】また、本発明に係る光学素子の製造方法に
よれば、３次元形状のレジストパターンを形成する工程
において、光吸収体として、光が透過する方向の膜厚分
布を変化させた光吸収体を用いている。これによって、
光吸収体の設計を容易に行うことができると共に、光吸
収体の膜厚分布に対応する高精度の３次元レジストパタ
ーンを得ることができる。
よれば、３次元形状のレジストパターンを形成する工程
において、光吸収体として、光が透過する方向の膜厚分
布を変化させた光吸収体を用いている。これによって、
光吸収体の設計を容易に行うことができると共に、光吸
収体の膜厚分布に対応する高精度の３次元レジストパタ
ーンを得ることができる。
【００５１】さらに、本発明に係る光学素子の製造方法
によれば、３次元形状のレジストパターンを形成する工
程において、光吸収体として、光が透過する方向の密度
分布を変化させた光吸収体を用いている。これによっ
て、光吸収体の設計を容易に行うことができると共に、
光吸収体の密度分布に対応する高精度の３次元レジスト
パターンを得ることができる。
によれば、３次元形状のレジストパターンを形成する工
程において、光吸収体として、光が透過する方向の密度
分布を変化させた光吸収体を用いている。これによっ
て、光吸収体の設計を容易に行うことができると共に、
光吸収体の密度分布に対応する高精度の３次元レジスト
パターンを得ることができる。
【００５２】またさらに、本発明に係る光学素子の製造
方法によれば、可視光領域から赤外光領域で用いる広波
長範囲レンズを得ることができる。
方法によれば、可視光領域から赤外光領域で用いる広波
長範囲レンズを得ることができる。
【００５３】また、本発明に係る光学素子の製造方法に
よれば、レジストパターンを形成する工程において、光
吸収体として、光学素子が対象とする光の波長より大き
い巨視パターンを有する光吸収体を用いている。これに
よって、この巨視パターンに対応する巨視形状を有する
レジストパターンを形成し、さらに巨視形状に対応する
高精度の巨視構造を有する光学素子を得ることができ
る。
よれば、レジストパターンを形成する工程において、光
吸収体として、光学素子が対象とする光の波長より大き
い巨視パターンを有する光吸収体を用いている。これに
よって、この巨視パターンに対応する巨視形状を有する
レジストパターンを形成し、さらに巨視形状に対応する
高精度の巨視構造を有する光学素子を得ることができ
る。
【００５４】さらに、本発明に係る光学素子の製造方法
によれば、３次元形状のレジストパターンを形成する工
程において、光吸収体として、光学素子が対象とする光
の波長以下の微細パターンを有する光吸収体を用いてい
る。この光吸収体に形成した微細パターンによって、対
応する微細形状を有するレジストパターンを形成するこ
とができる。さらに、次のエッチング工程で上記微細形
状を有するレジストパターンをマスクとしてエッチング
することで、レンズ表面に反射防止効果を有し、光学素
子が対象とする光の波長以下の微細構造を形成すること
ができる。
によれば、３次元形状のレジストパターンを形成する工
程において、光吸収体として、光学素子が対象とする光
の波長以下の微細パターンを有する光吸収体を用いてい
る。この光吸収体に形成した微細パターンによって、対
応する微細形状を有するレジストパターンを形成するこ
とができる。さらに、次のエッチング工程で上記微細形
状を有するレジストパターンをマスクとしてエッチング
することで、レンズ表面に反射防止効果を有し、光学素
子が対象とする光の波長以下の微細構造を形成すること
ができる。
【００５５】またさらに、本発明に係る光学素子の製造
方法によれば、レジストパターンを形成する工程におい
て、光吸収体として、光学素子が対象とする光の波長よ
り大きい巨視パターン内に、対象とする光の波長以下の
微細パターンを重畳させた重畳パターンを有する光吸収
体を用いている。この重畳パターンを有する光吸収体を
用いて、Ｘ線リソグラフィ法により、該重畳パターンに
対応した重畳形状を有する前記レジストパターンを形成
することができる。次いで、エッチングの工程におい
て、重畳形状に対応して、光学素子の表面に、対象とす
る光の波長より大きい巨視構造内に対象とする光につい
て反射防止効果を有し、対象とする光の波長以下の微細
構造を重畳させた重畳構造を形成することができる。
方法によれば、レジストパターンを形成する工程におい
て、光吸収体として、光学素子が対象とする光の波長よ
り大きい巨視パターン内に、対象とする光の波長以下の
微細パターンを重畳させた重畳パターンを有する光吸収
体を用いている。この重畳パターンを有する光吸収体を
用いて、Ｘ線リソグラフィ法により、該重畳パターンに
対応した重畳形状を有する前記レジストパターンを形成
することができる。次いで、エッチングの工程におい
て、重畳形状に対応して、光学素子の表面に、対象とす
る光の波長より大きい巨視構造内に対象とする光につい
て反射防止効果を有し、対象とする光の波長以下の微細
構造を重畳させた重畳構造を形成することができる。
【００５６】また、本発明に係る光学素子の製造方法に
よれば、微細パターンは、対象とする光の波長以下の周
期を有する。これによって、光学素子の表面に対象とす
る光について反射防止効果の高い微細構造を形成するこ
とができる。
よれば、微細パターンは、対象とする光の波長以下の周
期を有する。これによって、光学素子の表面に対象とす
る光について反射防止効果の高い微細構造を形成するこ
とができる。
【００５７】さらに、本発明に係る光学素子の製造方法
によれば、レジストパターンの形成に、０．１ｎｍ以
上、且つ、５ｎｍ以下の範囲内の光を用いることで高精
度のレンズ形状や微細構造を形成することができる。
によれば、レジストパターンの形成に、０．１ｎｍ以
上、且つ、５ｎｍ以下の範囲内の光を用いることで高精
度のレンズ形状や微細構造を形成することができる。
【００５８】またさらに、本発明に係る光学素子の製造
方法によれば、少なくとも一方の光学面は、光学素子の
光入射面または光出射面である。このため、例えば、光
学素子部材の両面について光学面の形成を行って両面レ
ンズを作成できる。なお、両面レンズとすることで、片
面レンズの場合に比べて片面部分の厚さを薄くできる。
方法によれば、少なくとも一方の光学面は、光学素子の
光入射面または光出射面である。このため、例えば、光
学素子部材の両面について光学面の形成を行って両面レ
ンズを作成できる。なお、両面レンズとすることで、片
面レンズの場合に比べて片面部分の厚さを薄くできる。
【００５９】また、本発明に係る光学素子の製造方法に
よれば、高精度のレンズ形状や微細構造を有するレン
ズ、プリズム、フレネルレンズ、反射型レンズ等を得る
ことができる。
よれば、高精度のレンズ形状や微細構造を有するレン
ズ、プリズム、フレネルレンズ、反射型レンズ等を得る
ことができる。
【図１】 本発明の実施の形態１に係る光学素子の製造
方法の各工程を示す工程図である。
方法の各工程を示す工程図である。
【図２】 本発明の実施の形態１に係る光学素子の製造
方法のレジストパターンを形成する工程におけるＸ線リ
ソグラフィ法の詳細を示す図である。
方法のレジストパターンを形成する工程におけるＸ線リ
ソグラフィ法の詳細を示す図である。
【図３】 本発明の実施の形態２に係る光学素子の製造
方法のレジストパターンを形成する工程におけるＸ線リ
ソグラフィ法の詳細を示す図である。
方法のレジストパターンを形成する工程におけるＸ線リ
ソグラフィ法の詳細を示す図である。
【図４】 本発明の実施の形態３に係る光学素子の製造
方法の各工程を示す工程図である。
方法の各工程を示す工程図である。
【図５】 本発明の実施の形態４に係る光学素子の製造
方法の各工程を示す工程図である。
方法の各工程を示す工程図である。
【図６】 本発明の実施の形態４に係る光学素子の製造
方法により製造された片面凸レンズの断面図である。
方法により製造された片面凸レンズの断面図である。
【図７】 図６の片面凸レンズの表面に形成された微細
構造と同様の微細構造を表面に形成したシリコン板の透
過率のグラフである。
構造と同様の微細構造を表面に形成したシリコン板の透
過率のグラフである。
【図８】 本発明の実施の形態４に係る光学素子の製造
方法において、光吸収体と光学素子部材との間の間隔を
変化させた場合の光吸収体パターンとＸ線強度の関係を
示すグラフである。
方法において、光吸収体と光学素子部材との間の間隔を
変化させた場合の光吸収体パターンとＸ線強度の関係を
示すグラフである。
【図９】 本発明の実施の形態４に係る光学素子の製造
方法において、光吸収体膜厚を変化させた場合の光吸収
体パターンとＸ線強度の関係を示すグラフである。
方法において、光吸収体膜厚を変化させた場合の光吸収
体パターンとＸ線強度の関係を示すグラフである。
【図１０】 本発明の実施の形態５に係る光学素子の製
造方法の各工程を示す工程図である。
造方法の各工程を示す工程図である。
【図１１】 本発明の実施の形態６に係る光学素子の製
造方法の各工程を示す工程図である。
造方法の各工程を示す工程図である。
【図１２】 本発明の実施の形態７に係る光学素子の製
造方法の各工程を示す工程図である。
造方法の各工程を示す工程図である。
【図１３】 （ａ）は、本発明の実施の形態８に係る光
学素子の製造方法によって両面を形成された両面レンズ
の断面図であり、（ｂ）は、両面にフレネルレンズを形
成された両面フレネルレンズの断面図である。
学素子の製造方法によって両面を形成された両面レンズ
の断面図であり、（ｂ）は、両面にフレネルレンズを形
成された両面フレネルレンズの断面図である。
１ レンズ材料（光学素子部材）、２ レジスト膜、４
微細構造、１０、片面レンズ、１０ａ 片面フレネル
レンズ、１０ｂ 両面レンズ、１０ｃ 両面フレネルレ
ンズ、１１、１１ａ 光吸収体、１２ メンブレン、１
３ シリコン、１４ サポートリング、２０ Ｘ線マス
ク、２２ Ｘ線
微細構造、１０、片面レンズ、１０ａ 片面フレネル
レンズ、１０ｂ 両面レンズ、１０ｃ 両面フレネルレ
ンズ、１１、１１ａ 光吸収体、１２ メンブレン、１
３ シリコン、１４ サポートリング、２０ Ｘ線マス
ク、２２ Ｘ線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｂ 5/18 Ｇ０２Ｂ 5/18 // Ｇ０３Ｆ 7/40 ５２１ Ｇ０３Ｆ 7/40 ５２１ (72)発明者 丸本 健二 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 綾 淳 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 2H042 BA03 BA13 BA15 2H049 AA04 AA33 AA37 AA44 AA45 AA63 2H096 AA00 AA28 EA07 EA30 HA14 JA04 2H097 CA13 FA09 LA15
Claims (11)
- 【請求項１】 光学素子部材を用意する工程と、 前記光学素子部材の少なくとも一方の表面上にレジスト
膜を形成する工程と、 光源から紫外光の波長以下の波長を有する光を、光学的
に機能する光学面に対応する形状を備えた光吸収体を介
して前記レジスト膜に照射して、３次元形状のレジスト
パターンを形成する工程と、 前記レジストパターンをマスクとして前記光学素子部材
をエッチングする工程とを含むことを特徴とする光学素
子の製造方法。 - 【請求項２】 前記レジストパターンを形成する工程に
おいて、前記光吸収体として、前記光源からの光が透過
する方向の膜厚分布を変化させた光吸収体を用いること
を特徴とする請求項１に記載の光学素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記レジストパターンを形成する工程に
おいて、前記光吸収体として、前記光源からの光が透過
する方向の密度分布を変化させた光吸収体を用いること
を特徴とする請求項１又は２に記載の光学素子の製造方
法。 - 【請求項４】 前記光学素子が対象とする光の波長は、
０．１μｍ以上、且つ、３０μｍ以下の範囲内であるこ
とを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の
光学素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記レジストパターンを形成する工程に
おいて、前記光吸収体として、前記光学素子が対象とす
る光の波長より大きい巨視パターンを有する光吸収体を
用いて、前記巨視パターンに対応する巨視形状を有する
前記レジストパターンを形成すると共に、 前記エッチングの工程において、前記光学素子部材の表
面に、前記光学素子が対象とする光の波長より大きい巨
視構造を形成することを特徴とする請求項４に記載の光
学素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記レジストパターンを形成する工程に
おいて、前記光吸収体として、前記光学素子が対象とす
る光の波長以下の微細パターンを形成した光吸収体を用
いて、前記微細パターンに対応する微細形状を有するレ
ジストパターンを形成すると共に、 前記エッチングの工程において、前記光学素子部材の表
面に、前記光学素子が対象とする光について反射防止効
果を有し、前記対象とする光の波長以下の微細構造を形
成することを特徴とする請求項４に記載の光学素子の製
造方法。 - 【請求項７】 前記レジストパターンを形成する工程に
おいて、前記光吸収体として、前記光学素子が対象とす
る光の波長より大きい巨視パターン内に、前記対象とす
る光の波長以下の微細パターンを重畳させた重畳パター
ンを有する光吸収体を用い、前記重畳パターンに対応し
た重畳形状を有する前記レジストパターンを形成すると
共に、 前記エッチングの工程において、前記重畳形状に対応し
て、前記光学素子部材の表面に、前記光学素子が対象と
する光の波長より大きい巨視構造内に前記対象とする光
の波長以下の微細構造を重畳させた重畳構造を形成する
ことを特徴とする請求項４に記載の光学素子の製造方
法。 - 【請求項８】 前記微細パターンは、前記対象とする光
の波長以下の周期を有することを特徴とする請求項６又
は７に記載の光学素子の製造方法。 - 【請求項９】 前記レジストパターンの形成工程におい
て、用いる前記光の波長は、０．１ｎｍ以上、且つ、５
ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項１から８
のいずれか一項に記載の光学素子の製造方法。 - 【請求項１０】 前記少なくとも一方の光学面は、光学
素子の光入射面又は光出射面であることを特徴とする請
求項１から９のいずれか一項に記載の光学素子の製造方
法。 - 【請求項１１】 前記光学素子は、レンズ、プリズム、
フレネルレンズ、反射型レンズのうちの少なくとも一つ
であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一
項に記載のレンズの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001089860A JP2002287370A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | 光学素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001089860A JP2002287370A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | 光学素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002287370A true JP2002287370A (ja) | 2002-10-03 |
Family
ID=18944725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001089860A Pending JP2002287370A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | 光学素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2002287370A (ja) |
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- 2001-03-27 JP JP2001089860A patent/JP2002287370A/ja active Pending
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